Símbolo electrónico
Terminales Emisor, base y colector
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El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor. Permite el paso de una señal
en respuesta a otra. Se puede configurar o "comportar" como amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor», del acrónimo transfer resistor
(resistor de transferencia). Se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos
como radios, televisores y computadoras. Habitualmente dentro de los llamados
circuitos integrados.
Historia
Artículo principal: Historia del transistor
Réplica del primer transistor en actividad,
que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una
patente para lo que él denominó «un método y un aparato para controlar corrientes
eléctricas» y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo,
ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld
también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 19262 y 1928.34 Sin
embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos,
ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que
la producción de materiales semiconductores de alta calidad no estaba disponible por
entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron
un uso práctico en los años 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de
este tipo.5
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un
dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de
señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos prácticos.7 Mientras
tanto, la experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de
cobre y las explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del
alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William
Shockley que era posible lograr la construcción de amplificadores a base de
semiconductores, en lugar de tubos de vacío.7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales
de oro eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de
salida mayor que la de entrada.9 El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William
Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar
en gran medida el conocimiento de los semiconductores. El término «transistor» fue
sugerido por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos
semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en
la propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo.10 Según una biografía de
John Bardeen, Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de los
Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado
como el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el
olvido años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar,
lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1947 fue el primer transistor de
contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17
de junio de 1948,11 a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este
dispositivo.121314 En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron
galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 «por sus
investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor».15
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos
alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré
tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de
germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán durante la
Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el
fenómeno de la «interferencia» que había observado en los rectificadores de germanio
durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y
reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo
que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse
cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes
que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado
«transistron» para su uso en la red telefónica de Francia.16 El 26 de junio de 1948,
Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión17 y el 24 de agosto de
1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,18 tal como se
declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año
siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al
fabricar este dispositivo,19 cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.20
Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente
del arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor Darlington.21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de
germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco
Corporation en 1953,22 capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo,
se usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual
eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros
de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El
Indio electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.24 El primer
receptor de radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco;
usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa época.2526
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en
enero de 1954 por el químico Morris Tanenbaum.27 El 20 de junio de 1955, Tanenbaum
y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos
para producir dispositivos semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial
fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal
quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de
cristales de alta pureza.29 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-
estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los
Laboratorios Bell, en 1960.3031
Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo,32 a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada
de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a
través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para
que circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base
Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo,
y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base,
tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos
de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,
MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente
en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de
Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado,
por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico
presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje.
De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función
amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al
funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran
escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios
cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias
capas superpuestas.
Tipos de transistor
Distintos encapsulados de transistores.
Transistor de contacto puntual
Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación
cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad
ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar
Artículo principal: Transistor de unión bipolar
Diagrama de transistor NPN.
El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de
un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en
forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones
PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como el
arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga
Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores de electrones,
como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
Transistor de efecto de campo
Artículo principal: Transistor de efecto campo
-Símbolo del transistor JFET, en el que se indican:
drenador, surtidor y compuerta.
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N
o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones
P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando
tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de
estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión
PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-
Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del
canal semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor
Artículo principal: Fototransistor
Diagrama de fototransistor.
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
Transistores y electrónica de potencia
Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los
transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores
y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está
basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.