NANOELECTRÓNICA
Nanoelectrónica: Definición
Parte de la ciencia que emplea la nanotecnología para el desarrollo de nuevos componentes
electrónicos.
Para que un dispositivo electrónico sea “nano”, debe cumplirse que para su correcto diseño y
funcionamiento hay que tener en cuenta las interacciones intermoleculares y propiedades
cuánticas que se encuentran presentes en las partículas constituyentes del material.
La nanoelectrónica está sufriendo una revolución silenciosa y continua.
Electrónica: Definición
Estudio y aplicación del comportamiento de los electrones en diversos medios, como el vacío,
los gases y los semiconductores, sometidos a la acción de campos eléctricos y magnéticos.
La electrónica es una disciplina científica orientada hacia el desarrollo de la tecnología e
ingeniería, amplia y pluridisciplinar.
Los comienzos de la electrónica moderna (microelectrónica)
El transistor
Dispositivo electrónico basado en semiconductores que era capaz de amplificar señales
eléctricas. Se encuentra en todos los dispositivos electrónicos de hoy en día.
Se han desarrollado transistores de diversos tipos como los de uniunión, bipolares, de efecto
campo y fototransistores. El uso de unos u otros depende del dispositivo donde es necesario
su empleo.
El transistor comenzó a utilizarse para fabricar receptores de radio más compactos y portátiles
que los que había hasta el momento.
La estructura del transistor fue evolucionando a la par que se mejoraban las técnicas para
fabricar dispositivos miniaturizados, lo que dio lugar a su miniaturización. De forma gradual, el
transistor fue sustituyendo al resto de dispositivos empleados en electrónica hasta su
invención.
El circuito integrado (chip)
Circuito empleando materiales semiconductores e integrándolos en un sustrato común.
Reducción de los circuitos integrados: Ley de Moore
Desde la invención del transistor y circuito integrado (chip), uno de los principales objetivos de
la microelectrónica ha consistido en su miniaturización.
Desde su invención, el tamaño de los circuitos integrados basados en silicio se ha ido
reduciendo a la mitad cada 18-24 meses (o, lo que es lo mismo, se duplica el número de
transistores en un microprocesador). Esta observación/predicción fue formulada en G.E.
Moore.
Ventajas de miniaturización
Reducción del coste por componente: Es necesario una menor cantidad de materia
prima para la fabricación del microcomponente.
Aumento de la velocidad de operación: Al desplazarse la carga en dimensiones
menores, la velocidad a la que se transfiere el pulso/información es mayor.
Reducción del consumo eléctrico.
Inclusión de circuitos integrados en toda clase de dispositivos, objetos y lugares.
Microelectrónica
En la actualidad, el ritmo de miniaturización se está ralentizando, ya que cada vez es más difícil
solventar problemas de pérdidas de señal y sobrecalentamiento y hay una mayor dificultad de
fabricación.
Se comienza a decir que tenemos un nanotransistor en lugar de un microtransistor cuando
para conocer y exprimir al máximo las propiedades del transistor, es necesario tener en cuenta
las propiedades mecanocuánticas de los materiales utilizados.
¿Cómo se diseñan los micro- y nanochips? Semiconductores
Semiconductor: Sustancia que se comporta como conductor o como aislante en función de las
condiciones a las que se le someta. Puede ser una sustancia pura o aleación.
Silicio, germanio, AsGa: Semiconductores intrínsecos
Un semiconductor intrínseco está formado por una sustancia en estado muy puro y cristalina.
La semiconductividad se debe a la estructura propia del material.
Semiconductores extrínsecos
La movilidad de electrones de una banda a otra se debe a la agregación de impurezas en el
material. Hay de dos tipos según el dopaje: De tipo n y de tipo p.
Semiconductores extrínseco tipo n
Implica impurificar el semiconductor intrínseco con átomos con electrones en exceso.
El silicio es uno de los transistores más utilizados debido a:
La energía del intervalo prohibido (o bandgap) es ideal para que funcione como
semiconductor a temperatura ambiente.
Funciona muy bien hasta temperaturas de hasta 250 °C.
Gran sinergia con el SiO2. Gran estabilidad tanto física como química y su práctica
insolubilidad en agua. Las combinaciones SiO2 Si funcionan muy bien y además el SiO2
se obtiene fácilmente.
El silicio es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre.
Transistores MOSFET
Transistor de tipo FET capaz de funcionar como interruptores electrónicos y como
amplificadores de señal.
Transistores MOSFET: La barrera de los 45 nm
La “Barrera de los 45 nm” supuso el obstáculo serio para el cumplimiento de la ley de Moore.
La pérdida de electrones genera una menor eficiencia de los circuitos integrados. El porcentaje
de electrones que se escapa del MOSFET aumenta conforme se disminuyen las dimensiones
del transistor y del canal. Dimensión Electrones
La primera solución consistió en dos modificaciones del MOSFET: Sustituir la placa de polisilicio
por una aleación metálica y sustituir la película de óxido de silicio por una de mayor grosor y
hecha de óxido de hafnio, que dificulta la corriente de fuga.
Desarrollo de nanotransistores
Con el desarrollo de la tecnología HK-MG se ha podido continuar la miniaturización de los
transistores y circuitos integrados.
La película engrosada de HfO2 evita las fugas de corriente a través de la puerta (gate) y el
canal, pero las pérdidas de electrones a través de la fuente (source) y el drenador (drain)
siguen siendo un gran problema conforme se sigue miniaturizando el sistema.
No era posible continuar miniaturizando los
MOSFET como hasta el momento.
Estrategias para la seguir con
miniaturización
UTB-SOI (ultra-thin body silicon on insulator) o FDSOI (fully depleted SOI).
FinFET: El canal se gira 90, creándose una aleta (fin) que da lugar a una estructura
tridimensional.
Esta tecnología fue usada por primera vez en chips y se sigue aplicando hasta la fecha en
procesadores.
CNT-FET: Transistores de efecto campo basados en nanotubos de carbono
En función del diámetro del CNT y de su orientación, es posible modular las propiedades
eléctricas del transistor.
El movimiento de los electrones por el tubo es balístico: el movimiento de electrones y huecos
apenas sufre desviaciones por el impacto contra los átomos.
La principal limitación de estos transistores se encuentra en la dificultad existente para
controlar la orientación de los nanotubos.
GNR-FET: Transistores de efecto campo basados en nanocintas de grafeno
El grafeno es un material conductor, con gap cero, por lo que los denominados G-FET
(Transistores FET con una lámina de grafeno en el canal) no resultan útiles.
Como alternativa, se han desarrollado los GNR-FET (Graphene nanoribbon-FET), que emplean
varias nanocintas de carbono como canal del transistor.
Según se reduce la anchura, se reduce la conjuntividad.
MODFET: Transistor de efecto campo de dopaje modulado
En un transistor MODFET, el canal es un pozo cuántico creado por la discontinuidad de las
bandas en la heterounión de dos materiales semiconductores.
La movilidad de los electrones aumenta enormemente, lo que se traduce en una mayor
velocidad en el funcionamiento del transistor.
Tecnología QLED
Quantum dots lasser emitting diode
Un quantum dot (QD) puede entenderse como un nanocristal de un material capaz de
transportar electrones. En función del tamaño del nanocristal, la luz emitida por el QD tras
recibir energía tendrá una longitud de onda determinada (es decir, emitirá luz de un
determinado color)