Electrónica de potencia II- Ing. MSc Germán E. Gallego R.

Laboratorio No.5: Circuitos de disparo de tiristores.

Luis Ramón Pérez Ramos - 1091225
Hervinton Javier Beltrán - 1090893
Brayan Sneider Lizarazo Pineda - 1091665
Departamento de Electricidad y Electrónica, Universidad Francisco de Paula
Santander
Cúcuta, Colombia
Resumen: En este informe se realizará I.
una investigación sobre dispositivos DESARROLLO
semiconductores de potencia como:
SCR, TRIAC, DIAC y OPTO-TRIAC.
Donde estudiaremos sus características 1. ANÁLISIS PRELIMINAR
de trabajo y su circuito de control de
disparo (determinando todos los Estudiar los siguientes temas:
parámetros de los elementos que
componen el circuito). 1.1 Modelo y características del DIAC.
Data-sheet del DIAC
Palabras Claves— circuito de control, Circuito de disparo del SCR con
DSP, voltaje entre terminales, corriente DIAC
de activación y carga.
El DIAC (diodo bilateral de disparo)
Abstract: In this report, research will be es un dispositivo semiconductor de
carried out on power semiconductor tres capas, de baja corriente y bajo
devices such as: SCR, TRIAC, DIAC voltaje, que se comporta como
and OPTO-TRIAC. Where we will interruptor bilateral controlado por
study its working characteristics and its voltaje. Puede conmutarse de
firing control circuit (determining all the apagado (< 𝑉𝐵𝑂) a encendido (VF),
parameters of the elements that make up con polaridad positiva o negativa
the circuit). aplicada a sus ánodos, dependiendo
de la magnitud del voltaje.
Keywords: control circuit, DSP, voltage Este componente electrónico es un
tipo de tiristores; que se usa
between terminals, activation current
principalmente para activar los
and load. TRIAC y otros circuitos basados en
tiristores. Este tipo de transistor
I. OBJETIVOS comienza a conducir corriente
eléctrica si el voltaje aplicado supera
• Diseñar el circuito de disparo de su voltaje de ruptura.
un SCR, utilizando un circuito RC
y un diodo bilateral de disparo
(DIAC).

• Diseñar el circuito de disparo de

un SCR utilizando transformador
de pulsos.

• Diseñar el circuito de disparo de

un TRIAC utilizando
optoacoplador.
Fig. Estructura interna del
DIAC.

1
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características V(voltaje)I(corriente).
Las características del VI se asemejan a
la letra inglesa Z. El DIAC actúa como
un circuito abierto cuando el voltaje es
menor que su voltaje de ruptura de
avalancha. Cuando es necesario apagar
el dispositivo, el voltaje debe reducirse
por debajo de su voltaje de ruptura de
avalancha.

1.2 Teoría del transformador de pulsos.

Fig. Símbolo eléctrico del Caracterizar el transformador de
DIAC pulsos Circuitos de disparo del SCR
con transformador de pulsos.
Funcionamiento del DIAC.
Considere que el terminal MT1 es Un transformador de pulso es un
positivo, luego se activará la capa P1 dispositivo que convierte una corriente
cerca de MT1; por lo que la alterna en una corriente de pulso. Esto
conducción se llevará a cabo en el permite que la energía eléctrica se
orden de P1-N2-P2N3. Cuando la transfiera de un circuito a otro con
corriente fluye de MT1 a MT2, la mayor eficiencia. Los transformadores
unión entre P1-N2 y P2-N3 está de pulso son comunes en aplicaciones
polarizada hacia adelante; la unión de potencia, como los sistemas de
entre N2-P2 tiene polarización alimentación ininterrumpida (SAI) y las
inversa. fuentes de alimentación reguladas por
microprocesador (SMPS).
De manera similar, si consideramos que
el terminal MT2 es positivo; entonces se Un transformador de pulso es un
activará la capa P2 cerca de MT2 y la componente electrónico que se utiliza
conducción se llevará a cabo en el orden para convertir la energía eléctrica de un
de P2-N2-P1-N1. La corriente fluirá de circuito a otro. Estos dispositivos están
MT2 a MT1 y las uniones entre P2-N2 y compuestos por un núcleo de ferrita que
P1-N1 están polarizadas hacia adelante; tiene una bobina primaria y una bobina
y la unión entre N2P1 está polarizada secundaria. La bobina primaria está
hacia atrás. Por tanto, la conducción conectada al circuito de entrada y la
será posible en ambas direcciones. bobina secundaria está conectada al
circuito de salida. La transferencia de
energía se produce cuando la corriente
eléctrica fluye a través de la bobina
primaria y genera un campo magnético.
Este campo magnético induce una
corriente en la bobina secundaria y,
como resultado, se produce una
diferencia de potencial entre los
extremos de la bobina.

El transformador de pulsos(a=1) se
utiliza para aislar el circuito de
control del circuito de potencia, y
Fig. Características de V vs I del adecuar los niveles de voltaje y
DIAC corriente del circuito de control a los
requeridos por el tiristor (VGT,IGT).
El voltaje aplicado en cualquier
polaridad exceda el voltaje de ruptura,
la corriente aumenta y el dispositivo
conduce de acuerdo con sus

2
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Fig. Forma de onda ideal del

Fig. Circuito de disparo del SCR con Ig. •Amplitud de sobre-activación
transformador (IM>3IGT). Permite reducir el tiempo
de pulsos. de encendido, y minimizar las pérdidas
En la fig.4, el circuito de control de conmutación.
activa la compuerta del mosfet, y •Tiempo corto de subida del flanco (tr)
fluye una corriente en el primario del para minimizar tiempo de encendido.
transformador, limitada inicialmente •Estabilización después de pocos
por R1//R2 y posteriormente por R2 microsegundos, a un valor que garantice
(al cargarse el capacitor). El el encendido del SCR (IGT)
secundario del transformador aplica
•Duración del pulso (tg ) hasta que it
el voltaje y corriente, requeridos en
≥i L, .En la práctica t g ≥ t gt.
la compuerta del SCR para activarlo
Al desactivarse el mosfet, el
transformador se desmagnetiza a
través de D1 y Dz ; D2 impide el
paso del pulso negativo. La
utilización del diodo Zener, permite
incrementar la frecuencia de
conmutación del transformador. El
resistor R3 provee cierto nivel de
inmunidad contra el ruido (voltaje
parásito inducido), para impedir un
disparo indeseado del SCR.

1.3 Características operativas de

encendido y apagado del
SCR y del TRIAC

El encendido del SCR puede ser por:

•Aplicación de i g en compuerta
•Por alta temperatura (corriente inversa)
•Por luz (LASCR) •Por alto voltaje
(avalancha)
Fig. Forma de onda ideal del
•Por dv/dt alto.
It. Se define tiempo de encendido, al
intervalo de tiempo entre el instante en
que i g alcanza el 10% de Igt y el

3
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instante en que iAk alcanza el 90% de

su valor de régimen permanente.

Fig. Símbolo eléctrico del

TRIAC.

El triac es un dispositivo
bidireccional de corriente. Una señal
Fig. Circuito de apagado del SCR aplicada entre G y MT1 positiva o
(Conmutación) negativa, polariza en directo
cualquiera de los dos diodos
El SCR se apaga cuando iAK<IH, complementarios, ubicados entre G
debido a que el exceso de portadores y MT1, generando la
en las cuatro capas desaparece, por retroalimentación positiva de uno de
el proceso de recombinación, y los dos SCR complementarios, y
reaparece la región de vaciamiento haciendo fluir la corriente entre MT2
en la unión J2. El proceso de Y MT1, independientemente de la
apagado del SCR, presenta, igual polaridad de MT1. [1].
que en el diodo, el fenómeno de
recuperación inversa.

La conmutación del SCR se

denomina natural, cuando iAK decae
a un valor inferior a IH, debido a la
naturaleza de la fuente(alterna). En
este proceso se define tiempo de
apagado(tq), al intervalo entre el
paso por cero de la corriente y el
instante en que se puede aplicar al
SCR voltaje directo, sin que este
conduzca (fig. 2.11b). Si la fuente es
continua, la conmutación se realiza
disminuyendo la corriente a un valor
inferior a, IH, bien sea transfiriendo
la corriente de carga a otra
trayectoria, ó reduciéndola a IH. [1].

El triac es un dispositivo Fig. Características de V vs I del

semiconductor de cinco capas y tres TRIAC.
terminales: MT1, MT2, G
(compuerta). Se conforma por dos La característica v-i (fig.9) muestra los 4
SCR complementarios: entre MT1 y posibles cuadrantes de operación. Los
MT2 hay un PNPN(SCR1) en más sensibles son Q1: MT2(+), G(+) y
paralelo con un PNPN(SCR2). La Q3: MT2(-), G(-). La operación
región entre MT1 y G consiste de dos confiable se reduce a 60hz, debido al
diodos complementarios, por lo que corto tiempo para recuperarse y revertir
permite el disparo, con una señal el estado de bloqueo, debido a la
positiva o negativa en la compuerta.

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conducción bidireccional de corriente. resistencia del circuito de compuerta

[2]. (R=300Ω), limita la corriente
impulsiva al valor máximo
El circuito básico de disparo del permitido por el optoacoplador y la
triac(fig. 2.33a) utiliza una red RC, para compuerta del triac.
atrasar el instante en el cual el voltaje en
el capacitor alcanza el voltaje de ruptura
del diac. Es necesario adicionar un II.
resistor después del diac, para limitar la PLANIFICACION
corriente de compuerta. Este circuito de
disparo es manual y no alcanza a cubrir
• Adquirir un SCR, un TRIAC, un
toda la gama del ángulo de disparo.
DIAC, un opto-tríac y un
(0≤α≤180°) transformador de pulsos por cada
grupo de trabajo. Las referencias de
los dispositivos semiconductores
que se requieren para este
laboratorio son las siguientes:
• TRIAC: BT136
• DIAC: DB3
• SCR: BT151R
• OPTO-ACOPLADOR:
MOC3041
• TRANSFORMADOR DE
Fig. Circuito RC con DIAC y PULSOS: ERL-35B
TRIAC.
1. Armar el circuito de disparo
utilizando un circuito RC y un
1.4 Circuito de disparo del TRIAC con DIAC. Utilizar la fuente variable
opto acopladores de voltaje alterno, y energizar
gradualmente Verificar la
operación para el valor mínimo y
máximo del ángulo de disparo

Para el circuito de circuito de disparo

del SCR con DIAC se tiene:

Por datasheet se obtienen los siguientes

parámetros

• C= 1uf
• Ih= 7mA (Del SCR BT151R)
• Vs=VBo= 36 V (Voltaje de ruptura
del DiAC)
Fig. Circuito de disparo del TRIAC
Fórmulas para el cálculo de R:
con Optoacoplador.

El circuito de la fig.11 utiliza un VBO

R 1=
opto-acoplador, de la serie MOC IH
fabricados por MOTOROLA, para 36
aislar el circuito de control del R 1= −3
=6.8 KΩ
circuito de potencia. El pulso
7 ¿ 10
proveniente del circuito de control
Calculamos el ángulo mínimo
se aplica a los terminales 1 y 2, para
activar el opto-acoplador y cerrar el −1 VBO
αmin=sin ( )
circuito de la compuerta del triac. La Vm

5
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36
−1 Fig. Circuito
αmin=sin ( )
170
αmin=12.22

Teniendo el ángulo minino encontramos

el ángulo máximo

αmax=180−αmin=167.77

Por regla de 3 sacamos el tiempo que

producen los ángulos

12.22(8.33 ms)
tmin= =565.51 μs
180
167.77(8.33 ms)
tmax= =7.76 ms Fig. Tiempo del ángulo máximo de
180 disparo 7.76 ms
Sacamos los valores de las resistencias

5 t=5 CR
5t
R=
5C
Con el tiempo minimo calculamos R2

565.51 μs
R 2= =113.10 Ω
5 (1 μ)
Con el tiempo máximo calculamos
RPOT

7.76 ms Fig. Tiempo del ángulo mínimo de

RPOT = =1.55 KΩ disparo 565.51 μs
5(1 μ)

• Simular el circuito de disparo del

punto 3, con SIMULINK o cualquier 2. Diseñar el circuito de disparo del
otro software conocido y SCR utilizando un transformador
verificar el modelo matemático del de pulsos. Especificar los valores
de los parámetros y justificarlos.
punto 4.

El circuito se simula en el software de Para el circuito de Circuito de disparo

Proteus. del SCR con un
Transformador de pulsos mostrado a
continuación

6
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fig. Circuito de disparo con transformador de 𝜏

pulsos para el 𝐶=
SCR.
𝑅2
1𝑢
Parámetros obtenidos en el data-sheet
𝐶=
240
• Vmosfet= 0,3 V
• Igt= 200 uA
• Vprimario= Vzener+Vdiodo C=4.2nf
=1.7+0.7
• Vgt= 1 V
• Vcc= 12 V • Simular con SIMULINK el
circuito de disparo del punto 6
Voltaje en el primario anterior. Comparar el resultado de
𝑉𝑝𝑟𝑖𝑚 = 𝑉𝑔𝑡 + 𝑉𝐷 la simulación con el diseño
realizado.
𝑉𝑝𝑟𝑖𝑚 = 1𝑣 +
0.7𝑣
𝑉𝑝𝑟𝑖𝑚 = 1.7𝑣

Calculo para hallar R2

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑝𝑟𝑖𝑚 − 𝑉𝑑
𝑅2 =

𝐼𝑔𝑡

12 − 1.7 − 0.7
𝑅2 =
Circuito
40𝑚𝐴

R2 =240Ω

Calculo para hallar R1

𝑅1//𝑅2 =
𝑅2

𝑅1 =
= 120Ω

Forma de onda en la
𝑅3 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑖𝑝𝑖𝑐𝑜, 𝑒𝑠𝑡𝑎 𝑒𝑠 𝑙𝑎 𝑒𝑛𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎𝑑𝑎 compuerta del tiristor.
𝑑𝑒
𝑚𝑒𝑗𝑜𝑟𝑎𝑟 𝑙𝑎 𝑖𝑛𝑚𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑎𝑙 𝑟𝑢𝑖𝑑𝑜 3. Diseñar el circuito de disparo de
𝑅3 = 300Ω un tríac utilizando un opto-tríac.
Justificar los valores utilizados
Para el cálculo del C se toma como para los diferentes componentes.
constante de tiempo (5τ) 5𝑢𝑠 en donde: Explicar una aplicación de este
𝜏 = 𝑅2 ∗ 𝐶 = circuito.
1𝑢𝑠
𝑅2 = 240Ω
• Simular con SIMULINK el
En donde para el valor de C se obtiene: circuito anterior y compara el

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resultado de la simulación con Fig. α=180

el diseño realizado.
III. EJECUCIÒN

• Armar el circuito de disparo

utilizando un circuito RC y un
DIAC. Utilizar la fuente
variable de voltaje alterno, y
energizar gradualmente.
Verificar la operación para el
valor mínimo y máximo del
ángulo de disparo
Fig. Circuito control tipo rampa

• Armar el circuito de disparo

del SCR utilizando el
transformador de pulsos.
Utilizar la fuente variable de
voltaje alterno y energizar
gradualmente. Graficar la
forma de onda del voltaje en la
carga para 3 valores del ángulo
de disparo y medir el valor
Fig. Circuito opto-triac eficaz.

• Armar el circuito de disparo

del TRIAC utilizando un opto-
tríac. Utilizar la fuente variable
de voltaje alterno y energizar
gradualmente Graficar la
forma de onda del voltaje en la
carga para 3 valores del ángulo
de disparo y medir el valor
eficaz.

IV.
CONCLUSIONES
Fig. α=0 El método de rampas para el control
de fase en
rectificadoresmonof ´asicos consiste
en tres partes principales: comparado
rde cruce por cero, integrador
y por ´ultimo un comparador esto
con el fin de obtener una señal de
control PWM. Una topología
consiste en el uso de un TRIAC a la
salida, con el fin de tener una
rectificacion en los dos semi-ciclos
Se obtuvo una configuración de
integrador con amplificador operacional,
dado a que la señal que viene de los
diodos son pulsos al integrarlos la señal
de salida seria una rampa que
crece al infinito es por esto que

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Electrónica de potencia II- Ing. MSc Germán E. Gallego R.

se hace necesario colocar el transistor

BJT para limitar el ascenso de la señal
con un recorte, generando asi una señal
diente de sierra.
Finalmente se obtiene un comparador,
el cual va a compararla señal diente de
sierra con un nivel de tensión DC,
cuando la señal diente de sierra sea
inferior a este valor, la señal de salida
será mínima

V. REFERENCIAS
BIBLIOGRAFICAS
[1]. Gallego R, German, E. &
Departamento de Electricidad y
Electrónica. (2022). Laboratorio de
Electrónica de Potencia II.
Universidad Francisco de Paula
Santander.

[2].Krein, M. G. (1991). Elements of

Power Electronics (IEEE Press Series
on Power Engineering). Piscataway, NJ:
IEEE Press.

VIII.

9
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VP1 =7.93V

VP 2=11.1V

10
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VP 2=16.7V

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