UNIVERSIDAD NACIONAL TECNOLÓGICA
DE LIMA SUR
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
Y TELECOMUNICACIONES
CURSO: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
INFORME N°5
TEMA: PUENTE H CON MOSFET
ALUMNOS:
1. CHATTI MALLQUI DIEGO MARCO ANTONIO
2. HUAYNA PALACIOS JUAN CARLOS
3. MENDEZ VENTURA JESUS ANTHONY
DOCENTE: ING. MACHUCA MINES JOSE AMBROSIO
Villa El Salvador, 19 de diciembre 2022
Índice
1
1. Problema a
solucionar………………………………………………………. …3
2. Teoría del método de
solución……………………………………………… ...3
3. Formulas y
algoritmos………………………………………………………. ..6
4. Resultados
obtenidos…………………………………………………………. 9
5. Conclusiones
………………………………………………………………… 19
6. Bibliografía
……………………………………………………………………19
7. Anexos………………………………………………………………
………... 20
1. El problema a solucionar
2
El puente H es un circuito electrónico que basa su configuración en transistores de efecto
de campo, en este caso usaremos 2 mosfet canal n y 2 mosfet canal p. La idea es que
cuando 2 de ellos están conduciendo, los otros estén en corte para que así se produzca el
giro. Si los que estaban en corte, pasan a conducir y los otros en viceversa. Esto ocasionará
que el motor cambie el sentido de su giro.
2. Teoría del método a solución
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente en cambio el transistor JFET es
un dispositivo controlado por voltaje. La corriente Id estará en función del voltaje Vgs
aplicado al circuito de entrada. Los transistores de efecto de campo son de dos maneras:
Canal n y Canal p. Una de las características más importantes del Fet es su alta impedancia
de entrada. Son más estables a la temperatura que los BJT y son mucho mayores que para
los FET. Ellos pueden ser 3 El transistor de efecto de campo de unión (JFET), el transistor
de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y el transistor de efecto de
campo semiconductor metálico (MESFET).
Mosfet tipo empobrecimiento:
El sustrato es tipo n y el canal tipo p. Los terminales no cambian, pero las polaridades del
voltaje y la dirección de corriente se invierten. Algunos dispositivos individuales cuentan con
un terminal adicional etiquetada SS, lo que produce un dispositivo de 4 terminales. La
compuerta está conectada a una superficie de contacto metálica aunque permanece aislada
del canal n por una capa de bióxido, el cual establece campos eléctricos opuestos. No hay
una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de un mosfet.
Mosfet tipo enriquecimiento:
3
Los mosfet de tipo enriquecimiento son muy diferentes de cualquier otro obtenido. La curva
de transferencia no está definida por la ecuación de shockley y la corriente de drenaje ahora
es la de corte hasta que el voltaje de la compuerta a la fuente alcance una magnitud
específica. El control de la corriente en un dispositivo de canal n ahora se ve afectado por
un voltaje positivo de la compuerta a la fuente en lugar de por los voltajes negativos
encontrados en los JFET de canal n y el mosfet de empobrecimiento.
3. Fórmulas y algoritmos
a) Ecuación de Shockley:
Se aplica a los JFET, a los MOSFET tipo empobrecimiento y los MESFET para
relacionar sus cantidades de entrada y salida:
Para MOSFET de tipo empobrecimiento y los MESFET.
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b) Configuración de polarización por medio de divisor de voltaje:
Puente H
El puente H (por la forma del circuito tiene parecido a la letra "H") usando MOSFET para
motores, se usan transistores MOSFET de Canal n y Canal p ya que la tensión necesaria
para activar los Gates de los transistores de Canal P se pueden sacar directamente de la
fuente de alimentación usada para el motor. Caso contrario utilizamos transistores de Canal
N en el lado superior de la H, la tensión necesaria para activar los Gates debe provenir de
un elevador de tensión que funcione por arriba del valor teórico de la alimentación.
Se usan 2 transistores BJT para el control sobre la dirección de giro de nuestro motor, un
BJT está en zona de saturación y el otro está en zona de corte, intercalando los estados de
estos 2 BJT para que no ocurran problemas inesperados.
Resumen de fórmulas
R 2 xVdd
● Vg=
R 1+ R 2
● Vgs=Vg−IdxRs
2 2
Vgs 2 IdxRs id xRs
● Idq=Idss(1−
Vp
) + Idss(1+
Vp
+
Vp2
)
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● Vd=Vdd−IdxRs
● Vs=IdxRs
● Vds=Vdd−Id (Rd+ Rs)
● Vdg=Vd−Vg
Id ( on)
● K=
(Vgs(on)−Vgs (th))
2
● Id=K (Vgs−Vgs (th))
2
4. Resultados obtenidos
Teórico:
En el siguiente trabajo tenemos un circuito puente H pero en este caso será usado
por 4 mosfet ( dos de tipo n y dos de tipo p). Cuando activamos el switch del lado
izquierdo el BJT funciona en modo cortocircuito , mientras que el mosfet se carga
por el voltaje VDD . El Vgs se carga negativamente y la corriente pasaría por el
drenador hasta la fuente y así por el motor pasaría corriente y lo haría girar en
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sentido horario . Lo mismo pasaría si activamos el switch del lado derecho , pero
ahora el motor girara en sentido antihorario.
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Protoboard:
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● Mediciones
9
● Tabla de resultados obtenidos
VM Sentido horario Sentido
antihorario
Vds(T1,T2,T3,T4) T1=11.70 T1=-11.65
T2=11.60 T2=-11.55
T3=-11.63 T3=11.68
T4=-11.59 T4=11.64
Vgs(T1,T2,T3,T4) T1=-11.65 T1=0
T2=13.5mV T2=11.67
T3=-0.1mV T3=-11.65
T4=11.65 T4=10.2mV
VR1 11.74v 11.65v
IM 1.29mA 1.17mA
PM 14.57w 13.26w
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Proteus :
● giro horario
11
● giro antihorario
5. Conclusiones
- Gracias a la práctica de laboratorio se pudo comprender el funcionamiento y armado
de un puente H.
- Se pudo comprobar la importancia de los transistores BJT ya que con ellos se
controla la dirección del sentido de giro del motor utilizado, ya que si ambos están
activos el motor sufriría daños al recibir dos fuentes positivas en sus conexiones.
- Se presentaron algunos problemas a la hora de implementar el circuito a causa de
los valores comerciales y teóricos de resistencias y de un MOSFET de canal P, pero
al final se pudo solucionar estos problemas y terminar el funcionamiento del circuito
de manera correcta.
6. Bibliografía
- Boylestad, R. (2009), Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, México, ed 10°.
- [Link]
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7. Anexos
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