TRANSISTORES BJT

• Inventados en 1947 por John Bardeen,

Walter Houser Brattain y William Bradford
Shockley, en los laboratorios de la Bell
Telephone Company.

• Dispositivo semiconductor conformado por

dos uniones PN, capaz de amplificar señales
alternas y de funcionar como interruptor.

• Reemplazó los tubos de vacío.

Transistores
 Tubos de vacío

Transistores
 Transistor original

Transistores
 Transistores actuales

Transistores
Transistores
Transistores
 Transistor NPN

Transistores
 Transistor PNP

𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
Transistores
 • El transistor es un dispositivo semiconductor de tres (3) terminales:

o Base
o Colector
o Emisor

• BJT: Bipolar Junction Transistor

• Es una fuente de corriente controlada por corriente.

Transistores Bipolares de unión (BJT)

 • En los transistores se presentan tres (3) corrientes.

o 𝐼𝐵 Corriente de base
o 𝐼𝐶 Corriente de colector
o 𝐼𝐸 Corriente de emisor

• 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 → LCK
• 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 → 𝐼𝐶 ≫ 𝐼𝐵

NPN PNP

Corrientes en un transistor
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 • La ganancia de corriente de un transistor es el cociente de la corriente
del colector (𝐼𝐶 ) entre la corriente de base (𝐼𝐵 ) y se expresa como
beta (𝛽𝑑𝑐 ).
𝐼𝐶
𝛽𝑑𝑐 =
𝐼𝐵

• El cociente de la corriente del colector (𝐼𝐶 ) entre la corriente del emisor

(𝐼𝐸 ) es el alfa 𝛼𝑑𝑐 .
𝐼𝐶
𝛼𝑑𝑐 =
𝐼𝐸

Relación de corrientes en un transistor

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7𝑉

• Aplicando LVK, el voltaje a través de 𝑅𝐵 es

𝑉𝑅𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸

𝐼𝐵 𝑅𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸

𝑽𝑩𝑩 − 𝟎. 𝟕𝑽
𝑰𝑩 =
𝑹𝑩

Análisis del circuito con transistor BJT

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 𝑹𝑪

Análisis del circuito con transistor BJT

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 • Muestra el comportamiento de la corriente de colector (𝐼𝐶 ) al cambiar
el voltaje en el colector con respecto al emisor (𝑉𝐶𝐸 ), con un valor fijo
de 𝐼𝐵 .

Curvas características del colector

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Curvas características del colector
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Zonas de operación
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
• Zona de saturación, estado de un BJT en el cual la corriente en el colector
alcanza un máximo independientemente de la corriente base (𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 →
𝑀á𝑥𝑖𝑚𝑎 ; 𝑉𝐶𝐸 ≈ 0𝑉).

• Cuando 𝑉𝐶𝐸 excede de 0.7𝑉, la unión base – colector se polariza en inversa y

el transistor entra a la región lineal o zona activa de su operación.

• Zona de corte, es el estado de no conducción de un transistor (𝐼𝐶 = 0𝐴;

𝑉𝐶𝐸 → 𝑀á𝑥𝑖𝑚𝑜).

• Zona de ruptura, no se debe trabajar en esta zona.

Zonas de operación
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
• Se utiliza para conocer el punto 𝑄 del transistor.

• Las condiciones de corte y saturación pueden ser ilustradas en relación con

las curvas características de colector con el uso de una recta de carga.

Recta de carga
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
• Para trazar la recta de carga se utiliza la ecuación 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶

• El punto de corte con el eje 𝑋(𝑉𝐶𝐸 ), se obtiene haciendo 𝐼𝑐 = 0.

• El punto de corte con el eje 𝑌(𝐼𝐶 ), se obtiene hacienda 𝑉𝐶𝐸 = 0.

Recta de carga
• Punto de operación 𝑄(𝑉𝐶𝐸𝑄 , 𝐼𝐶𝑄 )

• Voltaje colector emisor (𝑉𝐶𝐸)

• Corriente de colector (𝐼𝐶 )

• Permite conocer en que zona se esta trabajando.

Punto 𝑸
• El transistor funciona en la zona de corte y saturación.

• No se utilizan los puntos 𝑄 de la zona activa.

• Utilizado en circuitos digitales.

• Circuitos de conmutación. Activación – desactivación de cargas.

El BJT como interruptor

 • Condiciones en corte

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪

• Condiciones en saturación

𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪𝑬(𝒔𝒂𝒕)
𝑰𝑪(𝒔𝒂𝒕) =
𝑹𝑪

𝑰𝑪(𝒔𝒂𝒕)
𝑰𝑩(𝒎í𝒏) =
𝜷𝒅𝒄

El BJT como interruptor

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 • Cuando 𝑉𝐸𝑁𝑇 = 0𝑉, el transistor esta en corte (actúa como
un interruptor abierto)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 𝟏𝟎𝑽

• Como 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) es despreciado (que se supone es de 0𝑉)

𝑉𝐶𝐶 10𝑉
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = = = 10𝑚𝐴
𝑅𝐶 1.0𝑘Ω

𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) 10𝑚𝐴
𝐼𝐵 𝑚í𝑛 = = = 50𝑢𝐴
𝛽𝑑𝑐 200

EJEMPLO 2
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
• Un transistor amplifica corriente por que la corriente al colector es igual a la
corriente en la base multiplicada por la ganancia de corriente, 𝛽.

• El transistor de la figura proporciona amplificación en la forma de ganancia de

voltaje, la cual depende de los valores de 𝑅𝑐 y de 𝑟′𝑒 .

𝑹𝑪
𝑨𝒗 ≅
𝒓′𝒆

El BJT como amplificador

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Determine la ganancia de voltaje y el voltaje de salida de AC de la figura, si
𝑟′𝑒 = 50Ω.

La ganancia de voltaje es
𝑅𝐶 1.0𝑘Ω
𝐴𝑣 ≅ ′ = = 20
𝑟𝑒 50Ω

Por consiguiente, el voltaje de salida de AC es

𝑉𝑠𝑎𝑙 = 𝐴𝑣 𝑉𝑏 = 20 100𝑚𝑉 = 2𝑉𝑟𝑚𝑠

EJEMPLO 1
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
• Configuración mas utilizada en los transistores.

• El voltaje aplicado a la base depende de un divisor de voltaje.

𝑹𝟐
𝑽𝑻𝑯 = 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐

𝑹𝟏 𝑹𝟐
𝑹𝑻𝑯 =
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐

Polarización por divisor de tensión

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 El equivalente Thevenin del circuito de polarización se puede
observar en el recuadro gris de la figura, aplicando LVK, se
obtiene

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝑅𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝑅𝐸 = 0

𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑅
𝑉𝑇𝐻 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑇𝐻ൗ𝛽 + 𝑉𝐵𝐸
𝑑𝑐

𝑽𝑻𝑯 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑬 =
𝑹
𝑹𝑬 + 𝑻𝑯
𝜷𝒅𝒄
𝑽𝑻𝑯 − 𝟎, 𝟕
𝑰𝑩 =
𝑹𝑻𝑯 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝑬

Polarización por divisor de tensión

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 Hallar 𝐼𝐵𝑄 , 𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 . 𝛽 = 80

9.1𝑘Ω
𝑉𝑇𝐻 = 16𝑉 ∗ = 𝟐. 𝟎𝟒𝑽
62𝑘Ω + 9.1𝑘Ω

62𝑘Ω ∗ 9.1𝑘Ω
𝑅𝑇𝐻 = = 𝟕. 𝟗𝟑𝒌Ω
62𝑘Ω + 9.1𝑘Ω

EJEMPLO 3
 2.04𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵𝑄 = = 𝟐𝟏. 𝟒𝒖𝑨
7.93𝑘Ω + 81(0.68𝑘Ω)

16𝑉
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = 𝟑. 𝟒𝟗𝒎𝑨
3.9𝑘Ω + 0.68𝑘Ω

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵 = 80 21.4𝑢𝐴 = 𝟏. 𝟕𝟏𝒎𝑨 Region activa

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 16𝑉 − 1.71𝑚𝐴 3.9𝑘Ω + 0.68𝑘Ω = 𝟖. 𝟐𝟏𝑽

𝑸(𝟖, 𝟐𝟏𝑽, 𝟏. 𝟕𝟏𝒎𝑨)

EJEMPLO 3
 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐸 = 0𝑉

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝛽𝑑𝑐
𝑅𝐵

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

Polarización de la base
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 Calcular 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐵 , 𝛽 = 90
16𝑉 − 𝐼𝐵 470𝑘Ω − 0.7𝑉 = 0
𝐼𝐵 = 325𝑢𝐴

16𝑉
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = = 4.84𝑚𝐴
3.3𝑘Ω

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵 = 90 ∗ 325𝑢𝐴 = 2.92𝑚𝐴 Region activa

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 16𝑉 − 2.92𝑚𝐴 3.3𝑘Ω = 6.36𝑉

𝑉𝐶 = 6.36 𝑉 𝑉𝐸 = 0𝑉 𝑉𝐵 = 0.7𝑉

EJEMPLO 4 𝑸(𝟔. 𝟑𝟔𝑽, 𝟎. 𝟗𝟐𝒎𝑨)

 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐸 = −𝑉𝐸𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 ≅
𝑅𝐸

𝑉𝐵
- 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

Polarización del emisor

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐸 = 0𝑉

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 ≅
𝑅𝐶

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶

𝑉𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

Polarización con realimentación del colector

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 Calcule los valores del punto 𝑄 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 𝛽 = 100

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 10𝑉 − 0.7𝑉

𝐼𝐶 = = = 788𝑢𝐴
𝑅𝐵 10𝑘Ω + 180𝑘Ωൗ100
𝑅𝐶 + ൗ𝛽
𝑑𝑐

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 10𝑉 − 788𝑢𝐴 10𝑘Ω = 2.12𝑉

𝑸(𝟕𝟖𝟖𝒖𝑨, 𝟐. 𝟏𝟐𝑽)

EJEMPLO 5
 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸

𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 ≅
𝑅
𝑅𝐸 + 𝐵ൗ𝛽
𝑑𝑐
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑆𝑖 𝛽𝑅𝐸 ≫ 𝑅𝐵 → 𝐼𝐸 ≅
𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

Polarización con realimentación del emisor

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
• Una etapa es considerada como un transistor con todos los elementos
pasivos conectados a el.

• Cuando varios transistores son conectados entre si, se dice que se tiene un
circuito de múltiples etapas.

• El valor de salida de una etapa dependerá de la salida de la etapa anterior.

Circuitos multi etapas

Circuitos multi etapas
¿Cuál es la tensión de salida en el circuito, si 𝛽 = 200? Ignore 𝑟′𝑒 en los cálculos.
𝑍𝑖𝑛(𝑏𝑎𝑠𝑒) = 36𝑘Ω y 𝑍𝑖𝑛(𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎) = 1.71𝑘Ω.
1.71𝑘Ω
𝑉𝑖𝑛 = 1𝑚𝑉 = 0.74𝑚𝑉
600Ω + 1.71𝑘Ω

𝑟𝑐 = 3.6𝑘Ω||1.71𝑘Ω = 1.6𝑘Ω → 𝑃𝑟𝑖𝑚𝑒𝑟𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎

1.16𝑘Ω
𝐴𝑣1 = = 6.44
180Ω
→ 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑝𝑟𝑖𝑚𝑒𝑟𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎

𝑉𝑐 = 6.44 0.74𝑚𝑉 = 4.77𝑚𝑉

2.65𝑘Ω
𝐴𝑣2 = = 14.7
180Ω
→ 𝐺𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑠𝑒𝑔𝑢𝑛𝑑𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎

𝑉𝑜𝑢𝑡 = 14.7 4.77𝑚𝑉 = 70𝑚𝑉

Circuitos multi etapas (EJEMPLO 6)

Halle el punto 𝑄 de cada transistor. 𝛽1 = 𝛽2 = 100

100𝑘Ω
𝑉𝑇𝐻 = 24𝑉 ∗ = 13.16𝑉
100𝑘Ω+82𝑘Ω

(100𝑘Ω)(82𝑘Ω)
𝑅𝑇𝐻 = = 45𝑘Ω
(100𝑘Ω + 82𝑘Ω)

𝐼𝐸1 = 𝛽1 + 1 𝐼𝐵1 = 𝐼𝐵2

𝐼𝐸2 = 𝛽2 + 1 𝐼𝐵2 = 𝛽2 + 1 𝛽1 + 1 𝐼𝐵1
𝐼𝐸2 ≈ 𝛽1 𝛽2 𝐼𝐵1

Circuitos multi etapas (EJEMPLO 7)

 13.16𝑉 − 145𝑘Ω𝐼𝐵1 − 0.7𝑉 − 0.7𝑉 − 100𝑘Ω𝐼𝐸2 = 0
13.16𝑉 − 145𝑘Ω − 1.4𝑉 − 1000 100𝑘Ω 𝐼𝐵1

13.16𝑉 − 1.4𝑉
𝐼𝐵1 = = 𝟏𝟏. 𝟕𝒏𝑨
145𝑘Ω + 1000(100𝑘Ω)

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽1 𝐼𝐵1 = 100 11.7𝑛𝐴 = 𝟏. 𝟏𝟖𝒏𝑨

𝐼𝐸1 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵1 = 101 11.7𝑛𝐴 = 𝟏. 𝟏𝟖𝒖𝑨

𝐼𝐸2 = 𝛽 + 1 𝐼𝐸1 = 101 1.18𝑢𝐴 = 𝟏𝟏𝟗𝒖𝑨

𝑉𝐶𝐸2 = 24𝑉 − 119𝑢𝐴 1𝑘Ω + 100𝑘Ω = 𝟏𝟐. 𝟎𝟏𝟗𝐕

𝑉𝐸2 = 119𝑢𝐴 100𝑘Ω = 𝟏𝟏. 𝟗𝑽

𝑉𝐵𝐸2 = 𝑉𝐵2 − 𝑉𝐸2 = 0.7𝑉 + 11.9𝑉 = 𝟏𝟐. 𝟔𝑽

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶1 − 𝑉𝐸1 = 24𝑉 − 12.6𝑉 = 𝟏𝟏. 𝟒𝑽

Circuitos multi etapas (EJEMPLO 7) 𝑸( 𝟏. 𝟏𝟖𝒏𝑨, 𝟏𝟏. 𝟒𝑽)

Análisis de circuitos con BJT
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Análisis de circuitos con BJT
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Reguladores BJT - Paralelo
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Reguladores BJT - Paralelo
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Reguladores BJT - Serie
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Reguladores BJT - Serie
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Reguladores BJT - Serie
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Reguladores BJT - Serie
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 Modelo híbrido pi del transistor para operación en el rango de frecuencias medias

Transistor en AC – Modelos de pequeña señal

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 Modelo híbrido pi del transistor para operación en el rango de frecuencias medias

Transistor en AC – Modelos de pequeña señal

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 𝐼𝐶𝑄 𝐼𝐶𝑄
𝑔𝑚 = ≈
𝑉𝑇 26𝑚𝑉

1 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = =
𝑔𝑚 𝐼𝐶𝑄

𝑘𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞

𝑔𝑚 : 𝑇𝑟𝑎𝑛𝑠𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝛽
𝑟𝜋 =
𝑉𝑇 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑡é𝑟𝑚𝑖𝑐𝑜 𝑔𝑚
𝑘: 𝐶𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝐵𝑜𝑙𝑡𝑧

Transistor en AC – Modelo Híbrido pi

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 𝑉𝑇 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = ≈
𝐼𝐶𝑄 𝐼𝐶𝑄

𝑘𝑇
𝑉𝑇 =
𝑞

Transistor en AC – Modelo 𝒓𝒆
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Parámetros del amplificador de pequeña señal
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 Los condensadores de acople (o de paso) presentan un
camino de baja resistencia para la señal AC, en el rango
de frecuencias medias, y bloquean los componentes de
corriente continua.

Amplificador en emisor común - Análisis

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 •Tonos graves (frecuencias bajas, correspondientes a las
4 primeras octavas, esto es, desde los 16 Hz a los 256
Hz)
•Tonos medios (frecuencias medias, correspondientes a
las octavas quinta, sexta y séptima, esto es, de 256 Hz a
2 kHz)
•Tonos agudos (frecuencias altas, correspondientes a las
tres últimas octavas, esto es, de 2 kHz hasta poco más de
BW = 𝑓ℎ − 𝑓𝐿 16 kHz)

La respuesta en baja frecuencia del amplificador está determinada por

los condensadores de acople.
La frecuencia inferior de corte 𝑓𝐿 depende de los condensadores de
paso.

La respuesta en alta frecuencia del amplificador depende de las

capacitancias parásitas del transistor (𝐶𝑏𝑒 , 𝐶𝑐𝑒 , 𝐶𝑏𝑐 )

Amplificador en emisor común - Análisis

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 1
𝑋𝐶 = [Ω]
2𝜋𝑓𝐶

𝑋𝐶 ≪ 𝑅

Se pueden usar los siguientes criterios para determinar

el valor de los condensadores de acople:

𝑋𝐶 = 0,1𝑅
o
𝑋𝐶 = 0,01𝑅

Amplificador en emisor común - Análisis

Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Amplificador en emisor común - Análisis
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Amplificador en emisor común - Análisis
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Amplificador en emisor común - Análisis
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Amplificador en colector común (seguidor de emisor)
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Amplificador en colector común (seguidor de emisor)
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
Amplificador de potencia 5W
Dispositivos electrónicos, Thomas L. Floyd, VIII edición
 Julius Edgar Lilienfeld

TRANSISTORES FET
 • Las bases teóricas para el desarrollo de
transistores de efecto de campo fueron
establecidas por Julius Lilienfeld en 1926

• El desarrollo final, construcción y mejoras se

realizó en laboratorios Bell durante la década
de 1940.

• FET: Field Effect Transistor

Transistores FET Historia

 • En 1959, en laboratorios Bell, Kahng y Atalla
desarrollaron el transistor MOS.

• En 1969, Carver A. Mead desarrollo el

concepto para la fabricación de circuitos
integrados VLSI (Very Large Scale
Integration)

Transistores FET Historia

 TRANSISTORES JFET (JUNCTION FIELD TRANSISTOR)
▪ Transistor de efecto de campo de unión.
▪ Dispositivo de ley cuadrática.
▪ Dispositivo unipolar de 3 terminales, controlado por
voltaje.
▪ Exhiben una elevada impedancia de entrada (MΩ).
▪ Mayor estabilidad térmica que los BJT.
▪ Menor sensibilidad a las variaciones de la señal de
entrada.
▪ Se pueden fabricar resistencias, condensadores e
inductores simulados, facilitando así la construcción
de circuitos integrados.
 APLICACIONES FET

• Amplificadores de audio de bajo ruido.

• Amplificadores de RF.
• Receptores de FM.
• Receptores de TV.
• Osciladores (generadores de frecuencia).
• Interruptor analógico.
• AGC (Automatic Control Gain).
• Compuertas (SSI).
• Circuitos MSI, LSI y VLSI.
• Muestreadores – Troceadores (choppers) –
Convertidores DC/DC.
• Drivers de potencia (MOSFET).
APLICACIONES FET

Conmutador analógico
APLICACIONES FET

Multiplexor analógico.
TRANSISTORES JFET (JUNCTION FIELD TRANSISTOR)

G: Gate
D: Drain
S: Source

2 2
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷𝑆 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐷𝑟𝑒𝑛𝑜 − 𝐹𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝑝 𝐼𝐷𝑆𝑆 : 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐷𝑟𝑒𝑛𝑜 − 𝐹𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛
𝑉𝐺𝑆 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑃𝑢𝑒𝑟𝑡𝑎 − 𝐹𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒
𝑉𝑝 : 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑝𝑖𝑛𝑐ℎ − 𝑜𝑓𝑓
 REFERENCIAS JFET

[Link]
REFERENCIAS JFET
REFERENCIAS JFET
TRANSISTORES JFET (JUNCTION FIELD TRANSISTOR)
2 2
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − = 𝐼𝐷𝑆 1−
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝑝
Ejemplo curva de transferencia

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = −4𝑉
Medición parámetros JFET
TRANSISTORES JFET (JUNCTION FIELD TRANSISTOR)
Efecto de 𝑽𝑫𝑺 sobre 𝑰𝑫𝑺
 Efecto de 𝑽𝑫𝑺 sobre 𝑰𝑫𝑺

𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐷𝑆𝑎𝑡 -→ Resistencia controlada por tensión

𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆𝑎𝑡 -→ Fuente de corriente constante

Efecto de 𝑽𝑮𝑺 sobre 𝑰𝑫𝑺
Efecto de 𝑽𝑮𝑺 sobre 𝑰𝑫𝑺

Para valores pequeños de 𝑉𝐷𝑆 el JFET se

comporta como una resistencia controlada
por tensión (𝑉𝐺𝑆 )
Zonas de operación del JFET
 Polarización del JFET
Polarización de puerta
Polarización del JFET
Autopolarización

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = −𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆 𝑅𝐷

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆

2 2
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝑝
 Polarización del JFET
Autopolarización
2 2
𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑆 𝑅𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1+ = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1+ Método analítico --→ Ecuación cuadrática
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝑝

Método gráfico
 Polarización del JFET
Polarización por divisor de tensión
 Polarización del JFET
Polarización por fuente de corriente
Polarización de puerta
Polarización por autopolarización
Polarización por autopolarización
Polarización por autopolarización
Polarización por divisor de tensión
Polarización por divisor de tensión
 Dawon Kahng

TRANSISTORES MOSFET
 • MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.

• Dispositivo unipolar controlado por tensión (𝑉𝐺𝑆 ).

• Facilidad para implementar a nivel microelectrónico (NMOS, PMOS,

CMOS).

• Menores pérdidas por disipación en conmutación frente a los BJT y

JFET.

• Mayor precisión en el control de encendido y apagado frente a los BJT.

• Impedancia de entrada más alta que los JFET.

Transistores MOSFET
Transistores MOSFET
Estructura MOSFET de acumulación de canal N Capacitor MOS

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
 Como consecuencia de la tensión
positiva aplicada al terminal de
compuerta, se induce una capa de
inversión en la zona adyacente al
oxido, generando un canal N formado
por electrones.

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
 𝐼𝐷 𝑜𝑛 𝑦 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑛) 𝑠𝑜𝑛 𝑑𝑎𝑡𝑜𝑠 𝑑𝑒 𝑓𝑎𝑏𝑟𝑖𝑐𝑎𝑛𝑡𝑒

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
 En la zona óhmica actúa como una resistencia
controlada por tensión. En efecto, la resistencia
del canal 𝑅𝐷𝑆 es controlada por 𝑉𝐺𝑆 .

Los MOSFET de enriquecimiento se usan

principalmente como interruptores, aunque
pueden operar

Región óhmica: 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 y 0 < 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇

2
𝐼𝐷𝑆 = 𝑘 2 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆

Región de saturación: 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇 y 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇

Región de corte: 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇 ; 𝑉𝐷𝑆 > 0𝑉 → 𝐼𝐷𝑆 = 0𝐴
𝐼𝐷𝑆 = 𝑘 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 2

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
 Plastic Quad-Flat-No-leads

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
MOSFET DE DÉPLEXIÓN
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (DEPLEXIÓN)
 Los MOSFET de empobrecimiento son similares a los JFET, pero también permiten la
polarización directa de la compuerta.

Con polarización negativa, se reduce la anchura efectiva del canal hasta alcanzar 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓
que cierra completamente el canal y lleva la corriente dreno – fuente a cero.

2 2
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1−
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝑝

𝑑𝐼𝐷𝑆 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆

𝑔𝑚 = =2 1− Transconductancia [S]: Siemens
𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑝 𝑉𝑝

𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚0 = 2
𝑉𝑝

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (DEPLEXIÓN)

MOSFET – MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL
 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = −4𝑉

Canal N

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (DEPLEXIÓN)

 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 = 4𝑉

Canal P

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (DEPLEXIÓN)

 Los MOSFET de empobrecimiento se
usan para construir amplificadores de
pequeña señal.

Los D-MOSFET tienen la ventaja de

recibir tensiones negativas y positivas
en la puerta (Gate). A través de la
polarización cero (𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉) se obtiene
una fuente de corriente constante con
(𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ).

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (DEPLEXIÓN)

 Los MOSFET de enriquecimiento de
pequeña señal ofrecen un canal
estrecho y delgado para la circulación
de corriente. Esta característica
constructiva limita la cantidad de
corriente que puede controlar y, por lo
tanto, la potencia que puede disipar.

VMOS (Vertical MOS)

VMOS: Mayor volumen para la
circulación de corriente.

MOSFET DE POTENCIA
MOSFET DE POTENCIA