Universidad de Costa Rica

Facultad de Ingenierı́a
Escuela de Ingenierı́a Eléctrica
IE0408 – Laboratorio Eléctrico II
II ciclo 2022

Anteproyecto 1

Estudio de las Principales Caracterı́sticas de los

Amplificadores Operacionales

Setevn Obando Peña C05604

Isaac Matarrita Matarrita B74584
Grupo 07

Profesor: John Roses M

22/08/2022
Índice
1. Objetivos 1
1.1. Objetivos General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2. Objetivos Especı́ficos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

2. Nota teórica 2
2.1. Investigue: ¿qué provoca el voltaje offset de salida de un amplificador operacio-
nal y cómo se puede disminuir (utilizando un LM741 y un LF353). Incluya los
diagramas de conexión para cada caso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2. Reseñe brevemente la teorı́a acerca del Slew Rate (qué es y cómo se mide) y la
gráfica ganancia–ancho de banda y sus puntos de importancia, como frecuencia
de corte y de ganancia unitaria o cruce por 0 dB, ganancia máxima y ancho de
banda de ganancia unitaria, además de la frecuencia de potencia plena. . . . . . 3
2.3. Encuentre y analice las hojas de fabricante de los integrados LM741 y LF353, y
complete la Tabla 1 con los valores mı́nimos, tı́picos y máximos de los parámetros
solicitados, según sea posible encontrar cada valor. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.4. Investigue y mencione al menos dos opciones viables de reemplazo para el LM741
y el LF353. Considere sus caracterı́sticas y que sus diagramas de pines sean
equivalentes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

3. Diseño 6
3.1. Encuentre la relación entre los componentes pasivos que elimina completamente
la componente de modo común . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.2. Calcule la ganancia diferencial del amplificador cumpliendo la condición anterior 6
3.3. Diseñe un amplificador diferencial de ganancia 10. Escoja las resistencias según
valores comerciales. Redibuje el circuito con los valores escogidos . . . . . . . . . 7
3.4. Diagramas de Bode de magnitud de la FTLC de la Ecuación 22 para los valores
mı́nimo y tı́pico de GBW (en rad/s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.5. Simule la respuesta en frecuencia del circuito propuesto y obtenga los valores del
ancho de banda y la frecuencia de cruce por 0 dB tı́picos . . . . . . . . . . . . . 9
3.6. Llene la Tabla 2 con los datos obtenidos en los puntos 4 y 5, compárelos y analı́celos 11
3.7. Sin alterar la configuración propuesta, diseñe uno o varios experimentos que
permitan medir: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.7.1. CMRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.7.2. El ancho de banda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.7.3. La frecuencia de cruce del amplificador diferencial. . . . . . . . . . . . . 13
3.7.4. El Slew Rate para el amplificador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.8. A partir de la información anterior, calcule la frecuencia de potencia plena . . . 15
3.9. Sin modificar R1, R2 y R3, obtenga el valor para R4 que le garantice un CMRR
de 100 dB y planee implementarlo con un potenciómetro . . . . . . . . . . . . . 15

4. Lista de equipos 17

5. Lista de componentes 18

6. Procedimiento 19

7. Anexos 21

ii
Índice de figuras
1. Disminución del voltaje offset para LM741 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2. Disminución del voltaje offset para LF353 [1] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3. Ganancia-ancho de banda [2] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
4. Digrama de pines para LM741, TL081 y A741Y [3] . . . . . . . . . . . . . . . . 5
5. Digrama de pines para LF353, NTE858M y TL082 . . . . . . . . . . . . . . . . 5
6. Circuito redibujado con los valores diseñados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
7. Digrama de bode del cicuito con el LM741 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
8. Digrama de bode del cicuito con el LF353 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
9. Respuesta en frecuencia para el LM741 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
10. Respuesta en frecuencia para el LF353 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
11. Configuración para la obtención del Voffset para el LM741 . . . . . . . . . . . . 12
12. Configuración para la obtención de Ad para el LM741 . . . . . . . . . . . . . . . 12
13. Configuración para la obtención de Acm para el LM741 . . . . . . . . . . . . . . 13
14. Configuración para la obtención del Slew Rate para el LM741 utilizando un TL081 14
15. Simulación para el Slew Rate LM741 utilizando un TL081 . . . . . . . . . . . . 14
16. Configuración para la obtención del Slew Rate para el LF353 . . . . . . . . . . . 15
17. Simulación para el Slew Rate LF353 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
18. Resistencias comerciales disponibles en la bodega . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

iii
Índice de tablas
1. Caracaterı́sticas del LM741 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2. Caracaterı́sticas del LF353 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3. Datos obtenidos LM741 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
4. Datos obtenidos LF353 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
5. Lista de equipos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
6. Lista de componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

iv
1. Objetivos
1.1. Objetivos General
Elaborar distintos experimentos sobre los amplificadores operacionales, y como resultado
lograr observar su funcionamiento y estudiar sus principales caracterı́sticas.

1.2. Objetivos Especı́ficos

Estudiar las principales caracterı́sticas de los amplificadores.

Evaluar el desempeño de distintas configuraciones de amplificadores de instrumentación

ante condiciones de operación reales.

Diseñar experimentos que permitan comparar el desempeño de las distintas configuracio-

nes estudiadas.

1
2. Nota teórica
2.1. Investigue: ¿qué provoca el voltaje offset de salida de un ampli-
ficador operacional y cómo se puede disminuir (utilizando un
LM741 y un LF353). Incluya los diagramas de conexión para
cada caso.
Los amplificadores es un entorno ideal y se cortocircuita sus entradas entonces la salida al
amplificador serı́a de 0V, sin embargo en la practica si se realiza esto nos darı́a un pequeño
voltaje a la salida, a esto es a lo que llamamos el voltaje offset y se debe a ciertas condiciones
como lo son la temperatura o a los voltajes de alimentación a la cual está sometido el amplifica-
dor. Otro causa que genera un voltaje offset es el tiempo que tiene el amplificado operacional,
es decir lo viejo que sea el componente. [4]

Revisando las hojas de los fabricantes para el amplificador operacional LM741 se nos pre-
sentan dos patillas llamadas offset null, es decir que con esto podriamos eliminar el voltaje de
compensación. Esto se logra colocando un poteniometro en las dos patillas mencionadas ante-
riormente y en la patilla donde va -Vcc con esto variando el potenciometro se busca disminuir
el voltaje offset.

Figura 1: Disminución del voltaje offset para LM741

Ya que el amplificador LF353 no posee patillas para compensación entonces es necesario un

circuito adicional que haga esta función de disminuir el voltaje de offset, lo cual se consiguió
una configuración no inversora que compensa el amplificador operacional.

2
 Figura 2: Disminución del voltaje offset para LF353 [1]

2.2. Reseñe brevemente la teorı́a acerca del Slew Rate (qué es y

cómo se mide) y la gráfica ganancia–ancho de banda y sus pun-
tos de importancia, como frecuencia de corte y de ganancia
unitaria o cruce por 0 dB, ganancia máxima y ancho de ban-
da de ganancia unitaria, además de la frecuencia de potencia
plena.
Para los amplificadores operacionales presentan una caracteristica llamada slew rate la cual
consiste en la velocidad máxima a la que la salida del amplificador cambia en volts por microse-
gundos, es decir que tan rápido reacciona el amplificador operacional respecto a un cambio en
la entrada y cuando se refleja en la salida. por lo tanto la grafica de ganancia-ancho de banda
es la siguiente[2]:

Figura 3: Ganancia-ancho de banda [2]

Del gráfico podemos obtener que mientras va aumentando la frecuencia, la ganancia dismi-
nuye y su caı́da tiene una pendiente muy constante. Por otro las el ancho de banda corresponde
a la frecuencia donde la ganancia es unitaria, la ganancia máxima corresponde a frecuencias
sumamente bajas y el circuito se comporta de mejor manera en corriente directa.

3
2.3. Encuentre y analice las hojas de fabricante de los integrados
LM741 y LF353, y complete la Tabla 1 con los valores mı́ni-
mos, tı́picos y máximos de los parámetros solicitados, según
sea posible encontrar cada valor.
Investigando en las tablas de los fabricantes se logró encontrar los siguiente valore tanto
para el LM741 y LF353

Tabla 1: Caracaterı́sticas del LM741

LM741
Parámetro Sı́mbolo Unidades
Min Tı́pico Máx
Tensiones de alimentación Vcc 10 15 22 V
Slew Rate SR - 0.5 - V/µ s
Tensión de desplazamiento de entrada Voffset - 1.0 5.0 mV
Ganancia de lazo abierto Avol 50 200 - V/mV
Razón de rechazo de modo común CMRR 70 90 - dB
Resistenia de entrada Rin 0.3 2.0 - MΩ
Producto Ganancia-Ancho de banda GBW 0.437 1.5 - MHz
Tiempo de levantamiento τR - 0.3 - µs
Ancho de banda BW - - - MHz

Tabla 2: Caracaterı́sticas del LF353

LF353
Parámetro Sı́mbolo Unidades
Min Tı́pico Máx
Tensiones de alimentación Vcc - 18 - V
Slew Rate SR 8 13 - V/us
Tensión de desplazamiento de entrada Voffset - 5 10 mV
Ganancia de lazo abierto Avol 25 100 - V/mV
Razón de rechazo de modo común CMRR 70 100 - dB
Resistenia de entrada Rin 10 - MΩ
Producto Ganancia-Ancho de banda GBW 2,7 4 - MHz
Tiempo de levantamiento τR - - - us
Ancho de banda BW - 4 - MHz

2.4. Investigue y mencione al menos dos opciones viables de reem-

plazo para el LM741 y el LF353. Considere sus caracterı́sticas
y que sus diagramas de pines sean equivalentes.
Para el amplificador LM741 se obtuvo que el amplificador TL081 es equivalente al igual que
el amplificador A741Y. Ambos amplificadores tienen caracteristicas muy parecidas en sus hojas
de datos y el diagrama de sus pines es exactamente el mismo y es el siguiente. [5] [3]

4
 Figura 4: Digrama de pines para LM741, TL081 y A741Y [3]

Por otro lado el LF353 tiene como equivalentes a los amplificadores operacionales , NTE858M
y el TL082, los dos cumplen con que sus carateristicas son muy similares y para el caso del
TL082 son exactamente las mismas y para el acomodo de pines tambien es el mismos segun las
hojas de los fabricantes [6]. El diagrama de pines obtenido de la hoja de datos del fabricante
serı́a el sigueinte.

Figura 5: Digrama de pines para LF353, NTE858M y TL082

5
3. Diseño
3.1. Encuentre la relación entre los componentes pasivos que elimina
completamente la componente de modo común
Se tiene que para eliminar la componente de modo común de la ecuación 13 del experimento
1, la cuál resulta de aplicar a las entradas una tensión de prueba VT = Ea = Eb , teniendo la
forma de:
   
R4 R1 + R3 R3
Acm = − (1)
R1 R2 + R4 R1
Para que Acm = 0 se tiene el siguiente proceso:
 
R4 R1 + R3 R3
= (2)
R1 R2 + R4 R1

R4 (R1 + R3 ) = R3 (R2 + R4 ) (3)

R1 R4 = R2 R3 (4)

R4 R3
= (5)
R2 R1
Finalmente llegando a la conclusión de que para eliminar el componente común, los com-
ponentes pasivos deben cumplir con la condición de la ecuación 5

3.2. Calcule la ganancia diferencial del amplificador cumpliendo la

condición anterior
La ecuación para la ganancia diferencial al aplicar una tensión de pruena VT = Ea = −Eb,
viene dada por:
   
1 R4 R1 + R3 R3
Ad = + (6)
2 R1 R2 + R4 R1
Contenplando que para que la ecuación 5 e cumpla R3 = R4 y R1 = R2 por lo tanto la
ecuación quedarı́a de la siguiente manera
 
1 R4 R3
Ad = + (7)
2 R1 R1
 
1 R4
Ad = 2 (8)
2 R1
Es decir que la ganancia diferencial Ad está expresado por:
R3 R4
Ad = = (9)
R1 R2

6
3.3. Diseñe un amplificador diferencial de ganancia 10. Escoja las
resistencias según valores comerciales. Redibuje el circuito con
los valores escogidos
Se conoce que la ganancia del amplificador operacional inversor viene nada por:
Rf R3
Ad = = (10)
R R1
Al seleccionar un valor comercial disponible en la bodega de R1 = 2,2kΩ, se tiene que para
una ganancia de 10 un valor de R3 = 22kΩ, finalmente de la ecuación 5 tenemos que R3 = R4
y R1 = R2 , teniendo un circuito final:

Figura 6: Circuito redibujado con los valores diseñados

3.4. Diagramas de Bode de magnitud de la FTLC de la Ecuación 22

para los valores mı́nimo y tı́pico de GBW (en rad/s)
Para el amplificador operacional LM741 el valor mı́nimo de GBW es 0.437MHz y el tı́pico
es de 1.5MHz, por otro lado para el LF353 el valor mı́nimo de GBW es 2.7MHz y el tı́pico es
de 4MHz. Ya que se nos solicita trabjar en rad/s entonces se debe multiplcar todos los GBW
por 2π Entonces en base a esto y con la fórmula de FTLC se calculan los diagramas de bode.
10GBW
F LT C(s) = (11)
11s + GBW
Para el amplificador operacional LM741 tiene un comportamiento:

7
 Figura 7: Digrama de bode del cicuito con el LM741

frecuencia de corte y frecuencia de cruce

De este diagrama de bode podemos obtener que una frecuencia de corte de 39.7kHz para
un GBW mı́nimo y una frecuenca de corte de 137kHz para un GBW tı́pico. De igual forma la
frecuencia de cruce para un GBW mı́nimo es de 385kHz y con un GBW tı́pico se obtuvo una
frecuencia de cruce de 1250kHz.

Por otro lado para el amplificador operacional LF353

8
 Figura 8: Digrama de bode del cicuito con el LF353

El diagrama de bode con un LF353 podemos obtener que una frecuencia de corte de 247kHz
para un GBW mı́nimo y una frecuenca de corte de 365kHz para un GBW tı́pico. De igual forma
la frecuencia de cruce para un GBW mı́nimo es de 2330kHz y con un GBW tı́pico se obtuvo
una frecuencia de cruce de 3560kHz.

3.5. Simule la respuesta en frecuencia del circuito propuesto y ob-

tenga los valores del ancho de banda y la frecuencia de cruce
por 0 dB tı́picos
Utilizando el simulador de TINA se obtuvieron los siguientes resultados para la respuesta
en frecuencia del LM741 y el LF353:

9
 Figura 9: Respuesta en frecuencia para el LM741

Se observa que se tiene un ancho de banda de 117,68kHz con una frecuencia de cruce de
949,67MHz, puede haber ligeras diferencias debido a que se utilizó el amplificador similar, el
TL081 debido a que el LM741 no estaba disponible en TINA.

Figura 10: Respuesta en frecuencia para el LF353

Se observa en la figura 10 que se tiene un ancho de banda de 566,38kHz con una frecuencia
de cruce de 2,99MHz.

10
3.6. Llene la Tabla 2 con los datos obtenidos en los puntos 4 y 5,
compárelos y analı́celos

Tabla 3: Datos obtenidos LM741

LM741
Parámetro Sı́mbolo Unidades
Min Tı́pico TINA
Frecuencia de corte 0dB f0 385 1250 949,67 kHz
Ancho de banda BW 39.7 137 117,68 kHz

Tabla 4: Datos obtenidos LF353

LF353
Parámetro Sı́mbolo Unidades
Min Tı́pico TINA
Frecuencia de corte 0dB f0 2330 3560 2990 kHz
Ancho de banda BW 247 365 566,38 kHz

3.7. Sin alterar la configuración propuesta, diseñe uno o varios ex-

perimentos que permitan medir:
3.7.1. CMRR
Para medir el CMRR primero debemos encontrar las ganancias Ad y Acm, además debemos
considerar que los amplificadores no son ideales y por lo tanto tendrán un voltaje offset que se
deberá considerar. Entonces para el circuito nos quedarı́a la sigueinte fórmula:

Eo = Ad ∗ vd + Acm ∗ vc m + Vof f set (12)

Ea + Eb
Eo = Ad ∗ (Ea − Eb ) + Acm ∗ + Vof f set (13)
2
Donde el Vof f set lo obtenemos haciendo las tensiones de entrada en cero

Ahora para hallar Ad tenemos que hacer que Ea = -Eb = E de esta manera cancelamos la
ganancia en modo común y por lo tanto

Eo = Ad ∗ 2E + Vof f set (14)

Eo − Vof f set
Ad = (15)
2E
Ahora bien se para hallar Acm se debe hacer Ea = Eb para que se elimine Ad, por tanto la
ecuación nos quedarı́a de la siguente manera:

Eo = Acm ∗ E + Vof f set (16)

Eo − Vof f set
Acm = (17)
E
Con los resultados obtenidos de Ad y Acm ya podrı́amos calcular el CMMR.
Ad
CM RR = (18)
Acm

11
 Para la obtención del CMRR del LM741 se obtuvo inicialmente un valor del offset de
Vof f set = 0,01456, mediante la siguiente configuración:

Figura 11: Configuración para la obtención del Voffset para el LM741

Se obtiene la ganancia diferencial de la siguiente configuración de donde se destaca una

tensión de salida de Eo = 167,17V para una tensión de entrada de 5V:

Figura 12: Configuración para la obtención de Ad para el LM741

Para la ganancia común se obtiene un Eo = 1,12V para una entrada de 5V, con la siguiente
configuración:

12
 Figura 13: Configuración para la obtención de Acm para el LM741

Finalmente con estos resultados y las ecuaciones 16 17 y 18 se llega que para el LM741 el
CMRR es de 0.069, se repite el mismo procedimiento para el LF353 y se obtiene un CMRR=0.0557.

3.7.2. El ancho de banda

Para medir el ancho de banda inicialmente se aterriza la entrada inversora del amplificador,
con el generador de señales que quedó conectado a la entrada no inversora se procede a realizar
un barrido de frecuencias del cual se obtiene el diagrama de magnitud, con este diagrama se
busca el punto con el valor del 70.7 % del valor final donde se encuentra el valor del ancho de
banda de nuestro diseño.

3.7.3. La frecuencia de cruce del amplificador diferencial.

La frecuencia de cruce se obtiene a partir del mismo barrido de frecuencias realizado para
el ancho de banda, solo que para este caso se busca el punto donde la respuesta pasa por 0dB
y ahı́ se encuentra la frecuencia de cruce.

3.7.4. El Slew Rate para el amplificador diferencial

En este caso se utiliza una señal cuadrada en la entrada del amplificador, mientras se va
aumentando la frecuencia hasta lograr observa una señal que pueda llegar al valor máximo en
cada ciclo, para finalmente observar la respuesta del 10 % hasta el 90 % de su valor máximo, y
obtenerlo mediante la ecuación:
∆Vo
SR = (19)
∆t
Para la obtención del Slew Rate del LM741 se utilizó la siguiente configuración con los datos
propuestos en el diseño:

13
Figura 14: Configuración para la obtención del Slew Rate para el LM741 utilizando un TL081

De donde se utilizó unos 50kHz en la señal cuadrada de la entrada y se obtuvo la siguiente

gráfica con un Slew Rate de SR = 12,992V /µs:

Figura 15: Simulación para el Slew Rate LM741 utilizando un TL081

Para el LF353 se reemplazo el TL081 por el LF353, y se obtuvo la siguiente gráfica con un
Slew Rate de SR = 13,029V /µs:

14
 Figura 16: Configuración para la obtención del Slew Rate para el LF353

Figura 17: Simulación para el Slew Rate LF353

3.8. A partir de la información anterior, calcule la frecuencia de

potencia plena
Para obtener la frecuencia a plena potencia necesita conocer el valor del Slew Rate y la
tensión aplicada a la entrada, mediante la siguiente ecuación:
SR
fpp = (20)
2πEa
Utilizando el Slew Rate obtenirdo del LM741 y una tensión de entrada de 20 V, se tiene un
fpp = 103,38kHz, y para el LF353 se tiene fpp = 103,68kHz.

3.9. Sin modificar R1, R2 y R3, obtenga el valor para R4 que le

garantice un CMRR de 100 dB y planee implementarlo con un
potenciómetro
Tenemos que la ecuación 14 del experimento define el CMRR la cual es:

15
  h   i
1 R4 R1 +R3 R3
2 R1 R2 +R4
+ R1
CM RR = 20log  h   i  (21)
R4 R1 +R3 R3
R1 R2 +R4
− R1

Utilizando los valores de R1 = R2 = 2,2kΩ, R3 = 22kΩ y CM RR = 100dB y despejando

para R4 , se tiene un valor de R4 = 22002, 42Ω, siendo prácticamente el mismo valor propuesto lo
cual quiere decir que cualquier cambio pequeño a R4 podrı́a modificar drásticamente al CMRR.
Al implementarlo como un potenciometro de 22kΩ, se puede modificar el valor del CMRR
girando únicamente la perilla del potenciometro, a su vez la relación entre los componentes
pasivos no serı́a valida mientras el potenciometro no se encuentre en su valor máximo de 22kΩ.

16
4. Lista de equipos
La lista de equipos utilizados en el experimento se muestra

Tabla 5: Lista de equipos

Equipo Modelo Sigla

Osciloscopio Digital TEKTRONIX TDS109B 280583
Generador de Señales Agilent 332100A 343474
Medidor multifunción Agilent 33405A 329742
Fuente DC Digital Agilent E3630A 193388
Fuente DC Analógica TEKTRONIX CPS250 326004

17
5. Lista de componentes
La lista de componentes utilizados en el experimento se muestra en la Tabla 2.

Tabla 6: Lista de componentes

Componente Sigla Valor nominal Valor real Potencia

Amplificador LM 741 - - -
Amplificador LF 353 - - -
Resistor R1 2.2 kΩ 2.2 kΩ -
Resistor R2 2.2 kΩ 2.2 kΩ -
Resistor R1 22 kΩ 22 kΩ -
Resistor R2 22 kΩ 22 kΩ -
Potenciómetro P1 22 kΩ 22 kΩ -

18
6. Procedimiento
LM741

1. Se anota en la bitácora los datos del equipo y los componentes que se van a utilizar.
2. Se arma el circuito de la figura 6 inicialmente para el amplificador LM741.
3. Para el calculo del CMRR:
a) Inicialmente se toma la medición de la tensión offset en la salida del circuito.
b) Se evalúa las ecuaciones 16 17 y 18 para ası́ obtener el CMRR. Compare con los
resultados obtenidos en la parte teórica.
4. Para medir el ancho de banda se aterriza la entrada inversora, se hace un barrido
de frecuencia donde el ancho de banda es la frecuencia donde la ganancia disminuyó
aproximadamente un 20 %. Compare con los resultados obtenidos en la parte teórica.
5. Partiendo del barrido de frecuencia anterior ahora se buscará el punto donde la
frecuencia genera una ganancia unitaria. Compare con los resultados obtenidos en
la parte teórica.
6. Ahora se colocará una señal cuadrada y viendo en el osciloscopio se debe anotar el
∆V y el ∆t para calcular el Slew Rate. Compare con los resultados obtenidos en la
parte teórica.
7. Ahora se modifica el circuito modificando la resistencia R4 por la calculada en el pun-
to 3.9 y seguidamente se vuelve a realizar el punto 3 del experimento para corroborar
el CMRR.

LF353

1. Se repite el procedimiento del amplificador operacional LM741

Recuerde ANULAR EL OFFSET en todas las etapas de su experimento.

19
Referencias
[1] J Huircán. An·lisis de Offset en Amplificadores Operacionales. [Link]
download/analisis-de-offset-en-amplificadores-operacionales_pdf.

[2] Robert Boylestad and Louis Nashelsky. Electrónica:teorı́a de circuitos y dispositivosv

electrónicos. 10:618–621, 2009.

[3] [Link]. Tl081 datasheet - jfet-input operational amplifier - ti, Oct 2020.

[4] Jose Drake. Modelo del amplificador operacional real. [Link]

asignaturas/instrumentacion_5_it/iec_2.pdf, 05 2005.

[5] Ua741cp datasheet (pdf) - texas instruments.

[6] Electrónica Sigma. Amplificador operacional tl082.

20
7. Anexos

Figura 18: Resistencias comerciales disponibles en la bodega

21
 LM741 Operational Amplifier
August 2000

LM741
Operational Amplifier
General Description The LM741C is identical to the LM741/LM741A except that
the LM741C has their performance guaranteed over a 0˚C to
The LM741 series are general purpose operational amplifi- +70˚C temperature range, instead of −55˚C to +125˚C.
ers which feature improved performance over industry stan-
dards like the LM709. They are direct, plug-in replacements
for the 709C, LM201, MC1439 and 748 in most applications.
The amplifiers offer many features which make their applica-
tion nearly foolproof: overload protection on the input and
output, no latch-up when the common mode range is ex-
ceeded, as well as freedom from oscillations.

Connection Diagrams
Dual-In-Line or S.O. Package
Metal Can Package

DS009341-3

DS009341-2 Order Number LM741J, LM741J/883, LM741CN

Note 1: LM741H is available per JM38510/10101 See NS Package Number J08A, M08A or N08E
Order Number LM741H, LM741H/883 (Note 1),
LM741AH/883 or LM741CH
Ceramic Flatpak
See NS Package Number H08C

DS009341-6

Order Number LM741W/883

See NS Package Number W10A

Typical Application
Offset Nulling Circuit

DS009341-7

© 2000 National Semiconductor Corporation DS009341 [Link]

LM741

Absolute Maximum Ratings (Note 2)

If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor Sales Office/
Distributors for availability and specifications.
(Note 7)
LM741A LM741 LM741C
Supply Voltage ± 22V ± 22V ± 18V
Power Dissipation (Note 3) 500 mW 500 mW 500 mW
Differential Input Voltage ± 30V ± 30V ± 30V
Input Voltage (Note 4) ± 15V ± 15V ± 15V
Output Short Circuit Duration Continuous Continuous Continuous
Operating Temperature Range −55˚C to +125˚C −55˚C to +125˚C 0˚C to +70˚C
Storage Temperature Range −65˚C to +150˚C −65˚C to +150˚C −65˚C to +150˚C
Junction Temperature 150˚C 150˚C 100˚C
Soldering Information
N-Package (10 seconds) 260˚C 260˚C 260˚C
J- or H-Package (10 seconds) 300˚C 300˚C 300˚C
M-Package
Vapor Phase (60 seconds) 215˚C 215˚C 215˚C
Infrared (15 seconds) 215˚C 215˚C 215˚C
See AN-450 “Surface Mounting Methods and Their Effect on Product Reliability” for other methods of soldering
surface mount devices.
ESD Tolerance (Note 8) 400V 400V 400V

Electrical Characteristics (Note 5)

Parameter Conditions LM741A LM741 LM741C Units
Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max
Input Offset Voltage TA = 25˚C
RS ≤ 10 kΩ 1.0 5.0 2.0 6.0 mV
RS ≤ 50Ω 0.8 3.0 mV
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX
RS ≤ 50Ω 4.0 mV
RS ≤ 10 kΩ 6.0 7.5 mV
Average Input Offset 15 µV/˚C
Voltage Drift
Input Offset Voltage TA = 25˚C, VS = ± 20V ± 10 ± 15 ± 15 mV
Adjustment Range
Input Offset Current TA = 25˚C 3.0 30 20 200 20 200 nA
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 70 85 500 300 nA
Average Input Offset 0.5 nA/˚C
Current Drift
Input Bias Current TA = 25˚C 30 80 80 500 80 500 nA
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 0.210 1.5 0.8 µA
Input Resistance TA = 25˚C, VS = ± 20V 1.0 6.0 0.3 2.0 0.3 2.0 MΩ
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX, 0.5 MΩ
VS = ± 20V
Input Voltage Range TA = 25˚C ± 12 ± 13 V
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX ± 12 ± 13 V

[Link] 2
 LM741
Electrical Characteristics (Note 5) (Continued)

Parameter Conditions LM741A LM741 LM741C Units

Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max
Large Signal Voltage Gain TA = 25˚C, RL ≥ 2 kΩ
VS = ± 20V, VO = ± 15V 50 V/mV
VS = ± 15V, VO = ± 10V 50 200 20 200 V/mV
TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX,
RL ≥ 2 kΩ,
VS = ± 20V, VO = ± 15V 32 V/mV
VS = ± 15V, VO = ± 10V 25 15 V/mV
VS = ± 5V, VO = ± 2V 10 V/mV
Output Voltage Swing VS = ± 20V
RL ≥ 10 kΩ ± 16 V
RL ≥ 2 kΩ ± 15 V
VS = ± 15V
RL ≥ 10 kΩ ± 12 ± 14 ± 12 ± 14 V
RL ≥ 2 kΩ ± 10 ± 13 ± 10 ± 13 V
Output Short Circuit TA = 25˚C 10 25 35 25 25 mA
Current TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX 10 40 mA
Common-Mode TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX
Rejection Ratio RS ≤ 10 kΩ, VCM = ± 12V 70 90 70 90 dB
RS ≤ 50Ω, VCM = ± 12V 80 95 dB
Supply Voltage Rejection TAMIN ≤ TA ≤ TAMAX,
Ratio VS = ± 20V to VS = ± 5V
RS ≤ 50Ω 86 96 dB
RS ≤ 10 kΩ 77 96 77 96 dB
Transient Response TA = 25˚C, Unity Gain
Rise Time 0.25 0.8 0.3 0.3 µs
Overshoot 6.0 20 5 5 %
Bandwidth (Note 6) TA = 25˚C 0.437 1.5 MHz
Slew Rate TA = 25˚C, Unity Gain 0.3 0.7 0.5 0.5 V/µs
Supply Current TA = 25˚C 1.7 2.8 1.7 2.8 mA
Power Consumption TA = 25˚C
VS = ± 20V 80 150 mW
VS = ± 15V 50 85 50 85 mW
LM741A VS = ± 20V
TA = TAMIN 165 mW
TA = TAMAX 135 mW
LM741 VS = ± 15V
TA = TAMIN 60 100 mW
TA = TAMAX 45 75 mW
Note 2: “Absolute Maximum Ratings” indicate limits beyond which damage to the device may occur. Operating Ratings indicate conditions for which the device is
functional, but do not guarantee specific performance limits.

3 [Link]
 LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
December 2003

LF353
Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
General Description Features
These devices are low cost, high speed, dual JFET input n Internally trimmed offset voltage: 10 mV
operational amplifiers with an internally trimmed input offset n Low input bias current: 50pA
voltage (BI-FET II™ technology). They require low supply n Low input noise voltage: 25 nV/√Hz
current yet maintain a large gain bandwidth product and fast n Low input noise current: 0.01 pA/√Hz
slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input n Wide gain bandwidth: 4 MHz
devices provide very low input bias and offset currents. The
n High slew rate: 13 V/µs
LF353 is pin compatible with the standard LM1558 allowing
n Low supply current: 3.6 mA
designers to immediately upgrade the overall performance of
existing LM1558 and LM358 designs. n High input impedance: 1012Ω
n Low total harmonic distortion : ≤0.02%
These amplifiers may be used in applications such as high
speed integrators, fast D/A converters, sample and hold n Low 1/f noise corner: 50 Hz
circuits and many other circuits requiring low input offset n Fast settling time to 0.01%: 2 µs
voltage, low input bias current, high input impedance, high
slew rate and wide bandwidth. The devices also exhibit low
noise and offset voltage drift.

Typical Connection Connection Diagram

Dual-In-Line Package

00564917
00564914 Top View
Order Number LF353M, LF353MX or LF353N
See NS Package Number M08A or N08E
Simplified Schematic
1/2 Dual

00564916

BI-FET II™ is a trademark of National Semiconductor Corporation.

© 2003 National Semiconductor Corporation DS005649 [Link]

LF353

Absolute Maximum Ratings (Note 1) Small Outline Package

If Military/Aerospace specified devices are required, Vapor Phase (60 sec.) 215˚C
please contact the National Semiconductor Sales Office/ Infrared (15 sec.) 220˚C
Distributors for availability and specifications.
See AN-450 “Surface Mounting Methods and Their Effect
Supply Voltage ± 18V on Product Reliability” for other methods of soldering
Power Dissipation (Note 2) surface mount devices.
Operating Temperature Range 0˚C to +70˚C ESD Tolerance (Note 8) 1000V
Tj(MAX) 150˚C θJA M Package TBD
Differential Input Voltage ± 30V Note 1: Absolute Maximum Ratings indicate limits beyond which damage to
Input Voltage Range (Note 3) ± 15V the device may occur. Operating ratings indicate conditions for which the
device is functional, but do not guarantee specific performance limits. Elec-
Output Short Circuit Duration Continuous trical Characteristics state DC and AC electrical specifications under particu-
Storage Temperature Range −65˚C to +150˚C lar test conditions which guarantee specific performance limits. This assumes
that the device is within the Operating Ratings. Specifications are not guar-
Lead Temp. (Soldering, 10 sec.) 260˚C anteed for parameters where no limit is given, however, the typical value is a
good indication of device performance.
Soldering Information
Dual-In-Line Package
Soldering (10 sec.) 260˚C

DC Electrical Characteristics
(Note 5)
Symbol Parameter Conditions LF353 Units
MIn Typ Max
VOS Input Offset Voltage RS=10kΩ, TA=25˚C 5 10 mV
Over Temperature 13 mV
∆VOS/∆T Average TC of Input Offset Voltage RS=10 kΩ 10 µV/˚C
IOS Input Offset Current Tj=25˚C, (Notes 5, 6) 25 100 pA
Tj≤70˚C 4 nA
IB Input Bias Current Tj=25˚C, (Notes 5, 6) 50 200 pA
Tj≤70˚C 8 nA
RIN Input Resistance Tj=25˚C 10 12
Ω
AVOL Large Signal Voltage Gain VS= ± 15V, TA=25˚C 25 100 V/mV
VO= ± 10V, RL=2 kΩ
Over Temperature 15 V/mV
VO Output Voltage Swing VS= ± 15V, RL=10kΩ ± 12 ± 13.5 V
VCM Input Common-Mode Voltage VS= ± 15V ± 11 +15 V
Range −12 V
CMRR Common-Mode Rejection Ratio RS≤ 10kΩ 70 100 dB
PSRR Supply Voltage Rejection Ratio (Note 7) 70 100 dB
IS Supply Current 3.6 6.5 mA

AC Electrical Characteristics
(Note 5)
Symbol Parameter Conditions LF353 Units
Min Typ Max
Amplifier to Amplifier Coupling TA=25˚C, f=1 Hz−20 kHz −120 dB
(Input Referred)
SR Slew Rate VS= ± 15V, TA=25˚C 8.0 13 V/µs
GBW Gain Bandwidth Product VS= ± 15V, TA=25˚C 2.7 4 MHz
en Equivalent Input Noise Voltage TA=25˚C, RS=100Ω, 16
f=1000 Hz
in Equivalent Input Noise Current Tj=25˚C, f=1000 Hz 0.01

[Link] 2
 NTE858M
NTE858SM
Integrated Circuit
Dual, Low–Noise JFET–Input Operational Amplifier
Description:
The NTE858M and NTE858SM are dual, low–noise JFET input operational amplifiers combining two
state–of–the–art linear technologies on a single monolithic integrated circuit. Each internally com-
pensated operational amplifier has well matched high voltage JFET input devices for low input offset
voltage. The BIFET technology provides wide bandwidths and fast slew rates with low input bias cur-
rents, input offset currents, and supply currents. Moreover, these devices exhibit low–noise and low
harmonic distortion making them ideal for use in high–fidelity audio amplifier applications.

Features:
D Available in Two Different Package Types:
8–Lead Mini DIP (NTE858M)
SOIC–8 Surface Mount (NTE858SM)
D Low Input Noise Voltage: 18nV√Hz Typ
D Low Harmonic Distortion: 0.01% Typ
D Low Input Bias and Offset Currents
D High Input Impedance: 1012Ω Typ
D High Slew Rate: 13V/µs Typ
D Wide Gain Bandwidth: 4MHz Typ
D Low Supply Current: 1.4mA per Amp

Absolute Maximum Ratings:

Supply Voltage
VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18V
VEE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –18V
Differential Input Voltage, VID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V
Input Voltage Range (Note 1), VIDR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V
Output Short–Circuit Duration (Note 2), tS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Continuous
Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 680mW
Derate Above TA = +47°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mW/°C
Operating Ambient Temperature Range, TA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Note 1. The magnitude of the input voltage must not exceed the magnitude of the supply voltage or
15V, whichever is less.
Note 2. The output may be shorted to GND or either supply. Temperature and/or supply voltages
must be limited to ensure that power dissipation ratungs are not exceeded.
Electrical Characteristics: (VCC = +15V, VEE = –15V, TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Input Offset Voltage VIO RS ≤ 10k, – 3 10 mV
VCM = 0
TA = 0 to +70°C – – 13 mV
Average Temperature ∆VIO/∆T TA = 0 to +70°C – 10 – µV/°C
Coefficient of Input Offset
Voltage
Input Offset Current IIO VCM = 0, – 5 50 pA
Note 3
TA = 0 to +70°C – – 2 nA
Input Bias Current IIB VCM = 0, – 30 200 pA
Note 3
TA = 0 to +70°C – – 7 nA
Input Resistance ri – 1012 – Ω
Common Mode Input Voltage VICR ±10 +15, –12 – V
Range
Large–Signal Voltage Gain AVOL VO = ±10V, 25 150 – V/mV
RL ≤ 2k
TA = 0 to +70°C 15 – – V/mV
Output Voltage Swing VO RL = 10k 24 28 – V
(Peak–to–Peak)
RL ≥ 10k TA = 0 to +70°C 24 – – V
RL ≥ 2k 20 – – V
Common Mode Rejection Ratio CMRR RS ≤ 10k 70 100 – dB
Supply Voltage Rejection Ratio PSRR RS ≤ 10k 70 100 – dB
Supply Current (Each Amplifier) ID – 1.4 2.5 mA
Unity Gain Bandwidth BW – 4 – MHz
Slew Rate SR VIN = 10V, RL = 2k, CL = 100pF – 13 – V/µs
Rise Time tr – 0.1 – µs
Overshoot Factor VIN = 20mV, RL = 2k, – 10 – %
CL = 100pF
Equivalent Input Noise Voltage en RS = 100Ω, f = 1000Hz – 18 – nV/√Hz
Equivalent Input Noise Current in RS = 100Ω, f = 1000Hz – 0.01 – pA/√Hz
Total Harmonic Distortion THD VO(RMS) = 10V, RS ≤ 1k, – 0.01 – %
RL ≥ 2k, f = 1000Hz
Channel Separation AV = 100 – 120 – dB

Note 3. Input Bias currents of JFET input operational amplifiers approximately double for every 10°C
rise in Junction Temperature. To maintain Junction Temperature as close to Ambient Tem-
perature as possible, pulse techniques must be used during test.
 Pin Connection Diagram

Output (1) 1 8 VCC

Inverting Input (1) 2 7 Output (2)

Non–Inverting Input (1) 3 6 Inverting Input (2)

VEE 4 5 Non–Inverting Input (2)

NTE858M
8 5

.260 (6.6)

1 4

.390 (9.9) .300

Max (7.62)

.155
(3.93)

.100 (2.54) .145 (3.68)

.300 (7.62)

NTE858SM

.192 (4.9)

8 5 .236
(5.99)
.154
(3.91)
1 4

.050 (1.27) 016 .198 (5.03)

(.406)

061
(1.53)

.006 (.152)

NOTE: Pin1 on Beveled Edge

 TL082-N
[Link] SNOSBW5C – APRIL 1998 – REVISED APRIL 2013

TL082 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier

Check for Samples: TL082-N

FEATURES
1 DESCRIPTION
•
23 Internally Trimmed Offset Voltage: 15 mV These devices are low cost, high speed, dual JFET
input operational amplifiers with an internally trimmed
• Low Input Bias Current: 50 pA input offset voltage ( BI-FET II™ technology). They
• Low Input Noise Voltage: 16nV/√Hz require low supply current yet maintain a large gain
• Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz bandwidth product and fast slew rate. In addition, well
matched high voltage JFET input devices provide
• Wide Gain Bandwidth: 4 MHz
very low input bias and offset currents. The TL082 is
• High Slew Rate: 13 V/μs pin compatible with the standard LM1558 allowing
• Low Supply Current: 3.6 mA designers to immediately upgrade the overall
• High Input Impedance: 1012Ω performance of existing LM1558 and most LM358
designs.
• Low Total Harmonic Distortion: ≤0.02%
These amplifiers may be used in applications such as
• Low 1/f Noise Corner: 50 Hz
high speed integrators, fast D/A converters, sample
• Fast Settling Time to 0.01%: 2 μs and hold circuits and many other circuits requiring low
input offset voltage, low input bias current, high input
impedance, high slew rate and wide bandwidth. The
devices also exhibit low noise and offset voltage drift.

Typical Connection

Connection Diagram

Figure 1. PDIP/SOIC Package (Top View)

See Package Number D0008A or P0008E

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.
2 BI-FET II is a trademark of dcl_owner.
3 All other trademarks are the property of their respective owners.
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Copyright © 1998–2013, Texas Instruments Incorporated
Products conform to specifications per the terms of the Texas
Instruments standard warranty. Production processing does not
necessarily include testing of all parameters.
TL082-N
SNOSBW5C – APRIL 1998 – REVISED APRIL 2013 [Link]

Simplified Schematic

These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam
during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

(1) (2)
Absolute Maximum Ratings
Supply Voltage ±18V
Power Dissipation (3) (4)

Operating Temperature Range 0°C to +70°C

Tj(MAX) 150°C
Differential Input Voltage ±30V
(5)
Input Voltage Range ±15V
Output Short Circuit Duration Continuous
Storage Temperature Range −65°C to +150°C
Lead Temp. (Soldering, 10 seconds) 260°C
ESD rating to be determined.

(1) “Absolute Maximum Ratings” indicate limits beyond which damage to the device may occur. Operating Ratings indicate conditions for
which the device is functional, but do not ensure specific performance limits.
(2) If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the Texas Instruments Sales Office/ Distributors for availability and
specifications.
(3) The power dissipation limit, however, cannot be exceeded.
(4) For operating at elevated temperature, the device must be derated based on a thermal resistance of 115°C/W junction to ambient for the
P0008E package.
(5) Unless otherwise specified the absolute maximum negative input voltage is equal to the negative power supply voltage.

2 Submit Documentation Feedback Copyright © 1998–2013, Texas Instruments Incorporated

Product Folder Links: TL082-N

 TL082-N
[Link] SNOSBW5C – APRIL 1998 – REVISED APRIL 2013

(1)
DC Electrical Characteristics
TL082C
Symbol Parameter Conditions Units
Min Typ Max
VOS Input Offset Voltage RS = 10 kΩ, TA = 25°C 5 15 mV
Over Temperature 20 mV
ΔVOS/ΔT Average TC of Input Offset Voltage RS = 10 kΩ 10 μV/°C
(1) (2)
IOS Input Offset Current Tj = 25°C, 25 200 pA
Tj ≤ 70°C 4 nA
(1) (2)
IB Input Bias Current Tj = 25°C, 50 400 pA
Tj ≤ 70°C 8 nA
12
RIN Input Resistance Tj = 25°C 10 Ω
AVOL Large Signal Voltage Gain VS = ±15V, TA = 25°C, 25 100 V/mV
VO = ±10V, RL = 2 kΩ
Over Temperature 15 V/mV
VO Output Voltage Swing VS = ±15V, RL = 10 kΩ ±12 ±13.5 V
VCM Input Common-Mode Voltage VS = ±15V ±11 +15 V
Range
−12 V
CMRR Common-Mode Rejection Ratio RS ≤ 10 kΩ 70 100 dB
(3)
PSRR Supply Voltage Rejection Ratio 70 100 dB
IS Supply Current 3.6 5.6 mA

(1) These specifications apply for VS = ±15V and 0°C ≤TA ≤ +70°C. VOS, IB and IOS are measured at VCM = 0.
(2) The input bias currents are junction leakage currents which approximately double for every 10°C increase in the junction temperature,
Tj. Due to the limited production test time, the input bias currents measured are correlated to junction temperature. In normal operation
the junction temperature rises above the ambient temperature as a result of internal power dissipation, PD. Tj = TA + θjA PD where θjA is
the thermal resistance from junction to ambient. Use of a heat sink is recommended if input bias current is to be kept to a minimum.
(3) Supply voltage rejection ratio is measured for both supply magnitudes increasing or decreasing simultaneously in accordance with
common practice. VS = ±6V to ±15V.

(1)
AC Electrical Characteristics
TL082C
Symbol Parameter Conditions Units
Min Typ Max
Amplifier to Amplifier Coupling TA = 25°C, f = 1Hz-20 kHz −120 dB
(Input Referred)
SR Slew Rate VS = ±15V, TA = 25°C 8 13 V/μs
GBW Gain Bandwidth Product VS = ±15V, TA = 25°C 4 MHz
en Equivalent Input Noise Voltage TA = 25°C, RS = 100Ω, 25 nV/√Hz
f = 1000 Hz
in Equivalent Input Noise Current Tj = 25°C, f = 1000 Hz 0.01 pA/√Hz
THD Total Harmonic Distortion AV = +10, RL = 10k, <0.02 %
VO = 20 Vp − p,
BW = 20 Hz−20 kHz

(1) These specifications apply for VS = ±15V and 0°C ≤TA ≤ +70°C. VOS, IB and IOS are measured at VCM = 0.

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Product Folder Links: TL082-N