0% encontró este documento útil (0 votos)
22 vistas46 páginas

Configuración y Modulación de Inversores

Este documento describe la configuración y estrategias de modulación de un inversor SPWM. Explica que la configuración implementada es en puente completo y describe su funcionamiento. Luego, discute diferentes técnicas de modulación PWM como la de pulsos iguales por semiperiodo, bipolar y unipolar, seleccionando esta última por su mejor respuesta en cuanto al contenido armónico. Finalmente, detalla el circuito generador del PWM unipolar implementado con un microcontrolador PIC16F628A.

Cargado por

Andrea Franco
Derechos de autor
© All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd
0% encontró este documento útil (0 votos)
22 vistas46 páginas

Configuración y Modulación de Inversores

Este documento describe la configuración y estrategias de modulación de un inversor SPWM. Explica que la configuración implementada es en puente completo y describe su funcionamiento. Luego, discute diferentes técnicas de modulación PWM como la de pulsos iguales por semiperiodo, bipolar y unipolar, seleccionando esta última por su mejor respuesta en cuanto al contenido armónico. Finalmente, detalla el circuito generador del PWM unipolar implementado con un microcontrolador PIC16F628A.

Cargado por

Andrea Franco
Derechos de autor
© All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd

INVERSOR SPWM

Electrónica industrial
[Link] Configuración del Inversor La configuración implementada es en puente
completo, ya que esta cumple con los requerimientos técnicos para el sistema, pero
hay que tener en cuenta que existen otras configuraciones como el medio puente,
flay back y multinivel.

Figura 12. Configuración en puente completo

El inversor en puente completo está formado por 4 interruptores de potencia


totalmente controlados, típicamente transistores MOSFETs, tal y como se muestra
en la figura 12. En la figura 13 se puede observar que M1 y M4 no deben estar
cerrados al mismo tiempo, ni tampoco M2 y M3 debido a que se ocasiona un
cortocircuito en la fuente de continua. Los interruptores reales no se abren y se
cierran instantáneamente, por tanto debe tenerse en cuenta los tiempos de
conmutación al diseñar el control de los interruptores.

Figura 13. Circuitos equivalentes para el puente completo


El solapamiento de los tiempos de conducción de los interruptores resultaría en un
circuito denominado, en ocasiones, fallo de solapamiento en la fuente de tensión
continua. El tiempo permitido para la conmutación se denomina tiempo muerto
(“blanking time”). Para obtener una tensión de salida V C igual a cero se pueden
cerrar al mismo tiempo los interruptores M1 y M3 o bien M2 y M4. Otra forma de
obtener una tensión cero a la salida sería eliminando las señales de control en los
interruptores, es decir, manteniendo abiertos todos los interruptores.

Tabla 5. Comportamiento de los interruptores

Interruptores cerrados Vout


M1 y M2 + Vcc
M3 y M4 - Vcc
M1 y M3 0
M2 y M4 0

4.4.2 Estrategia de Modulación El tipo de modulación que se utilice para generar


la inversión DC/AC es una consideración de gran importancia, debido a que de esta
dependen varios factores de calidad del sistema. A la hora de elegir una modulación
en particular hay que tener en cuenta el contenido armónico en la señal AC
generada, porque son estos los que causan un funcionamiento erróneo del sistema
y pueden llegar a destruir el inversor y las cargas conectadas almismo. Otra
de las consideraciones importantes es que si se tiene una señal AC con reducidos
armónicos la etapa de filtrado es más sencilla y por ende reduce en gran medida los
costos monetarios y el tamaño del filtro a diseñar. A continuación, se explicara de
forma general los tipos de modulación con mejor respuesta al problema
anteriormente mencionado.

[Link] PWM de pulsos iguales por semiperiodo El contenido armónico puede


ser reducido utilizando múltiples pulsos por cada semiperíodo. Para generar este
tipo de modulación se compara una señal triangular con una señal de referencia
constante.
Figura 14. Generación de PWM con pulsos iguales

La variación de la tensión de salida se logra variando la anchura de cada pulso δ


entre cero y  / N , donde N es el número de pulsos por semiperíodo. La
frecuencia de la señal de referencia determina la frecuencia de la señal de salida
del inversor, siendo la frecuencia fC de la portadora quien determina el número de
pulsos por semiperíodo. A este tipo de modulación también se le conoce como
modulación uniforme de la anchura de pulso. El número de pulsos por cada
semiperíodo se calcula por medio de la siguiente expresión:

fC MF
N= = =# Entero
2 f0 2

De la anterior ecuación a Mf se le denomina índice de modulación en frecuencia.

En la siguiente imagen se muestran los componentes armónicos por medio de la


serie de Fourier que se obtienen para 6 pulsos por semiperiodo.
Figura 15. Componentes de Fourier para 6 pulsos por semiperiodo

Para determinar el voltaje de salida RMS se utiliza la siguiente ecuación:

Una consideración importante de esta técnica es que si se aumenta el número de


pulsos por ciclo los armónicos superiores cobran mayor importancia en amplitud y
resulta más fácil el filtrado posterior de la señal para obtener una onda sinoidal lo
más pura posible.

La fórmula para obtener la tensión instantánea de salida en series de Fourier es la


siguiente:

El coeficiente Bn se determina al considerar un par de pulsos, donde el pulso


positivo de duración  comienza en t = m y el pulso negativo de la misma
anchura comienza en t = m +  .
[Link] PWM Bipolar En lugar de mantener la anchura de los pulsos constante, se
puede variar en proporción la amplitud de una onda sinoidal, reduciendo el factor de
distorsión y los armónicos de bajo orden.

Figura 16. Generación de PWM bipolar

En la anterior imagen se puede observar que la anchura de cada pulso de la señal


de excitación corresponde a los intervalos existentes entre los puntos de corte de la
onda portadora y la de referencia, obteniéndose el doble de pulsos si utilizamos
dos ondas sinoidales en vez de una. m Es la anchura de un pulso p-enésimo que
varía al modificar el índice de modulación y modificando éste se altera la tensión
eficaz de salida, que se representa por medio de la siguiente expresión:

[Link] PWM Unipolar La frecuencia de la señal de referencia determina la


frecuencia de salida del inversor, y su amplitud (Ar) controla el índice de modulación
M, y por tanto la tensión eficaz de salida. El número de pulsos por semi-ciclo
depende de la frecuencia de la portadora. En este tipo de modulación cada rama
del inversor es controlada de manera independiente, comparando la onda triangular
con una señal de referencia sinusoidal sin desfase y con una desfasada 180º, la
generación de esta estrategia de modulación se puede ver enla siguiente imagen:
Figura 17. Generación del PWM unipolar

En comparación con el caso anterior, este tipo de modulación reduce


significativamente el factor de distorsión eliminando todos los armónicos menores
o iguales a 2p-1. Por ejemplo, para p = 7 (cinco pulsos por semiperíodo) el armónico
de menor orden es el treceavo.

[Link] Armónicos generados por la modulación PWM La modulación PWM


introduce armónicos alrededor de la frecuencia de disparo fc y sus múltiplos, es
decir, alrededor de los armónicos mf, 2mf, 3mf, y así sucesivamente. La frecuencia
a la que se producen estos armónicos viene dada por:

Donde “k” es el flanco de bajada del armónico “n” en el instante “j” para laproporción
en frecuencia de modulación mf.

La tensión pico de salida para la componente fundamental con control PWM viene
dada aproximadamente por:
Para d = 1, la ecuación anterior tiene la máxima amplitud pico de la tensión de salida
del componente fundamental:

Vo1 (máx.) = VS.

En cuanto al índice de modulación en frecuencia mf, este define la frecuencia a la


cual aparecen los armónicos. En cuanto a su selección, dado que es más fácil filtrar
armónicos de alta frecuencia, cuanto mayor sea mf más pequeño será elfiltro
necesario a la salida del inversor. Realmente el máximo valor de mf está
determinado por la máxima frecuencia de conmutación que permita unas pérdidas
aceptables. La otra exigencia es diseñar un valor de mf entero, múltiplo de f1, de
manera que se eviten sub-armónicos, a este tipo de modulación se le denomina
síncrona.

Si mf es impar, se puede demostrar por medio de la serie de Fourier que en la


tensión de salida aparecen únicamente los armónicos de orden impar, apareciendo
armónicos pares e impares, junto con un nivel de continua si mf es par.

A continuación, se muestran los resultados para los armónicos resultantes en las


dos últimas técnicas de modulación PWM.

Figura 18. Espectro de modulación senoidal bipolar


Figura 19. Espectro de modulación senoidal unipolar

Teniendo en cuenta que la modulación PWM unipolar presenta la mejor respuesta


en cuanto al contenido armónico, se eligió esta estrategia para implementarla en el
sistema.

4.4.3 Circuito Generador Del PWM Unipolar La generación de la modulación


PWM unipolar se hizo por medio de un microcontrolador. Para minimizar costos y
espacio se escogió el micro de Microchip PIC16F628A que cuenta con una buena
respuesta de trabajo y es de fácil acceso en el mercado, en el anexo E esta el
diagrama de flujo de la programación.

[Link] Configuración del microcontrolador

[Link] Análisis de la modulación a programar Para obtener una señal


aproximadamente exacta a la generada por un modulador PWM unipolar se utilizó
el entorno de simulación PsPice que cuenta con una variedad de herramientas para
lograr este objetivo. En la siguiente figura se muestra la comparación de las señales
de referencia con la señal de control para un índice de modulación en frecuencia mf
= 31 y un índice de modulación en amplitud ma de 0.9.
Figura 21. Generación de los pulsos PWM unipolar.

Las señales de referencia en azul y rojo son sinusoidales, la segunda desfasada


180º con respecto de la primera. La señal de control en amarillo es una señal
triangular con una frecuencia de 31 veces la frecuencia de las señales de referencia.
Los parámetros de las anteriores señales son los siguientes:

VPr ef
ma =
VPtriangular
FTriangular
mf =
Fref
Donde:
VPr ef = Voltaje pico de la señal de referencia.

VPtriangular = Voltaje pico de la señal de control o señal triangular.


FTriangular = Frecuencia de la señal de control o señal triangular.

Fref = Frecuencia de la señal de referencia.

Para hacer una comparación del comportamiento de la señal modulada se fijo ma


en 0.9, es decir que las amplitudes de las señales son las siguientes:

VPr ef = 9.6v
VPtriangular = 10.67v

Con estos datos el resultado es el siguiente:

9.6v
ma = = 0.89  0.9
10.67v

La determinación del índice de modulación en frecuencia es el siguiente:

FTriangular
mf =
Fref
Donde:

mf = 31
Fref = 60 Hz

Con estos valores se obtiene la frecuencia de la señal triangular de control que es


la siguiente:

FTriangular
mf =
Fref
FTriangular = mf * Fref = (31)*(60Hz) = 1860Hz

Teniendo claro las características de las señales generadoras del PWM unipolar
con mf = 31 se determinaron las duraciones de cada pulso generado como se ve en
la figura 21 en verde.
Los resultados obtenidos se muestran en la siguiente tabla, en la que están los
tiempos reales, los tiempos programados y el swicheo que estos determinan:
Tabla 6. Tiempos reales, programados y el swicheo
INTERVALO T REAL (µs) T PROGRAMADO (µs) M1 M3 M2 Q4
T1 = T61 257.609 256 OFF OFF OFF OFF
T2 = T60 22.826 24 ON OFF ON OFF
T3 = T59 236.957 236 OFF OFF OFF OFF
T4 = T58 42.391 44 ON OFF ON OFF
T5 = T57 215.217 216 OFF OFF OFF OFF
T6 = T56 66.304 66 ON OFF ON OFF
T7 = T55 191.383 190 OFF OFF OFF OFF
T8 = T54 85.672 86 ON OFF ON OFF
T9 = T53 175.774 176 OFF OFF OFF OFF
T10 = T52 103.615 104 ON OFF ON OFF
T11 = T51 156.627 156 OFF OFF OFF OFF
T12 = T50 121.681 122 ON OFF ON OFF
T13 = T49 136.150 136 OFF OFF OFF OFF
T14 = T48 142.169 142 ON OFF ON OFF
T15 = T47 121.687 122 OFF OFF OFF OFF
T16 = T46 153.912 154 ON OFF ON OFF
T17 = T45 106.329 106 OFF OFF OFF OFF
T18 = T44 169.497 170 ON OFF ON OFF
T19 = T43 95.563 96 OFF OFF OFF OFF
T20 = T42 179.371 179 ON OFF ON OFF
T21 = T41 82.075 82 OFF OFF OFF OFF
T22 = T40 194.359 194 ON OFF ON OFF
T23 = T39 70.153 70 OFF OFF OFF OFF
T24 = T38 200.210 200 ON OFF ON OFF
T25 = T37 64.403 65 OFF OFF OFF OFF
T26 = T36 209.310 208 ON OFF ON OFF
T27 = T35 58.653 58 OFF OFF OFF OFF
T28 = T34 212.0 212 ON OFF ON OFF
T29 = T33 54.350 54 OFF OFF OFF OFF
T30 = T32 215.790 216 ON OFF ON OFF
T31 52.632 52 OFF OFF OFF OFF
T1 = T61 257.609 256 OFF OFF OFF OFF
T2 = T60 22.826 24 OFF ON OFF ON
T3 = T59 236.957 236 OFF OFF OFF OFF
T4 = T58 42.391 44 OFF ON OFF ON
T5 = T57 215.217 216 OFF OFF OFF OFF
T6 = T56 66.304 66 OFF ON OFF ON
T7 = T55 191.383 190 OFF OFF OFF OFF
T8 = T54 85.672 86 OFF ON OFF ON
T9 = T53 175.774 176 OFF OFF OFF OFF
T10 = T52 103.615 104 OFF ON OFF ON
T11 = T51 156.627 156 OFF OFF OFF OFF
T12 = T50 121.681 122 OFF ON OFF ON
T13 = T49 136.150 136 OFF OFF OFF OFF
T14 = T48 142.169 142 OFF ON OFF ON
T15 = T47 121.687 122 OFF OFF OFF OFF
T16 = T46 153.912 154 OFF ON OFF ON
T17 = T45 106.329 106 OFF OFF OFF OFF
T18 = T44 169.497 170 OFF ON OFF ON
T19 = T43 95.563 96 OFF OFF OFF OFF
T20 = T42 179.371 179 OFF ON OFF ON
T21 = T41 82.075 82 OFF OFF OFF OFF
T22 = T40 194.359 194 OFF ON OFF ON
T23 = T39 70.153 70 OFF OFF OFF OFF
T24 = T38 200.210 200 OFF ON OFF ON
T25 = T37 64.403 65 OFF OFF OFF OFF
T26 = T36 209.310 208 OFF ON OFF ON
T27 = T35 58.653 58 OFF OFF OFF OFF
T28 = T34 212.0 212 OFF ON OFF ON
T29 = T33 54.350 54 OFF OFF OFF OFF
Tabla6. (Continuación)
T30 = T32 215.790 216 OFF ON OFF ON
T31 52.632 52 OFF OFF OFF OFF
T total (ms) 15.82541ms 16.664ms

Las frecuencias reales son las siguientes:

1
freal = = 63.18951Hz
15.82541ms

1
fmicro = = 60.0096Hz
16.664ms

4.4.4 Simulación Del Modulador Para hacer la comparación de las señales


mencionadas anteriormente se diseñó un modulador PWM unipolar en el programa
para simulación de circuitos electrónicos Pspice Student. Para hacer dinámica la
comparación, el modulador diseñado cuenta con la ventaja de que se
le puede modificar la frecuencia de control. Teniendo en cuenta que ma tiene que

estar entre 0 y 1, para que el sistema no se sobre module, este se fijo de acuerdo
a los datos obtenidos anteriormente, además la frecuencia de referencia ( mf ) con
la que se tiene que trabajar es de 60 Hz. A continuación se presenta el subcircuito
implementado:

Figura 22. Subcircuito para el modulador PWM


El anterior subcircuito es la estructura del modulador PWM unipolar, en el se
puede ver que se hace la comparación de la señal sinusoidal sin desfase con la
señal de control y la señal sinusoidal desfasada 180º también se compara con la
señal de control, para sumar los dos resultados y obtener la modulación deseada.

Figura 23. Comparación de las señales

La figura 24 es el modulador, al cual se le puede modificar la frecuencia de control,


ingresándola en fs, las salidas G1 y G2 son las correspondientes señales
moduladas, donde G1 esta invertida con respecto a G2.

Figura 24. Modulador PWM unipolar

Hay que tener en cuenta que para que las señales a modular coincidan, el índice
de modulación m f tiene que ser impar (3, 5, 7, 9, 11.). A continuación se

examinaran las señales obtenidas para algunos m f , la frecuencia que se ingresa


al modulador se obtiene de la siguiente manera:

F Triangular = m f * F ref

F ref = 60 Hz

F Triangular = m f * 60 Hz
[Link] Simulaciones

mf = 7
FTriangular = 420Hz

Figura 25. Pulso con mf=7

m f = 11
FTriangular = 660Hz

Figura 26. Pulso con mf=11

m f = 17
FTriangular = 1020Hz
Figura 27. Pulso mf=17

m f = 31
FTriangular = 1860Hz

Figura 28. Pulso mf=31


4.4.5 Aislamiento Eléctrico El aislamiento eléctrico en este tipo de sistemas es
necesario debido a que se manejan corrientes elevadas del orden de 1 a 20
amperios y estas pueden causar daños al circuito de control. Para proteger al
microcontrolador se utilizan generalmente optoacopladores. Se utilizo el integrado
6N139 por tener un tiempo de conmutación adecuado para el sistema, además
económico y de muy fácil acceso en el mercado.

Figura 29. Configuración del optoacoplador

4.4.6 Driver Acondicionador De Nivel Para un correcto funcionamiento de los


Mosfet`s como dispositivos de rápida conmutación estos necesitan un voltaje de
disparo en la compuerta de entre 12 y 15 V DC. El driver de la siguiente figura es un
circuito que garantiza dichas condiciones.

Figura 30. Circuito Driver

Fuente: Pspice.
[Link] Funcionamiento Cuando se tiene un nivel alto en la entrada del driver se
tendrá un nivel de cero voltios a la salida de este, en la siguiente imagen se muestra
con más claridad esto.

Figura 31. Circuito equivalente para una entrada alta

Cuando se tiene un nivel bajo en la entrada del driver se tendrá un nivel de 15


voltios a la salida de este como se puede ver a continuación.

Figura 32. Circuito equivalente a una entrada baja

4.4.7 Circuito De Tierra Flotante Para esta función se utilizó el circuito integrado
IR2110, de International Rectifier, tal como se muestra en la figura 33. Esteintegrado
tiene una notable característica, pues puede alimentar dos MOSFET o dos IGBT de
una misma fase, desde una referencia común. El IR2110 permite al par de
transistores trabajar con tensiones de alimentación continua de hasta600Vdc. Las
características funcionales del integrado son las siguientes:
• Diseñado para operar como bootstrap entre canales flotantes.
• Tensiones de operación máxima entre +500V y +600V
• Inmune al transitorio de tensión negativa dv/dt
• Rango de alimentación de Gate desde 10 a 20V.
• Fuente de alimentación separada de 5 a 20V.
• Entrada Schmitt-triggered
• Proceso de apagado entre ciclo y ciclo.
• Salidas en fase con las entradas.

Figura 33. Configuración IR2110

[Link] Teoría del cálculo del condensador de BOOTSTRAP (CB) La ecuación


detallada de la mínima carga que tiene que suministrar el condensador es:

Donde:

Q g = Carga en la compuerta del lado alto del MOSFET (Hoja de datos IRF150).

Icbs (fuga) = Corriente de fuga en el condensador de Bootstrap (en


condensadores de tantalio o cerámicos se asume cero).

Qls = Nivel de cambio de carga requerido por ciclo = 5nC (500V/600V IC’s),
usualmente para el IR2110.

F = Frecuencia de conmutación.
El condensador Bootstrap debe poder proporcionar esta carga y conservar el voltaje
completo, por lo demás habrá una importante cantidad de onda en el voltaje de
Vbs, para poder caer por debajo del Vbsuv (voltaje de cerradura baja) y causa que
el Ho de salida deje de funcionar. Por lo tanto la carga en el condensador CB debe
ser un mínimo de dos veces el valor más alto. El valor mínimo del condensador se
calcula por medio de la siguiente ecuación.

Donde:

Vf = Caída del voltaje en el diodo de Bootstrap (DB) en conducción (valor de la


hoja de datos del diodo de velocidad utilizado).

VMin = Mínimo voltaje entre VB y VS.

VLS = Caída de voltaje en el MOSFET de la parte baja.

[Link] Cálculo de CB Los siguientes parámetros son tomados de las hojas de


datos de los componentes:

VCC = 12v
VF = 0.72v
VLS = 1v
FS = 50KHz
IQBS = 230A
Qg = 72nC
QLS = 5nC
−9  230x10−6  −9
2 *(72x10 ) +  50x103  + (5x10 )
CB   
15 −1−1
C B  11,82x10−9 F

Para la implementación se escogió un condensador CB de 220 nf.


4.5. ETAPA DE POTENCIA

4.5.1. Cargas Teniendo en cuenta que las cargas que se le conectaran al sistema
tienen un consumo total de 600w, que se distribuyen de la siguiente manera:

Tabla 8. Tipos de cargas

Tipo de carga Consumo unitario (W) Cantidad Consumo total (W)


Bombillo 60 5 300
Tv Color 21’’ 100 1 100
Equipo pequeño de sonido 60 1 60
Cargadores para celular 20 X 20
Varios 110 X 110
Total 590
Como puede verse en la tabla no se tienen en cuenta dispositivos altamente
inductivos, como motores, licuadoras, lavadoras, neveras y demás que tengan
dichas características.
[Link] Modelado de los bombillos Las primeras cargas que se modelan son los
bombillos, por ser puramente resistivos. El tipo de bombillos que se conectaran
son de los convencionales de 60w a 60Hz y 120v AC. Por medio de la ley de Ohm
se obtiene la impedancia equivalente para estos elementos de la siguiente manera:

V = I *R
P =V *I
V2
P=
R
R = V = (120 ) = 240
2 2

P 60

La anterior impedancia es la equivalente para un bombillo, en la siguiente figura se


puede observar la conexión de la totalidad de los bombillos con su correspondiente
impedancia.

Figura 37. Circuito equivalente para los bombillos

Las resistencias R1, R2, R3, R4 y R5 tienen el mismo valor y por consiguiente las
corrientes I1, I2, I3, I4 y I5 también son iguales, siendo la suma de estas igual a la
corriente de entrada I. En la parte derecha se muestra la simplificación de los 5
bombillos representada por REQ. Como no siempre estarán conectados todos los
bombillos a la vez en la siguiente tabla se muestran las diferentes situaciones en las
que pueden estar conectados los bombillos con sus correspondientes impedancias
equivalentes y la corriente de consumo para cada caso.
Tabla 9. Resistencias equivalentes para las conexiones de los bombillos

# Bombillos R equivalente (Ω) Potencia (W) Corriente (A)


conectados
1 240 60 0.5
2 120 120 1
3 80 180 1.5
4 60 240 2
5 48 300 2.5

[Link] Modelado del TV 21’’ Para hacer el modelado del televisor se investigo la
potencia que consume este tipo de electrodoméstico con respecto a las marcas
más importantes en el mercado y se obtuvo una potencia promedio de consumo
de 100w a 120v AC, con estos datos la impedancia equivalente es la siguiente.

R = V = (120 ) = 144
2 2

P 100

V 120
I= =  0.834 A
R 144

La anterior impedancia equivalente se toma como una carga resistiva debido a que
en la tecnología usada en los televisores de la actualidad se tiene un acondicionador
de impedancia en la fuente de entrada de estos aparatos.

[Link] Modelado del equipo pequeño de sonido Este se hizo siguiendo las
mismas condiciones del caso anterior pero se aclara que cuando se habla de
pequeño se refiere a grabadoras caseras, radios y grabadoras de CD de baja
potencia. Para este caso la potencia promedio es de 60w a 120v para lo que la
impedancia resultante es igual a:

R = V = (120 ) = 240
2 2

P 60

V 120
I= =  0.5A
R 240
[Link] Modelado del cargador de celular Este tipo de dispositivos funcionan
básicamente con un transformador que coge la señal de 120v AC y la reduce para
posteriormente rectificarla y acondicionarla al nivel adecuado según el tipo de pila con la
que trabaja, pero dicho transformador es muy pequeño por lo que no se considera como
una carga inductiva sino que se modela como una carga resistiva quedando su
impedancia equivalente igual a:

R = V = (120 ) = 720
2 2

P 20

V 120
I= =  0.2 A
R 720

La anterior corriente de consumo para estos dispositivos se puede comprobar en


las especificaciones de los cargadores de celular comerciales.

[Link] Potencia restante Los 110w restantes se dejan para conectar aparatos que
requieran esta potencia o varios de menos potencia, si se asume que se conecta
una carga resistiva la impedancia de la misma es igual a:

R = V = (120 ) = 130
2 2

P 110

V 120
I= =  0.92 A
R 720

[Link] Resumen del consumo total En la siguiente tabla se resume las


impedancias, corrientes y potencias para el caso en que se tengan conectadas la
totalidad de las cargas.

Tabla 10. Impedancias, corrientes y potencias con todas las cargas


conectadas

Tipo de carga Impedancia Ω Potencia (W) Corriente (A)


Bombillos 48 300 2.5
Tv Color 21’’ 144 100 0.834
Equipo pequeño de sonido 240 60 0.5
Cargadores para celular 720 20 0.2
Varios 130 110 0.92
Total 24.4 590 4.954

Para obtener la impedancia total se hace la equivalencia de todas las impedancias


en paralelo.
4.6 TRANSFORMADOR DE SALIDA

La onda PWM unipolar de salida del puente, tiene una amplitud variable entre 24 y
30 voltios dependiendo de la entrada. Para el valor menor de entrada, 24 voltios, se
debe garantizar que la señal rectificada de la onda de salida tenga un valor promedio
de 110 voltios, para esto se calculó el transformador de la siguiente manera:

Con un voltaje de entrada Vin de 24 V y tomando el voltaje de caída en cada


mosfet de 1 V, tenemos que el valor promedio de la señal de salida rectificada en el
primario del transformador es:

VPRIMARIO = VBATERIAS −VCAIDAS


VPRIMARIO = 24 − 2 = 22V

Con este valor se hacen los cálculos para el transformador, obteniéndose la


siguiente relación de transformación:

Vout 110
n= = =5
VPRIMARIO 22

Por otra parte, cuando se tiene en voltaje a plena carga de las baterías de 30v
seobtiene la siguiente relación de transformación:

VPRIMARIO = VBATERIAS − VCAIDAS


VPRIMARIO = 30 − 2 = 28V
Vout = 120 = 4.29
n=
VPRIMARIO 28

Con estos dos resultados se elige como relación de transformación n=5.45 para
garantizar el nivel de voltaje adecuado en la salida aun cuando las baterías estén
por descargarse.

Las características con las que se mando a elaborar el transformador son las
siguientes:

• Voltaje de entrada VP = 22v RMS.


• Voltaje de salida VS = 120v RMS.
• Relación de transformación 5.45.
• Potencia 600W.
4.7 SIMULACIÓN DEL SISTEMA SIN FILTRO

4.7.1 Tarjeta de control Para la simulación del inversor se partió del modulador
PWM unipolar mostrado en el capitulo anterior pero con una modificación, esta se
hizo debido a que se tiene que manejar el puente completo que está conformado
por 4 Mosfet’s y por esto el cambio en el modulador es la adición del circuito
acondicionador de nivel (círculos vino tinto) y el circuito de tierra flotante (círculos
verdes), como se muestra en la siguiente figura.

Figura 43. Circuito emulador de la tarjeta de control

En la parte izquierda de la figura 38 se muestra el modulo simplificado, en la parte


derecha está subcircuito implementado para la simulación de la tarjeta de control.

En los círculos vino tintos se encuentran los circuitos acondicionadores de nivel tal
cual como se explicaron en el anterior capitulo y en los verdes la equivalencia del
circuito de tierra flotante.

4.7.2 Puente completo Para la simulación de esta parte del sistema se diseño un
modulo que tiene un subcircuito con los respectivos Mosfet utilizados físicamente y
con las protecciones para sobre picos de voltaje.
Figura 44. Circuito emulador del puente completo

En la parte izquierda se muestra el modulo simplificado del puente H y en la


derecha el subcircuito implementado en el entorno de simulación PsPice.

4.7.3 Inversor sin filtro A continuación se muestra la implementación del


emulador del inversor con un índice de modulación en frecuencia M f = 31 y una
alimentación de 22v que equivale al peor caso que se puede presentar en el banco
de baterías. Además se tiene un transformador equivalente al diseñado en el
apartado 4.6, la resistencia denotada con carga es la que se variara de acuerdo a
los cálculos realizados anteriormente en el modelado de las cargas.

Figura 45. Circuito emulador del inversor


Los parámetros que rigen el comportamiento del transformador se basan en la
siguiente ecuación debido a que PsPice trabaja con ella.

VP LP
=
VS LS
Donde:

VP = Voltaje en el primario =22v.


VS = Voltaje en el secundario = 120v.
LP = Inductancia del primario.
LS = Inductancia del secundario.

Con estos valores y simplificando la anterior ecuación se obtienen los parámetros


para LP (se asumió LP = 1mH) y LS de la siguiente manera:
2
V 
LS =  S  * LP
 VP 

LS =  120  *(10mH ) = 297.52mH


2

22
 

4.7.4 Resultados Las siguientes son las simulaciones para algunos de los casos
que se pueden presentar con respecto a las diferentes conexiones de las carga
4.8 ETAPA DE FILTRADO

En este numeral se explicará el procedimiento seguido para filtrar la señal resultante


del inversor y obtener una onda lo más pura posible con forma sinusoidal, amplitud
igual a 120v y que tiene una frecuencia igual a la de la red de energía eléctrica
comercial (60Hz), debido a que solo se requiere dejar pasar la señal fundamental
los filtros a estudiar son los pasa bajos.

4.8.1 Tipos de filtros pasa bajo En la práctica las siguientes son las topologías
de filtros pasa bajo más utilizados.

Figura 53. Filtros pasa bajo

[Link] Filtros por condensador El filtrado se efectúa colocando un


condensador en paralelo con la carga. El funcionamiento de este sistema se basa
en que el condensador almacena energía durante el periodo de conducción y la
cede posteriormente durante el periodo de no conducción de los elementos
rectificadores. De esta forma, se prolonga el tiempo durante el cual circula corriente
por la carga y se disminuye notablemente el rizado.

Las características favorables de los circuitos que emplean filtros de entrada por
condensador son: pequeño rizado y la tensión alta con cargas pequeñas. La tensión
sin carga es igual, teóricamente, a la máxima del transformador. Lasdesventajas de
este sistema son: la regulación relativamente mala y el elevado rizado con cargas
grandes. Este tipo de filtros se utilizan en sistemas electrónicos de regulación y su
aplicación en inversores DC-AC implica elevados costos y tamaños del
condensador muy grandes.

[Link] Filtros por inductancia El funcionamiento del filtro por bobina se basa
en la propiedad fundamental de este componente de oponerse a cualquier variación
de la corriente, de forma que cualquier variación brusca que pudiera
aparecer en un circuito sin inductancia se suaviza por el hecho de colocar este
elemento en el circuito.

La siguiente expresión muestra que, con cualquier carga, el rizado varía


inversamente con la magnitud de la inductancia. Además, el rizado es más pequeño
cuanto menor es RL, es decir, cuanto mayor es la corriente.

[Link] Filtros LC Los dos tipos de filtros considerados anteriormente se pueden


combinar en uno solo dando como resultado el filtro LC. Este filtro conjuga el menor
rizado conforme aumenta la intensidad del filtro por bobina con el menor rizado a
pequeñas intensidades del filtro por condensador. La inductancia presenta una
impedancia serie grande a los armónicos, y el condensador una impedancia en
paralelo pequeña. La corriente resultante por la carga se suaviza mucho más
eficazmente que con el filtro L o C simple.

Un filtro LC resulta tanto más eficaz cuanto mayor sea la reactancia de la bobina a
la frecuencia fundamental de ondulación, con respecto al valor de la resistencia de
carga, o cuanto menor sea el valor de la reactancia del condensador, también con
respecto a la misma resistencia de carga. Para este tipo de filtros se debe cumplir
la siguiente condición:

La misión del filtro es suprimir los armónicos en el sistema, la reactancia de la bobina


debe ser mucho más grande que la de la combinación en paralelo del condensador
y la resistencia. Esta última es pequeña si la reactancia del condensador es mucho
menor que la resistencia de carga. Por tanto, se introduce muy poco error si
suponemos que toda la corriente alterna pasa por el condensador y ninguna por la
resistencia. En este caso, la impedancia total entreA y B es, aproximadamente XL
= 2TL, la reactancia de la bobina a la frecuencia delsegundo armónico.
Figura 54. Filtro LC

Este tipo de filtros son los mas adecuados para aplicaciones de rápida
conmutación.

[Link] Filtros en L Este tipo de filtro es una configuración especial de la topología


LC. Cuando se requiere reducir la distorsión armónica de la tensión de salida de un
inversor de frecuencia fija o poco variable, se dispone un filtro a la salida que permite
el paso de la onda fundamental y se lo impide a los armónicos.

Figura 55. Topología del filtro

La rama serie debe tener una baja impedancia a la frecuencia del fundamental para
que no haya pérdidas de tensión y una alta impedancia a la frecuencia de los
armónicos que se quieren eliminar. La rama paralelo debe comportarse de forma
opuesta para no cargar al inversor con una intensidad de frecuencia igual a la del
fundamental y para cortocircuitarse a la frecuencia de los demás armónicos.
Se llama atenuación del filtro para una determinada frecuencia, a la relación entre
la tensión de salida y la de entrada a dicha frecuencia. Llamando Zsn y Zpn a la
impedancia de las ramas serie y paralelo. Para el armónico de orden “n” y para
funcionamiento en vacío se tiene la siguiente expresión:

VoFn Z pn
Atenuación = =
Von Zsn + Z pn

Zsn y Zpn dependen de la frecuencia considerada y por tanto, al igual que la


atenuación, suele ser mayor para frecuencias más elevadas debido al
comportamiento inductivo de Zsn y capacitivo de Zpn . En caso de tener una cierta
carga de impedancia ZLn, la atenuación mejora porque la impedancia paralelo Z’pn
a considerar sería el equivalente de Zpn y ZLn y siempre menor que Zpn.

Z' = Z pn * Z Ln
Z pn + Z Ln
pn

En la siguiente figura se presentan algunos de los filtros en L más utilizados. Los


que tienen en la rama serie una sola bobina tienen el inconveniente de que se pierde
en ella tensión de la frecuencia fundamental. Los que tienen en la rama paralela un
condensador sólo tienen el inconveniente de que se deriva por él una parte de la
intensidad de la frecuencia fundamental.

Figura 56. Configuraciones de los filtros en L


Ambos inconvenientes se pueden eliminar en los inversores de frecuencia fija
utilizando ramas resonantes sincronizadas con la frecuencia fundamental de forma
que a dicha frecuencia:

1
1 * Ls =
1 *Cs
1
1 * Lp =
1* C p

De las anteriores ecuaciones se obtiene:

1
Z s1 = j 1 L s − j =0
 1C s
 1 
( j1 L p )*  − j  C 
Z =  1 = p

p1
 1 
( j 1 L p )+  − j

  1C p 

El anterior análisis comprueba que la caída de tensión en la rama serie es nula y


el consumo de intensidad en la paralela también.

La atenuación de un filtro de este tipo para un armónico de orden “n” puede


calcularse por medio de la siguiente expresión:

VoFn 1
=

2

1 −  n − 
Von 1 *Cp

 n Cs

4.8.2 Análisis de Fourier para Vo Antes de realizar el diseño del filtro se tienen
que identificar los armónicos de mayor importancia, la frecuencia donde se ubican
y el porcentaje que tienen con respecto a la fundamental, ya que con estos datos es
que se hacen los cálculos para filtrarlos de la señal en la salida del inversor. Para
hacer esto se utiliza el análisis de Fourier, el cual se puede hacer por medio de
diferentes programas como Matlab, LabVIEW, Simulink, PsPice entre otros.
Teniendo en cuenta que el sistema se tiene implementado en PsPice es por este
medio que se hará dicho análisis.

En la siguiente imagen se muestra la grafica de Fourier para la salida del inversor


trabajando a carga plena, es decir con todas las cargas conectadas.

Figura 57. Análisis de Fourier para Mf = 31

A continuación se presenta la tabla de los armónicos resultantes en la que se


pueden identificar las componentes de mayor orden y más significativas para el
correcto desempeño del sistema, con sus correspondientes frecuencias.

Tabla 12. Componentes de Fourier

Los armónicos que aparecen en recuadro rojo son los que se tienen que eliminar
por ser los de mayor influencia, con los datos de estos armónicos es que se hace
el diseño del filtro de salida para el inversor. La figura 52 y la tabla 12 comprueban
el objetivo propuesto al utilizar modulación PWM unipolar para controlar el inversor,
ya que desplazan los armónicos más perjudiciales a frecuencias lejanas de la
fundamental y eliminan los armónicos de menor orden, para de esta manera obtener
una onda sinusoidal lo más pura posible en la tensión de salida.

En la tabla que se presenta a continuación se muestra un resumen de los armónicos


más representativos con sus correspondientes características:

Tabla 13. Armónicos más perjudiciales

# Armónico Frecuencia (Hz) Amplitud (V) Porcentaje (%)


1 60 85.81 100
30 1800 8.746 10.19
32 1920 8.693 10.13
59 3540 15.94 18.58
61 3660 30.42 35.45
63 3780 30.45 35.49
65 3900 15.88 18.51

4.8.3 Simulación del sistema con filtro Para hacer esta simulación se incluyo
el filtro diseñado anteriormente al circuito implementado en PsPice comose ve en
la siguiente imagen.

Figura 59. Sistema completo PSPice

La señal resultante a la salida del inversor con carga plena (30Ω) en comparación
de la señal mostrada en la figura 28 es una onda sinusoidal pura como se muestra
en la siguiente imagen.
Figura 60. Señal de salida sinusoidal

El correspondiente análisis espectral para la onda de salida es el siguiente:

Figura 61. Análisis de Fourier para Vo a carga plena

Como puede observarse se eliminaron los armónicos más perjudiciales mostrados


en la figura 51, por lo que se cumple el objetivo previsto para el filtro.

En la siguiente tabla se muestra el resultado numérico de Fourier para la anterior


imagen, en la que se comprueba que los armónicos de orden 30, 32, 59, 61, 63 y
65 en relación a la componente de Fourier se atenuaron de forma significativa
comparándolos con sus valores mostrados en la tabla 13.
Tabla 14. Resultado del análisis de Fourier en PsPice

Para tener claro el efecto del filtro LC sobre la señal modulada a continuación se
muestra la comparación entre los armónicos de la señal sin filtrar y la señal
filtrada.

Tabla 15. Comparación de las señales sin filtro y con filtro

Armónico Frecuencia Amplitud sin Porcentaje sin Amplitud Porcentaje


(Hz) filtro (V) filtro (%) con filtro (V) con filtro (%)
1 60 85.81 100 85.81 100
30 1800 8.746 10.19 0.07342 0.09675
32 1920 8.693 10.13 0.06306 0.08310
59 3540 15.94 18.58 0.03330 0.04388
61 3660 30.42 35.45 0.05725 0.07544
63 3780 30.45 35.49 0.05560 0.07327
65 3900 15.88 18.51 0.02712 0.03574

4.8.4 Diseño de la bobina Debido que se necesita una inductancia especifica y


que el valor requerido no es comercial, esta se diseño con un núcleo de ferrita tipo
EE de referencia EA-77-625, el cual tiene las siguientes características, según la
hoja de datos del producto.

Ae = 1.84cm2
Ie = 9.8cm
 = 2000
La ecuación que rige el diseño de bobinas con núcleo de ferrita tipo EE es la
siguiente:
A 
L = 0.4N 2  e  *10−8 (H )
 Ie 

Donde:

N = Numero de vueltas.
μ = Permeabilidad del material.
Ae = Área efectiva del núcleo.
Ie = Longitud efectiva del núcleo.
L = Inductancia en henrrios.

Las dos constantes que aparecen en la ecuación son parámetros estandarizados


para este tipo de bobinas.

Despejando de la anterior ecuación N queda:

(L)(Ie )
N= −8
(0.4)( e

Los parámetros de diseño son los siguientes:

L = 73.625mH
Vout = 120v AC
F = 60Hz

Se remplazan los anteriores valores en la ecuación obtenida para el número de


vueltas (N), de la siguiente manera.

(73.625mH )(9.8cm2 )
N=
(0.4)( )(2000)(1.84cm)(10−8 )
N = 124.9  125 _Vueltas
5.1 Código del arduino
1. ANÁLISIS DE RESULTADOS

Figura 67. Señal obtenida para Mf = 31

La imagen se obtuvo por medio de un osciloscopio de almacenamiento digital, la


sonda se utilizó multiplicada por 10, como se puede ver en la imagen el instrumento
nos arroja un valor de 2.52v pico, el que al multiplicarlo por 10 da un valor real de
25.2v, que son equivalentes a tener dos baterías en serie de 12v, es decir que no
se tiene una atenuación considerable en la salida de la tarjeta de control. Por otra
parte, se puede apreciar que los mosfet utilizados están conmutando
correctamente, en la siguiente imagen se muestra medio ciclo para tener una mayor
claridad de lo anteriormente descrito.
Figura 68. Señal obtenida para Mf = 31 en medio ciclo

La frecuencia que se obtuvo fue de aproximadamente 58 Hz, esto puede


corroborarse en la anterior imagen, teniendo en cuenta que se tiene 1 ms por
división en la escala de tiempo y que la señal de medio ciclo tiene aproximadamente
8.6 divisiones, las que multiplicamos por 2 para obtener lafrecuencia anteriormente
dicha.

El nivel de voltaje pico a pico obtenido es adecuado para que el transformador lo


eleve hasta 120v AC.

5.1 ETAPA DE POTENCIA

Se realizaron diferentes pruebas en la salida del sistema con el transformador


conectado y sin filtro, esto con el objetivo de hacer una comparación con las
simulaciones que se hicieron para este mismo caso.
CONCLUSIONES

Se diseñó y construyó un inversor de 600w DC/AC, obteniendo un equipo de


potencia, relativamente liviano, económico y con sus respectivas protecciones.

Desde el punto de vista ambiental, la utilización de este sistema para suplir las
necesidades eléctricas de la vivienda rural, proporciona un medio de energía limpia
que no contamina el medio ambiente.

El inversor construido se basa en la utilización de un puente H, el cual se


interconecta por medio de un transformador y junto a un sistema de control que
permite obtener una señal sinusoidal de tensión de treinta y un niveles (30 valores
positivos, 30 negativos y el cero). El puente H se han formado empleando Mosfet`s
que soportan hasta 40 amperios, como semiconductores de potencia.

La modulación implementada (PWM Unipolar), tiene la ventaja de que por un lado


disminuye el contenido armónico y por otro permite que durante medio ciclo los
Mosfet`s de cada rama permanezcan apagados, lo que ayuda a que no haya
sobrecalentamiento en ellos.

Las redes de protección diseñadas fueron demostradas en las simulaciones,


obteniéndose muy buenos resultados, especialmente en la protección de los
Mosfet`s de potencia, los cuales tienen que soportar corrientes inferiores a 30 A.

Los resultados obtenidos en las pruebas realizadas, han sido exitosos, dado que se
generó la potencia establecida para dicho trabajo. Para llevarlas a cabo fue
necesario hacer una fuente de 24 voltios, que simula el banco de baterías, con el
cual estará conectado el inversor. La potencia máxima suministrada por el inversor
suple las necesidades básicas que tiene la vivienda en la cual se va a implementar.

Actualmente el inversor, opera con un filtro ubicado a la salida del transformador.


En este sistema no podrán estar conectados, cargas inductivas, como neveras,
lavadoras, licuadoras y motores de potencia.
BIBLIOGRAFÍA

BARRERA SANABRIA, Laura Catalina y FITZGERALD FERNÁNDEZ, JOHANNA.


Universidad [Link] de Cali, 2006, 222 p. Trabajo de grado (Ingenieras Industriales). Universidad
ICESI. Facultad de Ingeniería Industrial.

HART, Daniel W. Electrónica de potencia. Madrid. Pearson Educación, S.A, 2001.

INSTITUTO COLOMBIANO DE NORMAS TÉCNICAS. Normas colombianas para la presentación de trabajos


de investigación. Sexta actualización. Bogotá D.C. 2008. 109p. NTC 1486.

KAMMEN, Daniel M. Inversores senoialdes. Barcelona (España). No. 362 (Noviembre 2006); p. 51.

MUÑOZ CANO, Javier. Condiciones para el uso paorpiado de SPWM . Madrid, 2004, 165 p. Tesis Doctoral.
Universidad Politécnica de Madrid. Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación.

ZWEIBEL Ken; MASON James y FTHENAKIS Vasilis. SPWM. En: Investigación y ciencia. Barcelona
(España). No. 11 (14 de Marzo 2008); p. 23-24.

También podría gustarte