“Año del Fortalecimiento de la Soberanía Nacional”
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
ASIGNATURA DE DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
EXPERIENCIA 01
DOCENTE:
Mestas Ramos, Jose Luis
INTEGRANTE:
Espinoza Rojas, Juan José 21190134
Ramos Callacna Pablo Daniel 21190171
Ciudad Universitaria, 17 de mayo del 2022
I. OBJETIVOS
Verificar las características de operación de los diodos semiconductores
II. EQUIPOS Y MATERIALES
Fuente de poder DC Multímetro
Miliamperímetro Microamperímetro
Voltímetro DC Diodo semiconductor de Silicio y Germanio
Cables y conectores
III. INFORME PREVIO
1. Buscar en los manuales y detallar las características de los diodos a utilizar (uno de
Silicio y otro de Germanio)
Diodo de Silicio
Diodo de germanio
2. Explicar los siguientes conceptos:
● Resistencia Dinámica
Si un diodo trabaja con voltajes variables , es decir que el punto de trabajo se va a
mover con el tiempo por la curva característica, la resistencia que va a presentar el
diodo, también va a variar, dependiendo esta de punto de trabajo en cada instante. A
Esta resistencia se denomina resistencia dinámica y tiene un valor dado por:
ΔV
r p=
ΔI
En otras palabras, la resistencia dinámica se define como la oposición que presenta el
diodo al paso de una señal alterna o variable en tiempo.
● Corriente de Polarización Directa
Si se une de un semiconductor tipo P con un semiconductor tipo N se le denominará
unión o juntura.
-POLARIZACIÓN INVERSA: Cuando la capa tipo N se conecta al positivo de la
batería y la capa P al negativo se dice que es una polarización inversa, y ocurre lo
siguiente a través de la juntura: Los electrones que salen del negativo de la batería
corren a llenar los vacíos o espacios de la capa P, completando todos los átomos de
esta pastilla los 8 electrones (compartidos con el visitante); a partir de este momento
no reciben más corriente, dado que presentan alta resistencia.
Cuando se conecta la capa N al positivo, ocurre algo similar todos los electrones que
se encontraban libres en la capa, corren a los espacios del terminal positivo de la
batería, dejando a los átomos de la pastilla compartiendo sus 8 electrones, en este
punto se vuelven aislantes y no permiten el paso de corrientes eléctricas.
En conclusión, una juntura conectada en forma inversa presenta alta resistencia al paso
de la corriente eléctrica.
POLARIZACIÓN DIRECTA: El terminal negativo de la batería introduce más
electrones libres a la capa N, lo que hace que muchos pasen a través de la JUNTURA
de las 2 capas y llenen los espacios de la capa P. Este flujo será permanente debido a
que el terminal positivo de la batería contínuamente toma electrones de allí, dejando
espacios para llenar por los electrones que pasen por la unión.
En conclusión, una juntura que se conecta en forma directa presenta baja resistencia al
paso de la corriente.
● Tensión de Pico Inverso.
El pvr es el voltaje pico inverso y se refiere al voltaje que soporta cuando está
polarizado inversamente; por ejemplo, se tiene un diodo conectado a la red (110V AC)
y cuando aparece el semiciclo negativo, el diodo soporta 110V ac, este es el valor de
su pvr (para que el diodo no se dañe debo conseguir un diodo con un pvr mayor que
110V). Sería aconsejable conseguir el diodo con un PRV de 400V
IV. PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de Silicio. Registrar los
datos en la tabla 1.1
Rdirecta
75.463 KOhmios
Rinversa
0.6539 KOhmios
2. Implementar el circuito de la figura 1.1.
a. Ajustando la tensión de salida de la fuente de tensión (empezando de 0V), observar
y medir la corriente y la tensión directa del diodo. Llene la tabla 1.2.
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,
proceder como en a), registrando los datos en la tabla 1.3
Figura 1.1
Vcc(V) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Id(mA) 0 0 0 1.34 8.54 17.2 41.8 91.5 141 191
Vd(V) 0.10 0.20 0.40 0.67 0.75 0.78 0.82 0.85 0.87 0.89
Vcc(V) 0 2 4 6 8 10 12 15 20 76 77 78 82
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 4.71 17.2 24.7 63.3
Vd(V) 0 2 4 6 8 10 12 15 20 75.5 77.6 77.7 77.7
3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de germanio. Registrar
los datos en la tabla 1.4
Rdirecta
22.755 KOhmios
Rinversa
0.3660 KOhmios
4. Repetir el circuito de la figura 1.1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2.
Proceda a llenar las tablas 1.5 y 1.6
Tabla 1.5
Vcc(V) 0.3 0.5 0.7 0.9 1.18 1.4 1.84 2.27 2.54 3.09 3.66
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.291 0.478 0.656 0.819 1.017 1.145 1.338 1.469 1.532 1.632 1.708
Tabla 1.6
Vcc(V) 0.0 1.0 2.0 4.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Id(mA) 0 0.052 0.054 0.055 0.055 0.055 0.055 0.055 0.053 0.057
Vd(V) 0 0.995 1.995 3.995 7.995 9.994 11.994 14.994 17.994 19.994
V. CUESTIONARIO
1. Construir el gráfico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 1.2 y 1.3 (Si).
Calcular la resistencia dinámica del diodo
2. Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de la tabla 1.5 y 1.6 (Ge).
Calcular la resistencia dinámica del diodo
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas
Los datos obtenidos del diodo de silicio y germanio indican:
Si está polarizado directamente su ohmiaje se mide en Kohm y si está polarizado
inversamente su ohmiaje es más pequeño midiéndose en Ohmios.
Al variar los voltajes mínimamente la diferencia de corriente es bastante, mientras
que el voltaje en el diodo varía muy poco.
4. Exponer sus conclusiones en el experimento
En el diodo de silicio polarizado directamente con un voltaje hasta 0.4 la corriente
es 0, a partir del de 0.8 ca corriente fluye normalmente.
En el diodo de germanio polarizado inversamente la corriente se mantiene casi
constante.
V. OBSERVACIONES
A. Se tenían varias opciones de diodos en cuanto al voltaje que empleemos.
B. Las gráficas nos dan un mejor entendimiento del comportamiento del diodo.
VI. BIBLIOGRAFÍA
1. [Link]
[Link]#:~:text=La%20resistencia%20din%C3%A1mica%20de%20un,de%20una%20curva
%20de%20W%C3%B6hler.
2. [Link]
%C3%B3n-en-uniones-pn#:~:text=La%20polarizaci%C3%B3n%20directa%20se
%20produce,una%20mayor%20corriente%20de%20difusi%C3%B3n.
3. [Link]
4. [Link]
inline=1#:~:text=El%20PVR%20es%20el%20voltaje,conseguir%20un%20diodo%20con
%20un