UNIVERSIDAD MILITAR NUEVA GRANADA

POLARIZACION MOSFET

Juan Camilo Fuentes Barreto - 5600634

Olfred Daniel Carvajal Cazes - 5600635
Universidad Militar Nueva Granada

RESUMEN:

RESUMEN: En el proceso de la práctica se realizaron cinco circuitos los cuales fueron planteados
por el docente, estos circuitos son de transistores MOSFET, en los cuales se podían evidenciar las
características del transistor en diferentes tipos de polarización y su capacidad al realizar trabajos
como amplificador. El diseño de estos circuitos se realizó en los softwares de Multisim, Proteus y
Tinkercad, los cuales son simuladores en los que pudimos evidenciar un montaje similar a lo
que sería la realización del circuito de manera presencial.

PALABRAS CLAVE:
MOSFET, transistor, polarización, activación, enriquecimiento, empobrecimiento.

INTRODUCCION: De igual manera, es importante tener en

Para el buen desarrollo de la práctica cuenta el transistor de efecto de campo, mejor
debemos tener en cuenta los conceptos a como FET, y el transistor de efecto de campo
tratar en esta introducción. Un transistor es de metal óxido semiconductor llamado
un dispositivo semiconductor que se MOSFET. Se caracterizan por ser
compone de 3 capas, una de material tipo n y dispositivos unipolares, es decir no depende
dos de material tipo p (transistor tipo PNP) o solo de la conducción que hacen los
de dos capas tipo n y dos de tipo n (transistor electrones (se da en el canal N), sino que
NPN) [1] también de la conducción en los huecos
(canal P). [2]

Además, cabe resaltar que los MOSFET a

diferencia de los transistores BJT tienen una
impedancia alta en la entrada, generando una
menor ganancia de voltaje con referencia a
los BJT, no es de unión bipolar entre sus
Figura 1. Transistor BJT terminales (el diodo), y no necesita los 0.7V
para iniciar su funcionamiento. Añadiendo
que es más estable en cuento a la temperatura
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aplicada. [3] Se diferencia porque consta de 3

terminales que como se observa en la figura 2
una se denomina G (gate), D (drain) y S
Teniendo en cuenta los conceptos
(source). El voltaje umbral que tiene este
consultados y sus aplicaciones en
mosfet de enriquecimiento es mayor a 0V. [4]
De igual manera, sus terminales son Gate, investigaciones se establecen como
Drain y Source, con la diferencia es que tiene objetivos experimentar y familiarizarse
un voltaje umbral menor a 0V. Además, los con algunas características funcionales de
transistores de efecto de campo se los MOSFET para así diseñar un circuito
caracterizan por tener regiones donde se donde se apliquen los conocimientos
comporta de manera diferente. [5] vistos en la teoría sobre la polarización de
transistores de efecto campo. El presente
informe está organizado de forma
estructural; se da inicio a la explicación
del tema, seguido de una breve
introducción donde se hace énfasis en una
perspectiva teórica como algunos
conceptos relevantes y estudios
realizados anteriormente, así como los
objetivos postulados para el desarrollo
Figura 2. MOSFET de enriquecimiento
eficaz de la práctica, continuando con
y empobrecimiento
los materiales y su implementación en la
realización del procedimiento planteado,
Región de corte Esto quiere decir, que se posteriormente se encuentra el análisis de
encuentra apagado, no hay conducción entre
los resultados los cuales permiten llegar a
drain y source, haciendo así que el transistor
las conclusiones dónde se verifica si los
se comporte como un interruptor. [3]
objetivos planteados al inicio de la
practica fueron óptimos y finalmente las
Región lineal u óhmica Al polarizarse gate
referencias utilizadas para la
con una tensión mayor que la tensión umbral,
se crea una región de agotamiento entre drain complementación del trabajo.
y source que dará lugar a un canal de
conducción. El transistor entonces pasa a un 2 MATERIALES Y MÉTODOS
estado de conducción. [1][3]
Región activa o de saturación Cuando la El montaje se hizo teniendo en cuenta las
tensión entre drain y source supera cierto características de cada uno de los
límite la corriente que atraviesa las dos componentes usados y su organización. El
terminales no se interrumpe, pero se hace primer circuito realizado se encuentra
independiente de la diferencia de potencial compuesto por dos fuentes de voltaje, una
inyectada al transistor. [1][3]
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resistencia y un transistor MOSFET tipo N. En este circuito se realizó primero el montaje

Una de estas fuentes es variable, esto permite con un transistor MOSFET, en este la fuente
que su voltaje se pueda variar y de esta 1 es variable ya que su voltaje debía cambiar
manera poder conseguir los datos solicitados para generar un VDS=0V.
en la guía. Para el circuito 2 se usaron 5
resistencias y dos capacitores, el valor de
VDD es de 10 V, el de VDD 5 V, R2=50K, y
a RD se le puede dar un valor entre 470 y
560. De igual manera, se usa un osciloscopio
conectado a la resistencia RL a la cual se le
da el mismo valor de RD. En el circuito
número 3, a la fuente VDD se le da un valor
de 15V, a la resistencia RD = 470Ω, Zi es de
500KΩ, VD = 7.5V y VG 5V. Además, se
pone un osciloscopio conectado a RL que
tiene el mismo valor de RD; se acoplan dos
capacitores. En el siguiente montaje, VDD
toma valor de 10V, y se varía el valor de RD
hasta que VD tome un valor de 2.5V. Por
último, se crea un driver motor DC sencillo,
en el cual se varía el valor de RG el cual va Tabla 1. Datos Tinkercad
conectado a un transistor, generando que el
motor gire dependiendo del valor que se Podemos observar en la Gráfica 1 donde se
proporcione en RG. compara VGS y A que hay una curva
exponencial con respecto a VGS y en A no
3 RESULTADOS Y ANALISÍS DE varía ya que la corriente siempre va a ser la
RESULTA mis con excepción de cuando el circuito esté
Durante el desarrollo de la práctica se apagado.
realizaron los circuitos en diferentes
softwares los cuales son multisim y proteus,
los cuales nos ayudan a obtener los datos
requeridos en la guía (resistencias, VGS, IDS,
K, VTH, entre otros), también se realizó el
análisis matemático de sus respectivas mallas
por medio de cálculos teniendo en cuenta la
polarización de cada uno.
Gráfica 1. VGS vs A
CIRCUITO CURVA
CARACTERÍSTICA En la Gráfica 2 se observa la comparación de
los voltajes VGS y VDS en la cual notamos
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el mismo crecimiento exponencial de VGS ya En la Gráfica 3 tenemos VDS y A en los

que este para llegar a un VD=0V debía cuales no se nota ninguna curva ya que A es
crecer, caso contrario a VDS ya que este va constante y no cambia, mientras que VDS
decreciendo respecto a VGS por lo que la como son valores tan mínimos comparados
idea de la práctica es que este llegue a 0V. con A no se nota su decrecimiento. Gráfica 3.
VDS vs A Gracias a los valores adquiridos en
la Tabla 1 podemos hallar IDS (on), VGS
(on), VTh y K mediante los análisis
matemáticos requeridos para obtener los
cálculos necesarios con las ecuaciones
planteadas en clase teórica.

Gráfica 2. VGS vs VDS

En la Gráfica 3 tenemos VDS y A en los

cuales no se nota ninguna curva ya que A es
constante y no cambia, mientras que VDS Se realizó la simulación en Tinkercad de
como son valores tan mínimos comparados donde se obtuvieron los valores de la Tabla 1
con A no se nota su decrecimiento. teniendo en cuenta lo requerido en la guía de
laboratorio.

Figura 3. Circuito curvo característica en

Gráfica 3. VDS vs Tinkercad

A De acuerdo con la simulación en Multisim se

Gráfica 3. VDS vs A tomaron valores más chicos que los de
Tinkercad, ya que esta plataforma nos
permite meter valores decimales y nos da
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también valores decimales como podemos

observar en la Tabla 2.

Gráfica 4. VGS vs ID
Podemos observar con respecto a la Gráfica 5
cómo VGS va aumentando y VDS va
decreciendo, esto debido a que VGS va
aumentando su voltaje para que VDS llegue
aproximadamente a 0V.

Tabla 2. Datos tomados en Multisim

Gráfica 5. VGS vs VDS

En la Gráfica 6 se observa como decrece ID

ya que se busca que este llegue a un valor de
0V, gracias a esto se observa que se logró el
objetivo
En la Grafica 4 se observa la comparación de
VGS e ID donde podemos observar la curva
que se genera en VGS tiene un crecimiento y
decrecimiento con respecto a ID.
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Gráfica 6. VDS vs ID

El circuito diseñado en multisim (Figura 4)

nos dio los datos evidenciados en la Tabla 2
para poder desarrollar la segunda parte de
este circuito la cual es la simulación.

Se implementa la Ley de OHM

Figura 4. Circuito curvo característica en

Multisim Malla de entrada

POLARIZACIÓN A
Se realizó un circuito de polarización A donde
se debe hallar R1 utilizando un análisis AC,
para la elaboración del circuito con los
capacitores hallando su impedancia y
ganancia de voltaje con el osciloscopio.

Malla de salida

Se toma la ecuación
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Según la simulación de Tinkercad se

Se despeja para hallar VGS observan los valores obtenidos los cuales se
comparan con los de Multisim

Se realizó el montaje del circuito en Multisim

teniendo en cuenta los valores hallados de
VD y K

Análisis AC

Ganancia de voltaje
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Malla de entrada

Malla de salida
Hallamos R2 (usando impedancia de entrada)

Hallamos R1 con la fórmula anteriormente

encontrada

Se despega VGS
Se reemplaza para hallar VGS

Se halla ID Se despeja RS en la malla de entrada

Se halla ID

Se halla la fórmula de R1
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Se halla VDS

Transconductancia

Ganancia de voltaje

Se puede observar la simulación de Tinkercad Figura 9. Multisim Polarización C

donde se muestra una comparación de los
valores aproximados a los encontrados en Malla de entrada
Multisim.

Mala de salida

Figura 8. Tinkercad Polarización B

POLARIZACION C
Reemplazar
En este circuito se realizó el procedimiento
para hallar RD, utilizando este para poder
obtener VD el cual debe ser 2.5V.
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Se encuentra ID

Hallamos RD

Transconductancia y ganancia de voltaje

Figura 11. Proteus Motor C

Se puede observar en el circuito de Tinkercad

como da el mismo VD que necesitábamos
hallar.

Tabla 3. Valores de ID en Proteus

Se puede observar que desde 0% hasta 20%

Figura 10. Tinkercad Polarización C
la corriente de drain es constante, a partir de
30% hay un crecimiento exponencial hasta
DRIVER MOTOR C 60% ahí vuelve a ser constante solo hasta
80% en el cual el valor de la corriente no
cambia y sigue siendo el mismo en 100%.
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[Link]
s-mosfet-con figuracion-y-polarizacion
(accessed Sep. 03, 202
[5] <El Transistor MOSFET – Electrónica
Práctica Aplicada. =
[Link]
-transistor -mosfet (accessed Sep. 03, 2020).
Figura 12. Tinkercad Motor C

4 CONCLUSIONES
La polarización para transistores MOSFET de
enriquecimiento se da por voltaje al ser una
fuente de corriente controlada por voltaje, a
diferencia del transistor BJT que es una
fuente de corriente controlada por corriente.
Mediante la polarización universal (circuito
de polarización B) se encontró que es una
polarización estable y ayuda a asegurar los
valores de impedancia, ganancia y voltajes en
los terminales del transistor. En el último
circuito (circuito del motor), se evidenció el
control de corriente de salida a partir del
voltaje de Gate, ya que según se variaba el
voltaje de Gate, se aumentaba o reducía la
frecuencia del motor.

5 REFERENCIAS
[1] <Diferencia entre Los Transistores NPN y
PNP. =
[Link]
rticulos/Diferencia-entre-tran
[2]. Angie Julieth Valencia Castañeda (2020)
recuperado de:
[Link]
FyRUgR305 Tw6Ps0OwC2QLOjc/view
[3]. R. Boylestad y L. Nashelsky. Teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos. 10 ed.
Estado de México: Pearson educación, 2009.
[4] <Transistores mosfet configuracion y
polarizacion.=
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