Fundamentos físicos

de la informática

Oihane Barcenilla Martin

 FORMULARIO (revisión: 08/12/2004) – FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INGENIERÍA

FÓRMULA DESCRIPCIÓN
r 1 q1q 2 r Ley de Coulomb: fuerza eléctrica entre cargas
F= u eléctricas puntuales.
4πε o r 2 r
r Definición de campo eléctrico E en función de la fuerza F
r  F que siente una carga testigo qt.
E = Lim 
qt → 0  q 
t
r r Fuerza eléctrica F que siente una carga puntual q situada
F = qE en un lugar donde existe un campo eléctrico E.
r 1 q r Campo eléctrico E en un punto P situado a una distancia r
E (r ) = u de un carga puntual q. El vector unitario ur va dirigido desde
4πε o r 2 r la carga (punto fuente) al punto P (punto campo).

r 1 q r Otra forma de expresar el campo eléctrico E creado por

E (r ) = r una carga puntual q. El vector de posición r va dirigido desde
4πε o r 3 la carga (punto fuente) al punto P (punto campo).

dq dq dq Definición de las densidades lineal (λ), superficial (σ) y

λ = ;σ = ;ρ = volumétrica (ρ) de carga.
dl dS dV
Obtención de la carga a partir de las densidades lineal,
q = ∫ λ dl ; q = ∫ σ dS ; q = ∫ ρ dV superficial y volumétrica de carga.
L S V

q = λ L; q = σ S ; q = ρ V Expresiones de las densidades lineal, superficial y

volumétrica de carga, cuando éstas son constantes.
r 1 λdl r Campo eléctrico creado por una distribución continua
E (r ) = ∫ u
4πε o L r 2 r
de carga filiforme (en forma de hilo).

r 1 σdS r Campo eléctrico creado por una distribución continua

E (r ) = ∫
4πε o S r 2 r
u de carga superficial.

r 1 ρdV r Campo eléctrico creado por una distribución continua de

E (r ) = ∫
4πε o V r 2 r
u carga volumétrica.

Definición de momento dipolar p de un dipolo eléctrico.

dx dy dz Ecuación de una línea de campo eléctrico.

= =
Ex E y Ez
r r Flujo de un campo eléctrico a través de una superficie.
φ E = ∫ EdS
S
r r Flujo eléctrico cuando el campo eléctrico E es
φ E = E . S = ES cosα constante. El ángulo α es el formado por el campo E y el
vector superficie S.
Forma integral del Teorema de Gauss. Los límites de
r r (q ) S g
φE = ∫
Sg
EdS =
εo
integración se llevan a cabo en la superficie de gaussiana
(Sg). qSg es la carga encerrada dentro de la superficie
gaussiana.
r r ρ Forma diferencial del Teorema de Gauss. La divergencia
∇.E = del campo eléctrico E es la densidad volumétrica de carga
εo entre la permitividad (aquí supuesta la del vacío).
Campo eléctrico en un punto P producido por un plano
infinito cargado con una densidad superficial de carga σ. El
r σ r valor del campo eléctrico NO DEPENDE de la distancia r al
E= u plano, éste es constante. Su dirección es normal al plano.
2ε o

Campo eléctrico en un punto P producido por un hilo

infinito cargado con una densidad lineal de carga λ. El valor
del campo varía inversamente proporcional a la distancia r. La
r λ r dirección del campo es la normal al hilo.
E= u
2πε o r

1
 FORMULARIO (revisión: 08/12/2004) – FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INGENIERÍA

Campo eléctrico en un punto P (r> R) producido por una

esfera de radio R cargada con una carga Q en su superficie
r Q externa. El valor del campo varía inversamente proporcional
r
E= u al cuadrado de la distancia r.
4πε o r 2

r r r Definición de rotacional de un campo vectorial expresado

i j k en coordenadas cartesianas, siendo el campo: F(x,y,z) =
r r ∂ ∂ ∂ F1(x,y,z) i + F2(x,y,z) j + F3(x,y,z) k
∇×F=
∂x ∂y ∂z
F1 F2 F3
r r r El campo electrostático es un campo conservativo, por
∇×E=0 tanto, el rotacional del mismo es nulo.
Relación entre el campo eléctrico E y el potencial
r r  ∂V ∂V ∂V  eléctrico V.
E = − ∇ V ( x, y, z) = −  , , 
 ∂x ∂y ∂z 
r r ∂V r dV r Relación entre el campo eléctrico E y el potencial
E = −∇ V = − ur = − u eléctrico V suponiendo E=E(r) y V=V(r).
∂r dr r
r2 r2 r r Otra forma de expresar el potencial eléctrico en función
∫ dV = V (r2 ) − V (r1 ) = − ∫ E . dr
r1 r1
del campo eléctrico.

Expresión integral que relaciona el campo eléctrico y el

r r
V (r ) = − ∫ Edr + C, C ∈ ℜ potencial eléctrico cuando en el infinito existe carga. En
general, C se encuentra a partir de una condición inicial, es
decir, conocido el potencial a una distancia dada.
r r r Expresión integral que relaciona el campo eléctrico y el
V (r ) = − ∫ Edr potencial eléctrico cuando en el infinito no existe carga.
∞

1 q Potencial eléctrico V creado por una carga puntual q. La

V (r ) = carga lleva su signo.
4πε o r
Potencial eléctrico V creado por una distribución
1 dq
V (r ) =
4πε o ∫ r
continua de carga. El diferencial de carga dq debe
expresarse en función de la densidad de carga (lineal,
superficial o volumétrica).
Potencial eléctrico en un punto P producido por un plano
infinito cargado con una densidad superficial de carga σ. Su
σr valor DEPENDE de la distancia r al plano.
V (r ) = − +C
2ε o

Potencial eléctrico en un punto P producido por un hilo

infinito cargado con una densidad lineal de carga λ. Su valor
λ varía proporcionalmente al logaritmo neperiano de la
V (r ) = − Lnr + C distancia r.
2πε o

Potencial eléctrico en un punto P (r> R) producido por

una esfera de radio R cargada con una carga Q en su
Q superficie externa. El valor del campo varía inversamente
V (r ) =
4πε o r proporcional a la distancia r.

Energía potencial que adquiere una carga q en función

U = qV del potencial.
Energía electrostática de un sistema de cargas: q1,
1 N 1
U = ∑ qiVi = (q1V1 + ...+ q N V N ) q2,…,qN.
2 i =1 2
El campo en el interior de un conductor en equilibrio
electrostático es NULO. La redistribución de carga que
tiene que ocurrir en el conductor para garantizar que el
campo eléctrico se anule en su interior ha de tener lugar
únicamente sobre la superficie exterior del mismo. El
potencial eléctrico ha de ser constante en el seno de un
conductor.

2
 FORMULARIO (revisión: 08/12/2004) – FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INGENIERÍA

El campo eléctrico justamente fuera de la superficie de un

conductor es perpendicular a la superficie y su magnitud es
r σ σ/εo, siendo σ la densidad superficial de carga del conductor.
| E|=
εo

rr
1 pr 1 p cosθ Potencial eléctrico creado por un dipolo.
V (r ) = =
4πε o r 3
4πε o r 2
3 pxz Componentes del campo eléctrico E de un dipolo situado
Ex = en el eje Z.
4πε o r 5
3 pyz
Ey =
4πε o r 5
p  1 3z 2 
Ez = −  − 
4πε o  r 3 r 5 
Componentes E|| y E⊥ de un dipolo eléctrico.
p 3 cos2 θ − 1
E|| =
4πε o r3
3 psenθ cosθ
E⊥ =
4πε o r 3
r r r Momento de torsión en un dipolo sometido a un campo
M = p× E eléctrico externo E.
r r Energía potencial de un dipolo sometido a un campo
U = -p E cosθ = − p.E eléctrico externo E.
Capacidad de un condensador. Q es la carga presente en
Q una de las armaduras, ∆V es la diferencia de potencial entre
C= las placas o armaduras. Es importante recordar siempre que
∆V la capacidad solamente depende de factores geométricos del
conductor.
Carga almacenada en un condensador de capacidad C al
Q = C.∆ V establecer una diferencia de potencial entre sus armaduras.
C = 4πε o R Capacidad de un conductor esférico de radio R.

Capacidad de un condensador plano en el vacío. Está

formado por dos placas paralelas conductoras próximas entre
S sí. La capacidad sólo depende del área S de las placas, de la
C = εo distancia d entre las mismas y de la permitividad eléctrica εo
d del vacío.

Capacidad de un condensador esférico en el vacío. Está

formado por dos esferas conductoras concéntricas entre sí. La
R1 R2
C = 4πε o capacidad sólo de una función de los radios de las esferas y
R2 − R1 de la permitividad eléctrica εo del vacío.

Capacidad de un condensador cilíndrico de longitud L

en el vacío. Está formado por dos cilindros conductores
2πε o L concéntricos entre sí, de altura L. La capacidad sólo depende
C= de una función de los radios, de la longitud de los cilindros y
R
Ln 2 de la permitividad eléctrica εo del vacío.
R1

Distintas expresiones de la energía almacenada en un

1 1 Q2 1 condensador.
U= CV 2 ; U = ; U = QV
2 2 C 2
C1C2 Capacidad equivalente de un sistema de 2
Ceq = condensadores conectados en SERIE.
C1 + C2
1 1 1 Capacidad equivalente de un sistema de N
= + ...+ condensadores conectados en SERIE.
Ceq C1 Cn
Ceq = C1 + C2 Capacidad equivalente de un sistema 2 condensadores
conectados en PARALELO.

3
 FORMULARIO (revisión: 08/12/2004) – FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INGENIERÍA

Ceq = C1 + ...+ C N Capacidad equivalente de un sistema de N

condensadores conectados en PARALELO.
ε Constante dieléctrica o permitividad relativa de un
κ = εr = dieléctrico.
ε0
Campo y potencial eléctricos en un condensador en los
E0 V0 que se ha insertado un medio de constante dieléctrica κ. E0 y
E= ;V =
κ κ V0 son el campo y potencial eléctricos cuando no hay
dieléctrico.
Capacidad de un condensador en el que se ha insertado un
C = κC0 medio de constante dieléctrica κ. C0 es la capacidad del
condensador sin dieléctrico.
S Capacidad de un condensador plano en el que se ha
C = κε 0 = κC0 insertado un medio de constante dieléctrica κ. C0 es la
d capacidad del condensador sin dieléctrico.
Er Campo de ruptura.
r Vector Polarización.
r dp
P=
dV
r r Densidad superficial de carga polarizada.
σ P = P. n
r r Densidad volumétrica de carga polarizada.
ρP = − ∇ . P
ε ε −ε o Relación entre la permitividad, la constante dieléctrica
κ= ;χ= = κ −1 relativa y la susceptibilidad.
ε o ε o
r r Relación entre el vector Polarización y el campo
P = χε 0 E eléctrico.
r r r Vector Desplazamiento D.
D = ε E = κ ε oE
r r Teorema de Gauss en función del vector D.
φ E = ∫ DdS = Q
r r r r Ecuaciones de borde en dieléctricos. n es un vector
D1 . n1 − D2 . n2 = σ normal a la superficie del dieléctrico, mientras que t es un
r r r r vector tangente.
E1 . t 1 − E 2 . t 2 = 0
r r Densidad superficial de carga libre.
σ LIBRE = D. n
dQ Corriente eléctrica en un conductor.
I=
dt
dI ∆I Densidad de corriente en un conductor.
J= ;J =
dS ∆S
r r Intensidad en función de la densidad de corriente en un
I = ∫ JdS conductor.
S
Densidad de corriente en un conductor. Los portadores
de carga se mueven con velocidad v, posee carga eléctrica q
J = nqv y n es la densidad de partículas cargadas por unidad de
volumen.
Densidad de corriente J en función del campo eléctrico
r nq 2 t c r r E (se conoce como Ley de Ohm en forma microscópica). La
J= E = σE constante de proporcionalidad σ se denomina conductividad
m electrica. Un material será mejor conductor cuanto mayor sea
σ.
1 Resistividad eléctrica de un material.
ρ=
σ
L Resistencia eléctrica de un conductor.
R= ρ
S
Ley de Ohm en forma macroscópica (relaciona el voltaje,
V = RI la resistencia y la corriente en un conductor óhmico)
Req = R1 + ...+ R N Resistencia equivalente de un conjunto de N
resistencias conectadas en SERIE.
1 1 1 Resistencia equivalente de N resistencias conectadas
= + ...+ en PARALELO.
Req R1 RN

4
 FORMULARIO (revisión: 08/12/2004) – FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INGENIERÍA

R1 R2 Resistencia equivalente de un conjunto de resistencias

Req = = R1 R2 conectadas en paralelo.
R1 + R2
P = VI Potencia eléctrica.
Potencia disipada en una resistencia R.
P = RI 2
r r ∂ρ Ecuación de continuidad (conservación de la carga en un
∇.J + =0 volumen)
∂t
∑ I entran = ∑ I salen KCL: 1ª ley de Kirchhoff (ley de las corrientes en los
nudos).
KVL: 2ª ley de Kirchhoff (ley de las tensiones en una
malla).

Ley de Biot y Savart, siendo:

µo, la constante de permeabilidad magnética del medio (4π
10-7 N/A2);
I, la intensidad de corriente eléctrica medida en Amperios;
ut, es un vector unitario tangente al elemento de corriente dl,
con el mismo sentido que el de la corriente eléctrica;
ur, es un vector unitario dirigido desde el elemento de
corriente;
r, distancia desde dl hasta P;
r r dl, diferencial de longitud tomado sobre el hilo conductor que
r µ I ut × ur transporta la corriente eléctrica.
B= 0
4π ∫ r2
dl
r r Módulo del campo magnético, donde | ut ^ ur | = sen α,
r µ I u t × ur siendo α el ángulo que forman los vectores ut y ur.
B = 0
4π ∫ r2
dl
Línea de campo magnético. La dirección del campo
magnético es tangente a la línea de campo C, es decir, una
circunferencia concéntrica con el elemento de corriente.

Regla de la mano derecha: “...si se sujeta con la mano

derecha el elemento de corriente, de modo que el dedo
pulgar señale el sentido de la corriente eléctrica, los dedos
curvados señalan el sentido de giro del campo magnético
sobre la línea de campo...”

Ley de Ampere: siendo B, el campo que se desea calcular,

r r dl un elemento diferencial de longitud tomado en la línea de
∫ B. dl = µ 0 ∑ I C campo C (circunferencia), µo la permeabilidad magnética y ΣIC
la suma de las corrientes eléctricas que atraviesan la línea de
campo C.
r r r
F = q( v × B)
Fuerza magnética sobre una carga eléctrica en movimiento.

r r r Fuerza magnética sobre una carga eléctrica en movimiento,

i j k en función de las componentes cartesianas del vector
r velocidad y las del campo magnético.
F = q vx vy vz
Bx By Bz
r r r r r r
F = Fe + Fm = qE + q( v × B)
Fuerza de Lorentz: es la suma de las fuerzas eléctrica y
magnética que actúan sobre una carga cuando está sometida
a los campos eléctrico y magnético.

5
 FORMULARIO (revisión: 08/12/2004) – FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INGENIERÍA

Radio R de la trayectoria circular que describe una

v2 mv partícula con carga q cuando v y B son perpendiculares.
Fm = Fc ⇒ qvB = m ⇒ R = El radio R se obtiene igualando las fuerzas magnética y
R qB centrípeta.

r r r Fuerza magnética sobre un segmento de corriente en

F = I ∫ ( ut × B)dl presencia de un campo magnético.
r r r Fuerza magnética sobre un segmento de corriente cuando
F = I(L × B) el conductor es rectilíneo y la corriente y el campo magnético
son uniformes.
r r Flujo magnético. La unidad de flujo magnético en el SI se
φB = ∫ . dS
B denomina weber (simbolizado por Wb), siendo 1 Wb = 1 T . 1
m2.
r r r r r r Flujo magnético, en el caso de ser uniforme el campo B.
φ B = B. ∫ dS = B. S = B S cosα
1 Coeficiente Hall
Rh =
nq
dφ Ley de Faraday-Henry: proporciona la fuerza electromotriz
ε=− B inducida (voltaje) en función de la variación del flujo
dt magético. La f.e.m. inducida se mide en voltios.
Autoinducción: el flujo magnético se relaciona con la
φ = LI corriente, siendo L una constante llamada autoinducción. L
se mide en el SI en henrio (H), siendo 1 H = 1 Wb / 1 A.
r r r El momento de la fuerza de una espira de corriente se
M espira = m × B define como el producto vectorial del momento dipolar m de
la espira por el campo magnético B externo aplicado.
r r El momento dipolar m de una espira es un vector normal
m = IS a la superficie de la espira, proporcional a la corriente que
pasa por ella.
Energía potencial de un imán es el producto escalar del
rr
U = − mB momento magnético m del iman por el campo magnético
aplicado B, cambiado de signo.
Coeficiente de autoinducción L. Representa el índice de
proporcionalidad entre el flujo magnético de una distribución
φ B = LI sobre sí misma y la intensidad de la corriente. Se mide en
Henrios (1 Henrio=1 Wb/1 A).
1 2 Energía magnética en función del coeficiente de
Um = LI autoinducción.
2
Densidad de energía magnética por unidad de volumen.
dU m 1 r2
um = = B Es la energía magnética Um por unidad de volumen. Se mide
dV 2µ o en J/m3.

r2 Densidad de energía eléctrica por unidad de volumen.

dU E 1
uE = = εo E Es la energía eléctrica UE por unidad de volumen. Se mide en
dV 2 J/m3.
r2 Densidad de energía eléctrica por unidad de volumen
dU E 1
uE = = κε o E en un dieléctrico. Es la energía eléctrica UE por unidad de
dV 2 volumen. Se mide en J/m3.
r r ρ r r Primera ecuación de Maxwell
∇.E = ó ∇.D = ρ
ε0
r Segunda ecuación de Maxwell
r r ∂B
∇×E= −
r r
∂t
Tercera ecuación de Maxwell
∇.B = 0
r Cuarta ecuación de Maxwell
r r r ∂D
∇ × B = µ0 ( J + )
r
∂t
Densidad de corriente de desplazamiento
r ∂D
JD =
r r
∂r t
r Primera ecuación de Maxwell en el vacío
∇.E = 0 ó ∇.D = 0
r Segunda ecuación de Maxwell en el vacío
r r ∂B
∇×E= −
∂t
6
FORMULARIO (revisión: 08/12/2004) – FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INGENIERÍA

r r Tercera ecuación de Maxwell en el vacío

∇.B = 0
r r Cuarta ecuación de Maxwell en el vacío
r r ∂D ∂E
∇ × B = µ0 = ε 0 µ0
∂t ∂t
1 Velocidad de propagación de una onda
c= electromagnética en el vacío
ε 0 µ0
r Ecuación de ondas para el campo eléctrico en el vacío
r2 r ∂2E
∇ E − ε 0 µ0 2 = 0
∂ t
r
r2 r 1 ∂ E 2

∇ E− 2 2 = 0
c ∂ t
r Ecuación de ondas para el campo magnético en el vacío
r2 r ∂2B
∇ B − ε 0 µ0 2 = 0
∂ t
r
r2 r 1 ∂ B 2

∇ B− 2 2 = 0
c ∂ t
4 Volumen de una esfera de radio R
V = πR 3
3
Superficie de una esfera de radio R
S = 4πR 2
B r r Trabajo mecánico realizado por un campo de fuerzas F. El
WAB = ∫ F . dr trabajo, al igual que la energía, se mide en Julios
A

1 r2 Energía cinética que posee un objeto de masa m que se

Ec = mv mueve con velocidad v
2

Constante Símbolo Valor

Gravitación Universal G 6.67 x 10-11 N m2 Kg-2
Radio de la Tierra RT 6378 Km
Gravedad en la superficie de la Tierra go 9.8 m/s2
Constante de Coulomb en el vacío K 9 x 109 N m2 C-2
Permeabilidad magnética del vacío µo 4π x 10 −7 N A-2
Stefan-Boltzmann σ 5.67x10-8 Js-1m-2K-4
Wien 2.897x10-3 m K
Rydberg RH 1.09x107 m-1
Planck h 6.626x10-34 J.s
Velocidad de la luz en el vacío c 3 x 108 m/s
Carga del electrón e -1.6 x 10-19 C
Masa del electrón me 9.1 x 10–31 Kg
Masa del protón Mp 1.672 x 10–27 Kg
Masa del neutrón Mn 1.675 x 10–27 Kg
Número de Avogadro NA 6.023 x 1023
Unidad de masa atómica u.m.a. 1.6605 x 10-27 Kg
1 Becquerel Bq 1 desintegración/s
1 Curio Ci 3.7x1010 desintegración/s
1 Gray Gy 1 J/Kg
1 rad rad 1 rad=0.01 Gy

PREFIJOS

Factor Nombre Símbolo

1024 yotta Y
1021 zetta Z
1018 exa E
1015 peta P
1012 tera T
7
FORMULARIO (revisión: 08/12/2004) – FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INGENIERÍA

109 giga G
106 mega M
103 kilo k
102 hecto h
101 deca da
10-1 deci d
10-2 centi c
10-3 mili m
10-6 micro µ
10-9 nano n
10-12 pico p
10-15 femto f
10-18 atto a
10-21 zepto z
10-24 yocto y

8
 APUNTES TEMAS 1-6 Andrea De la Fuente Abdelkader
UNIDADES DE MEDIDA BÁSICAS
1 Tesla (T) 104 Gauss (G)
1G 10-4 T
2
1m 104 cm2
Mili (m) 10-3
Micro (μ) 10-6
Nano (n) 10-9
Pico (p) 10-12

ÁREAS Y VOLÚMENES
Superficie de una esfera 4πr2
Volumen de una esfera 4 3
πr
3
Área lateral de un cilindro 2πr · h
Perímetro de una circunferencia 2πr
Área de un círculo πr2
Área de las dos bases de un cilindro 2πr2
Longitud de arco r·α
TEMA 1
• Distribuciones de carga:
dq
◦ Lineal: λ = → dq=∫ λ dl
dl
dq
◦ Superficial: σ = → dq=∫ σ dS
dS
dq
◦ Volumétrica: ρ = → dq=∫ ρ dV
dV
▪ λ, σ, ρ: densidad de carga. S.I: C (culombio)
• LEY DE COULOMB: La fuerza es directamente proporcional al producto de las cargas e
inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa.
q1 q2 9 N·m
2
F=K 2
, K=9 · 10 2
r C
• Campo eléctrico:

⃗ 1 q[⃗r −⃗ r1 ] N
◦ Carga puntual: E=
4 π ε 0 |⃗r −r⃗1|3 C

1 dqi [⃗r −⃗ r1 ] N
◦ Distribución de carga: ⃗
E=
4 π ε0
∫ |⃗r −⃗
3
r 1| C
• Fuerza eléctrica: ⃗
F =q ⃗
E
• Ley de Gauss. Flujo eléctrico: Φ= ⃗
E· ⃗
A →Φ= ⃗ n A→Φ=EAcosθ →Φ=∫ ⃗
E·⃗ E·⃗
n dA
Q 1
◦ Flujo neto: Φneto =4 π kQ ; Φneto = ε ; ε 0=
0 4π k
◦ Flujo eléctrico a través de la superficie de una esfera de radio R que encierra una carga
kQ
Q: E n= 2
R
 • Superficies conductoras o no conductoras:
◦ Conductor: Material que se caracteriza por tener cargas libres que pueden moverse en su
interior. Si sometemos un conductor a un campo eléctrico externo, su carga libre se
redistribuye hasta anular el campo eléctrico en su interior. Dentro de un conductor NO
hay carga neta. Si existe carga, debe estar distribuida en su superficie. Cuando se
ponen en contacto dos conductores, la carga de ambos se redistribuye hasta que el
campo eléctrico en el interior de ambos conductores se anula y se restituye el equilibrio
electrostático.
TEMA 2
• Potencial eléctrico:
◦ Diferencia de potencial eléctrico: dV =−E ⃗ · dl→V
⃗ =−∫ E
⃗ d⃗l
q
◦ Cargas puntuales: V =K si la posicióninicial es ∞
r
• Energía potencial electrostática:
n
1
◦ Cargas puntuales: U= ∑ q i V i
2 i=1
1
◦ Conductor: U= QV
2
n
1
◦ Sistema de conductores: U= ∑ Qi V i
2 i=1
Q
• Capacidad: C=
V
ε A
◦ Condensador placas paralelas: C= 0
d
2π ε0L
◦ Condensador cilíndrico: C=
R2
ln ( )
R1
R R
◦ Condensador esférico: C=4 π ε 0 2 1
R 2−R1
1 1 2
◦ Energía almacenada en un condensador: U= QV = CV
2 2
▪ Condensadores en paralelo: C=C1 +C 2 ... Cn
1 1 1 1
▪ Condensadores en serie: = + ...
C C 1 C 2 Cn
• Dieléctricos: materiales no conductores.
E
◦ Campo eléctrico: E= κ0
◦ Capacidad: C=κ C 0
▪ ε =κ ε 0 , siendo κ laconstante dieléctrica del medio
TEMA 3
• Campo magnético:
◦ Carga puntual en movimiento: B ⃗ = μ 0 q ⃗v ×( r⃗2−3r⃗1 )
4 π |⃗ r 2− r⃗1|
μ0 I
◦ Conductor rectilíneo: B= (sen θ 2−sen θ 1)
4π R
⃗ r⃗2−r⃗1 )
μ 0 I dl×(
◦ Ley de Biot-Savart: dB= ⃗
4 π |⃗ r 2−⃗r 1|3
◦ Regla de la mano
• Fuerza magnética sobre una carga móvil (Fuerza de Lorentz):
F⃗m =q ⃗v × ⃗
B →|F m|=q|v||B|sen θ
• Partícula dentro de un campo magnético (trayectoria circular):
2
v mv
Fm =Fc →qvB=ma n →qvB=m → R=
R qB
• Partícula sometida a campo magnético y a campo eléctrico simultáneamente:
E
Fm =Fe →qvB=qE→ v=
B
• Fuerza magnética sobre un elemento de corriente: ⃗ ⃗ ⃗
F =I dl× B
2π R 1
• Periodo: T = y frecuencia: f =
v T
• Ley de Gauss para el magnetismo: el flujo magnético neto que atraviesa una superficie
gaussiana es 0. Φneto =∮ ⃗ B · n^ dA=∮ Bn dA=0
S S
TEMA 4
• Ley de Ohm Ω: V = I·R
2
2 V
• Potencia: P=V·I =I · R=
R
• Equivalente Thévenin:
◦ Para calcular la tensión recordar que entre punto A y B no se cortocircuita.
◦ Para calcular la resistencia equivalente se cortocircuita entre A y B, se eliminan todas
las fuentes independientes, y se pone un generador de tensión entre los puntos A y B.
◦ El circuito equivalente es una batería y una resistencia en serie.

• Equivalente Norton:
◦ Para calcular la intensidad de corriente entre el punto A y B se cortocircuita.
◦ Para calcular la resistencia equivalente se hace como en Thévenin.
◦ El circuito equivalente es una fuente de tensión y una resistencia en paralelo.
 • Teorema de Millman:
◦ En un circuito eléctrico de ramas en paralelo, cada una compuesta por una fuente de
tensión en serie con un elemento lineal, la tensión en los terminales de las ramas es igual
a la suma de las fuerzas electromotrices multiplicada por la admitancia de rama, dividido
por la suma de las admitancias.

TEMA 5

• Condensadores:
◦ Los condensadores en régimen permanente [V(∞)] actúan como si fueran un circuito
abierto.
◦ La tensión antes del cambio [V(0-)] es la tensión que circulaba en régimen permanente
por ese condensador.
◦ 𝑉(0−) = 𝑉(0+) (la tensión antes y después del cambio no cambian bruscamente, son
iguales).
◦ En 𝑉(∞) abrimos circuito en el condensador y calculamos la tensión entre esos puntos,
(régimen permanente después del cambio).
◦ τ =RC
−t
+1
◦
V (t)=V (∞)+[V (0 )−V (∞)]· e τ
Q
◦ Relación entre carga de un condensador, capacidad y voltaje: V =
C
▪ Puede darse el caso de que, en vez del voltaje o la intensidad, nos pidan cómo
cambia la carga.
• Bobinas:
◦ Las bobinas en régimen permanente [V(∞)] actúan como si fueran un cortocircuito
(hilo).
◦ La intensidad antes del cambio [V(0-)] es la intensidad que circulaba en régimen
permanente por esa bobina.
◦ Justo después del cambio, la bobina puede sustituirse por un generador de intensidad en
paralelo con un circuito abierto.
◦ 𝐼(0−) = 𝐼(0+) (la intensidad antes y después del cambio no cambian bruscamente, son
iguales).
◦ En 𝐼(∞) cortocircuitamos la bobina y calculamos la intensidad que circula por ahí,
(régimen permanente después del cambio), además, si la intensidad cambia de sentido
con respecto al sentido de corriente que tenía en t = 0, se cambia el signo.
 ◦ IMPORTANTE: si la intensidad es 0 en 𝑡(0−), entonces la bobina actuará como circuito
abierto en 𝑡(0+).
L
◦ τ=
R
−t
◦ I ( t )=I (∞)+[I (0+1)−I (∞)]· e τ

TEMA 6
• Fasor: f (t)=F·sen( ω t +θ ) , donde F puede ser la intensidad de corriente I o la tensión V.
• Formas de expresión con números complejos:
F=√ ( ℑ{ ⃗ ⃗ (t )})2
2
◦ Exponencial compleja: e j ω t +θ F ( t)}) +(ℜ{F
ℑ {⃗
F (t )}
◦ Cartesiana: ℑ{ ⃗ ⃗ (t )}
F (t )}+ ℜ{F θ=arctg
ℜ{ ⃗
F ( t )}
◦ Polar: F ∠ θ
▪ Suma y resta: forma cartesiana
▪ Multiplicación y división: forma polar
▪ Inverso: forma polar
• IMPEDANCIA (Z): medida de la oposición que presenta un elemento del circuito al paso de
la corriente I cuando se aplica un voltaje V.
V
◦ Z=
I
◦ La parte real de la impedancia es la resistencia R y su parte imaginaria la reactancia X.
▪ Z = R + jX
1
◦ El inverso de la impedancia se denomina admitancia Y. Y =
Z
• Valor eficaz: valor que tendría una corriente continua que produjera la misma potencia que
dicha corriente alterna, al aplicarla sobre una misma resistencia.
I V máx
◦ I ef = máx V ef =
√2 √2
◦ Aplicando Ley de Ohm :V ef =I ef |Z|
▪ La fuente en forma polar se expresa como: (valor de la fuente) ∠ 0º
• Reactancia capacitiva Xc: condensadores
−1
◦ X c=
ωC
• Reactancia inductiva XL: bobinas
◦ X L=ω L
• Asociaciones de impedancias:
◦ En serie: Zeq=∑ Zi
1
◦ En paralelo: Y eq =∑Y i=∑
Zi
−1
◦ Circuito RC en serie: Z =R+ X C j= √(R + X C )∠ −θ
2 2
X C=
ωC
◦ Circuito RL en serie: Z =R+ X L j= √(R + X L )∠ θ
2 2
X L=ω L
−1
◦ Circuito RLC en serie: Z =R+ Xj=√ ( R + X ) ∠ θ
2 2
X= X L + X C =ω L+
ωC
▪ Si |XL| > |XC|→ desfase positivo, carga inductiva (bobina)
▪ Si |XC| > |XL|→ desfase negativo, carga capacitiva (condensador)
1
▪ Si |XL| = |XC|→ desfase nulo, carga resistiva (resistencia) ω =
√ LC
1
▪ Frecuencia de resonancia: f =
2 π √ LC
 1 1 1 1
◦ Circuito RLC en paralelo: =( )+( )+( )
Z R jX L − jX C
|I|=√ (I R +( I L −I C ) )
2 2
▪
1
▪ |XL| = |XC| → ω =
√ LC
1
▪ Frecuencia de resonancia: f =
2 π √ LC
1
• Potencia instantánea Pi: P(t)= V máx I máx [cos (θ )−cos (2 ω t +θ )]
2
◦ Potencia activa (W): Es la potencia capaz de convertir la energía eléctrica en trabajo.
▪ P = Vef Ief cos (θ) cos (θ) → Factor de potencia
◦ Potencia reactiva (Var): No es una potencia realmente consumida, ya que no produce
trabajo útil.
1
▪ Q= V máx I máx sen (θ )
2
1
◦ V I cos(2 ω t+θ ) Es la potencia fluctuante entre los elementos inductivos
2 máx máx
(bobinas) y capacitivos (condensadores).
◦ Potencia en bobinas
1
▪ Pi (t)= V máx I máx sen(2 ω t)
2
• V (t)=V máx sen (ω t)
• I L =I máx sen( ω t− π )
2
• La frecuencia de la potencia es el doble que la de la tensión o corriente. La
potencia es positiva cuando lo son la tensión y la corriente, recibiendo energía de
la fuente, que devuelve en el otro ciclo.
◦ Potencia en condensadores
1
▪ Pi (t)= V máx I máx sen(2 ω t)
2
• V (t)=V máx sen (ω t)
• I C =I máx sen( ω t + π )
2
◦ Potencia en resistencias
1
▪ Pi (t)= V máx I máx (1−cos(2 ω t ))
2
• V (t)=V máx sen (ω t)
• I R=I máx sen( ω t )
• La frecuencia de la potencia es el doble que la de la tensión o corriente. La
potencia es siempre positiva. La potencia en este caso es variable, pero no
alterna. Su valor medio se puede calcular gráficamente.
1
◦ Valor medio V I
2 máx máx
◦ Valor máximo V máx I máx
◦ Potencia aparente (potencia en notación compleja):
▪ S = P + Qj P = potencia activa, Q = potencia reactiva
▪ La unidad de la potencia aparente es el voltiamperio (VA) y se calcula con el
producto de la tensión y la corriente eficaces.
• Resistencias: PR =I 2ef R QR =0
• Bobinas: PL =0 Q L =I 2ef ω L
• Condensadores: PC =0 QC =−V 2ef ω C
 ▪ Teorema de Boucherot: “En un sistema eléctrico lineal, formado por N elementos, se
verifica que la suma de las potencias activas de cada elemento es nula y lo mismo
sucede con las potencias reactivas”
TEMA 7
En los diodos ideales ocurre lo siguiente:

• V < Vumbral, el diodo se sustituye por un circuito abierto.

• V > Vumbral, el diodo puede actuar de dos maneras:
◦ Intensidad pequeña: se sustituye por la tensión umbral.
◦ Intensidad grande: se sustituye por la tensión umbral y una resistencia en serie
(interna del diodo).
• V >> Vumbral, el diodo se sustituye por un cortocircuito (hilo).
En los transistores ocurre lo siguiente:
I E=I B + I C
Modo funcionamiento Unión Emisor-Base (EB) Unión Base-Colector (BC)
Saturación (1) 0 0
Directo 0 0
Inverso 0 0
Corte (0) 0 0

Para conocer en que zona está trabajando el transistor, tendremos en cuenta que:
• Si no existe intensidad de base, el transistor no conduce, es decir, está en corte.
I B≃0 ; I C ≃0 ; I E ≃0
• Si existe intensidad de base, el transistor conduce. Dependiendo del valor de dicha
intensidad trabajará en activa o en saturación. Se cumple:
◦ Si β·IB < ICmáx el transistor trabaja en activa.
I C =β · I B dado que I CO ≃0
◦ Si β·IB > ICmáx el transistor trabaja en saturación.
I C ≃I E
EJEMPLO FUNCIONAMIENTO

- Cuando la tensión de entrada es nula o negativa, el transistor está en corte, por lo que la corriente
de estrada a la base es prácticamente nula y también lo será la corriente de colector. Por tanto, por la
resistencia de emisor no pasará corriente y la tensión de salida será nula al no existir caída de
tensión en la resistencia. Cuando el transistor está en corte se comporta como un circuito
abierto, por lo que la corriente de colector es prácticamente nula, resultando una potencia
nula.
- Si aumentamos la tensión de entrada Vi llegará un momento que se alcance el valor de tensión
umbral de la unión base-emisor del transistor, con lo que dicha unión estará polarizada en sentido
directo y comenzará la conducción. En ese momento, el transistor está en zona activa.
- A medida que aumente la tensión base-emisor, aumentará la corriente de base y como estamos en
zona activa, también lo hará la corriente de colector dado que iC = β · iB, y la de emisor será: iE =
iB+iC = (1 + β) · iB, es decir, al aumentar la corriente de base crece la corriente de emisor, lo que
supone una mayor caída de tensión en la resistencia RE, esto es, la tensión de salida.
- Si seguimos incrementando la tensión de entrada, llegará un momento que se alcance la
saturación, a partir del cual la corriente de colector dejará de aumentar aunque la tensión de entrada
siga creciendo (iC = β · iB deja de ser válida) y se cumplirá que β·iB > iC.
TEMA 8
• Puerta NOT
A OUT
0 1
1 0

• Puerta OR
A B OUT
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1

• Puerta AND
A B OUT
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
 • Puerta NOR
A B OUT
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0

• Puerta NAND
A B OUT
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0

Familia Lógica Bipolar (BJT)

• Inversor
Observamos que cuando la tensión de entrada es menor o igual a la tensión de corte, V i < Vy, el
transistor está cortado y, despreciando IC o, la tensión de salida es VCC. Cuando Vi es ligeramente
superior a la tensión de corte, la pequeña corriente de colector que se forma hace decrecer V O desde
VCC, de acuerdo a la ecuación: V O=V CC −I C RC
V −0' 7
Según la ecuación V O=V CC − β RC i , la tensión de salida VO decrece cuando aumenta la
RB
tensión de entrada Vi. Al aumentar Vi el transistor se termina saturando con lo que la tensión de
salida resulta ser VO = VCE(sat) = 0'2V.

Circuito de NOT.

• RTL
Es la clase más sencilla de circuitos digitales en donde se utilizan resistencias en la red de
entrada y en la de salida, y transistores bipolares (BJTs) como dispositivos de conmutación.
◦ Puerta NOR en RTL
 TEMA 1: CAMPOS ELECTROESTÁTICOS.
1.1 Carga eléctrica.
Los griegos al frotar el ámbar(Elektron) observaron que este atraía pequeños objetos como plumas. Por
tanto, observaron fenómenos eléctricos como la atracción eléctrica.

Benjamín Franklin propuso que había dos tipos de carga positiva (falta de electrones) y negativa (exceso de
electrones), dos objetos de igual carga se repelen y dos objetos de distinta carga se atraen entre sí.

Electrización es el fenómeno mediante el cual un objeto adquiere carga eléctrica ya sea positiva o negativa.

▪ Una forma de comunicar carga electrica es por fricción, en donde frotamos los dos objetos entre sí y se
transfieren electrones.
▪ Otra forma de cargar un objeto es por contacto, se pone en contacto un objeto cargado con uno
descargado y se transfieren electrones.
▪ Finalmente, también puede ser cargado por inducción: se produce sin necesidad de contacto gracias a
las fuerzas eléctricas de coulomb

1.2 Cuantificación de la carga.

La materia está constituida por átomos eléctricamente neutros. Un átomo se compone de un núcleo de carga
positiva formado por protones y neutrones alrededor del cual se encuentra una nube de electrones de carga
negativa.

e = unidad fundamental de carga = 1′ 602144 · 10−19 C(culombio)

• Protones (carga positiva) = +e, (el número de protones se conoce como núcleo atómico)
• Neutrones = no tienen carga.
• Electrones = carga negativa = -e
• C(culombio) = cantidad de carga que pasa por un conductor en un segundo cuando la intensidad de
corriente en dicho conductor es de 1 AMPERIO.
• La masa, carga y espín de un electro o protón es una propiedad intrínseca de la partícula.

1.3 Conservación de carga

Cuando dos objetos se frotan, en uno de ellos aumenta el número de electrones resultando una carga negativa
y en el otro disminuye la cantidad de electrones resultando una positiva al contener más protones. La carga
total, suma de los dos objetos no varía, es decir, que la carga se conserva.

1.4 Cargas eléctricas puntuales y distribuciones continuas.

Cargas puntuales: protones, iones, electrones…etc. Son cargas concentradas en un punto geométrico del
espacio. También se consideran cargas puntuales aquellas para las que calculamos magnitudes electrica a
distancias mucho mayores que las dimensiones del objeto cargado.

Cargas continuas: en un cuerpo hay una gran cantidad de electrones, la dimensión del electrón es tan
pequeño comparado con la dimensión del objeto cargado, que se suele considerar que las cargas netas
macroscópicas esta distribuidas continuamente ya que están unas muy cercas de otras en comparación con
las distancias de interés. Por tanto, se manejan diferenciales de carga = dq siempre que se cumpla que: e ≪
dq ≪ q

▪ Densidad lineal de carga

Su carga neta está repartida de forma continua a lo largo de un hilo. La densidad lineal de carga se simboliza
como: λ(cantidad de carga por unidad de longitud)
Si la carga está distribuida
dq(C) uniformemente a lo largo de la
λ= → q = ∫ dq = ∫ λ · dl longitud de la línea, se cumple
dl(m)
𝑄
que: λ =
L
 La densidad lineal de carga será constante cuando la carga este uniformemente repartida.

o Densidad superficial de carga.

Si la carga neta está distribuida de forma continua a lo largo de una lámina sin espesor, tendremos una
densidad superficial de carga: σ
Si la carga está distribuida
dq(C) uniformemente a lo largo de
σ= → q = ∫ dq = ∫ σ · dS
2
dS(m ) la superficie, se cumple que:
𝑄
σ=
S(área)

La densidad superficial de carga será constante cuando la carga neta este uniformemente repartida.

o Densidad volumétrica de carga.

Cuando la carga neta está distribuida en un volumen, se introduce la densidad volumétrica de carga que se
simboliza como: ρ
Si la carga está distribuida
dq(C) uniformemente a lo largo de
ρ= 3
→ q = ∫ dq = ∫ ρ · dV
dV(m ) la superficie, se cumple que:
𝑄
ρ = V(volumen)

La densidad volumétrica de carga será constante cuando la carga neta este uniformemente repartida.

2. Fuerza eléctrica: ley de coulomb

Enunciado de la ley: “la fuerza entre dos cargas puntuales es directamente proporcional al producto
de las cargas e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa, su dirección
es la de la recta que une las cargas y el sentido depende de los signos respectivos, de atracción si
son de signo opuesto y de repulsión si son del mismo signo”

o Fuerza electrica entre dos cargas puntuales: El vector (r − ri )

representa siempre el
q1 q 2 vector sobre el que se desea
|F| = K · donde K = 9 · 109
𝐫𝟐 calcular la fuerza menos el
vector que está emitiendo
1 q1 · q2 · (r − ri ) la fuerza. Y el signo de la
⃗Fr ,r = ·
i
4πε0 |r − ⃗⃗ri |3 carga se aplica.

Propiedades de la fuerza electroestática:

▪ Directamente proporcional al producto de las dos cargas que interaccionan.

▪ Disminuye con el inverso de la distancia de separación entre cargas al cuadrado. Cuando las
cargas son esféricas con distribuciones radiales de carga, dicha distancia se toma de centro a
centro.
▪ Tiene como dirección la recta que une ambas cargas y su sentido depende del signo de las cargas.
▪ Es aplicable a distancias mayores que unos 10−4 metro, pues a distancias menores predominan
fuerzas nucleares.
▪ La fuerza cumple la ley de newton de acción reacción, es decir:⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
F1,2 = −F 2,1
▪ Es mucho más intensa que la fuerza gravitatoria. La fuerza electrica es responsable de la
estructura atómica
PRINCIPIO DE SUPERPOSICIÓN LINEAL

El principio de superposición lineal expresa que, la fuerza electrostática sobre una carga es la suma
vectorial de las componentes individuales ejercidas sobre la carga, debidas a cada carga puntual o
densidad de carga. Para que un sistema de cargas permanezca estacionario debe de cumplirse que
la suma de las fuerzas sea cero. Teniendo en cuenta que “N” es el número de cargas puntuales del
sistema. La fórmula que representa está propiedad es:

𝑁
𝑞 · 𝑞𝑖
𝐹 =𝐾·∑ 3 r2 − r⃗ 1 )
· (⃗⃗⃗⃗
𝑖=1 |r2 − r1 |
⃗⃗⃗⃗ ⃗

En el caso de distribuciones continuas tenemos lo siguiente:

▪ Distribución lineal:

⃗⃗⃗
r2 − ⃗ri )
𝜆 · (𝑟⃗𝑖 ) · (⃗⃗⃗⃗
𝐹𝑞 = 𝐾 · 𝑞 · ∫ 3
𝑑𝑙𝑖
r2 − r⃗ i |
|⃗⃗⃗⃗
▪ Distribución superficial:

⃗⃗⃗
r2 − r⃗ i )
𝜎 · (𝑟⃗𝑖 ) · (⃗⃗⃗⃗
𝐹𝑞 = 𝐾 · 𝑞 · ∫ 3
𝑑𝑠𝑖
r2 − r⃗ i |
|⃗⃗⃗⃗
▪ Distribución volumétrica:

⃗⃗⃗
r2 − r⃗ i )
𝜌 · (𝑟⃗𝑖 ) · (⃗⃗⃗⃗
𝐹𝑞 = 𝐾 · 𝑞 · ∫ 3
𝑑𝑣𝑖
r2 − ⃗ri |
|⃗⃗⃗⃗
3. Campo eléctrico.
Michael Faraday sugirió un modo para explicar este fenómeno: un cuerpo influye sobre el espacio que le
rodea, estableciendo un campo a su alrededor, que está presente siempre, haya o no otros cuerpos. En
resumen, podemos definir el campo como la región del espacio donde se produce un efecto físico
caracterizado por una magnitud escalar o vectorial, que puede además ser o no dependiente del tiempo.

La intensidad de campo eléctrico se define como la fuerza por unidad de carga que experimenta una carga
de prueba estacionaria muy pequeña al colocarse en una región donde existe un campo eléctrico, es decir:

𝐹 𝑁(𝑁𝑒𝑤𝑡𝑜𝑛𝑠)
𝐸⃗ = lim → 𝐹 = 𝐸⃗ · 𝑞 ; 𝐹 = 𝑁(𝑁𝑒𝑤𝑡𝑜𝑛𝑠); 𝐸⃗ =
𝑞→0 𝑞 𝐶(𝑐𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠)

Vemos que la intensidad de campo eléctrico es proporcional a la fuerza y tiene su misma dirección.

3.1 Campo eléctrico creado por una carga puntual.

La fórmula podemos afirmar que es la siguiente:

r2 − r⃗ 1 )
𝑞1 (⃗⃗⃗⃗
𝐸⃗ = 𝐾 · 3
r2 − r⃗ 1 |
|⃗⃗⃗⃗

Tal y como podemos apreciar en la imagen, de

las cargas positivas, salen las líneas de campo y
de las cargas negativas entran.

3.2 Campo eléctrico de un sistema de cargas puntuales.

Sucede los mismo que con el principio de superposición de fuerzas electroestáticas. Así, el campo eléctrico en un
punto V debido a un sistema de N cargas,𝑞𝑖 , situadas respectivamente en los puntos ⃗𝑟𝑖 es:
𝑁
𝑞𝑖
𝐸⃗ = 𝐾 ∑ 3 · (r
⃗ −r
⃗ i)
𝑖=1 |
⃗r − ⃗ri |
 3.3 Campo electrico de distribuciones continuas.

En el caso de distribuciones continuas para el cálculo de campo electroestático tenemos las

siguientes fórmulas:

▪ Distribución lineal:
𝜆 · (𝑟⃗𝑖 ) · (r⃗ − r⃗ i )
𝐸⃗ = 𝐾 · ∫ 3
𝑑𝑙𝑖
|⃗r − ⃗ri |
▪ Distribución superficial:
𝜎 · (𝑟⃗𝑖 ) · (r⃗ − r⃗ i )
𝐸⃗ = 𝐾 · ∫ 3
𝑑𝑠𝑖
|r⃗ − r⃗ i |
▪ Distribución volumétrica:
𝜌 · (𝑟⃗𝑖 ) · (𝑟
⃗ − r⃗ i )
𝐸⃗ = 𝐾 · ∫ 3
𝑑𝑣𝑖
|r⃗ − r⃗ i |

3.4 Movimiento de cargas puntuales en campos eléctricos.

Cuando una partícula cargada está en una región donde existe un campo eléctrico 𝐸 ⃗ , sobre ella actúa una
fuerza igual al producto de su carga por la intensidad del campo eléctrico, esto es, 𝑞⃗⃗𝐸. Cuando la carga es
positiva experimenta una fuerza en el sentido del campo y cuando la carga es negativa el sentido de la fuerza
es contrario al campo. Si la fuerza eléctrica es la única fuerza significativa que actúa sobre la partícula, la
aceleración que ésta adquiere viene dada por:

Aplicando la tercera ley de newton: F = m · a, tenemos que:

𝑞 · ⃗⃗𝐸
𝑎=
𝑚(𝑚𝑎𝑠𝑎 𝑒𝑛 𝑘𝑔)
4. Los dipolos eléctricos.
Un dipolo es un sistema de dos cargas de igual magnitud, pero de signos opuestos muy cercanas
entre sí. El interés por los dipolos radica en su alta presencia en la naturaleza, ya que existen
moléculas que disponen de una distribución no uniforme de la carga dentro de la molécula, las
cuales reciben el nombre de moléculas polares.

Cuando los campos externos inducen a separaciones de carga positiva o negativa de un lado o del
otro, hablamos de un momento eléctrico dipolar inducido.

4.1 Campo eléctrico creado por un dipolo.

Un dipolo eléctrico consta de dos cargas, 𝑞1 con carga positiva y 𝑞2 con carga negativa, de igual
magnitud, pero con signo contrario, separadas una pequeña distancia L. para determinar el campo
eléctrico creado por un dipolo tenemos que aplicar el principio de superposición. Así, el campo neto
en un punto P vendrá dado por: 𝐸⃗ = ⃗⃗⃗⃗
𝐸1 + ⃗⃗⃗⃗
𝐸2 . Siendo ⃗⃗⃗⃗
𝐸1 el campo debido a la carga 𝑞1 y ⃗⃗⃗⃗
𝐸2 el campo
debido a la carga 𝑞2 .

Momento dipolar eléctrico: se trata de un vector 𝑝, este vector está compuesto por el producto del
⃗ que une las dos cargas (tiene como origen la carga negativa y como
valor de la carga y un vector 𝐿
destino la carga positiva).

⃗
𝑝 = 𝑄𝐿

Además, podemos expresar el campo eléctrico en función del momento dipolar eléctrico:
 𝑝
𝐸⃗ = −𝐾 ·
𝑟3
4.2 Comportamiento de los dipolos en un campo eléctrico.

Un dipolo en un campo eléctrico uniforme

experimenta fuerzas iguales y opuestas que tienden
a girar al dipolo, de modo que su momento dipolar
tiende a alinearse con el campo eléctrico.

Cuando introducimos un dipolo eléctrico en una

región donde existe un campo eléctrico uniforme,
las cargas que lo forman experimentan fuerzas de
igual magnitud, pero sentido opuesto y, en
consecuencia, la fuerza neta es nula y no hay
aceleración lineal.

5. Las líneas del campo eléctrico.

las líneas de campo eléctrico son líneas uniformes y direccionables en el espacio, definidas por el
campo eléctrico, de acuerdo con dos reglas:

I. Las líneas de campo eléctrico se dibujan de manera que la tangente a ellas, en cada punto,
determine la dirección del campo eléctrico, 𝐸⃗ , en ese punto.
II. La densidad espacial de las líneas de campo eléctrico en un punto es proporcional a la
intensidad de campo eléctrico en ese punto.

Propiedades de las líneas de campo:

• El campo eléctrico no cambia en forma abrupta su dirección al pasar por una región del
espacio libre de cargas. Así, en una región pequeña, las líneas del campo eléctrico son casi
paralelas entre sí.
• El vector de campo eléctrico es tangente a las líneas de campo en cada punto.
• Las líneas de campo eléctrico salen siempre de las cargas positivas o del infinito y terminan
en el infinito o en las cargas negativas.
• El número de líneas que salen de una carga positiva o entran en una carga negativa es
proporcional a dicha carga.
• La densidad de líneas de campo en un punto es proporcional al valor del campo eléctrico en
dicho punto.
• Nunca se cruzan dos líneas de campo.
• A grandes distancias de un sistema de cargas, las líneas están igualmente espaciadas y son
radiales, comportándose el sistema como una carga puntual.

6. Ley de gauss.

El flujo eléctrico es el número de líneas de campo que atraviesan

una superficie cerrada, las unidades del flujo eléctrico son (N
𝑚2 /𝐶) en el SI. Matemáticamente se define como:

𝜙 = 𝐸⃗ · 𝐴 = 𝐸⃗ · 𝐴 · 𝑛⃗ = 𝐸 · 𝐴 · cos 𝜃 (𝑠𝑜𝑙𝑜 𝑠í 𝐸 𝑒𝑠 𝑐𝑡𝑒. )

▪ 𝐸⃗ es el vector de campo eléctrico.

▪ 𝑛⃗ es el vector unitario perpendicular a la superficie.
 ▪ 𝐴 el vector área de magnitud igual al área de la superficie y dirección coincidente con el
vector 𝑛⃗.
▪ 𝜃 el ángulo entre 𝐸⃗ 𝑦 𝑛⃗, E el módulo del campo eléctrico y A el módulo del vector área

En caso de que la superficie sea curva, se integra el flujo a lo largo de toda el área, quedando definido
matematicamente como:

∮ 𝐸 · 𝑑𝑠 · cos 𝜃

El flujo total o neto a través de la superficie cerrada es positivo o negativo dependiendo de qué E
sea predominante hacia dentro o hacia fuera de la superficie. Si la carga o la fuente está fuera de la
superficie el flujo neto es igual a cero, en caso de que la fuente este dentro de la superficie el flujo
neto es diferente de cero.
𝑞𝑒𝑛𝑐𝑒𝑟𝑟𝑎𝑑𝑎
𝜙𝐸 = ∮ 𝐸 · 𝑛⃗ · 𝑑𝑠 = ∮ 𝐸 · 𝑑𝑠 · cos 𝜃 =
𝜀0

Nota: según la Ley de Gauss el flujo eléctrico del campo eléctrico a través de una superficie cerrada
es independiente de la forma de la superficie, y depende tan solo de la cantidad de carga que hay en
su interior.

7. Conductores y aislantes.

Una vez que un cuerpo ha adquirido carga eléctrica, lo que suceda después depende de si el material
es aislante o conductor.

• En los materiales aislantes o dieléctricos, como el vidrio, plástico o madera, todos los
electrones están ligados a los átomos próximos y ninguno puede moverse libremente, es
decir, son materiales que resisten el paso de la corriente. Esto implica que la carga situada
en un aislante permanece en la zona en la que se colocó inicialmente.
• En los materiales conductores parte de los electrones pueden moverse libremente en el seno
del material. Esto es debido a que cuando un gran número de átomos de un metal se unen
para formar una red cristalina de ese metal, el enlace de los electrones de cada átomo
individual se modifica por interacciones con los átomos próximos. Uno o más de los
electrones externos de cada átomo queda en libertad para moverse por todo el metal. El
número de electrones libres depende del metal particular, pero típicamente oscila alrededor
de un electrón por átomo.

Podemos considerar un ion como un átomo al que se le ha quitado o añadido un ion. En principio,
un conductor es eléctricamente neutro porque tiene igual número de iones con carga positiva (les
falta un electrón) que de electrones. Sin embargo, un conductor puede adquirir carga cuando se le
añaden o se le quitan electrones.

Cuando introducimos un conductor dentro de un campo eléctrico

externo, constante y estático, éste hará que los electrones se
muevan de manera que se anule el campo eléctrico dentro del
material. Es decir, en equilibrio electrostático los conductores no
tienen campo eléctrico estático interno neto. El exceso de
electrones en el lado izquierdo y la ausencia de ellos en el lado
derecho produce un campo eléctrico interno que se dirige hacia la
izquierda. Este campo interno anulará al externo de manera que el
campo neto en el interior del conductor es nulo.
Los mejores conductores eléctricos son los metales y sus aleaciones, aunque existen otros
materiales, no metálicos, que también poseen la propiedad de conducir la electricidad como son el
grafito, las soluciones salinas y cualquier material en estado de plasma
 1. Potencial eléctrico.
Para un desplazamiento desde el punto “a” hasta un punto “b”, la diferencia de potencial entre estos puntos
vendrá dada por:
𝑞 𝑞 𝑔𝑒𝑛𝑒𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑐𝑎𝑚𝑝𝑜
|𝐸| = 𝑘 · 2
𝑟

𝑑𝑈 𝑏 𝑏
𝑞 1𝑏 𝑘𝑞 𝑘𝑞
𝛥𝑉 = = − ∫ 𝐸ሬԦ · 𝑑𝑙Ԧ → 𝑉𝑏 − 𝑉𝑎 = − ∫ 𝑘 · 2 𝑑𝑟 → 𝑉𝑏 − 𝑉𝑎 = −𝑘𝑞 ൬− ฬ → 𝑉𝑏 − 𝑉𝑎 = −
𝑞 𝑎 𝑎 𝑟 𝑟𝑎 𝑟𝑏 𝑟𝑎

𝐸ሬԦ · 𝑑𝑙Ԧ = |𝐸| · 𝑑𝑙 · cos 𝛼 = |𝐸| · 𝑑𝑟

Para entender el cambio de 𝑑𝑙 · cos 𝛼 a 𝑑𝑟, recomiendo ver video de Cesar

Antonio izquierdo (CLASE 36) en YouTube o pág. 62 del libro de teoría.

Podemos entender que 𝛥𝑉 es el trabajo necesario por unidad de carga para transportar una carga de un punto
“a” hasta un punto “b”. También hay que destacar que da igual que camino recorra la carga desde el punto “a”
hasta el punto “b” (trayectoria recta, curvas...etc.), siempre dará el mismo resultado, por eso se considera el
campo conservativo. La unidad del potencial eléctrico en el SI es el Julio(J)/Culombio(C), o lo que es lo mismo,
Voltio(V). De aquí podemos deducir que:
𝑁 𝑉
1 =1
𝐶 𝑚
Además, consideramos una nueva unidad de medida, el electronvoltio (eV), la cual, representa la energía cinética
que adquiere un electrón cuando es acelerado por una diferencia de potencial de 1 voltio. La conversión de eV a
julios es:
1 𝑒𝑉 = 1,60 · 10−19 𝐶 · 𝑉 = 1,60 · 10−19 𝐽
El libro continúa explicándonos como obtener la fórmula del voltaje en un determinado punto.
𝑞
𝑉=𝐾·
𝑟

Tenemos dos formas de calcular el potencial eléctrico:

• Si se conoce el campo eléctrico podemos emplear la ecuación:

𝑏
𝛥𝑈
𝛥𝑉 = 𝑉𝑏 − 𝑉𝑎 = = − ∫ 𝐸 · 𝑑𝑟
𝑞 𝑎
• Si no se conoce el campo eléctrico podemos emplear la ecuación:
𝑞𝑖
𝑉=𝐾·
𝑟

Si el potencial es conocido puede emplearse para determinar el campo eléctrico. La variación de potencial para
un pequeño desplazamiento, dl, viene dada por el producto escalar:

𝑑𝑉 = −𝐸 · 𝑑𝑙 = −𝐸𝑐𝑜𝑠𝜃 𝑑𝑙 = −𝐸 · 𝑑𝑟
 1.1 Potencial eléctrico de un sistema de cargas puntuales.
𝑁
𝑞𝑖
𝑉=∑
4𝜋𝜀0 𝑅𝑖
𝑖=1
1.2 Potencial eléctrico de un sistema continuas de carga.
𝑑𝑞
∫𝐾 ·
𝑟
Está formula no puede utilizarse cuando la carga se encuentra en el infinito, en estos casos el potencial se
calcula a partir del campo eléctrico, por lo que será necesario aplicar directamente la ecuación:
𝑏
𝛥𝑈
𝛥𝑉 = 𝑉𝑏 − 𝑉𝑎 = = − ∫ 𝐸 · 𝑑𝑟
𝑞 𝑎

CAMPO EN ESFERA CONDUCTORA POTENCIAL EN ESFERA CONDUCTORA OBSERVACIONES

Exterior Exterior
1 𝑞 𝑞 r: distancia de centro de
𝐸ሬԦ𝑒𝑥𝑡 = · 2 · ሬሬሬሬԦ
𝑢𝑟 𝑉𝑒𝑥𝑡 = 𝑘 ·
𝑟
4𝜋𝜀0 𝑟 esfera a punto exterior.
Superficie Superficie
𝑞 𝑞 R: Radio de la esfera
𝐸ሬԦ𝑠𝑢𝑝𝑒𝑟 = 𝑘 · 2 · ሬሬሬሬԦ
𝑢𝑟 𝑉𝑠𝑢𝑝𝑒𝑟 = 𝑘 ·
𝑅 𝑅
Interior Interior
𝑞 𝑉𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟 potencial para
𝑉𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟 = 𝑘 ·
𝐸ሬԦ𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟 = 0 𝑅 mover una carga desde el
infinito al interior.

2.1 Superficies equipotenciales.

Se puede representar el potencial eléctrico mediante las denominadas superficies equipotenciales, que son el
lugar geométrico de los puntos del espacio en los que el potencial eléctrico tiene un mismo valor, es decir, la
familia de superficies que cumplen:
𝑉 (𝑥 , 𝑦 , 𝑧 ) = 𝑐𝑡𝑒 → 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑞𝑢𝑒 𝑟 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑚𝑖𝑠𝑚𝑜.

2. Energía potencial electrostática.

Sí tenemos una carga puntual 𝑞𝑖 situada en el punto 1, el potencial en un punto 2 situado a una distancia ሬሬሬሬሬԦ
𝑟12 de
la anterior, viene dado por:
𝑞1
𝑉2 = 𝐾 ·
|𝑟Ԧ12 |
Para traer una segunda carga puntual 𝑞2 desde el infinito, donde está en reposo y en consecuencia no tiene
energía cinética inicial, hasta el punto 2, dejándola también en reposo, debe realizarse un trabajo dado por:
𝑞1 𝑞2
𝑊2 = 𝑞2 𝑉2 = 𝑘 ·
|𝑟Ԧ12 |
Nótese que la energía potencial electrostática es independiente del orden en el cual las cargas se transportan
hasta alcanzar sus posiciones finales. Podemos concluir diciendo que la energía electrostática de un sistema de
cargas puntuales es el trabajo necesario para transportar las cargas desde una distancia infinita hasta sus
posiciones finales y formar el sistema de cargas. Además, la energía potencia electroestática U en un sistema de
n cargas puntuales es:
𝑛
1
𝑈 = ∑ 𝑞𝑖 𝑉𝑖
2
𝑖=1

En donde 𝑉𝑖 es el potencial en la posición de la carga i producido por todas las demás cargas.
3. Capacidad.
Al cociente entre la carga Q y el potencial V de un conductor aislado se le llama capacidad C:
𝑄 𝑄 𝐶
𝐶= = = 4𝜋𝜀0 𝑅 → 𝑠𝑒 𝑚𝑖𝑑𝑒 𝑒𝑛 = 𝐹𝑎𝑟𝑎𝑑𝑖𝑜(𝐹)
𝑉 1 𝑄 𝑉
4𝜋𝜀0 · 𝑅
se comprueba que sólo depende del medio en el que está inmerso el conductor y de las características
geométricas de éste, es decir, de su forma, tamaño, etc. Esta magnitud mide la capacidad de almacenar carga para
una determinada diferencia de potencial.
La unidad en el SI de la capacidad es el culombio partido por voltio, que se denomina faradio (F).
4. Almacenamiento de la energía eléctrica.
todo conductor se caracteriza por un potencial eléctrico constante en todos sus puntos y dentro de él. la energía
potencial almacenada en el conductor procederá del trabajo necesario para colocar la carga en éste. Si
disponemos de dos conductores cargados con cargas de distinto signo, la diferencia de potencial entre ellos puede
acelerar cargas de prueba con lo que el sistema almacena energía.
Un condensador, es un dispositivo que almacena energía porque almacena carga, la energía del condensador está
contenida en el campo eléctrico del mismo. La energía potencial de un condensador viene determinada por:
𝑄 2 𝐶(𝛥𝑉)2
𝑈= =
2𝐶 2

5. Condensadores.
La función básica de un condensador es almacenar energía eléctrica, un condensador son dos placas conductoras
una frente a la otra (paralelas entre sí), y entre esas dos placas hay un aislante dieléctrico. Podemos distinguir
dos procesos en el condensador:

• CARGA: Cuando el condensador se conecta a una fuente de alimentación, estableciéndose una diferencia
de potencial, por lo que una placa estará cargada positivamente y otra negativamente. Es decir, todos los
electrones se irán a una placa generándose exceso de carga negativa en una placa y en la otra placa los
átomos tendrán menos electrones habiendo carga positiva.
 • DESCARGA: el condensador no está conectado a ninguna fuente de alimentación, pero ambas placas
están conectadas, en este proceso, las cargas de ambas placas se equilibran.
Un condensador no acumula cargas eléctricas, acumula energía potencial eléctrico entre las dos placas. No dura
tanto como una pila, pero la carga y descarga es más rápida. Otra cosa que define a los condensadores es la
capacidad, la cual, aumenta cuanto mayor es la superficie de las placas. La capacidad de un condensador se mide
en faradios. En general, la capacidad depende del tamaño, forma, geometría y posición relativa de los conductores
y también de las propiedades del medio aislante que los separa, por ello, iremos viendo la capacidad que tiene
cada tipo de condensador.
CONSENSADORES DE PLACAS PLANAS PARALELAS
Sea A el área de cada placa y d la distancia de separación entre ambas placas, siendo mucho menor que la altura
o anchura de las placas. El campo total entre estas dos placas será:
𝜎 𝑄
𝐸= =
𝜀0 𝜀0 𝐴
Siendo 𝜎 la carga por unidad de área de cada una de las placas, dado que el campo que existe entre las placas de
este condensador es uniforme, la diferencia de potencial entre las placas es igual al campo E multiplicado por la
separación de las placas, d:
𝜎 𝑄𝑑
𝑉=𝐸𝑑= 𝑑=
𝜀0 𝜀0 𝐴
Por lo tanto, la capacidad de un condensador de placas planas y paralelas es:
𝑄 𝐴
𝐶= = 𝜀0 ·
𝑉 𝑑

La energía de un condensador con su campo eléctrico en el caso particular de un condensador de placas

paralelas es:
1 1 𝜀0 𝐴 1
𝑈 = 𝐶𝑉 2 = ൬ ) (𝐸𝑑)2 = 𝜀0 𝐸 2 (𝐴 𝑑)
2 2 𝑑 2
Tal que A d es el volumen del espacio comprendido entre las dos placas del condensador. La energía por unidad
de volumen es la densidad de energía cuyo valor en un campo eléctrico E es:
𝑈 1
𝑢= = 𝜀0 𝐸 2
𝐴𝑑 2
 CONDENSADORES CILÍNDRICOS
Un condensador cilíndrico tiene la forma que se ilustra en la
imagen de la derecha. El cilindro interior está cargado con +Q
mientras que el cilindro exterior tendrá cagar -Q, por lo que se
creará un campo magnético entre ambos cilindros. Su capacidad
viene determinada por:
𝑄 2𝜋𝜀0 𝐿
𝐶= =
𝑉 𝐿𝑛 𝑅2
𝑅1

CONDENSADORES ESFERICOS
La capacidad de un condensador esférico viene dada por:
𝑄 4𝜋𝜀0 4𝜋𝜀0 (𝑅2 𝑅1 )
𝐶= = =
𝑉 1 1 𝑅2 − 𝑅1
𝑅1 − 𝑅2
6. Asociación de condensadores.
Los condensadores se pueden asociar conectándolos en serie, en paralelo o mediante combinaciones de ambas.
CONDENSADORES EN PARALELO
la capacidad equivalente de un conjunto de n condensadores conectados en paralelo es igual a la suma de las
capacidades individuales.
𝑉1 = 𝑉2 = ⋯ = 𝑉𝑛
𝐶 = 𝐶1 + 𝐶2 + ⋯ + 𝐶𝑛
Nota: en paralelo, los condensadores deben tener el mismo potencial. Tendremos que:
𝑄𝑖 = 𝐶𝑖 · 𝑉
CONDENSADORES EN SERIE
En este caso la diferencia de potencial entre las placas de cada condensador es distinta para capacidades
diferentes, sin embargo, las cargas son iguales:
𝑉𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑉1 + 𝑉2 + ⋯ + 𝑉𝑛
𝑄1 = 𝑄2 = 𝑄3
𝑄 1 1 1 1 1 1 1 1
= 𝑄൬ + + + ⋯+ ) → = + + ⋯+
𝐶 𝐶1 𝐶2 𝐶3 𝐶𝑛 𝐶 𝐶1 𝐶2 𝐶𝑛
Cuando añadimos un condensador en serie disminuimos la capacidad del sistema.

7. Dieléctricos.
Los dieléctricos (materiales aislantes) están compuestos de átomos y moléculas cuya distribución interna de
cargas se altera en presencia de un campo eléctrico de manera que las cargas positivas se desplazan con respecto
a las negativas produciendo un cambio en el campo eléctrico. La diferencia con un conductor es que la carga no
es libre porque está ligada a los átomos.
ESTRUCTURA MOLECULAR DE UN DIELECTRICO

• Las moléculas polares son aquellas en las que no coincide el centro de distribución de cargas positivas y
el de las negativas con lo que presentan momentos dipolares permanentes, el ejemplo más significativo
es el agua. Bajo la acción de un campo eléctrico experimentan un par de fuerzas que tienden a orientarlas
 en el sentido del campo de manera que se puede observar un momento dipolar neto debido al conjunto
de dipolos.
• Las moléculas no polares son aquellas en las que coincide el centro de distribución de las cargas positivas
y negativas. las moléculas no polares, se hacen polares en presencia de un campo eléctrico, ya que las
fuerzas sobre cada tipo de carga son iguales y de sentido contrario.
En resumen, tanto para los dieléctricos polares como para los no polares, las moléculas del dieléctrico se
polarizan en la dirección del campo eléctrico externo. La ley de gauss cuando hay dieléctricos queda como:
𝑄𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒 𝑄𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒
∫ 𝐸ሬԦ · 𝑑𝐴Ԧ = =
𝑘 · 𝜀0 𝜀
La constante dieléctrica, k, es la propiedad que describe el comportamiento de un dieléctrico en un campo
eléctrico y permite explicar, el aumento de la capacidad de un condensador. Cuando el campo eléctrico es muy
alto, se arrancan electrones del dieléctrico, es decir, se vuelve conductor. A este fenómeno se le llama ruptura
eléctrica y al campo máximo que el material es capaz de soportar sin romperse se le denomina rigidez dieléctrica.
DIELECTRICOS EN CONDENSADORES:

La introducción de un campo eléctrico entre las placas del condensador tiene las siguientes consecuencias:

• Disminuye el campo eléctrico entre las placas del condensador, en una relación:
𝐸0
𝐸=
𝑘
• Disminuye el potencial eléctrico entre las placas del condensador, en una relación:
𝑉0
𝑉=
𝑘
• Aumenta la diferencia de potencial máxima que el condensador es capaz de resistir sin que se produzca
una ruptura eléctrica. Además, permite reducir la distancia entre las placas conductoras.
• Aumenta la capacidad eléctrica del condensador k veces
𝐴
𝐶 = 𝑘 · 𝐶0 → 𝐶 = 𝜀 ·
𝑑
• La carga total de las placas es:
𝑄 = 𝑘 · 𝑄0
 CONDENSADORES CON VARIOS DIELECTRICOS
Existe la posibilidad de introducir más de un dieléctrico entre las placas de un condensador. Podemos
encontrar dos posibilidades, disposición en paralelo y disposición en serie.

• Disposición en paralelo: la capacidad de este condensador se calcula considerando

que tenemos dos condensadores en paralelo uno con dieléctrico 𝜀1 y el otro con
dieléctrico 𝜀2 . Este resultado se puede generalizar con N dieléctricos.

• Disposición en serie: la capacidad de este condensador se calcula

considerando que tenemos dos condensadores en serie uno con
dieléctrico 𝜀1 y el otro con dieléctrico 𝜀2 . Este resultado se puede
generalizar con N dieléctricos

ENERGÍA ALMACENADA EN CONDENSADORES CON DIELÉCTRICOS

Finalmente, la energía de un condensador con dieléctricos se calcula exactamente igual que con un condensador sin
dieléctricos, pero cambiando 𝜀0 por ε, sabiendo que ε es igual que 𝜀0 · 𝑘, es decir:

1 1 𝐴·𝜀 1
𝑈 = 𝐶𝑉 2 = · ൬ ) · (𝐸 · 𝑑)2 = 𝐴 · 𝜀 · 𝑑 · 𝐸 2
2 2 𝑑 2

2𝜋𝑅
𝑇 = 2 · 10−11 𝑠 →
𝑣
𝐹𝑚𝑎𝑔𝑛𝑒𝑡𝑖𝑐𝑎 = 𝐹𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑖𝑝𝑒𝑡𝑎
𝑣2
𝑞𝑣𝐵 = 𝑚 ·
𝑟
𝑚·𝑣 𝑚·𝑣
𝑅= →𝐵=
𝑞·𝐵 𝑞𝑅
 TEMA 3: CAMPOS MAGNETICOS
El campo magnético se genera al moverse cargas eléctricas, se trata de una
propiedad de la naturaleza, por ejemplo, el caso de los imanes, los cuales, tienen
un campo magnético significativo en el que los polos magnéticos (polo Norte y
polo Sur) producen fuerzas magnéticas. Los polos opuestos se atraen y los
similares se repelen.
A diferencia de las cargas eléctricas, para que exista un polo norte debe existir
un polo sur. El campo magnético es una magnitud vectorial, es decir, tiene
dirección y sentido. Las líneas verdes de la imagen de la derecha representan las
líneas del campo magnético, las cuales, salen del polo norte y entran en el polo sur.
Las líneas tangentes (flechas rojas) en cada punto de las líneas verdes definen la dirección y sentido de ese
campo magnético en ese punto concreto.
1. Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una carga móvil.
Tenemos las siguientes afirmaciones:

• La magnitud de la fuerza que experimenta la partícula es proporcional a la carga.

• La magnitud de la fuerza es proporcional a la magnitud del campo magnético.
• El vector fuerza es proporcional al vector velocidad.
• Si la velocidad va en la dirección del campo la fuerza es igual a cero.
• La fuerza neta que experimenta la partícula es perpendicular a la dirección del campo magnético.
• La fuerza magnética ejercida sobre una carga positiva tiene dirección opuesta a la dirección de la
fuerza magnética ejercida sobre una carga negativa que se mueva en la misma dirección.

𝑖̂ 𝑗̂ 𝑘̂
⃗ ⃗⃗ 𝑣
𝐹 = 𝑞 · 𝑣⃗ × 𝐵 = 𝑞 · | 𝑥 𝑣𝑦 𝑣𝑧 | (𝑓𝑢𝑒𝑟𝑧𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑟𝑒𝑛𝑡𝑧)
𝐵𝑥 𝐵𝑦 𝐵𝑧

|𝐹| = 𝑞 · 𝑣 · 𝐵 · 𝑠𝑒𝑛 𝛼 → 𝑡𝑎𝑙 𝑞𝑢𝑒: 𝛼 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑎𝑛𝑔𝑢𝑙𝑜 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑣 ⃗⃗

⃗⃗⃗⃗𝑦 𝐵
NOTA: Su dirección y sentido se puede sacar con la regla del sacacorchos.
𝐹𝑚𝑎𝑥 = 𝑞 · 𝑣 · 𝐵 · 𝑠𝑒𝑛 90º = 𝑞𝑣𝐵 → 𝑆𝑒 𝑚𝑖𝑑𝑒 𝑒𝑛 𝑇𝑒𝑠𝑙𝑎(𝑇)
𝑁𝑠
1𝑇 (𝑡𝑒𝑠𝑙𝑎) = 1 · = 104 𝐺(𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠)
𝑚𝐶
Los campos magnéticos no realizan trabajo sobre las partículas y no modifican su energía cinética. Solo
modifican su dirección.
MOVIMIENTO DE UNA PARTÍCULA CON CARGA EN UN CAMPO MAGNÉTICO UNIFORME
En el caso particular en el que la velocidad de una partícula cargada sea
perpendicular a un campo magnético uniforme, ésta se mueve siguiendo
una circunferencia. igualando la fuerza responsable de la aceleración, esto
es, la fuerza magnética dada por la ecuación 𝐹𝑚𝑎𝑥 = 𝑞 · 𝑣 · 𝐵 con la
𝑣2
expresión de la fuerza centrípeta 𝑎𝑛 = , resulta que:
𝑅

𝐹𝑚𝑎𝑔𝑛𝑒𝑡𝑖𝑐𝑎 = 𝐹𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑖𝑝𝑒𝑡𝑎
𝑞 · 𝑣 · 𝐵 = 𝑚 · 𝑎𝑛
𝑣2
𝑞·𝑣·𝐵 =𝑚·
𝑅
𝑚𝑣
𝑅=
𝑞𝐵
Esta última expresión solo es válida cuando la velocidad es perpendicular al campo. El periodo del
movimiento circular es el tiempo que la partícula tarda en dar una vuelta completa alrededor del círculo.
Tenemos que:
2𝜋𝑅 2𝜋𝑚 1 𝑞𝐵
𝑆í 𝑇 = →𝑇= ; 𝑓= →𝑓=
𝑣 𝑞𝐵 𝑇 2𝜋𝑚

Si la velocidad no fuera perpendicular siempre puede ser descompuesta en una componente perpendicular
al campo y otra componente paralela al campo. El movimiento debido a la componente perpendicular es el
mismo que hemos visto anteriormente, Sin embargo, el movimiento debido a la componente paralela no se
afecta por el campo magnético, con lo que permanece constante.
2. Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una corriente eléctrica.
La corriente eléctrica la corriente eléctrica es el movimiento de cargas que circula a lo largo de un
conductor, con una velocidad de conjunto 𝑣⃗ no nula e idéntica en promedio para todos ellas. Es decir, es la
carga total que pasa a través de la sección transversal de un cable, por unidad de tiempo:
𝑑𝑄
𝐼=
𝑑𝑡
Si situamos un conductor metálico en un campo magnético y por el circula corriente eléctrica, podemos
considerar que sus electrones se mueven con cierta velocidad, que en cada punto está dirigida según el eje
del conductor. Supongamos un segmento de un conductor de sección A y longitud l por el que hay n cargas
por unidad de volumen, de valor q, y que se mueven a lo largo del mismo con una velocidad 𝑣⃗, la fuerza
elemental que actúa sobre cada carga cuando existe un campo magnético es:
⃗⃗) 𝑛 · 𝑙⃗ · 𝐴
𝐹⃗ = (𝑞 · 𝑣⃗ 𝑥 𝐵

Sabiendo que: 𝐼 = 𝑛𝑞𝑣𝐴, la fuerza puede escribirse como:

𝐹⃗ = 𝐼 · (𝑙⃗ 𝑥 𝐵
⃗⃗)

Tal que, 𝑙⃗ es el vector cuyo módulo es la longitud del conductor y cuya

dirección es paralela a la corriente. La regla del tornillo nos permite
calcular la dirección y sentido de esa fuerza.
En general, para conocer la fuerza sobre un conductor de cualquier forma se escoge un elemento diferencial
𝑑𝐹⃗ que actúa sobre un elemento de corriente de longitud 𝑑𝑙⃗, resultando:

𝑑𝐹⃗ = 𝐼(𝑑𝑙⃗ 𝑥 𝐵)

Al elemento 𝐼 · 𝑑𝑙⃗ se le denomina elemento de corriente. De la anterior expresión, vamos integrando según
los tramos que nos vayamos encontrando.
3. Fuerza ejercida por un campo magnético sobre una espira rectangular.
Cuando hablamos de una espira con forma rectangular por la que
circula corriente, en el interior de un campo magnético uniforme esta
sufre un conjunto de acciones magnéticas que producen en ella un
movimiento de giro o rotación hasta situarla paralela al campo
magnético.
Supongamos una espira rectangular por la que circula una corriente
I que se encuentra en una región con un campo magnético uniforme
cuya dirección es la del eje X. La orientación de la espira se describe
mediante un vector unitario 𝑛⃗⃗ perpendicular al plano de la espira y
cuyo sentido se determina aplicando la regla de la mano derecha.
 Aplicando la ecuación: 𝐹⃗ = 𝐼 · (𝑙⃗ 𝑥 𝐵
⃗⃗) podemos calcular la fuerza
de cada uno de los lados. Tal que:
𝐹1 = 𝐼 · 𝑎 · 𝐵 · 𝑠𝑒𝑛 𝜃 → 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑐𝑖ó𝑛 − 𝑌
𝐹2 = 𝐼 · 𝑏 · 𝐵 · 𝑠𝑒𝑛 𝜃 → 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑐𝑖ó𝑛 − 𝑍
𝐹3 = 𝐼 · 𝑎 · 𝐵 · 𝑠𝑒𝑛 𝜃 → 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑐𝑖ó𝑛 𝑌
𝐹4 = 𝐼 · 𝑏 · 𝐵 · 𝑠𝑒𝑛 𝜃 → 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑐𝑖ó𝑛 𝑍
Conclusiones: la fuerza neta es cero,

Teniendo que r es el vector distancia entre el centro de giro y el alambre 4, podemos afirmar que el
momento resultante, momento de torsión o torque de la sección 4 es;

𝜏4 = 𝑟⃗ × ⃗⃗⃗⃗
⃗⃗⃗⃗ 𝐹4 → |𝜏4 | = 𝑟 · 𝐹4 · 𝑠𝑒𝑛 ̂
𝑟𝐹
Denominamos momento dipolar magnético o simplemente momento magnético 𝜇⃗ de la espira de corriente
a:
𝑀𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑚𝑎𝑔𝑛𝑒𝑡𝑖𝑐𝑜: 𝜇⃗ = 𝑁 · 𝐼 · 𝐴 · 𝑛⃗⃗
⃗⃗ = 𝑁𝐼𝐴𝐵 𝑠𝑒𝑛 𝜓
𝑀𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑟𝑒𝑠𝑢𝑙𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑓𝑢𝑛𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑚𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑚𝑎𝑔𝑛𝑒𝑡𝑖𝑐𝑜: 𝜏⃗ = 𝜇⃗ 𝑥 𝐵
Tal que, 𝜇⃗ tiene la misma dirección y sentido que la normal a la espira. N es el número de vueltas.
4. Energía en las espiras.

La energía potencial es mínima cuando el momento magnético 𝜇⃗ está alineado con el campo magnético 𝐵 ⃗⃗,
es decir, cuando el ángulo entre ellos es cero. El par de fuerzas 𝐹2 y 𝐹1 hará girar la espira hasta que el
momento magnético y el campo queden alineados. La energía potencial de la espira viene dada por:
𝑈(𝜓) = −𝜇 · 𝐵 · cos 𝜓
5. Líneas de campo magnético.
Existen dos diferencias entre las líneas de campo eléctrico y las líneas de campo magnético, las cuales, son:

• Las líneas de campo eléctrico poseen la dirección de la fuerza eléctrica sobre una carga positiva
mientras que las líneas de campo magnético son perpendiculares a la fuerza magnética sobre una carga
móvil.
• Las líneas de campo eléctrico comienzan en las cargas positivas y terminan en las cargas negativas. Las
líneas del campo magnético forman circuitos cerrados. Como los polos magnéticos aislados no existen,
no hay puntos en el espacio en donde las líneas de campo magnético comiencen o terminen.

6. Efecto Hall.
Cuando por un material conductor o semiconductor, circula una corriente eléctrica, y estando este mismo
material en el seno de un campo magnético, se comprueba que aparece una fuerza magnética en los
portadores de carga que los reagrupa dentro del material, esto es, los portadores de carga se desvían y
agrupan a un lado del material conductor o semiconductor, apareciendo así una variación de potencial.
Se tiene una barra de un material desconocido y se quiere saber cuáles son sus portadores de carga. Para
ello, mediante una batería se hace circular por la barra una corriente eléctrica. Una vez hecho esto, se
introduce la barra en el seno de un campo magnético uniforme y perpendicular a la tableta. Aparecerá
entonces una fuerza magnética sobre los portadores de carga, que tenderá a agruparlos a un lado de la
barra, apareciendo de este modo una tensión Hall y un campo eléctrico Hall entre ambos lados de la barra.
Dependiendo de si la diferencia de potencial es positiva o negativa y conociendo la dirección del campo
magnético y del campo eléctrico originado por la batería, se puede deducir si los portadores de carga de la
barra de material son positivos o negativos.
 Se trata de una cinta de metal de longitud L, la cual está
sometida a una diferencia de potencial, de un extremo al
otro, con lo que aparece una corriente I. Además, esta cinta
está en el seno de un campo magnético.
Sabiendo que las líneas de campo entran podemos deducir
que:

• Si la carga es positiva, la corriente va en dirección +Z por

lo que la fuerza ira en dirección – Y.
• Si la carga es negativa, la corriente va en dirección,
-Z, dándonos la regla de la mano derecha una
dirección +Y de la fuerza, sin embargo, teniendo en
cuenta que la carga es negativa, la fuerza ira en
dirección -Y.

Si los portadores carga son negativos las cargas negativas se acumulan en el lado izquierdo, haciendo que
el lado “a” este a menor potencial que el lado “b”, si los portadores de carga son positivos, el lado “a” tendrá
mayor potencial que el lado “b”.
7. Campo magnético creado por cargas puntuales en movimiento.

El campo magnético 𝐵 ⃗⃗ creado por un punto p, situado en 𝑟⃗𝑝 , por una carga q positiva que se mueve en el
vacío a una velocidad 𝑣⃗ en la posición 𝑟⃗, viene dado por:

𝜇0 𝑞 · 𝑣
⃗⃗⃗⃗𝑥 (𝑟⃗⃗⃗⃗
𝑝 − 𝑟⃗)
⃗⃗ =
𝐵 ·
4𝜋 3
|𝑟⃗⃗⃗⃗ − 𝑟⃗|
𝑝

Está ecuación muestra la forma del campo magnético debida a una carga en movimiento. El campo depende
del tiempo dado que la posición del punto p varía al alejarse o acercarse la carga. La dirección del campo
magnético vendrá dada por la regla del tornillo haciendo girar el vector 𝑣
⃗⃗⃗⃗ hacia el vector (𝑟⃗⃗⃗⃗
𝑝 − 𝑟⃗)

Además, 𝜇0 es la permeabilidad del vacío que se define como la capacidad de un material o medio para
atraer y hacer pasar a través del campo magnético. Su valor y unidad en el SI es:
𝑇·𝑚 𝑁
𝜇0 = 4𝜋 · 10−7 ( ) ( 2)
𝐴 𝐴
8. Campo magnético creado por corrientes eléctricas: Ley de Biot y Savart.
Supongamos, que se tiene un alambre conductor por el que circula una corriente eléctrica, I, esto implica
que existe movimiento de cargas, por consiguiente, aparecerá un campo magnético. Para deducir dicho
campo basta con considerar un elemento diferencial de corriente 𝐼 · 𝑑𝑙⃗. El campo magnético d𝐵
⃗⃗ producido
por ese elemento diferencial viene dado por:

𝜇0 𝐼 · 𝑑𝑙⃗ 𝑥 (𝑟⃗⃗⃗⃗2 − 𝑟⃗1 )

⃗⃗ =
𝑑𝐵 · → 𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝐵𝑖𝑜𝑡 − 𝑆𝑎𝑣𝑎𝑟𝑡
4𝜋 𝑟1 3
|𝑟⃗⃗⃗⃗2 − ⃗⃗⃗⃗|

Tal que, ⃗⃗⃗⃗

𝑟2 es el vector de posición del punto donde queremos calcular
el campo magnético, esto es, el punto P y ⃗⃗⃗⃗
𝑟1 es el vector de posición del
elemento diferencial 𝑑𝑙⃗. Así, para calcular el campo magnético debido a
un conductor, basta con integrar la ecuación anterior aplicada al camino
que marca el conductor.
Mientras que el campo eléctrico apunta en la dirección radial, el campo magnético es perpendicular tanto
a la dirección de la fuente como a la del vector (𝑟⃗⃗⃗⃗2 − 𝑟⃗1 ) de la fuente del punto. La dirección de 𝑑𝑙⃗ esta
determinada por la dirección de la corriente.
A modo de síntesis podemos afirmar que el módulo del campo magnético creado por un alambre finito
viene dado por:
𝜇0 𝐼
𝐵= · (𝑠𝑒𝑛 𝜃2 − 𝑠𝑒𝑛 𝜃1 ) → 𝐻𝐼𝐿𝑂 𝐹𝐼𝑁𝐼𝑇𝑂
4𝜋 𝑏
Y el sentido se determina por la regla del tornillo entre los vectores 𝑑𝑙⃗ y (𝑟⃗⃗⃗⃗2 − 𝑟⃗1 ). Cuando 𝐿 ≫ 𝑏 entonces
𝜋
se puede considerar 𝜃 como 2 , por lo que para un hilo infinito quedaría así:

𝜇0 𝐼
𝐵= · → 𝐻𝐼𝐿𝑂 𝐼𝑁𝐹𝐼𝑁𝐼𝑇𝑂
2𝜋 𝑏
9. Flujo magnético.
El flujo magnético es el flujo del campo a través de cualquier superficie. El flujo de un campo magnético a
través de una superficie se determina de un modo semejante al flujo de un campo eléctrico. Sea da un
elemento de área sobre la superficie y 𝑛 el vector unitario perpendicular al elemento. El flujo magnético se
define por la expresión:

𝜙=∮ 𝐵 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = ∮ 𝐵
⃗⃗ · 𝑑𝐴 ⃗⃗ · 𝑛⃗⃗𝑑𝐴 =
𝑆 𝑆

La unidad del flujo magnético es la unidad del campo magnético por la unidad del área, es decir, tesla por
metro cuadrado. A esta unidad se la denomina Weber (Wb) = 1𝑇 · 𝑚2
10. Ley de gauss para el magnetismo.
Al tener todos los imanes un polo norte y un polo sur, el flujo magnético total a través de cualquier
superficie cerrada S es siempre cero, es decir, el flujo saliente del polo norte esta siempre compensado con
el flujo entrante en el polo sur.

⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = 0
⃗⃗ · 𝑑𝐴
∮ 𝐵
𝑆

11. Ley de Ampère.

Esta ley relaciona un campo magnético estático con la causa que lo produce, es decir, una corriente
estacionaria. La ley de ampere se escribe:

⃗⃗ · 𝑑𝑙⃗ = ∮ 𝐵𝑡 · 𝑑𝑙 = 𝜇0 · 𝐼
∮𝐵
𝐶

Con la Ley de Ampere se cumple que para cualquier curva siempre y cuando las corrientes sean
estacionarias y continuas, es decir, que la corriente no varía en el tiempo y que no exista acumulación
espacial de carga.
La ley de Ampere nos permitirá calcular el campo magnético por una distribución de corrientes cuando
existe cierta simetría. Los pasos para aplicar la ley de Ampere son similares a los definidos en la ley de
Gauss:
1. Dada la distribución de corrientes, deducir la dirección y sentido del campo magnético.
2. Elegir un camino cerrado apropiado, atravesado por las corrientes y calcular la circulación del
campo magnético. Un camino apropiado es aquel en el que el campo magnético se mantiene
constante y tangente a este.
⃗⃗ · 𝑑𝑙⃗
3. Determinar la circulación, es decir, la integral: ∮ 𝐵
𝐶
4. Determinar la intensidad de la corriente neta que atraviesa el camino cerrado.
5. Aplicar la ley de ampere y despejar el módulo del campo magnético.
 12. Ley de Faraday y ley de Lenz
Ley de Michael Faraday: En un circuito se induce una fuerza electromotriz (f. e. m) proporcional a la
variación del flujo a través de la superficie que limita el circuito. Esta variación puede ser debida a un
cambio con el tiempo del campo magnético 𝐵 ⃗⃗, el movimiento del circuito dentro de un campo magnético o
ambas situaciones.
Ley de Lenz: la corriente debida a la f.e.m inducida se opone al cambio de flujo, es decir, la corriente
inducida crea un campo magnético que tiende a conservar el flujo. Si disminuye el flujo la corriente
inducida crea un campo que se opone a esta disminución.
La expresión matemática que resume estas dos ideas se conoce como Ley de Faraday y nos dice que la
𝑓. 𝑒. 𝑚 inducida, 𝜀 , es igual a:
𝑑𝜙
𝜀=−
𝑑𝑡
Además, podemos expresarla en función del campo eléctrico. Así, la fuerza electromotriz debida a un campo
magnético no conservativo viene dada por:

⃗⃗⃗⃗
𝜀 = ∮𝐸⃗⃗ · 𝑑𝑙
𝑐

𝑑
⃗⃗⃗⃗ = −
∮𝐸⃗⃗ · 𝑑𝑙 ∮ 𝐵 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
⃗⃗ · 𝑑𝐴
𝑐 𝑑𝑡 𝑆

Esta última expresión representa una de las ecuaciones fundamentales del electromagnetismo. Esta ley nos
dice que un campo eléctrico puede ser generado por el flujo variable de un campo magnético, refleja como
el campo eléctrico no es conservativo cuando su origen es un campo magnético que varía con el tiempo.
Además, muestra la dependencia entre los dos campos.
La variación del flujo puede lograrse de tres maneras:

• Variación del campo magnético en el tiempo.

• Movimiento del circuito en un campo magnético
• Ambas causas.
MEDIOS ESTACIONARIOS
En este caso el circuito no se mueve ni cambia de forma o tamaño. La variación del flujo magnético
únicamente es debida al cambio del campo magnético con el tiempo. Teniendo en cuenta esto, la ecuación
quedaría de la siguiente forma:

𝜕
⃗⃗⃗⃗ == −
∮𝐸⃗⃗ · 𝑑𝑙 ∮ 𝐵 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
⃗⃗ · 𝑑𝐴
𝑐 𝜕𝑡 𝑆

Cuando se introduce en un campo magnético variable con el tiempo un conductor, el campo magnético
produce un campo eléctrico variable en el interior del conductor que ejerce una fuerza sobre los electrones
libres y, por tanto, se induce una corriente. Esta corriente, a su vez, genera un campo magnético que se
opone a los cambios de flujo debidos al campo magnético variable.
Por otro lado, la corriente inducida, disipa energía debido a que la conductividad del conductor es finita y,
como consecuencia, se calienta.
MEDIOS EN MOVIMIENTO
También se produce variación de flujo magnético cuando el circuito se mueve con una velocidad 𝑣⃗ aunque
el campo magnético permanezca constante. Para entenderlo véase ejemplo de página 147 del libro oficial.
 13. Inductancia.
Es una medida de la oposición a un cambio de corriente de un inductor o bobina que almacena energía en
presencia de un campo magnético, y se define como la relación entre el flujo magnético (Φ ) y la intensidad
de corriente eléctrica I que circula por la bobina y el número de vueltas (N) del devanado:

• Autoinductancia: Se llama autoinducción de un circuito a la formación de corrientes inducidas en el

circuito cuando se produce en él variación del propio flujo.

Cuando por un circuito circula una corriente eléctrica, se crea a su alrededor un campo magnético. varía
la intensidad de la corriente, dicho campo también variará y, según la ley de inducción electromagnética
de Faraday, en el circuito se producirá una fuerza electromotriz inducida que se denomina fuerza
electromotriz autoinducida.

Supongamos una bobina por la que circula una corriente I. La corriente produce un campo magnético
B que varía de un punto a otro, pero en todos los puntos el campo es proporcional a la corriente. Por
tanto:
𝜙 = 𝐿 · 𝐼 → 𝐿: 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑙𝑙𝑎𝑚𝑑𝑎 𝑎𝑢𝑡𝑜𝑖𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑏𝑜𝑏𝑖𝑛𝑎
La L depende de la forma de la bobina. La unidad en el SI de la inducción es el Henrio que según la
ecuación es igual a:
𝑊𝑏
1𝐻 = 1
𝐴
Teniendo en cuenta la ley de Faraday resulta que:
𝑑 𝑑𝐼
𝜀=− 𝜙𝑚 = −𝐿
𝑑𝑡 𝑑𝑡

En resumen, la f.e.m. inducida es proporcional a la

variación de corriente. Un solenoide con muchas vueltas
posee una gran autoinducción denominándose inductor.
Normalmente, podemos despreciar la autoinducción del
resto del circuito comparado con la de un inductor.

• Inductancia mutua: los efectos del cambio de la corriente eléctrica se producen sobre un segundo
circuito.
Cuando se dispone de varios circuitos próximos
entre sí, el flujo magnético que atraviesa uno de
ellos depende de la corriente en este circuito y de la
corriente que circula por los circuitos próximos.
Supongamos dos circutios proximos uno de otro tal
y como se muestra en la figura de la derecha,
fijandonos en la imagen, podemos deducir que:
𝜙𝑚1 = 𝐿1 · 𝐼1 + 𝑀1,2 · 𝐼2

Tal que, 𝐿1 es la autoinducción del circuito 1 y 𝑀1,2 es la inducción mutua de los dos circuitos. Además:

𝜙𝑚2 = 𝐿2 · 𝐼2 + 𝑀2,1 · 𝐼1

La inductancia mutua depende de las características físicas y constructivas de cada circuito y de la posición
y orientación entre ellos. Aunque no es obvio, por lo que se omite en este contexto la demostración, las
inductancias mutuas son iguales, es decir:
𝑀1,2 = 𝑀2,1 = 𝑀
 14. Energía magnética.
Todo elemento portador de corriente en un circuito crea un campo magnético y por consiguiente, tiene una
inductancia. Los elementos de un circuito tienen una energía asociada con su campo magnético. Un
inductor almacena energía magnética del mismo modo que un condensador almacena energía eléctrica.
Aplicando la ley de las mallas de Kirchhoff, tenemos que:
𝑑𝑊 𝑑𝐼
=𝐿·𝐼·
𝑑𝑡 𝑑𝑡
Vemos que, si la corriente aumenta, la potencia será positiva lo que significa que la fuente externa debe
realizar trabajo para suministrar energía positiva al inductor, en definitiva, la energía del inductor aumenta.
Por contra, si la corriente desciende la potencia pasa a ser negativa lo que significa que la fuente toma
energía del inductor disminuyendo éste su energía interna.
Llamamos energía del inductor al aumento de energía al pasar la corriente de cero a I:
1
𝑈𝐿 = 𝐿 · 𝐼 2
2
 TEMA 4: CIRCUITOS DE CORRIENTE CONTINUA

1. Introducción.
Cualquier tipo de señal en un circuito se puede descomponer en otras componentes más simples. En una
primera clasificación podemos diferenciar entre:

Según la variación de su magnitud con el tiempo.

Señales constantes: Son aquellas en las que su Señales variables: son aquellas en las que su
magnitud se mantiene constante en el tiempo magnitud varia con el tiempo.
Según su continuidad
Señales continuas: Es continua cuando para todo Señales discontinuas: En el caso de que haya algún
instante t son iguales los valores de la señal, en ese instante en el que los limites laterales no
instante, tanto para el limite lateral derecho como coincidan, podemos decir que se trata de una
el izquierdo. (manera tradicional de entender lo señal discontinua.
que es una función continua)
Según el signo de la magnitud
De signo constante: Estas siempre mantiene el De signo variable: El signo varía a lo largo del
mismo signo, este tipo de señales pueden ser tiempo, podemos afirmar que este tipo de señal
tanto señales constantes como variables. solo puede ser variable.
Según determinismo
Señales deterministas: Son aquellas señales que se Señales aleatorias: No hay un patrón que permita
pueden expresar mediante una ecuación establecer una fórmula matemática que prediga el
matemática que predice como se comportará esa comportamiento de la señal.
señal en cualquier instante t.
Según su periodicidad
Señales periódicas: son señales Señales alternas: son señales periódicas cuyo valor instantáneo
variables y deterministas. Sus valores y signo varia de forma continúa siendo su valor medio igual a
se repiten cada cierto tiempo cero. La señal alterna será aquella señal periódica de valor
constante. A este tiempo se le medio nulo, de amplitud A, de frecuencia f y que sigue una
denomina periodo T, cumpliéndose variación regida por la función seno y coseno:
que:
1 ℎ(𝑡) = 𝐴 · 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)
ℎ(𝑡 + 𝑇) = ℎ(𝑡); 𝑓 = ; 𝜆 = 𝑐 · 𝑇 ℎ(𝑡) = 𝐴 · cos (𝑤𝑡)
𝑇
2𝜋
donde 𝑤 = 2𝜋𝑓 = = 𝑅𝑎𝑑𝑖𝑎𝑛𝑒𝑠 𝑠𝑒𝑔𝑢𝑛𝑑𝑜𝑠
𝑇
𝐴
Además: 𝑉𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 =
√2
2. La corriente eléctrica.
Consiste en el flujo de cargas eléctricas que atraviesa la sección transversal de un cable por unidad de
tiempo. Sea ∆𝑄 la carga que fluye a través de un área transversal A, en un tiempo ∆𝑡. La corriente o
intensidad de corriente I, viene dada por:
∆𝑄 𝐶
𝐼= ( ó 𝐴)
∆𝑡 𝑆
El movimiento de los electrones libres en un conductor es muy complicado, en ausencia de campo eléctrico
se mueven con direcciones aleatorias y velocidades grandes, del orden de 10^6 m/s, la velocidad media
suele ser cero. Sin embargo, bajo la influencia de un campo eléctrico constante 𝐸⃗ , los electrones libres del
metal se encuentran sometidos a una fuerza: −𝑒𝐸⃗ , esto hace que terminen teniendo una velocidad
uniforme, este desplazamiento es opuesto al sentido del campo, es decir, es opuesto al sentido de los
potenciales crecientes. Al modulo de esa velocidad media dirigida en sentido opuesto al campo, se le
denomina velocidad de deriva (𝑣𝑑 ). La intensidad de corriente viene dada también por la siguiente
expresión:
∆𝑄
𝐼= = 𝑞 · 𝑛 · 𝐴 · 𝑣𝑑
∆𝑡
Tal que “n” es el número de partículas libre por unidad de volumen, “q” es la carga que transporta cada
partícula, 𝑣𝑑 es la velocidad de desplazamiento.
Se define por vector densidad de corriente Se define por vector densidad de corriente 𝐽, a la corriente por
𝐼
unidad de área, esto es, 𝐽 = . Teniendo en cuenta la anterior expresión, resulta que: 𝐽 = 𝑞 · 𝑁 · ⃗⃗⃗⃗
𝑣𝑑
𝐴

Principio de conservación de la carga: cuando tenemos un flujo estable, en el cual, las corrientes no varían
con el tiempo, la corriente total que entra en una sección del conductor debe ser igual a la corriente que
sale de esta sección. Así, la corriente es igual en todos los lugares a lo largo de un alambre, aun cuando el
área cambie.
3. Resistencia y Ley de Ohm.
Cuando se aplica un campo eléctrico a un conductor, se genera una corriente. Podemos considerar que la
diferencia de potencial, V, debida al campo eléctrico, es la fuente de movimiento. En un metal, al ser las
cargas libres negativas, estas se mueven en dirección opuesta al campo eléctrico, los electrones
interaccionan con los iones de la red del metal produciendo fuerzas contrarias a su movimiento (esto
impide que la velocidad del electrón aumente indefinidamente).
La resistencia eléctrica es una medida de la facilidad con la que fluye carga en el interior del material. Se
define la resistencia eléctrica como la relación entre el voltaje o diferencia de potencial y la corriente que
pasa por el:
𝑉 𝑉
𝑅= → 𝑠𝑒 𝑚𝑖𝑑𝑒 𝑒𝑛 𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠 (𝛺 = 1 )
𝐼 𝐴

cuando la resistencia se mantiene constante

entre unos límites de diferencia de potencial
decimos que el material es óhmico. La resistencia
de un alambre conductor, de determinado
material, puede variar con su forma. Un aumento
del área transversal de un alambre hace que
pueda circular más corriente, por lo que se
reduce la resistencia (la resistencia es
inversamente proporcional al Área de su sección
transversal), sin embargo, a mayor longitud del
alambre, mayor resistencia (la resistencia es
directamente proporcional a la longitud del
alambre), por todo esto:
𝐿
𝑅 =𝜌·
𝐴
Tal que: 𝜌 es una constante llamada, resistividad
del material, la cual, depende de cada material
concreto.
El reciproco de la resistividad es la conductividad, 𝜎:
1
𝜎=
𝜌
Para un segmento de cable de longitud L, sección transversal A y resistencia R, por el que circula una
corriente I, la diferencia de potencial a lo largo de dicho segmento viene dada por:
𝐿 𝐿
𝑉 = 𝑅 · 𝐼 → 𝑅 · 𝐼 = 𝐼𝜌 →𝑅=𝜌
𝐴 𝐴
Si 𝑉 = 𝐸 · 𝐿 (principio del tema dos nos dice que V = 𝐸 · 𝑑𝑙 y que 𝐼 = 𝐽 · 𝐴. Sustituyendo, tenemos que:

𝐸 = 𝑝 · 𝐽 → 𝐸⃗ = 𝑝 · 𝐽 → 𝐸⃗ · 𝜎 = 𝐽

𝐽 es la densidad corriente en un punto del conductor.

 4. Circuitos eléctricos.
Un circuito eléctrico es un conjunto de elementos conectados de una forma concreta a través de
conductores. Cabe destacar, que las conexiones entre los elementos de un circuito eléctrico se consideran
ideales, es decir, que no hay perdida de tensión con respecto a la referencia común. Podemos encontrar
diferentes tipos de clasificaciones:

Según su linealidad
Circuitos lineales: se clasifica como lineal cuando Circuitos no lineales: cuando existe un componente
todos sus componentes son lineales. De manera con un comportamiento no lineal se considera el
informal, un circuito lineal es aquel que no cambia circuito no lineal.
los valores de los componentes electrónicos como
su resistencia eléctrica, capacitancia, inductancia,
ganancia al variar el voltaje o la corriente en el
circuito.
Según el tipo de elementos del circuito
Circuitos activos: Esta conformados por elementos Circuitos pasivos: Formado por componentes que
que disipan energía. suministran energía.
Circuitos con parámetro concentrados y distribuidos
Parámetros concentrados: la distancia no afecta a Parámetros distribuidos: Sale de los objetivos de la
la propagación de señales, la propagación es asignatura.
instantánea.
Según la corriente
Corriente continua: circula corriente siempre en el Corriente alterna: la corriente varia su magnitud y
mismo sentido y con el mismo valor. su sentido cíclicamente. La forma de oscilación más
común utilizada es la oscilación sinusoidal dado
que se consigue una transmisión más eficiente de
energía.
Circuitos eléctricos o electrónicos
Eléctricos: son aquellos que solo tienen Electrónicos: son aquellos que tienen componentes
componentes eléctricos. electrónicos.

MAGNITUDES FUNDAMENTALES EN LOS CIRCUITOS ELÉCTRICOS

CONCEPTO BREVE DESCRIPCIÓN Observaciones
Intensidad de Flujo de cargas eléctricas que atraviesan la 𝑞(𝑡) aunque lo que se muevan sean
corriente sección transversal de un cable a lo largo del los electrones, la consideramos
𝑑𝑞(𝑡) positiva.
tiempo. 𝑖(𝑡) = 𝑑𝑡 . Se mide en amperios.

Tensión Es la diferencia de potencial entre dos puntos, en Se mide con el voltímetro. La

los elementos pasivos, la tensión tendrá el diferencia de potencial entre X e Y
mismo sentido que la corriente. se mide como:
𝑉𝑥 − 𝑉𝑦 (no se hace de la manera
tradicional)
Tierra o masa Para determinar el potencial en un punto era Se tiene en cuenta si la referencia
necesario definir un punto de referencia en es local (terminal común o masa) o
donde el potencial se nulo. global (superficie de tierra)

Potencia Consiste en la cantidad de energía absorbida por 𝑑𝑊 𝑑𝑞 𝑑𝑞

𝑃= =𝑉· ; 𝑐𝑜𝑚𝑜 𝐼 =
un elemento, por unidad de tiempo. Se mide en 𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑡
W(vatios). Una potencia positiva nos indica que 𝑃 =𝑉·𝐼
el elemento consume energía. Si el elemento Para los materiales óhmicos:
cede energía la potencia será negativa 𝑉2
𝑃 = 𝑅 ó 𝑃 = 𝑅 · 𝐼 2 (Ley de Joule)
La ley de joule expresa que la potencia eléctrica que se transforma en térmica es igual
a la resistencia por el cuadrado de la intensidad de corriente que la atraviesa. El
trabajo eléctrico puede transformarse en energía de otro tipo.
 Energía Un circuito eléctrico está compuesto normalmente por:
• elementos activos que generan energía eléctrica (baterías) La energía generada
por los elementos activos puede ser disipada en el propio elemento o pueden ser
transferida al circuito bien sea para almacenarla (condensadores o bobinas) o
cederla al circuito (resistencias).
• elementos pasivos que consumen energía (resistencias) todos ellos conectados
entre sí.
• La unidad en el SI de la energía es el Julio (J) aunque la unidad técnica más habitual
es el kilovatio-hora = 3,6 · 10^6 julios
Impedancia Establece el cociente entre la tensión y la intensidad de corriente y su unidad de
medida es el ohmio. Tiene especial importancia si la corriente varia en el tiempo. En
circuitos de corriente continua la impedancia coincide con el valor de la resistencia, en
la corriente alterna la impedancia se describirá como un numero complejo.

5. Elementos básicos.
FUENTES DE ENERGÍA ELÉCTRICA
Un aparato que suministra energía eléctrica recibe el nombre de fuente de energía eléctrica. Cuando existe
varias fuentes puede que algunas de estas fuentes, en lugar de suministrar, consuman energía.
Fuentes de tensión: Son elementos activos (generan
energía) capaces de generar una diferencia de
potencial entre sus bornes. En la imagen de la
izquierda podemos apreciar que el terminal con la
barra más larga o con el signo “+” representa la zona
de mayor potencial, tenemos los siguientes ejemplos
de fuentes de tensión:
▪ Baterías o pilas: transforman energía química en energía eléctrica.
▪ Generadores: transforman energía mecánica en energía eléctrica.
Además, las fuentes de tensión pueden ser:
▪ Ideales: La diferencia de potencial entre los terminales de la fuente es igual al valor absoluto de la f.e.m
de la fuente.
▪ Reales: La diferencia de potencial entre los terminales de la fuente, no es igual a la fuerza electromotriz
de la batería, en ellas existen perdidas. A efectos de circuito, una fuente de tensión real puede sustituirse
por una fuente ideal y una pequeña resistencia en serie con la fuente ideal denominada resistencia
interna.
Fuentes de intensidad: Son fuentes que proporcionan una corriente eléctrica.
Además, las fuentes de intensidad pueden ser:

• Ideales: cuando la corriente no depende de la tensión que haya entre los

terminales de la fuente.
• Reales: cuando la corriente que suministra la fuente varía con la tensión
que haya entre los terminales de la fuente.
Fuentes dependientes: son aquellas cuyo valor de salida es proporcional a la tensión o a la corriente en otra
parte del circuito. La tensión o corriente de la que depende se llama variable de control y la constante de
proporcionalidad se denomina ganancia.

Fuente de tensión Fuente de tensión Fuente de corriente Fuente de corriente

controlada por tensión. controlada por corriente controlada por tensión. controlada por corriente
 RESISTENCIAS
Desde un punto de vista de circuitos, las resistencias o resistores son los elementos diseñados para
introducir una resistencia eléctrica (oposición que presenta un material al ser atravesado por una corriente
eléctrica) en un circuito. En esas resistencias se cumple la ley de ohm. Tenemos los siguientes tipos:

• Resistencias fijas lineales: El valor de la resistencia se

fija en el proceso de fabricación. Las resistencias
comerciales se pintan con bandas de colores para
indicar el valor de la resistencia siguiendo un código de
colores. Los símbolos para representar resistencias
lineales son:

• Resistencias variables o potenciómetros: permiten al diseñador modificar su valor dentro de un rango

de valores. Son resistencias variables de tres terminales dos de ellos fijos y el otro variable. Existen dos
tipos:
o Potenciómetros deslizantes: son realizados con una pista de carbón sobre un soporte duro. La
pista tiene dos contactos, uno en cada extremo, estos dos contactos son los dos terminales fijos,
mientras que el terminal variable es un cursor conectado a un patín que se desliza por la pista
resistiva permitiendo así la variación de la resistencia.

o Potenciómetros bobinados: arrollamiento toroidal de un hilo resistivo con un cursor que mueve
un patín sobre el mismo, que es el terminal variable.

Lo interesante de su uso es que permiten controlar la

intensidad de corriente que fluye por un circuito cuando
se conecta en paralelo o la diferencia de potencial si se
conectan en serie. Los símbolos para representarlos son
los de la derecha.

• Resistencias no lineales: la resistencia varía de forma no lineal, en función de distintas magnitudes

físicas (temperatura, luminosidad, campo magnético…etc.) Estas resistencias se consideran sensores:
entre los más comunes podemos encontrar:
o Termistores: resistencia en función de la temperatura.
o Varistores: resistencia en función de la tensión.
o Foto-resistencias: resistencia en función de la luz.
Asociaciones de resistencias

• Resistencias en serie: dos o más resistencias están conectadas en serie

cuando por ellas circula la misma corriente I, tal y como se ilustra en la
imagen de la derecha. Sea 𝑉𝑎𝑏 la caída de tensión entre los puntos a y b.
La caída de potencial en cada una de las resistencias vendrá dada por la
ley de Ohm, esto es:

𝑽𝒂𝒃 = 𝑉𝑎𝑥 + 𝑉𝑥𝑏 = 𝑅1 · 𝐼 + 𝑅2 · 𝐼 = 𝐼(𝑅1 + 𝑅2 )

Por tanto, la resistencia equivalente a dos resistencias conectadas en serie viene dada por:

𝑅 = 𝑅1 + 𝑅2 + ⋯ + 𝑅𝑛
• Resistencias en paralelo: dos o más resistencias están conectadas en paralelo
cuando en ellas existe la misma diferencia de potencial 𝑉𝑎𝑏 . En el punto “a” la
corriente I se divide en dos partes, 𝐼1 que circula por la resistencia 𝑅1 y la
segunda parte, 𝐼2 , que es la corriente que circula por la resistencia 𝑅2 .
Sabiendo que 𝐼 = 𝐼1 + 𝐼2 . Aplicando la ley de ohm se tiene que:
𝑉𝑎𝑏 𝑉𝑎𝑏 𝑉𝑎𝑏 1 1 1
= + → = +
𝑅 𝑅1 𝑅2 𝑅 𝑅1 𝑅2
LOS CONDENSADORES
La tensión y la carga eléctrica entre los terminales de un condensador no puede variar bruscamente, pero
sí que puede variar la corriente. Cuando introducimos un condensador en un circuito se comporta como un
elemento capaz de almacenar energía durante su periodo de carga y como un elemento que cede energía
𝑄
durante su periodo de descarga. Su capacidad viene dada por: 𝐶 = 𝑉

LAS BOBINAS
Almacenan energía eléctrica en forma de campo magnético (como flujo magnético). Está formado por una
bobina de conductor, que puede ser alambre o hilo de cobre esmaltado. En una bobina la intensidad de
corriente no puede variar instantáneamente, sin embargo, la tensión si podría hacerlo.
TRANSFORMADORES
Transforma la energía eléctrica alterna de un valor de tensión, en
energía alterna de otro valor de tensión, empleando el fenómeno de la
inducción magnética. Consiste en dos o más bobinas de material
conductor, enrolladas sobre un núcleo cerrado de material
ferromagnético y aisladas entre si eléctricamente, la única relación
entre las bobinas es el flujo magnético común que se establece en el
núcleo. A la bobina de entrada se le llama primario y a la de salida se le
llama secundario.
Cuando se aplica una fuerza electromotriz alterna en el devanado primero se produce la inducción de un
flujo magnético variable en el núcleo de hierro, este flujo produce una fuerza electromotriz en el
devanado secundario que dependerá del número de espiras que tenga este devanado secundario.
La relación de transformación, 𝑟𝑡 , indica el aumento o decremento de la tensión de salida respecto a la
tensión de entrada. Sabiendo que “N” es el número de espiras y que ε es la fuerza electromotriz, tenemos
que:
𝜀𝑝𝑟𝑖𝑚𝑎𝑟𝑖𝑜 𝑁𝑝𝑟𝑖𝑚𝑎𝑟𝑖𝑜
𝑟𝑡 = =
𝜀𝑖𝑛𝑑𝑢𝑐𝑖𝑑𝑎 𝑁𝑠𝑒𝑔𝑢𝑛𝑑𝑎𝑟𝑖𝑜

Si el número de vueltas del devanado del secundario es “n” veces mayor que en el primario, la fuerza
electromotriz inducida en el secundario será n veces mayor que la fuerza electromotriz inductora.
COMPONENTES ELECTRONICOS
Los componentes electrónicos son aquellos que forman parte de un circuito electrónico, los cuales, se
encapsulan en un material cerámico, metálico o plástico, y dispone de dos o más terminales metálicos.
Podemos diferenciar entre componentes electrónicos discretos o integrados, tal que:

• Discretos: son aquellos que se encuentran encapsulados tales como los diodos, transistores…etc.
• Integrados: forman conjuntos más complejos tales como las puertas lógicas.
 6. Partes de un circuito
• componente: son los componentes básicos
que pueden aparecer en un circuito (vistos en
apartado anterior).
• Nudo: punto donde tres o más elementos
tienen una conexión común a través de un
conductor ideal.
• Rama: una rama la forman los componentes
y conductores existentes entre dos nudos.
• Malla: cualquier circuito cerrado de ramas es
una malla, con la condición de que no pase dos
veces por el mismo nudo.
Hay distintos tipos de ramas:

• Rama común: Es una rama compartida por dos o más mallas.

• Rama externa: es una rama que pertenece solo a una malla.
• Rama pasiva: es la que no tiene ningún elemento activo, no tiene fuentes.
• Rama activa: existen fuentes o elementos activos y puede o no tener componentes pasivos como
resistencias.

7. Leyes de Kirchhoff.
Primera ley de KirchHoff o Regla de los nudos: la carga de un nudo del circuito debe permanecer constante
a que en un nudo ni se crean ni se destruyen cargas, por ello, se deduce que la suma algebraica de las
corrientes que entran en un nudo debe ser igual a la suma algebraica de las que corrientes que salen de ese
nudo. Esto es:
𝑛

∑ 𝐼𝑖 = 0 → 𝑛: 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑦 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠

𝑖=1

Segunda ley de KirchHoff o regla de las mallas: la suma algebraica de las variaciones de potencial a lo largo
de cualquier malla del circuito tiene que ser igual a cero. Esto es:
𝑛

∑ 𝑉𝑖 = 0
𝑖=1

Tal que, “n” es el número de componentes que encontramos a lo largo de la malla y 𝑉𝑖 la caída de tensión
del componente “i”.
8. Aplicaciones de las Leyes de Kirchhoff al análisis de circuitos.
Si tenemos, “r” ramas y “n” nudos, podemos afirmar que el número de mallas necesarias para resolver el
circuito será:
𝑚 = 𝑟 − (𝑛 − 1)
Una vez conocido este número debemos realizar los siguientes pasos:
1. Selecciona adecuada de las mallas: Todas las ramas del circuito deben pertenecer al menos a una
de las mallas seleccionadas.
2. Selección del sentido de las corrientes de malla: Se asignan unas corrientes hipotéticas a cada malla
y su sentido de circulación se elige normalmente como el sentido del movimiento de las agujas del
reloj.
3. Aplicación de la Ley de las Mallas de Kirchhoff: se crea un sistema de ecuaciones de tantas
ecuaciones como mallas y con tantas incógnitas como corrientes de malla. La idea básica es:
Si la corriente hipotética entra por el polo negativo, el voltaje de cada ecuación se expresa positivo, en
caso contrario, el voltaje se representa en negativo.
 Positivo si intensidad de malla original entra por el polo negativo de la batería. Nota: si hay
más de una fuente de tensión en la misma malla se realizan sumas o restas según los
sentidos de las corrientes de malla con respecto de cada una de las fuentes.

Positivo si Intensidad de malla original tiene mismo sentido que

intensidad de malla coincidente en esa rama, negativo caso contrario.
La idea básica es la siguiente:
±VoltajeDeMallaOriginal = IntensidadmallaOriginal · (SumaResistenciasMallaOriginal) ± IntensidadMallaCoincidente1 ·
SumaResistenciasCoincidentes1± ⋯ ± IntensidadMallaCoincidenteN·SumaResistenciasCoincidentesN

1. Calcular cuantas mallas necesitamos: 𝑚 = 𝑟 – (𝑛 − 1) → 𝑚 = 6 − (4 − 1)

2. Selección del sentido de las corrientes de malla: Marcado en amarillo.
3. Aplicación de la ley de mallas: 3 mallas = 3 ecuaciones

3 = 𝐼1 (2 + 10 + 10) − 𝐼2 · (10) − 𝐼3 · 10
1′ 5 = 𝐼2 · (10 + 10 + 2) − 𝐼1 · (10)
−1′ 5 = 𝐼3 · (10 + 2 + 10) − 𝐼1 · 10

“N” en este caso será el número de mallas coincidentes con la malla original. Téngase en cuenta que para cada malla
hay una ecuación como la anterior.

4. Calculo de las intensidades de rama: con los valores obtenidos para las corrientes de malla es fácil
calcular la corriente que circula por cada una de las ramas del circuito. Si la rama es externa, la
corriente que circula por ella será directamente la corriente de la malla a la que pertenezca. Si la
rama es común, entonces, la corriente que circula por ella viene dada por la suma algebraica de
las corrientes de las mallas a las que pertenece, pero siempre teniendo en cuenta el sentido de
cada una de las corrientes de malla con respecto al sentido supuesto por la corriente de rama.
Nota. Si el valor de la corriente de malla es negativo, la corriente de rama realmente irá en sentido opuesto.

9. Teorema de Norton.
Este teorema nos permite simplificar partes de un circuito, afirmando que cualquier parte de un circuito
lineal respecto de dos terminales, formada por fuentes de tensión y/o intensidad y resistencias, puede ser
reemplazado por una única fuente de corriente y una resistencia en paralelo. Para calcular el equivalente
Norton se realizan los siguientes pasos:
1. Se calcula el valor de la fuente de intensidad, para ello, cortocircuitamos (establecemos conexión)
entre los dos terminales y calculamos la intensidad que pasaría por ese circuito equivalente
2. Se calcula la resistencia equivalente anulando las fuentes independientes (se borran del circuito la
fuente de cualquier tipo) y alimentando el circuito con una fuente externa entre los dos terminales.
La resistencia equivalente es igual al cociente entre la tensión aplicada y la intensidad entrante del
circuito.
La intensidad de la corriente en una resistencia conectada a los terminales del circuito equivalente de
Norton ha de tener el mismo sentido que la que circularía por la misma impedancia conectada al circuito
original.
1. Calculo de la fuente de intensidad: establecemos una
conexión entre los puntos A y B y calculamos la intensidad
que pasaría por ahí. Para ello aplicamos mallas de
Kinghhoff. De donde nos sale que la intensidad entre A y B
es de 1 amperio.
2. Calculo de la resistencia equivalente: borramos las fuentes
de tensión y sumamos las resistencias en serie y en
paralelo siguiendo que:
• En serie: 𝑹𝒕𝒐𝒕𝒂𝒍 = 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 + ⋯ + 𝑹𝒏
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
• En paralelo: 𝑹 = 𝑹 +𝑹 + ⋯+ 𝑹
𝒕𝒐𝒕𝒂𝒍 𝟏 𝟐 𝒏
 10. Teorema de Thévenin.
El teorema de Thévenin afirma que cualquier parte de un circuito lineal formado por resistencias y fuentes
de tensión y/o intensidad respecto a dos terminales, puede ser reemplazada por una única fuente de
tensión y una resistencia en serie. Los pasos son los siguientes:
1. El valor de la fuente de tensión será la tensión entre los terminales a circuito abierto.
2. Calculo de la resistencia equivalente: anulamos las fuentes independientes y alimentamos el
circuito con una fuente externa conectada entre los terminales.

3. Calculo de la fuente de tensión: Dejamos el circuito abierto

entre los terminales A y B. Aplicamos ley de mallas o la ley
de ohm, para calcular la diferencia de potencial entre A y B.

4. Calculo de la resistencia equivalente: borramos las fuentes

de tensión cortocircuitándolas y sumamos las resistencias
en serie y en paralelo siguiendo que:
• En serie: 𝑹𝒕𝒐𝒕𝒂𝒍 = 𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 + ⋯ + 𝑹𝒏
𝟏 𝟏 𝟏 𝟏
• En paralelo: 𝑹 = 𝑹 +𝑹 + ⋯+ 𝑹
𝒕𝒐𝒕𝒂𝒍 𝟏 𝟐 𝒏

11. Teorema de Millman.

Es teorema afirma que, en un circuito eléctrico de ramas en paralelo, cada una de estas ramas compuesta
por una fuente de tensión ideal en serie con un elemento lineal, la tensión en los terminales de las ramas es
igual a la suma de las fuerzas electromotrices multiplicadas por la admitancia de la rama, dividido por la
suma de las admitancias.

𝑉1 𝑉2 𝑉𝑛
𝑅1 + 𝑅2 + ⋯ + 𝑅𝑛
𝑉𝐴𝐵 =
1 1 1 1 1
𝑅1 + 𝑅2 + ⋯ + 𝑅𝑛 + 𝑅𝑘 + ⋯ + 𝑅𝑚

𝑉1 𝑉2
+
𝑅1 𝑅2
𝑉𝐴𝐵 =
1 1 1
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
 TEMA 5: FENOMENOS TRANSITORIOS
Fenómeno transitorio: son los que se observan en circuitos cuando se produce en ellos un cambio brusco
en la tensión o intensidad, por ejemplo, cuando encendemos o apagamos un interruptor.
Cuando el circuito dispone de elementos almacenadores de energía (bobinas o condensadores) durante
un cierto tiempo, la intensidad y las tensiones van a variar hasta que se alcance la estabilidad. Al intervalo
de tiempo de cambio de esas magnitudes eléctricas se denomina régimen transitorio y al intervalo en
donde las magnitudes están estabilizadas se denomina régimen permanente o estacionario.
En un condensador hemos visto que:
𝑑𝑉𝑐 (𝑡)
𝑖(𝑡) = 𝐶 ·
𝑑𝑡

𝑓 → 𝑚𝑎𝑔𝑛𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑜𝑏𝑗𝑒𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑡𝑢𝑑𝑖𝑜 (𝑖𝑛𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑, 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑜 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑑𝑒 𝑢𝑛 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑒𝑛𝑠𝑎𝑑𝑜𝑟).

𝑓(∞) → 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑞𝑢𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑛𝑒 𝑒𝑠𝑎 𝑚𝑎𝑔𝑛𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑒𝑛 𝑟𝑒𝑔𝑖𝑚𝑒𝑛 𝑝𝑒𝑟𝑚𝑎𝑛𝑒𝑛𝑡𝑒.
𝑓(0+ ) → 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑞𝑢𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑛𝑒 𝑒𝑠𝑎 𝑚𝑎𝑔𝑛𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑗𝑢𝑠𝑡𝑜 𝑑𝑒𝑠𝑝𝑢𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑝𝑟𝑜𝑑𝑢𝑐𝑖𝑟𝑠𝑒 𝑢𝑛 𝑐𝑎𝑚𝑏𝑖𝑜, 𝑐𝑜𝑚𝑜
𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑒𝑟 𝑢𝑛 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑟𝑢𝑝𝑡𝑜𝑟.
𝑓(0− ) → 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑞𝑢𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑛𝑒 𝑒𝑠𝑎 𝑚𝑎𝑔𝑛𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑗𝑢𝑠𝑡𝑜 𝑎𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑝𝑟𝑜𝑑𝑢𝑐𝑖𝑟𝑠𝑒 𝑢𝑛 𝑐𝑎𝑚𝑏𝑖𝑜.
𝜏 𝑒𝑠 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜
Tenemos la siguiente ecuación:
𝑡
𝑓(𝑡) = 𝑓(∞) + [𝑓(0+ ) − 𝑓(∞)] · 𝑒 − 𝜏
Los pasos que se deben seguir para calcular el valor de una magnitud en un instante concreto “t” será:
1. Calculamos el valor de f justo antes del cambio, 𝑓(0− )
2. Calculamos el valor de f justo después del cambio, 𝑓(0+ )
3. Calculamos el valor de f cuando se ha alcanzado el régimen permanente. 𝑓(∞) OJO, régimen
permanente en este caso es una vez transcurrido suficiente tiempo después del cambio.
4. Calculamos la constante de tiempo, 𝜏
5. Aplicamos la ecuación.
Para poder realizar todo esto, debemos conocer cómo se comportan los condensadores y las bobinas en
estos casos, así tenemos que:
 Condensadores Bobinas
𝑉𝑐 (0+ ) = 𝑉𝐶 (0− ) 𝐼𝐿 (0+ ) = 𝐼𝐿 (0− )
En régimen permanente un condensador se En régimen permanente la bobina se comporta
comporta como un circuito abierto. como un cortocircuito.
Justo después del cambio el condensador se Justo después del cambio la bobina se comporta
comporta como un cortocircuito más un generado como un circuito abierto más una fuente de
en serie cuya tensión es igual a la tensión que tiene intensidad en paralelo de magnitud y sentido igual
el condensador en ese instante. Es decir, en el a la intensidad de la bobina en ese instante. Es
instante 0+ estos dos elementos son similares. decir, en el instante 0+

Si en una bobina circulan ceros amperios en el

instante 0− , sucederá que en el instante 0+ se
comportará como un circuito abierto.

La constante de tiempo del condensador es: La constante de tiempo del condensador es:

𝜏 = 𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑡𝑒 · 𝐶 𝜏 = 𝐿/𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑡𝑒
Tal que 𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑡𝑒 se calcula de manera similar a La “L” es la inducción.
Thévenin o Norton y la C es la carga del
condensador.

1. Circuito RC serie
Es aquel circuito en el que interviene una resistencia y una capacidad conectadas en serie. La corriente se
mueve en un sentido, pero, ahora, su valor varía con el tiempo durante el régimen transitorio.
 TEMA 6: CIRCUITOS DE CORRIENTE ALTERNA
La ventaja de la corriente alterna sobre la corriente continua es que puede transportarse a grandes
distancias con tensiones muy elevadas, pero intensidades pequeñas lo que reduce la pérdida de
energía en forma de calor por efecto Joule. Después se adaptará para su consumo a tensiones más
bajas e intensidades mayores mediante el uso de transformadores los cuales se basan en la
inducción magnética estudiada en la parte primera de la asignatura.
1. Representación de las señales alternas: fasores.
La señal alterna será aquella señal periódica de valor medio nulo, de amplitud A, de frecuencia 𝑓 y
que sigue una variación regida por la función seno o coseno. Así tenemos que:
𝑉(𝑡) = 𝑉0 · 𝑠𝑒𝑛 (2𝜋 · 𝑓 · 𝑡 + 𝜃𝑢 )
𝑖(𝑡) = 𝑖0 · 𝑠𝑒𝑛(2𝜋 · 𝑓 · 𝑡 + 𝜃𝑖 )
Tal que 𝑉0 𝑒 𝑖0 son las amplitudes (valor máximo) de sus respectivas funciones, 𝑓 la frecuencia y 𝜃𝑢
y 𝜃𝑖 la fase inicial de la tensión e intensidad respectivamente.
Por motivos de simplificación, se transformarán las señales sinusoidales en vectores giratorios
expresados mediante magnitudes complejas gracias a la relación entre magnitudes temporales y
angulares:
• 𝐸𝑥𝑝𝑟𝑒𝑠𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑒𝑙 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑒𝑛 𝑓𝑢𝑛𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑢𝑛 𝑎𝑛𝑔𝑢𝑙𝑜: 𝑡 ↔ 𝜃
• 𝐴𝑓𝑖𝑟𝑚𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑙 𝑚𝑜𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑞𝑢𝑒 𝑠𝑒 𝑐𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒 𝑢𝑛𝑎 𝑣𝑢𝑒𝑙𝑡𝑎 (𝑇) 𝑒𝑠 𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑒𝑛 360º
𝑜 2𝜋 𝑟𝑎𝑑𝑖𝑎𝑛𝑒𝑠.
De manera gráfica esto quedaría como sigue:

2𝜋
Podemos entenderlo como un vector que gira en un plano con velocidad angular 𝜔 = = 2𝜋𝑓. La
𝑇
proyección de ese vector en el eje X corresponde con la parte real y la proyección de ese vector en
el eje Y corresponden con la parte imaginaria del número complejo.
Se llama fasor de una señal sinusoidal 𝑓1 (𝑡) = 𝐹1 · 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡 + 𝜃1 ), al vector giratorio con velocidad
de giro ω rad/segundos, de módulo el valor máximo de la señal sinusoidal 𝐹1 , y de fase, la fase inicial
de ficha señal 𝜃1 . Este fasor se puede representar de varias maneras:
• Forma exponencial compleja: 𝐹1 · 𝑒 𝑗𝑤𝑡 (ESTA NO SE USARA)
• ⃗⃗⃗1 (𝑡)} + 𝐼𝑚{𝐹
Forma cartesiana: 𝑅𝑒{𝐹 ⃗⃗⃗1 (𝑡)}
2 2
• Forma polar: tal que 𝐹1 = √(𝑅𝑒{𝐹
⃗⃗⃗1 (𝑡)}) + (𝐼𝑚{𝐹
⃗⃗⃗1 (𝑡)})
 𝐼𝑚{𝐹 }
y 𝜃1 el desfase tal que 𝜃1 = arctan ( 𝑅𝑒{𝐹 1(𝑡)} )
1(𝑡)

2. Concepto de impedancia y Admitancia.

Se define la impedancia Z como la medida de la oposición que presenta un elemento de un circuito
al paso de la corriente I cuando se aplica un voltaje V:
𝑉
𝑍=
𝐼
La impedancia extiende el concepto de resistencia a los circuitos de corriente alterna pudiendo
aplicar la ley de ohm a este tipo de circuitos. La impedancia será un numero complejo, mientras que
la resistencia será un número real. en los circuitos de corriente continua, no existen diferencias
entre resistencia e impedancia. Una resistencia es un caso particular de impedancia en la que solo
existe parte real.
La parte real de la impedancia es la resistencia R y su parte
imaginaria es la reactancia X:
𝑍 = 𝑅 + 𝑋𝑗
La impedancia nos permite calcular las tensiones e intensidades en circuitos que contienen
elementos resistivos, inductivos o capacitivos de manera similar al cálculo de estas en circuitos
resistivos en corriente continua, para ello, es necesario que se cumpla que:
• Todos los componentes deben ser lineales, es decir, componentes o circuitos en los que la
corriente es estrictamente proporcional a la tensión aplicada.
• Se ha alcanzado el régimen permanente con corriente alterna sinusoidal, es decir, todos los
fenómenos transitorios han desaparecido.
• Todos los generadores de tensión y de corriente son sinusoidales y de la misma frecuencia.
La admitancia es la facilidad que ofrece un circuito al paso de la corriente, también es un numero
imaginario tal que su parte real G se llama conductancia y su parte imaginaria B se llama
susceptancia, viene dada por la inversa de la impedancia:
1
𝑌=
𝑍
3. Comportamiento de los componentes.
3.1 Resistencias
Si tenemos en cuenta que 𝜉 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑠𝑒𝑛 (𝜔𝑡). Aplicando la ley de Ohm a la resistencia tenemos que
la intensidad que circula por ella es:
𝑉𝑅 𝑉𝑚𝑎𝑥 · 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡)
𝐼𝑅 = =
𝑅 𝑅
La impedancia quedará como:
𝑉𝑅
𝑍𝑅 = = 𝑅 = 𝑅|_0º(𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑟𝑒𝑎𝑙)
𝐼𝑅
Las resistencias no introducen ningún desfase entre la intensidad que circula por ellas y la tensión
entre sus bornes.
3.2 Condensadores.

La caída de voltaje a través del condensador debe ser igual a la fuerza electromotriz del generador,
es decir:
𝑉𝐶 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 · 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡)
La caída de tensión en un condensador está en fase con la carga, sin embargo, la intensidad de
corriente está desfasada respecto a la caída de tensión, esto es, la corriente está adelantada al voltaje
en una fase de π/2 radianes o lo que es lo mismo, la tensión está retrasada π/2 radianes.
La impedancia (medida de la oposición que presenta un elemento de un circuito al paso de la
corriente I) del condensador será:
1 1
𝑍𝑐 = − 𝑗= | − 90𝑜 (𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑖𝑚𝑎𝑔𝑖𝑛𝑎𝑟𝑖𝑜 𝑛𝑒𝑔𝑎𝑡𝑖𝑣𝑜)
𝑤𝐶 𝑤𝑐
3.3 Bobinas
𝑉𝐿 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 · 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡)
En este caso la tensión está adelantada π/2 radianes respecto a la corriente o lo que es lo mismo, la
corriente está retrasada π/2 radianes respecto a la tensión. La impedancia para una bobina vendrá
dada por:
𝑍𝐿 = 𝑤𝐿𝑗 = 𝑤𝐿|90𝑜 (𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑖𝑚𝑎𝑔𝑖𝑛𝑎𝑟𝑖𝑜 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑡𝑖𝑣𝑜)
En resumen, la intensidad que circula por las bobinas está retrasada 90° respecto a la tensión
existente entre sus bordes.
NOTA: Cuando nos dan una corriente, impedancia o voltaje en forma polar, los grados nos están
diciendo el desfase entre la corriente y la tensión, si es un ángulo positivo nos dice que la intensidad
está retrasada con respecto de la tensión y si es un ángulo negativo nos dice que la intensidad está
adelantada con respecto de la tensión.
 4. Asociaciones de impedancias y admitancias.
4.1 Asociación en serie.
Cuando “n” impedancias se conectan en serie la intensidad que circula por ellas es idéntica. Los
voltajes en los bornes de cada impedancia son:
𝑉1 = 𝑍1 · 𝐼; 𝑉2 = 𝑍2 · 𝐼; … ; 𝑉𝑛 = 𝑍𝑛 · 𝐼
El voltaje total aplicado será:
𝑉 = 𝑍 · 𝐼 = 𝑉1 + 𝑉2 + ⋯ + 𝑉𝑛 = 𝑍1 · 𝐼 + 𝑍2 · 𝐼 + ⋯ + 𝑍𝑛 · 𝐼
En resumen, la impedancia equivalente a “n” impedancias en sería es la suma de todas ellas.
𝑍 = 𝑍1 + 𝑍2 + ⋯ + 𝑍𝑛
La admitancia (facilidad que ofrece un circuito al paso de la corriente) será la inversa, es decir:
1 1 1 1
= + + ⋯+
𝑌 𝑌1 𝑌2 𝑌𝑛
Cuando tenemos un condensador y una resistencia en serie conectadas a una fuente de tensión
podemos decir que:
𝑉𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 √2𝑉𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 = =
|𝑍| √𝑅 2 + 𝑋𝐶2

4.2 Asociación en paralelo.

Cuando tenemos “n” impedancias que se conectan en paralelo tenemos lo siguiente:
1 1 1 1
= + +⋯+
𝑍 𝑍1 𝑍2 𝑍𝑛
Y la admitancia quedaría de la siguiente forma:
𝑌 = 𝑌1 + 𝑌2 + ⋯ + 𝑌𝑛

5. Análisis de circuitos de corriente alterna.

la técnica para resolver los circuitos de corriente alterna no difiere de la metodología estudiada
para los circuitos de corriente continua, esto es, vamos a poder simplificar los circuitos mediante la
asociación de impedancias o aplicar las leyes de Kirchhoff para resolverlos.
SE RECOMIENDA VER Y ENTENDER TODOS LOS EJEMPLOS DESDE LA PÁGINA 273 HASTA LA
PÁGINA 281.

6. Potencia
POTENCIA ACTIVA (SOLO RESISTENCIAS)
La potencia en cada instante es el producto del voltaje por la corriente que atraviesa el dispositivo.
En los circuitos de corriente alterna, la potencia activa viene dada por:
𝑃𝑖 = 𝑉 · 𝐼 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 · 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡) · 𝐼𝑚𝑎𝑥 · 𝑠𝑒𝑛 (𝑤𝑡 + 𝜃)
Una potencia positiva significa una transferencia de energía de la fuente al circuito, mientras que
una potencia negativa corresponde a una transferencia de energía del circuito a la fuente.
Podemos concluir con que:
𝑋
1 𝜃 = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑔 ( )
𝑃 = 𝑉𝑚𝑎𝑥 · 𝐼𝑚𝑎𝑥 𝑐𝑜𝑠(𝜃𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 − 𝜃𝑖𝑛𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 ) 𝑅
2
O bien expresado mediante valores eficaces, tal que:
𝑃 = 𝑉𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 · 𝐼𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 · cos 𝜃

Otra manera de calcular la potencia activa es la siguiente:

2
𝐼𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 · 𝑅(𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎)

Cosas para tener en cuenta en estas dos últimas formulas:

• Normalmente el voltaje y la intensidad nos la darán en forma polar (modulo| ángulo), se multiplica el
módulo del voltaje por el módulo de la intensidad y por el coseno de (ángulo del voltaje menos el
ángulo de la intensidad).
• Normalmente 𝑉𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 y 𝐼𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 nos la dan directamente en el enunciado del examen.

Estas ecuaciones representan la potencia activa en función de los valores máximos o eficaces,
respectivamente y es la potencia suministrada al dispositivo. Su unidad es el vatio(W). Esta
potencia puede ser disipada en los elementos resistivos o puede ser transformada en energía
mecánica como ocurre, por ejemplo, en un motor eléctrico.
Al factor cos 𝜃 se le conoce como factor de potencia y depende del desfase entre tensión y corriente
provocado por la resistencia y reactancia.
POTENCIA REACTIVA (SOLO CONDENSADORES Y BOBINAS)
La potencia reactiva aparece en los circuitos en los que existen bobinas o condensadores tiene
como unidad el voltiamperio reactivo (Var) y responde a la siguiente expresión:
𝑄 = 𝑉𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 · 𝐼𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 · 𝑠𝑒𝑛 (𝜃)

Cuando es positivo el receptor absorbe potencia reactiva, y cuando es negativo entrega o suministra
potencia reactiva.

• EN UN INDUCTOR: cuando la tensión y la corriente son ambas positivas o negativas, la potencia

es positiva, por lo que existirá una transferencia de energía de la fuente al inductor. Cuando el
signo de la tensión e intensidad es contrario, la potencia es negativa y el inductor devuelve a la
fuente la energía que le había suministrado. La potencia Activa es nula en un inductor.
2
𝑜𝑡𝑟𝑎 𝑚𝑎𝑛𝑒𝑟𝑎: 𝑃𝐿 = 𝐼𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 ·𝑅

• EN UN CAPACITOR: cuando la tensión y la comente son ambas positivas o negativas, la potencia

es positiva, por lo que existirá una transferencia de energía de la fuente al condensador. Cuando
el signo de la tensión e intensidad es contrario, la potencia es negativa y el condensador
devuelve a la fuente la energía que le había suministrado. La potencia Activa es nula en un
condensador.
2
𝑜𝑡𝑟𝑎 𝑚𝑎𝑛𝑒𝑟𝑎: 𝑃𝐿 = −𝑉𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 ·𝑅

• EN UNA RESISTENCIA: Además, la potencia es siempre positiva y varía desde cero hasta un valor
máximo dado por 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑙𝑚𝑎𝑥 .
POTENCIA APARENTE
La potencia aparente consiste en la potencia compleja de un circuito eléctrico de corriente alterna.,
se identifica con la letra S, y consiste en la suma vectorial de la potencia activa P, que la que disipa
dicho circuito y se transforma en calor o trabajo y la potencia reactiva Q, utilizada para la formación
de los campos eléctrico y magnéticos de sus componentes, que fluctuará entre estos componentes
y las fuentes de energía. Así podemos poner que:
𝑆 = 𝑃 + 𝑄𝑗
Su unidad es el voltiamperio (VA) y su cálculo es sencillo.
Finalmente, el teorema de Boucherot dice: “En un sistema eléctrico lineal, formado por N elementos,
se verifica que la suma de las potencias activas de cada elemento es nula y lo mismo sucede con la
suma de las potencias reactivas”.
 𝑣0
La tensión eficaz es la media cuadrática de la onda: 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑒𝑓𝑖𝑐𝑎𝑧 =
√2
 TEMA 7: DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
1. Teoría de bandas.
En un átomo, los electrones están girando alrededor del núcleo formando capas. En cada una de ellas, la
energía que posee el electrón es distinta. en las capas más alejadas, los electrones se encuentran débilmente
ligados. Resultará más fácil realizar intercambios electrónicos en las últimas capas. El hecho de que los
electrones tengan diferentes niveles de energía nos permite clasificarlos por el nivel energético. En una red
de átomos, mientras que los niveles de energía de los electrones más internos no se ven afectados de forma
significativa por los átomos vecinos, los niveles de energía de los electrones más externos si se verán
afectados.
La teoría de bandas nos describe la estructura electrónica de un material como una estructura de bandas de
energía, tal que:
La banda de valencia (BV): está ocupada por los electrones de valencia de los átomos, es decir, aquellos
electrones que se encuentran en la última capa o nivel energético de los átomos. Los electrones de valencia
son los que forman los enlaces entre los átomos, pero no intervienen en la conducción eléctrica.
Banda prohibida: que corresponde a los valores de energía que no pueden tener los electrones. Cuanto
menor sea la distancia entre los átomos del cristal menor será el ancho de la banda prohibida.
La banda de conducción (BC): está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se han desligado
de sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la corriente
eléctrica.

Cuando no existe banda prohibida se trata de un material conductor, cuando existe una banda prohibida muy
grande se trata de un material aislante, cuando su banda prohibida es muy pequeña actúa como un semi-
conductor.
2. Conducción eléctrica en semiconductores.
En los semiconductores su mayor interés radica en la posibilidad de modificar su conductividad. Cuando la
temperatura es baja, no van a existir electrones en la banda de conducción, comportándose como un aislante.
Sin embargo, a temperatura ambiente algunos de los enlaces covalentes se rompen debido al suministro de
energía térmica al cristal, es decir, adquieren la energía suficiente para saltar desde la banda de valencia a la
de conducción.
El proceso por el que un electrón pasa de la banda de valencia a la de conducción se llama generación y al
proceso por el que un electrón libre vuelve a la banda de valencia ocupando un sitio vacío se llama
recombinación.
Tenemos los siguientes dos tipos de conductores:

• Semiconductores intrínsecos o puros: son los elementos de la tabla periódica del grupo IV, se
caracterizan por tener cuatro electrones en la capa de valencia, con lo que forma enlaces covalentes
con otros átomos de silicio formando una red cristalina o estructura molecular, la cual, a baja
temperatura actúa como un aislante y a alta temperatura actúa como un conductor.
• Semiconductores extrínsecos o dopados: se introducen impurezas, estas impurezas son del grupo III
o del grupo V. Pueden darse estos casos:
o Cuando introducimos impurezas del grupo V en la estructura molecular del silicio (GRUPO
IV) se produce que hay más electrones que huecos. Un semiconductor tipo N.
o Cuando introducimos impurezas del grupo III en la estructura molecular del silicio (GRUPO
IV) se produce que hay más huecos que electrones. Es lo que llamamos un semi conductor
tipo P.

3. DIODOS

POLARIZACIÓN DIRECTA

• Cuando se conecta el ánodo de un diodo al extremo positivo de una batería y su cátodo al extremo
negativo, decimos que el diodo funciona en polarización directa. La batería disminuye la barrera de
potencial de la zona de transición, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la
unión; es decir, el diodo conduce.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de
potencial de la zona de transición, los electrones libres de la zona N, tienen la energía suficiente para
saltar a los huecos de la zona P que se han desplazado hacia la unión P N se produce a través del diodo
una corriente eléctrica constante.
POLARIZACIÓN INVERSA

• Cuando se conecta al ánodo de un diodo el extremo negativo de una batería y su cátodo al extremo
negativo, el diodo funciona en polarización inversa y no conduce corriente.
MODELOS EQUIVALENTES:

• Diodo ideal (sin resistencia): Cuando conduce actúa como cortocircuito y cuando no conduce actúa
como circuito abierto.

• Diodo real: Que puede ser sustituido por un diodo ideal, una fuente de tensión de valor igual a la
tensión umbral del diodo y una resistencia cuyo valor es igual al valor de la resistencia interna.

• Diodo Zener: cuando está en polarización directa se comporta exactamente igual que un diodo
convencional, y cuando está en polarización inversa puede llegará conducir si se supera la tensión
Zener. Su equivalente es:

4. Transistores bipolares.
Los circuitos con transistores bipolares se pueden resolver de dos maneras:

• Por corriente: suponemos que el transistor trabaja en saturación

• Por tensión:
𝐼𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 = 𝐼𝑏𝑎𝑠𝑒 · 𝛽
𝐼𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 = 𝐼𝑏𝑎𝑠𝑒 + 𝐼𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 = (1 + 𝛽) · 𝐼𝑏𝑎𝑠𝑒
𝐼𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 · 𝑉𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 = 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑖𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎
𝑓𝑙𝑢𝑗𝑜 = (2) · (0′025) = 0′05
 1. Características estáticas de los circuitos lógicos.
Son las características de un circuito lógico en régimen permanente, hay cinco:

• Característica de transferencia: es la relación entre la tensión de entrada y de salida. Es necesario

especificar el número de entradas conectadas a alta y a baja, así como el número de circuitos que cargan
la salida de la puerta. Se considera, que la puerta lógica está conectada a la entrada y a la salida con otras
puertas de la misma familia.
• Características de entrada-salida: representan las tensiones de entrada (o salida) en función de las
corrientes suministradas por la entrada (o salida). Se miden conectando puertas similares a la de prueba
para tener en cuenta los efectos de la carga.
• Margen de ruido: se entiende por ruido a la presencia de cualquier señal no deseada. El ruido puede ser
de origen externo o interno. es fundamental que el funcionamiento de las puertas lógicas no esté afectado
por dicho ruido de manera que se puedan producir errores lógicos. El margen de ruido (Noise Margin,
NM) es el grado de inmunidad del circuito lógico ante las señales no deseadas. Tal que:

o 𝑁𝑀𝐻 : margen de ruido para nivel lógico alto. Tal que: 𝑁𝑀𝐻 = 𝑉𝑂𝐻𝑚í𝑛 − 𝑉𝐼𝐻𝑚𝑖𝑛
o 𝑁𝑀𝐿 : margen de ruido para nivel lógico bajo. 𝑁𝑀𝐿 = 𝑉𝐼𝐿 − 𝑉𝑂𝐿𝑚𝑎𝑥
Nota: a modo de ejemplo 𝑉𝐼𝐻𝑚𝑖𝑛 lo podemos entender como voltaje minimo en el nivel high (alto = V (1))
en la entrada (input). Leerlo de la misma manera para el resto de los casos.
• Flexibilidad lógica: capacidad de uso de una familia lógica, pudiendo definirse mediante las siguientes
características:
o Cableado lógico: Capacidad de realizar una función lógica a partir de la conexión externa de
puertas sin necesidad de emplear una puerta adicional.
o Salidas complementarias: Indica si la puerta complementaria dispone de la señal
complementaria de su salida.
o Fan-out: Es el número de circuitos que una puerta puede excitar.
o Fan- in: Número de entradas que un circuito lógico puede admitir. Si excede de esta cantidad la
puerta lógica producirá una salida en estado indeterminado o incorrecto.
o Compatibilidad: Especifica con que otras familias se puede unir. Siempre existe la posibilidad de
diseñar un circuito de acoplo entre dos familias lógicas.

• Disipación de potencia: la disipación de potencia en continua o estática no es nula y la puerta consume

energía cualquiera que sea su estado.
• Velocidad de actuación: La velocidad a la que puede trabajar una puerta depende del tiempo necesario
para que una señal se propague desde la entrada hasta la salida y del tiempo de transición de uno a otro
estado. Tenemos los tiempos de subida 𝑡𝑟 (𝑝𝑎𝑠𝑜 𝑑𝑒 𝑉(0) 𝑎 𝑉(1)) y los tiempos de bajada
𝑡𝑓 (𝑝𝑎𝑠𝑜 𝑑𝑒 𝑉(1)𝑎 𝑉(0)). Estos tiempos son importantes ya que los flancos de subida y de bajada de la
señal se emplean frecuentemente para excitar otros circuitos.

También se define el tiempo de retardo 𝑡𝑑 como la media de los retardos correspondientes a la subida y
a la bajada del impulso que constituye la tensión de entrada, tal que:
𝑡𝑑1 + 𝑡𝑑2
𝑡𝑑 =
2
El retardo de propagación 𝑡𝑝 , es la diferencia entre los momentos en que las tensiones de entrada y de
salida están al 50% de su valor.
 2. FAMILIA LÓGICA BIPOLAR (BJT)

TTL (LÓGICA TRANSISTOR-TRANSISTOR)

Bloque constructivo básico: Puerta NAND
Tensión de alimentación(𝑽𝒄𝒄 ): 4′ 75 − 2′ 25𝑉
Nivel lógico bajo (𝑽 (𝟎)) 0′ 0 − 0′ 8𝑉
Nivel lógico alto (𝑽(𝟏)) 2′ 4 − 𝑉𝑐𝑐
Velocidad de transmisión Es la mejor de sus características, aunque
aumenta su consumo debido a ello
Señales de salida Se degradan rápidamente si no se trasmiten a
través de circuitos adicionales de transmisión.
Modo de trabajo Excepto el transistor multi-emisor de la familia
TTL, los transistores trabajan en corte o en
saturación.
INVERSOR BIPOLAR
Cuando la tensión de entrada (𝑉𝑖 ) es menor o igual que
la tensión de corte (𝑉𝛾 ), el transistor está en corte
(actúa como interruptor abierto). Por lo que toda la
tensión se va a 𝑉0 . Cuando la tensión de entrada es
ligeramente superior a la tensión de corte, la corriente
que se produce entre colector- emisor, hace decrecer la
tensión de salida 𝑉0 , respondiendo a la siguiente
expresión:

𝑉0 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐶 · 𝑅𝑐
En resumen:

𝑉𝑖 (𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎) 𝑉𝑜 (salida)
𝑉(0) 𝑉𝐶𝐶 ≅ 𝑉(1)
𝑉(1) 𝑉𝐶𝐸𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 ≅ 𝑉(0)

El transistor trabaja de corte-saturación e inversa. Este

circuito presenta bajo fan-out y bajo margen de ruido

PUERTA NOR EN RTL (resistencia-transitor)

Tensión de nivel bajo V (0) 0′ 2𝑉
Tensión de nivel alto V (1) 1′8𝑉
Lógica Positiva
Fan-out Bajo
Margen de ruido Bajo
Tenemos dos comportamientos posibles:
• Todas las entradas están a cero: como se aprecia en
la imagen de la derecha cuando las entradas A, B y
C están en el nivel lógico cero la intensidad de base
es cero y por tanto los transistores se pueden
sustituir por interruptores abiertos, desconectando
la salida a tierra, por lo tanto, la tensión de salida 𝑉0
es aproximadamente la tensión
𝑉𝑐𝑐 . 𝑉0 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝑐 · 𝐼𝐶 ≅ 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉(1)
• Alguna de las entradas puestas a 1: basta con que
una de las entradas está al nivel lógico alto (1’8V)
para que el transistor asociado actué en saturación
(como cortocircuito), y tenga una tensión de salida
igual a 𝑉0 = 𝑉𝑐𝑒 =0’2 V = 𝑉(1) esto se debe a que
 PUERTA NAND EN RTL (Resistencia-Transistor)
Lógica Positiva
Tenemos dos comportamientos posibles:
Todas las entradas están a nivel lógico uno, esto hará
que ambos transistores conduzcan en saturación, por
lo tanto, la tensión de salida vendrá dada por:

𝑉𝑂 = 𝑉𝐶𝐸𝐴𝑆𝑎𝑡 + 𝑉𝐶𝐸𝐵𝑆𝑎𝑡 = 0′ 2 + 0′ 2 = 0′ 4
𝑉𝑂 ≅ 𝑉(0)
Alguna de las entradas está a nivel lógico cero: esto
hará que A o B (o ambos) actúen en corte por lo que
actuarán como un interruptor abierto y todo el voltaje
se ira por 𝑉𝑂

PUERTA NOR EN DTL (Diodo-Transistor+ resistencias)

Nivel lógico bajo 0’2 V
Para atravesar el transistor tiene
Nivel lógico alto
que cumplirse que:
Fan-out Mejor que en RTL
𝑉(1) > 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷3 + 𝑉𝐷4 + 𝑉𝐵𝐸
Margen de ruido Mejor que en RTL 𝑉(1) > 0′ 7 + 0′ 7 + 0′ 7 + 0′ 8
Todas las entradas del nivel lógico son cero: Como A y 𝑉(1) > 2′ 9𝑉
B están a cero entonces los diodos D1, D2, D3 y D4 no 0’8
conducen, por lo que el transistor actuará como un V
0’7
interruptor abierto y sucederá que: 0’7 0’7
V
𝑉𝑂 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 · 𝑅𝑐 ≅ 𝑉(1) V V
Alguna de las entradas al nivel lógico uno: tal y como
0’7
se explica en la imagen de la derecha si V (1) es mayor
V
que 2’9 voltios el transistor actuará en saturación, por
ende, el voltaje de salida será próximo al nivel lógico
cero, concretamente 𝑉𝐶𝐸𝑆𝑎𝑡 = 0′ 2𝑉

PUERTA NAND EN DTL

Nivel lógico bajo 0’2 V
CASO ALGUNA ENTRADA A CERO
Para que el transistor actué en saturación tiene que
suceder que:

𝑽𝑷 > 𝑽𝑫𝟑 + 𝑽𝑫𝟒 + 𝑽𝑩𝑬𝒔𝒂𝒕 → 𝑽𝑷 > 𝟐′𝟐𝑽

Alguna de las entradas está a nivel lógico cero: cuando una

de las entradas A o B están a cero su respectivo diodo
dejará pasar la corriente y el potencial en el punto P será:
𝑉𝑝 = 𝑉(0) + 𝑉𝐷1 = 0′ 2 + 0′ 7 = 0′ 9𝑉
CASO AMBAS ENTRADAS A UNO
En este caso 0′9 es menor que los 2’2 V necesarios para
poner el transistor en modo saturación, por ello, el
transistor actuará como un interruptor abierto y 𝑉0 ≅
𝑉𝑐𝑐 ≅ 𝑉(1)

Ambas entradas están a nivel lógico alto: cuando ambas

entradas están en nivel alto, 𝑉𝑝 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅 , lo cual será
suficiente para atravesar el diodo D3 y D4, hacer que el
transistor actué como un cortocircuito y dejar que 𝑉𝑐𝑐 se
vaya a tierra y que 𝑉𝑂 = 𝑉𝐶𝐸𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛
 LOGICA TTL (Transistor-transistor)
CONFIGURACIONES
Es la más utilizada en tecnologia bipolar por su alta velocidad, alto fan-out y alta flexibilidad lógica, independientemente de
la función logica implementada, la parte de salida puede tener diferentes configuraciones de acuerdo a la aplicación en la
que se quiera integrar. Nota: Cada tecnica es la evolucíon de la anterior.
Por resistencia de Por colector abierto: es
colector: La resistencia de exactamente igual a la de
polarización va integrada resistencia de colector,
en el propio circuito solamente que dicha resistencia
integrado. la resistencia no está integrada en el circuito
provoca un calentamiento sino que es externa. permiten la
que hay que disipar y que realización de puertas AND pór
impide un alto nivel de conexión directa con sólo unir
integración. en paralelo las salidas de varios
circuitos integrados.

Totem-pole: Con esta configuración se consigue que:

• Mediante el transistor 2, cuando el transistor 4 conduce, el
transistor 3 esta abierto. De esta manera se consigue tener un
nivel de voltaje alto en la salida pero con la ventaja de que la
potencia disipada de T4 y la resistencia es proxima a cero. Y
cuando T3 conduce, T4 esta abierto

• En el transistor uno hay dos emisores, las flechas que se ven

en esos dos emisores no indican la dirección de la corriente
(puede ir la corriente en sentido de emisor a colector), lo que
nos indica la flecha es de que lado esta el emisor y de que lado
esta el colector(nada más).

Tri-estado: configuración similar a Totem-pole pero se ha añadido

un nuevo emisor en el transistor multiemisor 𝑇1 , un transistor 𝑇5 ,
una resistencia 𝑅5 y un diodo 𝐷1 tal y como se muestra a la
derecha.
Todos estos componente se han añadido para conseguir un tercer
estado, tal que:

• 𝑆í 𝐼 = 0 actua como una puerta NAND en configuración totem

polem.
• 𝑆𝑖 𝐼 = 1 el transistor T2,T3 y T4 están corte, por lo que el
potencial de salida estará desconectado, no recibe ni un nivel
logico bajo, ni un nivel logico alto, este estado se llama de
ALTA IMPEDANCIA.
 PUERTA NAND TTL (Transistor-transistor) con configuración tótem polem.
Tenemos dos situaciones: cuando la entrada A y B están en un
nivel lógico alto, los diodos base emisor del transistor 1 están en
corte, polarizados en sentido inverso, si se cumple que:
𝑉𝐵𝐸𝑇3 + 𝑉𝐵𝐸𝑇2 + 𝑉𝐵𝐶𝑇1 < 𝑉𝑏𝑎𝑠𝑒𝑇1

En caso de que se cumpla lo anterior, el transistor 1, 2 y 3 están en

saturación, haciendo que 𝑉𝐶𝑐 se vaya a tierra y que Vo se quede
con una caída de potencial igual a 0’2V que es la que corresponde
a la caída de tensión del transistor 3.

Cuando alguna de las entradas A o B están al nivel cero lógicos, se

polariza en directa la base y el emisor del transistor 1, impidiendo
que en T2 se rompa el umbral y por ente, T3 tampoco actúa en
saturación.

PUERTA NOT EN NMOS

Sí 𝑉𝐺 tiene mayor tensión que la tensión umbral 𝑉𝑇 entre la puerta
y la fuente, entonces el transistor de arriba siempre estará en
modo saturación, en este caso lo que determina si 𝑉0 está nivel
lógico bajo o alto, es el transistor de abajo (impulsor)

• Cuando 𝑉𝑖 está a cero el transistor de abajo actúa en corte,

haciendo que todo el potencial de la tensión de alimentación
(𝑉𝐷 ) se vuelque sobre la salida, teniendo que: 𝑉0 = 𝑉𝐷 = 𝑉(1)
• En el caso de que 𝑉𝑖 = 𝑉(1) tendremos que el transistor
impulsor abrirá un camino entre la tensión de alimentación y
tierra, por lo que 𝑉0 = 𝑉𝐷𝑆𝑠𝑎𝑡𝐼𝑚𝑝𝑢𝑙𝑠𝑜𝑟

PUERTA NOT DE TRES ESTADOS

• El tercer estado que buscamos es aquel en el que la tensión de

salida no tiene conexión ni con la tensión de entrada ni con la
salida a tierra.
• Tal y como se ve en la figura de la derecha si la patilla de control
está a cero, la tensión de salida no tendrá conexión ni a tierra ni
a la fuente de alimentación, por lo que se ofrecerá un estado de
alta impedancia.
• Sin embargo, cuando la patilla de control esta a 1 podemos
apreciar que la puerta actuará exactamente igual que una puerta
NOT en tecnología CMOS.
 PUERTA NOR EN CMOS
• Hay que recordar que los transistores tipo P actuarán en
corte cuando les entre un voltaje por la puerta (G) y que
los transistores tipo N dejarán conducir cuando les entre
suficiente tensión por su puerta A.
• Así tenemos que cuando “A” y “B” están en nivel lógico
cero, los dos transistores de tipo P conducirán y los de
tipo “N” estarán en corte, volcando la tensión de
alimentación sobre la tensión de salida, es decir, 𝑉𝑂 ≅
𝑉𝐷 = 𝑉(1)
• Cuando “A” o “B” o ambas tienen nivel lógico alto los dos
transistores tipo P actuarán en corte y 𝑉0 = 𝑉𝐷𝑆𝑁2𝑆𝑎𝑡 ≅
0′ 2 = 𝑉(0)

PUERTA NAND EN CMOS

• Cuando “A” y “B” están en nivel lógico alto, los
transistores 𝑃1 y 𝑃2 están en corte (no habrá camino
entre la fuente de alimentación y la tensión de salida).
Los transistores 𝑁1 𝑦 𝑁2 dejarán conducir y habrá un
camino entre la tensión de salida y tierra, tal que 𝑉0 ≅
𝑉𝐷𝑆𝑁1𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 + 𝑉𝐷𝑆𝑁2𝑆𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 ≅ 0′ 4 = 𝑉(0)

• Cuando “A” o “B” están en nivel lógico bajo, los

transistores 𝑃1 𝑜 𝑃2 dejarán conducir, abriendo un
camino entre la tensión de alimentación y la tensión de
salida, y al menos uno de los transistores de tipo N estará
en corte, dejando a la tensión de salida sin una conexión
a tierra.
• Cuando tanto “A” y “B” están al nivel lógico cero, los
transistores de tipo N estarán corte y los de tipo P
dejarán conducir, por lo que se volcará la tensión de
alimentación sobre la tensión de salida.
Dispositivos Fotónicos
9.1 Propiedades de la luz
Tiene la velocidad más rápida del universo. Son ondas transversales que se propagan
perpendicularmente a la dirección de la vibración de los campos eléctricos y magnéticos. La luz
es una radiación electromagnética que se comporta como una onda y cuando interacciona con
la materia se comporta como una partícula. La amplitud de onda en cada punto determina la
densidad de los fotones, si es nula también lo será la probabilidad de encontrar un fotón.

9.1.1 La luz como onda electromagnética

La velocidad, la frecuencia, el periodo y la longitud de onda se relacionan:

9.1.2 La luz como modelo corpuscular

Cuando se considera como modelo corpuscular, estará compuesta por fotones, cuya masa es
nula y su energía es:

h → constante de Planck = 6,626 * 10 ^-34 Julios/segundo

λ → longitud de onda en metros
c → velocidad de la luz en el medio en el que se propaga (2,998*10^8m/s )

Calculo de la potencia velocidad en la cual se libera la energía expresada en watios.

t →tiempo

9.1.3 Propagación de la luz

En el vacío la luz viaja en línea recta, en el aire, o agua disminuye a esto se le llama índice de
refracción, cociente entre la velocidad en el vacío y la velocidad en medio.
Refracción: cuando un rayo de luz pasa de un material a otro, cambia velocidad y dirección en
la frontera entre ambos. La dirección es mayor cuanto mayor es el cambio de velocidad.
Reflexión: cuando la luz pasa de un material a otro, parte de esta no entra en el segundo
material, es decir no es refractada si no que es reflejada. Existe reflexión total cuando la
superficie refleja todos los rayos que inciden sobre ella.
θ1 → Angulo incidente
θ2 → Angulo de refracción

Anulo critico =
Los ángulos de incidencia y refracción se
relacionan:
v1 → Velocidad onda incidente
v2 → Velocidad onda refracción
Se puede reescribir como la ley de Snell o refracción:

Difracción: es el fenómeno que se produce cuando las ondas alcanzan un obstáculo o abertura
de dimensiones comparables a su longitud de onda. Se manifiesta en forma de perturbaciones,
en la propagación de la onda, con división o reflexión de la onda.

Interferencia: Se produce cuando dos ondas tienen la misma longitud de onda y se superponen.
El resultado depende de la fase, si están en la misma fase el resultado es la suma (interferencia
constructiva), si la cresta de la onda coincide con el valle de la otra se cancelan (interferencia
destructiva).

Efecto fotoeléctrico: consiste en la emisión de electrones por parte de un material fotosensible,

cuando incide sobre él una radiación electromagnética.
• El efecto fotoeléctrico solo se presenta si la frecuencia de la luz incidente es igual o
superior a un valor característico del material (frecuencia umbral).
• La intensidad de la corriente de saturación fotoeléctrica es directamente proporcional
a la intensidad de la radiación.
• Para una frecuencia, la energía cinética de los fotoelectrones no depende de la luz
incidente sino de la frecuencia, aumentando con ella, pero no de forma proporcional.
• Aunque la luz incidente sea intensidad baja si su frecuencia es superior al valor umbral
el efecto fotoeléctrico se produce instantáneamente.
Si E > E0 la energía cinética máxima del electrón es:

si sustituimos tenemos

9.2 Elementos optoelectrónicos

1. Son aquellos que trabajan conjuntamente señales electrónica y luz. Existen 3 tipos:
Dispositivos emisores: Son los que trasforma la energía eléctrica en luminosa (LED).
2. Dispositivos detectores: Son los que transforma la energía luminosa en eléctrica
(fotorresistores, células fotovoltaicas, fotodiodos, fototransistores, dispositivos de
acoplamiento y los fotomultiplicadores).
3. Dispositivos fotoconductores: Son los que conducen la radiación luminosa desde un
emisor a un receptor (Sin transformación).

9.2.1 Fotorresistores o LDR

Es un componente electrónico cuya resistencia varia en función de la luz. El valor es bajo cuando
llega a 50 ohmios y alto cuando esta a oscuras llegando a los megaohmios. Contiene sulfuro de
cadmio, y su funcionamiento se basa en (efecto fotoeléctrico) que si la luz que incide en él los
fotones son absorbidos por el semiconductor suministrado a los electrones la suficiente energía
para saltar a la banda de conducción.

9.2.2 Células Fotovoltaicas o fotoeléctrica

Es un dispositivo electrónico que permite transformar la energía lumínica de los fotones en
eléctrica por la aparición de electrones libres, generando energía solar fotovoltaica. Está
formado por una de células solares conectadas como circuito serie para aumentar la tensión de
salida. Si se conectan en paralelo es para aumentar la corriente eléctrica del panel. Es corriente
continua.

9.2.3 Fotodiodos
Es un dispositivo semiconductor con una unión PN sensible a la luz visible o infrarroja, es
proporcional a la luz que incide sobre él. Fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo (polaridad
invertida), cuando es directa la luz incide sobre el no le afecta comportándose como un diodo
convencional.
El límite de respuesta del fotodiodo lo estable la energía de cada uno de los fotones que deber
ser igual o mayor que la energía de la banda prohibida. Se demuestra que la longitud de onda
de la luz debe ser menos que un cierto valor que viene determinada por la energía de la banda
prohibida del semiconductor:

Esta ecuación nos permite calcular la longitud de onda máxima u onde de corte.

Donde I0 es la intensidad de la luz incidente y alfa es el cociente de absorción del material y x la

distancia recorrida por la luz. Al inverso del coeficiente de absorción se le denomina coeficiente
de penetración:

Un parámetro que determina la respuesta dinámica del fotodiodo es la capacidad de transición.

Que viene dada por la tensión de la unión y de la tensión inversa aplicada al fotodiodo:

C0 → capacidad de transición cuando no se aplica al fotodiodo

[Link] Modelo equivalente del fotodiodo

El modelo matemático es el mismo que en el iodo

Aspectos matemáticos tenidos en cuenta:

• La fotocorriente creada por la luz puede modelar como una fuente de corriente en
paralelo con el fotodiodo.
• La capacidad de transición se puede modelar con un condensador en paralelo dos
elementos anteriores.
• Para modelar el comportamiento en zona inversa se pude considerar una resistencia en
paralelo con el fotodiodo que refleje el incremento de corriente de oscuridad con el de
tensión inversa y que permita evaluar ruidos.
• Una resistencia en serie debida al semi conductor y contactos.
Simplificaciones del modelo: Simplificación en zona directa, la resistencia en paralelo tiene un
valor grande y en serie un valor pequeño con lo que es posible despreciar ambas resistencias.

a) Se observa que la capacidad del fotodiodo no suele ser despreciable salvo que se
midan señales de luz continuas. Quedando reducido al modelo b.
b) Modelo resultante

Simplificación en zona inversa: también son despreciables la resistencia en serie y paralelo. El

comportamiento es como un diodo semejante a un circuito abierto o a lo sumo una fuente de
corriente cuyo valor es la corriente inversa de saturación.

[Link] Tipos de Fotodiodos

Además del fotodiodo PN tenemos:

Fotodiodo PIN: En estos se modifica la estructura básica del fotodiodo introducción una capa de
material entre la zona P y N. Este aumenta el campo eléctrico en la zona de transición. Dado que
las concentraciones en P y N son bajas la resistividad será alta. Así solo se necesita una pequeña
polaridad inversa para aumentar la zona de transición. Es por lo que las ondas son largas y la
respuesta buena (rápidos y utilizados en comunicaciones).

Fotodiodo Schottky: la zona de transición esta por la propia estructura del diodo próxima a la
superficie, por lo que la respuesta de onda es corta es buena (luz ultravioleta).

Fotodiodo de avalancha: cuando se le lleva al diodo a esta zona, los electrones generados en la
zona de transición se aceleran fuertemente debido al campo eléctrico. Estos electrones al chocar
con los átomos se aceleran y generan nuevos pares electrón-hueco. Es así como se produce un
efecto de ganancia elevada. Un inconveniente es que la ganancia depende de la temperatura
por lo que es necesario refrigerar el fotodiodo para mantener la ganancia.

9.2.4 Fototransistores
El funcionamiento es semejante a un transistor bipolar, se puede decidir si trabajar como
transistor normal o como fototransistor cuando la luz que incide en el dispositivo hace las
veces de corriente de base. Su modo de trabajo habitual es como fototransistor para lo cual se
deja sin conectar su terminal de base (o no existe).
Es utilizado en aplicaciones donde es necesaria la detección de luz el tiempo de respuesta es
pequeño. Se dispone de una corriente eléctrica mayor que en los fotodiodos (luces,
limpiaparabrisas, etc.). Su funcionamiento es cuando un fotón con suficiente energía incide en
la zona de transición se genera un par electrón-hueco. El campo eléctrico en la zona acelerar el
electrón hacia la zona N (colector) y el hueco a la zona P (Base) creando una fotocorriente
primaria (igual fotodiodos) el resto es igual a un transistor bipolar.

9.2.5 Dispositivos de acoplamiento de carga (CCDs)

Son dispositivos electrónicos constituidos por una matriz de elementos fotosensibles
(fotodiodos). Se basan en la conversión espontanea de luz en corriente eléctrica (fotoeléctrico).
La sensibilidad depende de la cantidad de fotones. El nº de electrones producido es proporcional
a la cantidad de luz recibida (sensores de imagen). El primer diseño fue inviable, ya que, cuanto
mayor era el tamaño de la matriz mayor era la resolución de la imagen, lo que implica miles de
fotodiodos. En los CCDs se resuelve el problema mediante un mecanismo que extrae la
información de cada uno de los pixeles por un único pin en foram de lista de datos en serie. Los
pasos son:

Conversión de la luz a carga eléctrica: Cada píxel está constituido por tres electrodos separados
de la zona activa por un aislante. Cuando un fotón incide en la zona del electrodo positivo, puede
creare un par electrón-hueco. Este queda atrapado en la zona del electrodo positivo puesto que
lo atrae, mientras que los electrodos laterales lo expulsan y evitan que sea atraído por el positivo
del píxel adyacente (así no se mezcla la información). Mientras incida la luz se crean electrones
y se va acumulando la carga. Se corresponde con un fotodiodo en paralelo con un condensador.

Transferencia de cargas: una vez que ha sido expuesto un tiempo a la luz, debemos mover la
información de cada píxel para llevarla al pin de salida.

Conversión de la carga a la tensión: Trasformamos la carga en una tensión de salida

proporcional que refleje el nivel de luz incidente en el punto.
9.2.6 Fotomultiplicadores
Son dispositivos que proporcionan a la salida una corriente proporcional a la luz incidente
basándose en el efecto fotoeléctrico. Se usa cuando la luz a medir es muy baja (espectrometría,
astronomía, detectores de particular y aplicaciones médicas). Está compuesto de un fotocátodo
que emite electrones sobre el que inciden fotones con determinada energía. Después sobre un
campo eléctrico se aceleran hasta un ánodo llamado dinodo. Este recoge todos los electrones y
tiene una salida en forma de corriente (Proporcional a la luz). Depende del modelo varia el
numero de dinodos.

Su ganancia es elevada y es una ventaja frente a los dispositivos de estado solido (fotodiodos).
Un inconveniente es su elevado precio y tamaño, fragilidad y escasa duración. No sobrepasar
medidas 1-2 microamperios.

9.3 Comunicaciones Ópticas

La información se envía por medio de impulsos o señales de luz. Se distingue 3 bloques

1. Emisor: es la fuente productora de luz, (diodo laser o LED), además contiene un conjunto
de circuitos electrónicos cuyo fin es generar señales al dispositivo optoelectrónico. La
mejor longitud de onda está en la región del infrarrojo. Para que se pueda usar se tiene
que producir un haz cromático, que la radiación se pueda acoplar a la fibra óptica, que
la potencia óptica se pueda modular por medios electrónicos y que la respuesta sea
rápida.

2. Medio (Fibra óptica): es el medio fundamental para la trasmisión guiada de la luz. Es un

material transparente y largo que confina y propaga ondas luminosas. Las fibras ópticas
son filamentos de material dieléctricos de alta pureza. Está compuesta de: núcleo que
lleva la luz, revestimiento que cubre el núcleo del mismo material vidrio de sílice
modificado (índice con un ángulo mayor que el ángulo crítico y se refleja hacia el interior
de la fibra sin perdidas), y recubrimiento que dota de protección al revestimiento de
platico o acrílico.

Como hemos comentado para que no tenga perdidas el ángulo crítico debe ser mayor
que le que incide. Se observa que el ángulo critico determina un ángulo máximo de
aceptación, por encima la cual la luz introducida no se guía. El seno de este ángulo recibe
el nombre de apertura numérica (AN).

Angulo crítico y aplicación de la ley de Snell resulta:

La fibra óptica es compacta, ligera, con bajas perdidas de señal, amplia capacidad de
transmisión, alto grado de confiabilidad debido a son inmunes a las interferencias
electromagnéticas, no presentan problemas de cortocircuitos, gran ancho de banda. Otra
ventaja es que se puede instalar repetidores casa 70 km (reduce el coste).

Receptor: Es el elemento más complejo del sistema de comunicaciones ópticas consta de bloque
detector: encargado de detectar la luz. Utiliza un dispositivo optoelectrónico semiconductor que
se encarga de transforma la luz de la corriente (PIN y fotodiodo de avalancha). Y consta de
circuito de recepción encargado de amplificar y depurar la señal recibida. Puede estar formado
por distintos módulos tales como amplificador, filtro, etc.

Además, también encontramos otros elementos como los repetidores, necesarios cuando la
distancia es muy grande. Pueden ser amplificadores o regeneradores de la señal. Se usan
amplificadores ópticos de fibra dopada amplifican sin conversiones optoelectrónicas.
Acopladores y multiplexores en longitud de onda que se ocupan del encaminamiento de la
señal.
FÓRMULAS DE FÍSICA

- Cargas.
- Fuerza (F) sobre una carga (q) situada en el punto r debida a un sistema de cargas
puntuales (qi) situadas respectivamente en los puntos ri es:
1 N q.q i
Fq = ∑
4πε 0 i =1 r − ri 3
.(r − ri ) (Unidad: Newton) ( ε 0 es la permitividad eléctrica en

el vacío).
- Módulo de la fuerza (Ley de Coulomb) de atracción entre 2 cargas:
1 Q A QB
F =
4πε 0 d (distancia al cuadrado)
2

- Campo eléctrico (E) en un punto r debido a un sistema de cargas qi situadas

respectivamente en los puntos ri es:
1 N qi
E= ∑
4πε 0 i =1 r − ri 3
.(r − ri ) (Unidad: Newton/Coulomb)

- La relación entre fuerza (F) y campo eléctrico (E) es:

Fq=q.E
- El Potencial (V) debido a una distribución de cargas puntuales (qi) es:
1 N qi
V = ∑
4πε 0 i =1 r − ri
(la variación del potencial es también: ∆V = E ⋅ ∆r ,o sea, el producto del vector
campo por el vector de variación de la distancia (¿))
- El trabajo (W) se puede definir como:
W = F ⋅ ∆r (vector fuerza por el vector de variación de la distancia (¿))
W = q ⋅ ∆V (la carga por la variación del potencial)
- El gradiente (relación entre campo y potencial).
E = −∇V Esto significa que es la derivada parcial de V. Derivada parcial es derivar
una vez respecto a x, otra respecto a y y otra respecto a z (en este caso). Veamos un
ejemplo (imaginario, no se ha comprobado que sea factible):
Sabemos el potencial V: V ( x, y, z ) = x 2 + yxz − 2 xz + z 2
Para hallar E haremos la derivada respecto a x y la asignaremos a i, luego la
derivada respecto a y y la asignamos a j, y por fin la derivada respecto a z la
asignamos a k. El resultado es:
E = (2 x + yz − 2 z )i + ( xz ) j + ( yx − 2 x + 2 z )k
- Teorema de Gauss. La integral del vector intensidad de campo eléctrico (E) sobre
una superficie cerrada es igual a la suma algebraica de todas las cargas que encierra
la superficie.
1 N
∫S E ⋅ ds = ∑ qi
ε0 1

1
 Esta fórmula equivale a decir que el flujo del campo eléctrico a través de una
q (carga eléctrica en el interior)
superficie cerrada es: φ =
ε0 (permitividad)

- Dieléctricos:
- Dipolo eléctrico es el sistema formado por dos cargas q y –q separadas por una
distancia d, tales que cuando la distancia d tiende a cero q tiende a infinito, de forma
que el producto p=q*d se mantiene constante. A p se le llama momento dipolar
eléctrico y tiene el sentido de –q a q.
- Potencial debido a un dipolo eléctrico:
1 p ⋅ (r − r ' )
V(r) = ⋅ (el dipolo está situado en r’)
4πε 0 r − r'
3

- Campo debido a un dipolo eléctrico: Se obtiene mediante el potencial a través del

gradiente.
- Polarización eléctrica es el momento dipolar por unidad de volumen cuando el
volumen es muy pequeño:
∆p
P = lim Donde ∆p es la suma vectorial de todos los momentos dipolares que
∆v → 0 ∆v

existen en el volumen elemental ∆v .

- Densidad superficial de carga de polarización: σ P = P ⋅ n (donde n es el vector
normal a la superficie)
- Vector desplazamiento D:
D = ε0E + P

- Sistemas de Conductores, energía y fuerza electrostática:

- Capacitancia o capacidad es la relación entre la carga que almacena Q y el
potencial que adquiere el conductor V:
Q
C = (Unidad: Coulombio/voltio. Se le llama Faradio, como es grande se usa el
V
microfaradio- µ = 10 -6 F .- y el picofaradio-pF=10-12 F.)
Es constante en cada conductor (cuando varía la carga o el potencial varía el otro
elemento –potencial o carga- hasta que la capacidad vuelve a ser la del conductor).
- Condensadores en serie:
La carga total final es igual a cada carga individual: Q = Q1 = Q2 = ... = Q N
(distintas a las cargas iniciales). Cuando se ponen varios condensadores en serie las
cargas tienden a igualarse haciendo que varíen los respectivos voltajes ya que
hemos dicho que la capacidad no puede variar.
El voltaje total es igual a la suma de cada uno de los voltajes
individuales: V = V1 + V2 + ... + V N (se ajustarán con la carga para dar la capacidad
del condensador).Los voltajes iniciales y finales pueden no coincidir:
V1− Inicial ≠ V1− Final
1 1 1 1
La relación entre las distintas capacidades es: = + + ... +
C C1 C 2 CN

2
 - Condensadores en paralelo:
El voltaje total es igual a cada uno de los voltajes individuales:
V = V1 = V2 = ... = V N (y pueden variar respecto a los iniciales). Cuando se ponen
varios condensadores en paralelo los potenciales (voltajes) tienden a igualarse y lo
hacen haciendo que sus cargas respectivas se modifiquen ya que las respectivas
capacidades son constantes.
La carga total es igual a la suma de las cargas: Q = Q1 + Q2 + ... + Q N (la carga total
final es igual a la suma de las cargas iniciales ya que la suma de las cargas no varía.
OJO: Si se conecta en paralelo el polo positivo de uno con el negativo de otro, se
restan las cargas para hallar la carga total.).
La relación entre las distintas capacidades es: C = C1 + C 2 + ... + C N
- Carga de un condensador:
Q=I.t (cuando hablamos de corriente constante).
- Energía que almacena un condensador.
1 1
We = C ⋅ V 2 = q ⋅ V
2 2
- Energía electrostática: Es la energía potencial debida a la interacción de cargas
estáticas. Esta energía es el trabajo necesario para situar las cargas en sus posiciones
respectivas.
1 N N 1 q j qi
We = ∑ ∑ (se excluyen los términos en los que j=i)
2 j =1 i =1 4πε 0 r j − ri
1 N
Esto es lo mismo que We = ∑ V j q j (para N cargas puntuales)
2 j =1
Sin embargo cuando hablamos del trabajo para mover una carga de A a B la fórmula
es: W AB = q ⋅ (V A − V B )
- Circuitos:
- Voltaje (V) (también llamado tensión en otras partes) es igual a resistencia (R) por
Corriente eléctrica (I)
V=R.I
- Potencia es igual a voltaje (V) por corriente eléctrica (I)
V2
P=V.I o también (usando la fórmula anterior): P=R.I2 ó P =
R
- En un generador (o pila)
La energía electrostática e igual al voltaje de la pila mas el producto de la intensidad
por la resistencia interna de la pila. ε = V + I ⋅ r (en los problemas de este curso lo
normal es que las pilas sean ideales y no tengan resistencia por lo que ε = V
- En un motor (o una pila en la que la corriente vaya del polo positivo al negativo)

La energía electrostática consumida (para distinguirla de la de la pila se le denomina

ε’) es igual al voltaje menos el producto de la intensidad por la resistencia interna
del motor.. ε ' = V − I ⋅ r

3
- En una resistencia (una bombilla se comporta como una resistencia) el Voltaje
(tensión) es igual a resistencia por Corriente eléctrica (el sentido de la corriente da
igual en este caso).
V=R.I
- La resistencia equivalente total (RT) de varias resistencias es:
- Si están en serie:
- La intensidad total y las individuales son la misma: I = I 1 = I 2 = ... = I N
- El voltaje (tensión) total es igual a la suma de los individuales:
V = V1 + V2 + ... + V N
- RT=R1+R2+...+Rn
- Si están en paralelo:
- La intensidad total es igual a la suma de las individuales de cada rama:
I = I 1 + I 2 + ... + I N
- El voltaje total es igual al voltaje individual de cada rama:
V = V1 = V2 = ... = V N
1 1 1 1
- = + + ... +
RT R1 R2 Rn
- Primera ley de Kirchhoff: La suma de las intensidades que entran y salen de un
nudo (en un circuito) es igual a cero:
- ∑ Ii = 0
- Segunda ley de Kirchhoff. En una malla cerrada la suma de todas las energía
generadas ε menos las consumidas ε’ es igual a la suma de todos los productos
intensidad por resistencia de cada elemento del circuito:
∑ (ε − ε ' ) = ∑ I ⋅ R + ∑ I ⋅ r (este último sumatorio se refiere a la intensidad y la
resistencia de las pilas y motores visto antes)
- Teorema de Thevenin. Un dispositivo formado por una red con fuentes (baterías) y
resistencias es equivalente a un generador (fuente) ideal de tensión (E0) en serie con
una resistencia (R0) llamada resistencia de salida o resistencia interna. Se calculan
de la siguiente forma:
- Por mallas se calcula la corriente (I) de los componentes del circuito que
queremos reducir.
- Se calcula el voltaje (V, equivalente a la tensión buscada E0 ó ETH) de una malla
que incluya los terminales objeto del problema, si los hay, sabiendo que la suma
de todas las fuentes (teniendo en cuenta que si están polarizadas al revés se
restarán) menos la suma de todas las resistencias por su corriente (la intensidad I
que corresponda a cada resistencia) es la tensión (o voltaje) total del circuito.
N N
E 0 = ∑ Vi − ∑ Ri .I (OJO, este I es el calculado en el paso uno y es específico
i =1 i =1
de cada resistencia según el circuito o circuitos en los que esté por lo que puede
ser distinto de una resistencia a otra).
- Se calcula la resistencia total (R0 ó RTH) que ha de ser equivalente a la suma de
las resistencias del circuito (hay que tener cuidado en la suma ya que hay que
sumar primero las que están en serie y luego las que están en paralelo). Un buen

4
 truco para clarificar un circuito sería volverlo a dibujar dejando sólo las
resistencias. Esto funciona al menos para los circuitos sencillos de los exámenes.
- Se vuelve a poner el elemento que nos han pedido analizar y se hacen los
cálculos que hagan falta con este nuevo circuito que constará de una tensión (la
calculada E0 ó ETH), una resistencia en serie (R0 ó RTH) y el elemento que nos
han pedido analizar (en los exámenes suele ser una resistencia y piden calcular
la Intensidad que circula por ella).
- Teorema de la máxima transferencia de potencia. Cuando se ha reducido un
circuito a Thevenin, la máxima transferencia de potencia ocurre cuando la
resistencia que ponemos conectada a los terminales libres es igual a la
resistencia de Thevenin (R0 ó RTH).
- Campo magnético.
- Ley de Biot-Savart. El módulo de la inducción magnética debida a una corriente
indefinida sobre un hilo rectilíneo en un punto que dista R de dicha corriente es:
I
B = k (r es la distancia, como la influencia magnética sobre el entorno es circular,
r
µ
r es el radio). ( k es igual a 0 y µ 0 es la permeabilidad magnética del vacío ) luego
4π
la fórmula es:
µ I
B = 0 (La unidad de B es el Tesla o el Weber/m2)
4π r
A B se le llama en otras partes del texto “densidad de flujo magnético” y, a veces,
“campo magnético”.
- La inducción magnética debida a un conductor filiforme (lo podríamos
representar por Idl) será:
µ Idl × r
dB = 0 (r es el vector de posición. El signo x indica que es un producto
4π r 3
vectorial y el resultado es un vector perpendicular a dl y r).
- La Ley de Ampère para dos hilos rectilíneos indefinidos establece que la fuerza es
perpendicular a los hilos y su módulo por unidad de longitud (l) es:
F µ I ⋅ I'
= 2k ( k = 0 ) (sirve para definir la unidad de corriente, el amperio, que es la
l 4π r
corriente que circula por dos hilos paralelos e indefinidos situados a una distancia de
un metro cuando la fuerza por unidad de longitud –fuerza por metro- que se ejerce
entre ellos es de 2 ⋅ 10 −7 Newtons ).
- Fuerza sobre una carga en movimiento o Fuerza de Lorenz:
- Fuerza magnética: Fm = qv × B (v es la velocidad de la carga y “x” representa el
producto vectorial)
- Fuerza electrostática: Fe = qE
F = qE + qv × B = q( E + v × B) Por otro lado la ley de Newton define fuerza como:
F = m ⋅ a (masa por aceleración) lo que permite relacionar las dos ecuaciones..
- El momento dipolar magnético de una espira es el vector cuyo módulo es el
producto de la corriente que circula por la espira por su área y la dirección y sentido
es el del vector unitario normal a la superficie de la espira (n):

5
 m= I ⋅d2 ⋅n
- Intensidad del campo magnético debido a un solenoide (como las espiras de un
block). (Nota: sacado de unos apuntes):
N
B = µI (N es el número de espiras y L la unidad de longitud entre espiras)
L
- Flujo magnético sobre una superficie ds es el producto escalar de B por ds.
φ = B ⋅ ds = B s cosθ (La unidad es el Weber -Wb-)
Nota: El flujo de B a través de una superficie cerrada es cero.
- Teorema de Ampère o de la circulación de B. Para cualquier tipo y numero de
corrientes que atraviesan la superficie cuyo contorno es C (o sea, cuando la
superficie es atravesada por N corrientes filiformes Ii):
N

∫ B ⋅ dl = µ 0 ∑ I i
C 1

- Inducción electromagnética
- Ley de Faraday. La fuerza electromagnética (f.e.m.) inducida es igual a menos la
derivada del flujo con respecto al tiempo.
dφ
ε =−
dt
- Coeficiente de inducción mutua incremental. Es el flujo que atraviesa un circuito
(2) debido al campo creado por otro circuito (1) y dividido por la corriente en este
circuito (1):
φ
M 12 = 12 (La unidad es el Wb/A y se llama Henrio -H-)
I1
- Coeficiente de autoinducción. Es cuando consideramos un solo circuito:
φ
M 11 = L = 11
I1
- Fuerza electromotriz inducida. Es la f.e.m en función del coeficiente de inducción
mutua:
dφ dI dφ dI
ε = − 12 = − M 12 1 (la autoinducida será: ε = − 11 = − L 1 )
dt dt dt dt
- La energía magnética debida a un circuito filiforme por el que circula una corriente
I, es igual al trabajo necesario para establecer la corriente I en dicho circuito,
excluida la pérdida de energía por efecto joule.
dWi = −ε i ii dt + Rii2 dt (El término Rii2 dt es la energía disipada por el efecto joule
que no forma parte del trabajo reversible)
dφ dI
Si tenemos en cuenta que la f.e.m. es ε = − 12 = − M 12 1 podemos deducir que:
dt dt
dW mi = ii dφ i
En el caso de un circuito auslado con inductancia L la energía es de la forma:
1
Wm = LI 2
2
-

6
 - La densidad de energía magnética (ojo, es w minúscula)o energía por unidad de
volumen es:
1 B2
wm = (Se mide en J/m3).
2 µ0
B
- Intensidad del campo magnético (H): H = − M y de aquí se deduce que:
µ0
B = µ 0 ( H + M ) (la permeabilidad magnética en el vacío multiplicada por la suma
de la intensidad del campo magnético mas la imanación es igual a la inducción
magnética).
- Susceptibilidad magnética ( χ m ): Podemos clasificar los materiales magnéticos
atendiendo a que la dependencia entre M y H o entre B y H sea o no lineal. En los
medios lineales M es proporcional a H de forma que: M = χ m H . Esta constante
depende del tipo de material. Según su valor los materiales pueden ser:
Diamagnéticos si χ m < 0
Paramagnéticos si χ m > 0
- Permeabilidad magnética relativa: La ecuación B = µ 0 ( H + M ) se puede
modificar teniendo en cuenta la ecuación M = χ m H y queda: B = µ 0 (1 + χ m ) H . El
factor (1 + χ m ) es la permeabilidad magnética relativa.
- Permeabilidad magnética es: µ = µ 0 (1 + χ m ) (Su unidad es el Henrio/m).
- Circuitos eléctricos: fenómenos transitorios.
- Circuito R-L serie. Circuito con resistencia (R) e inductancia (L) La inductancia se
comporta (en cierto aspecto) como una pila en la que su es igual a:
di
ε inductanciaa = − L (fórmula vista en “fuerza electromotriz inducida”). La ecuación
dt
di
del circuito sería: V0 − L = R ⋅ i
dt
Cuando le aplicamos al circuito un voltaje V0 podemos averiguar i con:
−R
V0 ( t)
i = (1 − e L ) (L es el coeficiente de autoinducción y R la resistencia)
R
V
La corriente parte de un valor nulo para t=0 y alcanza el valor 0 para t=4. La
R
inductancia se opone a los cambios bruscos de corriente.
Corriente de cortocircuito: Cuando desconectamos el voltaje (V0 es ahora el
voltaje inicial después de desconectar el circuito) la ecuación anterior queda:
V0 ( −LR t )
i = (e )
R
L
La constante de tiempo del circuito R-L es: τ = y nos indica la rapidez con que
R
la corriente alcanza el 63,2% del valor final (su dimensión es el tiempo)

7
 - Circuito R-C serie. Circuito con una resistencia (R) y un condensador (C). La
q
ecuación del circuito (aplicando Kirchhoff) es: V0 = + R ⋅ i
C
−t −t
V0 ( RC ) ( )
y despejando i: i = (e ) . Despejando q: q = V0 ⋅ C (1 − e RC
)
R
V
- La corriente parte de un valor inicial igual a i = 0 hasta i=cero para t=4. ya que
R
el condensador (inicialmente con carga cero) se comporta como un
cortocircuito.

- Corriente de cortocircuito: Cuando desconectamos el voltaje (V0 es ahora el

voltaje inicial después de desconectar el circuito) la ecuación anterior queda:
−t −t
− V0 ( RC ) ( )
i= (e ) Y la carga q: q = V0 C (e RC )
R
La constante de tiempo del circuito R-C es: τ = RC y nos indica la rapidez o
lentitud con que se verifica el proceso de carga y descarga del condensador (su
dimensión es el tiempo).
- Circuitos eléctricos: corrientes sinusoidales (alternas).
- Circuito R-L serie (corriente alterna). Circuito con una resistencia (R),
inductancia (L) y un generador de voltaje sinusoidal (u). El voltaje sinusoidal es:
u = V0 cos ωt . El símbolo ω equivale a: ω = 2πf (f es la frecuencia o número de
ciclos por segundo o veces que cambia de sentido la corriente). La ecuación que
di
obtenemos al aplicar la ley de Kirchhoff es: V0 cos ωt = L + Ri
dt
- La corriente se retrasa con respecto al voltaje aplicado en el ángulo:
ωL
θ = arctg
R
V0
- I0 =
( R + (ωL) 2
2

- Se denomina reactancia inductiva a: X L = ωL ) (se puede considerar, de una

forma similar a la ecuación V=R.I, la ecuación: V L = X L ⋅ I L )
- El módulo de la impedancia (Z) es: Z = ( R 2 + (ωL) 2
- Circuito R-C serie (corriente alterna). Circuito con una resistencia (R) y
condensador (C) conectados en serie con un generador de voltaje (u). La ecuación
q
que obtenemos al aplicar la ley de Kirchhoff es: V0 cos ωt = + Ri
C
1 V0
- otras ecuaciones: tg θ = y I0 =
ωRC 1 2
(R 2 + ( )
ωC

8
 1 2
- El módulo de la impedancia (Z) es: Z = ( R 2 + ( ) (se denomina
ωC
−1
reactancia capacitiva a: X C = (Al igual que con la reactancia inductiva se
ωC
puede hacer la equivalencia de V=R.I para el condensador: VC = X C ⋅ I C
- 1
La corriente se adelanta sobre el voltaje aplicado en un ángulo: θ = arctg
ωRC
- Circuito R-L-C serie (corriente alterna). Circuito con una resistencia (R),
condensador (C) y bobina de autoinducción (L). La ecuación que obtenemos al
aplicar la ley de Kirchhoff es:
di q
V0 cos ωt = L + R.I +
dt C
V0
- I0 = (Se puede ver que el denominador es el módulo de la
1 2
( R + (ωL −
2
)
ωC
suma de las tres resistencias: R + (X L + X C ) , aunque considerando como una
resistencia la resta de la de la impedancia y el condensador – no sé porqué-)
1 2
- El módulo de la impedancia es: Z = ( R 2 + (ωL − )
ωC
ωL − 1ωC
- El desfase respecto al voltaje es: θ = arctg
R
- La solución correspondiente a la corriente permanente será:
V
i = 0 cos(ωt − θ )
Z
- Potencia.
- La potencia activa (potencia disipada en la impedancia) es: P = V ⋅ I ⋅ cos θ (se
denomina factor de potencia a: cos θ )
- La potencia reactiva (la potencia que se intercambia entre la impedancia y el
resto del circuito) es: Q = V ⋅ I sen θ
- Formas complejas. (sólo para preguntas teóricas, creo).
1
- La impedancia compleja (R-L-C): Z = R + j (ωL − ) ó Z = Z = Ze jθ
ωC
1 2
- Su módulo es: Z = R 2 + (ωL − )
ωC
ωL − 1ωC
- Su argumento es: θ = arctg( )
R

9
DIODOS Y TRANSISTORES

(OJO: no lo entiendo nada bien, puede tener cosas mal)

Diodo de unión PN polarizado.
- polarización inversa. Se conecta el polo negativo de una pila al positivo del diodo (y,
al otro lado, el polo positivo de la pila al negativo del diodo).

- Se comporta como una fuente de intensidad –Is (que depende de la temperatura). En

la práctica se puede considerar como un circuito abierto.
- Polarización directa. En este caso el polo negativo de la pila se conecta al negativo del
diodo y el polo positivo de la pila al positivo del diodo a través de una resistencia.

- Equivale a una pila y una resistencia (para ello ha de superar un voltaje mínimo). El
voltaje de la pila a la que equivale el diodo se opone o resta al voltaje de la pila del
circuito. En problemas, para hallar el voltaje del diodo hay que sumar el voltaje de
su pila al producto de su resistencia por la intensidad del circuito. VD = V + R ⋅ I

Diodo Zener
- En conducción Zener (también polarización inversa)

- Equivale a una pila y una resistencia (ojo, difiere del diodo en polarización directa
en que tanto la pila equivalente del diodo Zener como la pila con la que se conecta
están orientadas en sentido inverso. Esto, para los problemas, hace que se resten los
potenciales de las dos pilas igual que en conducción directa por lo que la única
variación es que los diodos Zener tienen unos datos de tensión y resistencia Zener y
otros de tensión y resistencia directa).
- En conducción directa.

10
 - Equivale a un diodo normal en polarización directa: Una pila (orientada en sentido
inverso al de la pila que conectamos al circuito) y una resistencia.
- En estado de corte.

- Se comporta como una fuente de intensidad –Is.

Transistor bipolar

- Tipo PNP Tipo NPN

Transistores JFET
FET significa Transistor de Efecto de Campo.
JFET significa FET de Unión.
- Tipo canal N

Transistores MOSFET
MOSFET significa Metal-óxido semiconductor FET.
Se clasifican como:
- NMOS: Canal n
- PMOS: Canal p.
Otra clasificación:
- MOSFET de deplexión: puede circular corriente entre fuente y drenaje sin conectar
tensión al terminal de puerta.
Ejemplo: NMOS de deplexión:

11
- MOSFET de acumulación: Es necesario aplicar una tensión (de umbral) UT para que
empiece a existir la circulación de corriente.
Ejemplo: PMOS de acumulación:

- El valor instantáneo de cualquier magnitud es la suma de su componente contínua

(valor medio) y el valor, en ese instante, de la componente alterna.
- Transistor bipolar. En transistores npn las corrientes de base y colector son positivas
(entrantes al dispositivo, creo que por eso las tensiones van en el sentido BE y BC) y la
corriente de emisor saliente. i E + iC + i B = 0 . Si el transistor fuera pnp la corriente
entrante sería la del emisor y las salientes las otras.
- Corte. La corriente de base y la de colector son nulas.
- Activa. Un parámetro relaciona la corriente de salida con la de entrada: iC = β ⋅ i B
- Saturación. La tensión uCE es de pequeño valor (<500 mV.)
- MOSFET. En los NMOS de acumulación uDF y iD toman valores positivos. En los
PMOS toman valores negativos.
- Corte. La tensión uPF no sobrepasa la tensión umbral, UT, como consecuencia la
intensidad de drenaje es nula. u PF < U T ⇒ i D = 0
- Intensidad constante. La transconductancia (g) es el parámetro que relaciona la
corriente de drenaje con la tensión de control: i D = g (U PF − U T )
- Modelos para las zonas de trabajo (en transistores bipolares emisor común y en
MOSFET fuente común).
1) Se supone que trabaja en zona de corte:
- Corte. (si se cumple que está en zona de corte). Circuito abierto a la salida y abierto
a la entrada. Creo que eso significa que I B = 0 = I C Ha de cumplir que:
- Transistor pnp: u EB < 0,7V (EB porque I B lleva esa dirección, creo)
- Transistor npn: u BE < 0,7V (BE porque I B lleva esa dirección, creo)
- MOSFET canal n: u PF < U T
- MOSFET canal p: u PF > U T
2) Si no se cumple, se supone que trabaja en:
- Zona Activa (transistor bipolar). (si se cumple que está en zona activa). Fuente de
corriente de valor iC = β ⋅ i B a la salida y una fuente de tensión continua (de 0,7 V.)
a la entrada.
- Transistor pnp: u BC > −0,7V (BC porque I C lleva esa dirección, creo)
- Transistor npn: u CB > −0,7V (CB porque I C lleva esa dirección, creo)
- Intensidad constante o “fuente de corriente” en MOSFET). Fuente de intensidad
i D = g ( I PF − U T ) en la salida y un circuito abierto en la entrada.
- MOSFET canal n: u DF > U CON
- MOSFET canal p: u DF < U CON

12
3) Si esto es también absurdo, la solución es que trabaja en:
- Saturación (transistor bipolar). Cortocircuito a la salida y fuente de tensión
continua (de 0,7 V.) a la entrada.
- Resistencia (transistor MOSFET). Una resistencia REQ en la salida (de valor
inversamente proporcional a la tensión de control) y un circuito abierto a la entrada.
El valor de uDF por el que se pasa de esta zona de trabajo a la anterior se denomina
tensión de contracción (UCON) y se verifica que: REQ ⋅ g (U PF − U T ) = U CON

13