MEMORIAS: TIPOS Y

FUNCIONAMIENTO

1 º M O N TA J E Y M T T O D E E Q U I P O S
 1. FUNCIÓN
La función de la memoria principal es almacenar datos e instrucciones del programa que
se está ejecutando de forma temporal. Cualquier resultado parcial o final de cualquier
proceso, así como todas las operaciones de entrada y salida, deben almacenarse
obligatoriamente en esta memoria.

2. CONCEPTOS BÁSICOS SOBRE MEMORIAS

RAM significa Ramdon Access Memory (memoria de acceso aleatorio), es decir, puede accederse a
cualquier punto de la memoria en cualquier momento.
Cada posición de memoria puede almacenar 1 byte, una secuencia de 8 bits (un bit es un 0 o un 1) que
representa un número del 0 al 255. La cantidad de bytes de memoria a la cual podemos acceder
depende del tamaño del bus de direcciones del microprocesador.
Cada posición de memoria o byte se identifica mediante una dirección o número de posición, recibiendo el
nombre de dirección de memoria.
El bus de direcciones está formado por líneas de 1 bit cada una, por las que viajan en paralelo (1 bit por
todas las líneas a la vez) las direcciones de las celdas de memoria. Una línea de 1 bit es un circuito por
el que puede viajar 1 bit (un 0 o un 1). Si el bus de direcciones es de 2 bits (tiene dos líneas), solo
podrá gestionar cuatro direcciones de celdas de memoria de 1 byte, es decir, 4 bytes. Con dos líneas se
pueden enviar estas cuatro direcciones: 00, 01, 10 y 11.
 2. CONCEPTOS BÁSICOS SOBRE MEMORIAS
Los primeros microprocesadores de los ordenadores PC poseen los siguientes tamaños en el bus
de direcciones.
• El 8088/8086 propio de los PC y XT tenía 20 líneas, por tanto, gestionaba 220, que es igual a
1.048.576 bytes, es decir, 1 MB.
• El 286 tenía un bus de direcciones de 24 bits, por tanto, 224 direcciones, que es igual a 16 MB.
• Posteriormente, los micros 386 y superiores tienen 32 líneas, por tanto, 232, que es igual a 4 GB.
• Actualmente, los micros de Intel y AMD de 64 líneas, como son el Itanium 2, el Athlon 64 y
sucesivos, pueden llegar a 264 direcciones o, lo que es lo mismo, 18 446 744 073 709 551 616
bytes o 16 777 216 TB. Por supuesto, esto es la capacidad máxima que puede llegar a tener el
ordenador.
Otra cosa es el número de chips de memoria RAM que tenga realmente instalados el ordenador.
Debemos señalar, a pesar de que hemos estado diciendo anteriormente que las memorias son de 1
byte, 8 bits, en un PC la memoria no tiene 8 bits, sino 9. El noveno bit se usa para el cálculo de la
paridad.
La función de la paridad es controlar que la información
recibida en el destino, en una transmisión, corresponde con
la que ha sido enviada en su origen.
 2. CONCEPTOS BÁSICOS SOBRE MEMORIAS
Otros conceptos que deberemos saber en cuanto a los módulos de memoria son:

■ Latencia. Es el tiempo transcurrido desde que se solicita el dato hasta localizarlo en la memoria.
Dependiendo de si es mayor o menor, se clasifica en categorías dándoles a estas el nombre de clase
(CL). A mayor clase, peor prestaciones.
■ Capacidad. Es la cantidad de información que puede contener. Se expresa en bytes.
■ Tiempo de acceso. Es el tiempo transcurrido entre la petición de datos y la disponibilidad del
dato para leer o escribir en la memoria. Se mide en milisegundos (ms).
■ Frecuencia. Es la velocidad a la cual circulan los datos entre los distintos chips del módulo, así
como la velocidad a la que entran o salen de él. Se mide en hercios (Hz).
■ Ancho de banda. Indica la cantidad de información que se retransmite simultáneamente con
continuidad por los distintos canales. Se mide en bytes/s o múltiplos como MB o GB.
■ Voltaje. Es la tensión que necesita para ser alimentada y que funcione correctamente. Cada día se
va reduciendo. Se mide en voltios (V).
 3. TIPOS DE MEMORIAS SEGÚN SU FUNCIONAMIENTO
3.1 MEMORIA DINÁMICA (DRAM)
Es una memoria de acceso aleatorio, en la que la información se almacena en forma de cargas
eléctricas por lo que tiende a perderse con el tiempo.
Por ello, es importante que a través de una operación de refresco (refresh) se reponga en la celda el
estado que tenía. Luego, en las memorias dinámicas hay un estado estable y uno inestable que, sin
embargo, puede ser reconducido al estado estable en un tiempo relativamente largo.
La RAM dinámica almacena cada bit de información mediante un condensador y un transistor del tipo
MOS (forman una celda de memoria), por este motivo las memorias dinámicas solo existen en
tecnología MOS.
La memoria está formada por una rejilla bidimensional de bits, donde a la tabla de columnas llamadas
líneas de bits se la denomina CAS y a la tabla de filas llamadas líneas de palabras se la denomina RAS.
A la intersección de estos dos elementos se le llama dirección de la celda de memoria.
 3. TIPOS DE MEMORIAS SEGÚN SU FUNCIONAMIENTO
3.1 MEMORIA DINÁMICA (DRAM)
Una DRAM funciona mandando una carga al selector de dirección de columna (CAS) para activar el
transistor en cada bit de la columna. Cuando se requiere escribir, los reglones contendrán el nuevo
estado que el condensador tenga. En caso de lectura, un amplificador de detección determinará el
nivel de carga del condensador, si es más del 50 % se considera un 1 lógico y, en caso contrario, se
tomará un O lógico.
La ventaja de la DRAM sobre la SRAM reside en que la primera tiene una geometría más simple, lo
que permite una mayor velocidad, y también dimensiones más pequeñas, pues su celda está realizada
con un transistor y un condensador, y no con un flipflop (conjunto de transistores).
Sin embargo, las DRAM presentan también un inconveniente, la carga almacenada, como toda carga,
está sujeta a pérdidas, de este modo, para mantener la información es preciso refrescarla cada 1 o 2
milisegundos.
La operación de refresco (refresh) consiste en leer el dato y rescribirlo, pero esta operación presenta
dos inconvenientes, ante todo es necesario contar con una lógica de refresco situada en el mismo
módulo de memoria y, además, puede llegar a surgir que el procedimiento de refresco llegue a
interferir con el trabajo del microprocesador.
 3. TIPOS DE MEMORIAS SEGÚN SU FUNCIONAMIENTO
3.2 MEMORIA ESTÁTICAS (SRAM)
Es un tipo de memoria, de acceso aleatorio, es más rápida y confiable que la DRAM. El término
estática se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM, por lo que no precisa de
complejos circuitos de refrescamiento y, por ello, se dice que no tiene refresco, pero usan más energía
y espacio.
Tienen un tiempo de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos. Un bit de RAM estática se
construye con un circuito flip-flop (forman una celda de memoria) que permite que la corriente fluya
de un lado a otro basándose en cuál de los dos transistores es activado.
Requieren, por lo tanto, de un gran número de transistores, lo que hace que la memoria ocupe más
espacio, disminuyendo la capacidad por chip.
Como ventaja podemos destacar que no necesita refresco y no requiere, como la DRAM, de una
reescritura constante, lo que la hace más rápida. Sin embargo es una memoria más costosa, por ello se
utiliza como memoria caché del procesador.
A continuación, se muestra la Tabla 6.1 con los diferentes tipos de memorias dinámicas y estáticas que
hay en el mercado.
3. TIPOS DE MEMORIAS SEGÚN SU FUNCIONAMIENTO
 3. TIPOS DE MEMORIAS SEGÚN SU FUNCIONAMIENTO
3.2 MEMORIA ESTÁTICAS (SRAM)
La ventaja de la DRAM sobre la SRAM reside en que la primera tiene una geometría más simple lo
que permite una mayor velocidad y también dimensiones más pequeñas, pues su celda está realizada
con un transistor y un condensador y no con un flip-flop (conjunto de transistores).
Sin embargo, las DRAM presentan también un inconveniente, la carga almacenada, como toda carga,
está sujeta a pérdidas, de este modo, para mantener la información es preciso refrescarla cada 1 o 2
milisegundos. La operación de refresco (refresh) consiste en leer el dato y rescribirlo, pero esta
operación presenta dos inconvenientes, ante todo es necesario contar con una lógica de refresco
situada en el mismo módulo de memoria y, además, puede llegar a surgir que el procedimiento de
refresco llegue a interferir con el trabajo del microprocesador.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
Todas las memorias tienen el aspecto físico de un circuito rectangular delgado con unos conectores
en uno de sus lados largos.
En el número de conectores está la diferenciación descriptiva de los tipos de memoria: 30 o 72
contactos (SIMM); 168, 184, 240 o 288 contactos (DIMM); 168, 184, 232 y 326 contactos (RIMM);
otras, como las tipo SIPM, son muy antiguas.

4.1 MEMORIA SIPM (SINGLE IN-LINE PACKAGE MODULE)

Este primer tipo de módulo, no se utiliza
actualmente.
Es un módulo simple de paquetes en línea.
Un componente o módulo que tiene una fila
de paquetes de circuitos (guías) a lo largo de
un lado. Muchos transistores vienen en forma
SIR
También los encontramos soldados en la placa.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.2 MEMORIA SIMM (SINGLE IN-LINE MEMORY MODULE)
Consta de una pequeña placa de circuito impreso con
varios chips de memoria integrados. Los SIMM están
diseñados de modo que se puedan insertar fácilmente en la
placa base del ordenador y, generalmente, se utilizan para
aumentar la cantidad de memoria RAM. Se han fabricado
con diferentes capacidades (4, 8, 16 MB, etc.) y con
diferentes velocidades de acceso.
Se fabricaron en dos formatos de 30 contactos, los cuales
manejan 8 bits a la vez, y miden unos 8,5 cm, o de 72
contactos, que manejan 32 bits y tienen una longitud de
10,5 cm. Dichos contactos están bañados en oro o estaño.
Pueden ser con paridad o sin paridad, EDO o no EDO. Y
normalmente van a 60 o 70 nanosegundos. Los de 30
contactos se amplían de cuatro en cuatro en los dos
bancos de la placa base que suele tener; sin embargo, los de
72 contactos se amplían en parejas.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.3 MÓDULOS SDRAM (SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-
ACCES MEMORY
Son la evolución de los anteriores (SIMM) y cuentan con 168 contactos. El tiempo de respuesta es
notablemente inferior, por debajo de los 10 nanosegundos. Es el más cómodo de todos, dado que
puede instalarse de manera individual, no siendo necesario hacer coincidir marcas y modelos sobre la
misma placa. Para insertarlos sobre el banco de memoria, tan solo habrá que hacer coincidir las
muescas que encontraremos en el centro y los laterales del módulo y presionar en los extremos para
que este quede insertado.
Dichos módulos los hay de diversas velocidades (100, 133, 266 MHz, etc.) y con distintas capacidades
(64, 128, 256, 512 MB). A la hora de instalarlos tendrán que ser de la misma velocidad; en caso
contrario, funcionarán a la velocidad del menor o no funcionarán.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.4 MÓDULOS RIMM (RAMBUS IN-LINE MEMORY MODULE)
Los módulos RIMM son utilizados para montar memorias de tipo Rambus. Este tipo de memoria,
apoyado por Intel y creado por la empresa Rambus, exige a los fabricantes el pago de royalties en
concepto de uso, razón por la cual, salvo Intel, el resto de las empresas del sector se decantan por la
utilización de otras memorias.
*Los módulos RIMM conforman el estándar de formato DIMM pero sus pines no son
compatibles*.
Estos módulos de memoria se caracterizan por estar cubiertos con una protección metálica,
generalmente de aluminio, que también ayuda a su correcta refrigeración. Sus velocidades más usuales
son de 400, 600 y 800 MHz y sus capacidades de 128, 256 y 512 MB. El número de contactos para
estos módulos son 168, 184, 232 y 326, siendo los más usados los de 184.
Se han de instalar por parejas y deberán ser de la misma capacidad y velocidad. En los zócalos donde
no se coloque memoria, si pertenecen al mismo banco donde hay instalada una pareja, habrán de
ponerse unas “chapitas” para el correcto funcionamiento de la memoria. Las dimensiones de los
zócalos para este tipo de módulos son similares independientemente del número de contactos.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.4 MÓDULOS RIMM (RAMBUS IN-LINE MEMORY MODULE)
La incompatibilidad entre estos módulos viene dada por el número de contactos y la disposición de la
mueca en los módulos de 326 contactos, ya que, para el resto de los módulos, la disposición de la
mueca es la misma.

El aumento de contactos de los módulos de memoria RIMM se consigue:

• Para los de 232 contactos, rellenando los contactos de la parte central de las aristas.
• Para los de 326, comprimiendo el espacio entre los contactos.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.5 MÓDULOS DDR (DOUBLE DATA RATE)
Este tipo de memoria desplazó del mercado a las memorias RIMM por su precio y buena velocidad que
llega hasta los 400 MHz.
Double Data Rate SDRAM es la siguiente generación de las SDRAM. La DDR se basa en el diseño de la
SDRAM, con mejoras que suponen un aumento de la velocidad de transferencia. Como resultado de
esta innovación, la DDR permite la lectura de datos tanto en la fase alta como baja del ciclo del reloj,
con lo que se obtiene el doble de ancho de banda que con la SDRAM estándar. La DDR duplica la
velocidad respecto a la tecnología SDRAM sin aumentar la frecuencia del reloj.
Se fabrican en módulos de 184 contactos, con capacidades de 64, 128, 256 y 512 MB, y se pueden
instalar de una en una, igual que los módulos SDRAM.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.6 MÓDULOS DDR2 (DOUBLE DATA RATE 2)
Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate). En ellas, los búferes
de entrada/salida trabajan al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de
reloj se realicen cuatro transferencias. Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo,
es decir, dos de ida y dos de vuelta en un mismo ciclo, mejorando sustancialmente el ancho de banda
potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales
entregaba 400 MHz nominales, la DDR2, por esos mismos 200 MHz reales, entrega 800 MHz
nominales).
Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño búfer que es el que guarda
la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria. Este búfer, en el caso de la DDR
convencional, trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en un solo ciclo, lo que aumenta la
frecuencia final. En las DDR2, el búfer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la
frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.
Funciona a 1,8 V, en lugar de los 2,6 V de la DDR convencional. Usa chips FBGA de memoria para
obtener mejor estabilidad y eficacia térmica y mejor posibilidad de overclocking.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.6 MÓDULOS DDR2 (DOUBLE DATA RATE 2)
Además podemos destacar que la DDR2 mejora el
consumo de la memoria y se calienta menos. Sin
embargo, las desventajas de la DDR2 son: mayor
latencia, menores frecuencias de reloj interno (DDR2
400 tiene un reloj de 100 MHz en lugar de los 200
MHz de DDR, mejorando el reloj externo que es el
doble que el de la DDR), es más cara y es un nuevo
tipo de módulo que no es compatible con DDR. En
cualquier caso, el rendimiento de DDR 400 y DDR2
400 es muy similar. Las mejoras susceptibles en el
rendimiento de la DDR2 sobre la DDR se obtendrán
con las DDR2-667 y DDR2-800.
Se fabrican en módulos de 240 contactos, con
capacidades de 512 MB, 1, 2, 4 y 8 GB.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.7 MÓDULOS DDR3 (DOUBLE DATA RATE 3)
DDR3 promete proporcionar significativas mejoras en el
rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una
disminución del gasto global de consumo; funciona a 1,5 V.
La principal ventaja de instalar DDR3 es que realiza 8
transferencias durante cada ciclo de reloj. Se prevé que la
tecnología DDR3 sea dos veces más rápida que la DDR2,
además de ofrecer un alto ancho de banda. DDR3 ha sido la
mejor opción para la combinación de un sistema con
procesadores multinúcleo.
Se fabrican en módulos de 240 contactos, con capacidades de
512 MB; 1, 2, 4, 8, 16 y 32 GB, siendo esta última destinada a
servidores. Samsung es la primera empresa en tener un
módulo de memoria de tal tamaño. La capacidad se obtuvo
utilizando 16 chips de 16 gigabits fabricados a 50 nm, lo que
permitió reducir un 20 % el consumo del módulo, a 1,35 V en
vez de 1,5 V.
 4. TIPOS DE MEMORIAS
4.8 MÓDULOS DDR4 (DOUBLE DATA RATE 4)
DDR4 promete proporcionar significativas mejoras en el
rendimiento en niveles de bajo voltaje siendo este de 1,2 a
1,05 V, lo que lleva consigo una disminución del gasto global
de consumo; funciona a 1,5 V.
Se ha mantenido el número de transferencias de la DDR3
dejándolo en las ocho, pero se ha aumentado el ancho de
banda. Para ello se dispone de varios controladores de
memoria funcionando en paralelo. La tecnología DDR4 es
dos veces más rápida que la DDR3. DDR4 es la mejor
opción para la combinación de un sistema con procesadores
multinúcleo.
Se fabrican en módulos de 288 contactos, con capacidades
de 1, 4, 8, 16, 32 y 64 GB, siendo esta última destinada a
servidores. Estas memorias están lideradas por la empresa
Samsung como en anteriores ocasiones. Se prevé que muy
pronto salgan al mercado las DDR5.
 5. INTERPRETACIÓN DE LOS DATOS DE LAS
ETIQUETAS DE MEMORIAS
Dependiendo del tipo de memoria, tendremos una pegatina sobre esta indicándonos las características
del módulo de memoria.
Veamos a continuación la codificación de los tipos de memoria más usados en la actualidad como son
los DDR3 y DDR4. De dicha etiqueta extraemos la zona señalada en rojo, que es donde está la
codificación de las características del módulo.
■ KVR. Corresponde a las iniciales del fabricante.
■ 533. Nos indica la velocidad efectiva en MHz. En las
más modernas nos viene en MT/s.
■ D2. Indica el tipo de memoria lógica, en este ejemplo
DDR2. Nos podemos encontrar también D3 y D4.
■ D. Nos indica el rango, pudiendo ser Single (S), Dual
(D) o Quad (Q).
■ S. Nos indica el tipo de memoria física. Los valores
pueden ser No-ECC (N), ECC (E), SODIMM (S),
FBDIMM (F), MicroDIMM (U) o Registered (R).
■ 4. Es un número indicador de la latencia CAS. A mayor
latencia, más lenta.
■ 1 G. Capacidad de memoria del módulo.
5. INTERPRETACIÓN DE LOS DATOS DE LAS
ETIQUETAS DE MEMORIAS

■ 8. El número de chips de la DRAM, puede ser también 4.

■ L. Nos indica que dicho módulo es de perfil bajo.
■ K2. Nos dice que es una memoria en kit y hacen falta dos módulos para su conecto
funcionamiento.
 6. CONFIGURACIÓN SEGÚN PLACA BASE
En los ordenadores de marca como HP/Compaq, DELL, Lenovo, etc., cuando insertamos un nuevo
módulo de memoria RAM, tenemos que entrar en la BIOS para grabar dicha modificación.
Normalmente, cuando se enciende el ordenador, este detecta la inserción del nuevo módulo y
automáticamente nos incita a entrar en la BIOS pulsando una determinada tecla, que dependerá de la
máquina. Una vez dentro, simplemente tendremos que grabar la nueva configuración y salir de la BIOS.
En los ordenadores clónicos, desde los Pentium III, AMD K7 y posteriores, en la BIOS de las placas
base existen opciones de configuración que suelen acelerar la RAM del PC, pero que pueden
presentar problemas con memorias de algunos fabricantes. Para evitar estos problemas, deberemos
buscar las siguientes opciones en la BIOS y poner los valores que indicamos a continuación. Es posible
que no estén dependiendo de la versión de la BIOS de la placa base.
7. CORRESPONDENCIA ENTRE PROCESADORES Y
TIPOS DE MEMORIA