ESCUELA INDUSTRIAL N°4 “JOSE MENENDEZ”
“TRABAJO GRUPAL RAM N°4”
CURSO:
[Link] Informática
Materia: INSTALACION Y REEMPLAZO
COMPONENTES INTERNOS
Alumno: Nicolas Diaz, Machado Valentín, Riquelme Juan y
Simón Herrera
Profesor: Tec. Rodriguez Juan
Fecha: 06/07/22
1) A lo largo de la historia han existido distintos tipos de memorias RAM disponibles en el
mercado, las cueles han variado entre sí en cuanto a diseño, funcionamiento,
componentes y potencia. Son las siguientes:
• Memorias SRAM o memoria RAM estática: lanzada por primera vez en el 1969 por Intel,
la SRAM (Static Random Access Memory) es una memoria de acceso aleatorio capaz de
mantener los datos sin necesidad de circuito de refresco lo que las hace más rápidas que
las memorias DRAM, pero mucho más cara y con menos capacidad para contener
información por unidad de volumen, es volátil y su consumo de energía varía
dependiendo de las veces que se acceda a la memoria.
Esta SRAM que lanza Intel tendría un tamaño de 256 bits, aunque IBM ya había sacado
un chip con una capacidad de 512 bits. Este tipo de memoria RAM se comercializaría
hasta 1995, obteniendo un máximo de 256 MB de capacidad.
• Memorias DRAM: Las Dynamic RAM fueron creadas por Robert Dennard en el 68 y
lanzadas al mercado por Intel en 1970. Las DRAM son las Primeras memorias basadas en
semiconductores de silicio, y eran de tipo asincrónico en un principio. Al contrario que la
SRAM, en esta memoria las células que guardan la información son refrescadas con nueva
electricidad cada «X» milisegundos para que la memoria RAM mantenga su información.
Este tipo de memoria también es volátil lo que a hace perder su contenido una vez deje
de recibir alimentación. Debido a que eran asincrónicas existía una menor eficiencia
entre la comunicación del procesador con esta misma.
• Memorias DRAM tipo FPM-RAM: RAM): estas memorias se utilizaron para los primeros
Intel Pentium. Su diseño consistía en ser capaz de enviar una sola dirección y a cambio
recibir varias de estas consecutivas. Esto permite una mejor respuesta y eficiencia ya que
no necesita estar continuamente enviando y recibiendo direcciones individuales.
• Memorias DRAM tipo EDO-RAM: Lanzada en 1994 y con tiempos de accesos de 40 o 30
ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar
direcciones contiguas, pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la
información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados
de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo
de lectura.
• Memorias DRAM tipo BEDO-RAM: Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la
SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores
internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de
reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al
mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria
sincrónicos que, si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan
funcionalidades distintas como señales de reloj.
• Rambus DRAM: fueran la evolución de las memorias asíncronas DRAM. Éstas mejoraban
tanto el ancho de banda como su frecuencia, llegan a alcanzar hasta 1200 MHz y un acho
de bus de 64 bits. Utilizaban un encapsulado RIMM y están actualmente en desuso. Estos
módulos tenían un problema: requerían señal continua. Si había un slot de memoria
vacío, el PC no funcionaba bien. Esto se solucionaba utilizando módulos C-RIMM.
• Modulo SIMM: En 1983 Wang Laboratories crea el módulo SIMM (Single In-line Memory
Module). Este módulo era una placa con circuito impreso en la PCB donde se montaban
las memorias DRAM. El módulo se insertaba en un slot de la placa base. Los pines o
contacto de ambas caras estaban interconectados, cosa que cambia en los módulos
DIMM
El motivo de la creación del módulo SIMM residía en la necesidad de proteger las placas
base, ya que las memorias RAM iban soldadas. Por lo tanto, era muy difícil quitar una
memoria RAM de la placa sin causar daños. De este modo, nacieron los módulos SIMM,
los cuales permitían la extracción e instalación de manera sencilla.
• Memoria SDRAM: En 1992 Samsung fabricó el primer módulo de SDRAM (Syncrhonous
DRAM o DRAM síncrona) de la historia, que era un tipo de memoria que se sincronizaba
a ella misma con la frecuencia del sistema. Esta sincronización permitía a la memoria
funcionar a velocidades más altas que los otros tipos de memoria. Esto suponía soportar
una frecuencia de hasta 133 MHz. Estos módulos se convirtieron en el estándar que
vemos hoy en día en las ddr4
• Memorias DDR: En 1996 nuevamente Samsung fue pionero en la creación de las DDR,
este tipo de memoria utiliza el límite máximo y mínimo del reloj del sistema, doblando la
velocidad de la memoria. Fue una tecnología que se utilizaba en memoria RAM, como en
tarjetas gráficas Las DDR RAM fueron las primeras en implementar la tecnología Dual
Channel, que permite repartir los módulos de memoria RAM en dos bancos o ranuras
para intercambiar datos con el bus en dos canales simultáneos. Por ejemplo, si los
módulos son de 64 bits, tendremos un ancho de bus de intercambio de 128 bits. En
cuanto a los estándares relacionados con la velocidad, las frecuencias de estas memorias
RAM fueron las siguientes:
• 133 MHz.
• 200 MHz.
• 266 MHz.
• 333 MHz.
• 400 MHz.
• Memorias eDRAM: En los 2000 Sony y Toshiba se aliaron para producir una memoria
RAM integrada en la misma die del MCM. El coste por bit era mucho mayor que los chips
DRAM, pero ofrecía grandes beneficios de rendimiento. Integrar la memoria en el ASIC o
procesador permitía unos buses más anchos y unas operaciones con más velocidad. Sin
embargo, los costes de producción eran elevados porque requerían más fases de
producción que una simple DRAM. Este tipo de memoria tuvo un objetivo claro: las
videoconsolas. La vimos en la PS2, Xbox 360, PSP, GameCube, Wii e, incluso, en el iPhone.
También, fue usada en procesador Intel e IBM. Su ciclo de vida parte del 2000 hasta el
2005. Inicialmente, se comercializaba en 32 MB, pero NEC llegó a fabricar eDRAM con 80
MB.
• Memorias DDR2: diseñada y creada en 2001 el DDR2 era una memoria SDRAM que venía
en módulos DIMM cuya evolución tenía que ver con la frecuencia y el voltaje: menos
energía y una velocidad más alta. Demostraba ser una tecnología algo verde para aquel
momento, ya que al tener mayor velocidad también tenían mayor latencia, aunque a
todo cambiaría con el paso de los años.
Para terminar, decir que la DDR2 ofrecía un voltaje de 1.8V, lo que era una gran mejora,
como una latencia máxima de CL7 y las siguientes frecuencias:
• 400 MHz.
• 533 MHz.
• 666 MHz.
• 800 MHz.
• 1066 MHz.
• Memorias DDR3: Samsung la estuvo desarrollando desde 2005, pero no llegaría nuestros
hogares hasta 2007. La capacidad de estas memorias partiría de los 512 MB. Conforme
se iban sucediendo las distintas SDRAM, la latencia aumentaba al mismo ritmo que las
frecuencias. La RAM DDR3 trajo una evolución importantísima: módulos de 4 GB, 8 GB y
16 GB por unidad. No sólo eso, se reducía el voltaje hasta 1.35V y se aumentaba la
frecuencia hasta llegar a los 2113 MHz. En cuanto a las frecuencias, tamaño, voltaje y
latencia de estas memorias, las resumimos de esta manera:
• Frecuencias: desde 1066 MHz hasta 2133 MHz en escritorio. Se llegaron a ver memorias
DDR3 con una frecuencia de hasta 3300 MHz.
• Voltaje: entre 1.35V y 1.5V.
• Latencia: como mínimo, CL9; como máximo, CL16.
• Tamaño máximo por módulo: 16 GB.
• Memorias DDR4: el DDR4 fue desarrollado por Hynix desde 2011, pero Samsung fue
quien las lanzó al mercado en 2014. De hecho, Samsung lanza un módulo de 2 GB DDR4
con una frecuencia de 2.133 MHz para testarlo. Este tipo de memoria trajo los siguientes
avances:
• Desde 2133 MHz hasta 4.800 MHz de frecuencia.
• Un voltaje desde 1.15V hasta 1.35V.
2)
Chip SPD: El Serial Presence Detect, es el encargado de almacenar datos relaticos al
módulo RAM. Permitiendo que el pc reconozca que RAM tiene instalada en su interior al
chequear el encendido.
Banco de memoria: Es la parte física encargada de almacenar los registros. Está formado
por chips de circuitos integrados que están compuestos por transistores y capacitores
que forman celdas de almacenamiento, permitiendo almacenar bits de información.
Placa de componentes: Es la estructura que soporta los demás componentes y las pistas
eléctricas que comunican cada una de las partes de estas.
Bus de conexión: Es el encargado de permitir la comunicación entre el módulo de
memoria, placa base, etc.
Reloj: Las memorias RAM síncronas cuentan con un reloj que se encarga de sincronizar
las operaciones de lectura y escritura de estos elementos. Las memorias asíncronas no
llevan este tipo de elemento integrado.
Función:
La RAM, es una memoria de acceso aleatorio, donde se cargan todas las instrucciones y
tareas que componen los programas y de los que hará uso el procesador. Es un
almacenamiento de acceso aleatorio porque es posible leer o escribir un dato en
cualquier posición de memoria que haya disponible, sin un orden prefijo por el sistema.
DUAL CHANNEL, BUS DE DATO DE 128 bits, CPU y Controladores de memoria CM1 y CM2
La CPU quiere leer el dato de la posición de memoria 2. Esta ubicación corresponde a dos
celdas ubicadas en dos módulos de RAM en dual channel
Como lo queremos es leer el dato de la memoria el bus de control activara el cable de
lectura (RD) para que la memoria sepa que la CPU quiere leer ese dato.
Simultáneamente el bus de memoria enviara esa dirección de memoria a la RAM, todo
sincronizado mediante el reloj (CLK)
La memoria ya ha recibido la petición del procesador, ahora unos cuantos ciclos después
esta preparará el dato de ambos módulos para enviarlo por el bus de datos. Decimos
unos ciclos después porque la latencia de la RAM hace que el proceso no sea inmediato
Por el bus de datos se enviarán 128 bits de datos provenientes de la RAM
Ahora cada uno de estos bloques llegarán a los controladores de memoria CM1 y CM2 y
en dos ciclos de reloj la CPU los procesará.
3) Cuando hablamos de single Channel nos referimos a la utilización de una única señal a un
ancho de banda y frecuencia determinada. Cuando utilizamos single channel estamos
trabajando con bloques de 64 bits. En cambio, el dual channel es una tecnología para
memorias RAM que incrementa su rendimiento al permitir el paso simultáneo a dos
módulos diversos de memoria, que se hace a bloques de 128 bits en lugar de los
tradicionales 64 bits. Con esta tecnología Dual Channel la gráfica puede acceder a un
módulo de memoria, al mismo tiempo que el sistema ingresa a otro. Además de estas
dos arquitecturas también existe el quad channel que es una tecnología que aumenta la
velocidad de transferencia de datos que se realiza entre la memoria DRAM y el
controlador de memoria, a través de la adición de canales de comunicación entre ellos.
En general, el rendimiento que ofrece esta tecnología es casi igual a la de dos canales,
solo que con ligeros puntos adelante. Este último nos sirve más con programas que
impliquen mucha memoria RAM, por ejemplo, el renderizado.
Sabiendo lo anterior podemos afirmar que tener dos memorias de 4gb nos otorga un
rendimiento superior al de un solo módulo de 8gb ya que este no aprovecha la tecnología
del dual channel.
4) En primer lugar, tenemos la creación de la “materia prima”, esta creación está dividida
en 11 pasos.
El primer paso es la creación de un lingote o cristal hecho de silicio. Una vez formados,
estos lingotes se cortan en wafers delgados y pulidos. Los elementos del circuito del chip
(transistores, resistencias y capacitores) se construyen en capas sobre el wafer de silicio.
Los circuitos son probados por medio de simulación. Cuando se termina el diseño se
producen las fotomascaras de vidrio (una máscara por capa de circuito)
Segundo paso, los wafers son expuestos a un proceso de fotolitografía de pasos múltiplos
realizándose sobre cada mascara requerida por el circuito. Se usan máscaras para (a)
definir las distintas partes de transistores, capacitores, resistencias o conectores y definir
el patrón del circuito. Los wafers de silicio se cubren con una delgada capa de vidrio
seguido de nitruro.
Tercer paso, el wafer se cubre de manera uniforme una resina fotosensible que cuando
se expone a luz ultravioleta, la capa de resina sufre un cambio químico, que permite que
una solución reveladora retire la capa de resina fotosensible expuesta y deje una porción
sin exponer. El proceso de fotolitografía y de aplicación de resina se repetiré para cada
mascara que requiere el circuito.
Cuarto paso, durante este paso se coloca acido húmedo o gas plasma seco sobre el wafer
para eliminar la capa de nitruro que no está protegido por la resina fotosensible
endurecida. Este deja un patrón de nitruro sobre el wafer con el diseño. Cuando se
elimina o limpia la resina fotosensible con otro agente químico, se puede grabar cientos
de chips de memoria sobre el wafer.
Quinto paso, aquí se empieza a conectar los elementos del circuito entre sí, se deposita
una capa aislante de vidrio sobre el wafer y se usa una máscara de contactos para definir
los puntos de contacto. Luego de que se grabaran las ventanas para los contactos, el
wafer se cubre por una capa de aluminio.
Sexto paso, en este paso el wafer es cubierto por una capa de pasivación (aislante de
vidrio y nitruro de silicio) para protegerlo. Sigue una máscara final y un grabado de
pasivación, que elimina los materiales de pasivación de las terminales, llamadas
almohadillas de unión. Estas almohadillas se usan para conectar eléctricamente las
pastillas con las patillas de metal sobre el paquete de plástico o cerámico. Una cierra de
diamante corta el wafer en chips individuales.
Séptimo paso, durante este paso, los bastidores de patillas se colocan en placas de
moldeo y se calientan. Se prensa material plástico alrededor cada una para formar un
paquete individual.
Octavo paso, este proceso es la galvanoplastia donde los bastidores de patillas se
“cargan” mientras se sumergen en una solución de estaño y plomo.
Noveno paso, los bastidores de patillas se cargan en máquinas de recorte y formado,
donde se forman las patillas y los chips se recortan de los bastidores.
Decimo paso, durante este paso se realiza una prueba de uso, se prueba cada chip para
ver cómo se comporta bajo condiciones de esfuerzo acelerado. Luego de ser probados
en el horno AMYX son inspeccionados, sellados y listos para ensamblarlos.
Undécimo paso, para conectarla a la Motherboard se utiliza una tarjeta de circuito
impreso (PCB). Para lograrlo se monta sobre la PCB dando como producto final un
módulo de memoria terminado.
En segundo lugar, se lleva a ensamblar, Kingston obtiene las materias primas, incluyendo
la DRAM en todas sus configuraciones, los productos se montan las líneas de montaje en
superficie.
El primer paso es la impresora serigráfica, donde se esparce la pasta de soldar sobre una
malla de estarcido, con lo que se transfiere a las placas de circuito impreso.
Las placas pasan por una estación de inspección óptica donde se examina detenidamente
el grosor y la integridad de la soldadura.
El próximo paso consiste en el montaje en superficie, se colocan los componentes pasivos
como resistencias y condensadores.
Se colocan los chips de la DRAM, una vez colocados en la placa de circuito impreso, se
someten a un ciclo de siete temperaturas que pueden llegar hasta los 260 grados Celsius.
Después del horneado todos los productos pasan por una última inspección óptica
automatizada, después se procede a la etapa de separación de placas, Kingston emplea
sierras rebanadoras controladas por ordenador para recortar el exceso de material y
separar los dispositivos.
El KT2100 es el primer equipo de prueba de producción automatizado de alto volumen y
fue desarrollado por Kingston, aloja ocho placas base y es capaz de probar hasta 400
módulos por hora.
Los principales fabricantes de estas memorias RAM son tres, Samsung, Micron y SK hynix,
siendo un oligopolio en el mercado al que recurren Corsair, Kingston y otras marcas.
Samsung y SK hynix son marcas coreanas, mientras que Micron es estadounidense.
Samsung fue la marca que impulso al desarrollo y creación de las DDR2, DDR3 y DDR4.
Mientras que SK hynix fue la primera en llevar al mercado la DDR5.
Y Micron tiene el control de prácticamente todo el mercado estadounidense.
5) Las ultimas memorias RAM DRR5 con sus últimos funcionamientos y planeaciones hacen
que la DDR5 reduzca el consumo de energía, mientras se duplica el ancho de banda
pasando de 3,2 GB/s a los 6,4 GB/s.
El funcionamiento de esta supone una reducción de los tiempos de acceso a la memoria
y beneficia a cualquier software que hace un uso intensivo de este tipo de memoria.
El procesador que soportan la DRR5 es Intel Alder Lake (12a Generación).
La velocidades y latencia que obtenemos gracias a la DRR 5 es de una velocidad de 4.800
MT/sg, lo que significa que es 1,87 veces más rápida y la latencia es de 40-39-39-77.
6) A la hora de hablar sobre DDR5, lo primero que hay que tener en cuenta es que estas
nuevas tecnologías se caracterizan por su aumento en la transferencia de datos, como
así también hay un descenso en el consumo energético de las memorias, a comparación
de las anteriores DDR4.
En YouTube se encuentra el video de un experimento que realiza un usuario. Una
comparativa de ambas tecnologías, DDR4 y DDR5, y las pone a prueba en una PC con los
mismos componentes, variando únicamente los módulos de la RAM.
El pc cuenta con las siguientes características:
• Motherboard MSI MPG Z690 Force DDR5
• 32Gb RAM DDR5 5200Mhz
• Motherboard MSI PRO-A DDR4
• 32Gb RAM DDR4 3200Mhz
• Procesador Intel Core i9 12900K 8 cores 2.40 GHz a 5.20 GHz.
• Placa de video GeForce RTX 3080 10GB
• SSD - 2xSAMSUNG 970 EVO M.2 2280 1TB
• Fuente de alimentación CORSAIR RM850i 850W
Teniendo presentes los anteriores componentes, el experimento en cuestión arrojó los
siguientes resultados:
Juegos Media de FPS DDR4 Media de FPS DDR5
Forza Horizon 4 223 235
Far Cry 6 136 149
Assasin’s Creed Valhalla 134 137
Battlefied V 214 226
Cyberpunk 2077 150 166
Tom Clancy’s Rainbows Six Siege 555 571
Hitman 3 184 199
The Witcher 3 201 226
Red Dead Redemption 2 149 160
Pensando a grandes rasgos, no hay una diferencia considerable entre una tecnología y
la otra. La diferencia no aparece solo en los fps de un juego, sino también pensando en
consumo de energía, o uso de las memorias.
Sin ir más lejos, durante el anterior experimento, las memorias DDR4 consumían una
cantidad levemente mayor de energía que las DDR5, como así también trabajaba más en
materia de cantidad de memoria.
Con toda esta información presente, podemos determinar que, si bien la tecnología
avanza y la idea de innovación va de la mano con mejoras de rendimiento, en este caso
las memorias DDR5 no son una diferencia abismal si de rendimiento se trata.
Hay que tener en cuenta también, que el costo de las memorias DDR5 es mucho más
elevado que el de las DDR4. En este contexto, no se justifica verdaderamente cambiar
una PC con tecnología DDR4 a DDR5.