EL DIODO
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de él con una impureza
trivalente y la otra con una impureza pentavalente, se forma un límite llamado
unión pn entre las partes tipo p y tipo n resultantes y se crea un diodo básico. Un
diodo es un dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección. La unión pn
es la característica que permite funcionar a diodos, ciertos transistores y otros
dispositivos.
Un material tipo p consta de átomos de silicio y átomos de impureza trivalentes
tales como el boro. El átomo de boro agrega un hueco cuando se enlaza con
los átomos de silicio. Sin embargo, como el número de protones y el número de
electrones son iguales en todo el material, no existe carga neta en el material y
por lo tanto es neutro.
Un material de silicio tipo n se compone de átomos de silicio y átomos de
impureza pentavalentes tales como el antimonio. Como ya se vio, un átomo de
impureza libera un electrón cuando se enlaza a cuatro átomos de silicio. Como
sigue habiendo un número igual de protones y electrones (incluidos los electrones
libres) por todo el material, no existe carga neta en el material y por lo tanto es
neutro.
Si un trozo de silicio intrínseco es dopado de tal forma que una parte es tipo n y
la otra tipo p, se forma una unión pn en el límite entre las dos regiones y se crea
un diodo, como se indica en la figura 1(a). La región p tiene muchos huecos
(portadores mayoritarios) por los átomos de impureza y sólo unos cuantos
electrones libres térmicamente generados (portadores minoritarios).
La región n tiene muchos electrones libres (portadores mayoritarios) por los
átomos de impureza y sólo unos cuantos huecos térmicamente generados
(portadores minoritarios).
Formación de la región de empobrecimiento.
Los electrones libres en la región n se mueven aleatoriamente en todas
direcciones. En el instante en que se forma la unión pn, los electrones libres que
se encuentran cerca de la unión en la región n comienzan a difundirse a través
de la unión hacia la región p, donde se combinan con los huecos que se
encuentran cerca de la unión, como se muestra en la figura 1(b).
Antes de analizar la formación de la unión pn, recuerde que existen tantos
electrones como protones en el material tipo n, por lo que el material es neutro
en función de la carga neta; lo mismo se aplica al caso del material tipo p.
Cuando se forma la unión pn, la región n pierde electrones libres a medida que
se difunden a través de la unión. Esto crea una capa de cargas positivas (iones
pentavalentes) cerca de la unión.
A medida que los electrones se mueven a través de ésta, la región p pierde
huecos a medida que los electrones y huecos se combinan. Esto crea una capa
de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la unión.
Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la región de
empobrecimiento, como la figura 1-17(b) lo muestra. El término empobrecimiento
se refiere al hecho de que la región cercana a la unión pn se queda sin
portadores de carga (electrones y huecos) debido a la difusión a través de la
unión. Tenga en cuenta que la región de empobrecimiento se forma muy rápido
y que es muy delgada en comparación con la región n y la región p.
Figura 1 Formación de la región de empobrecimiento. El ancho de ésta se muestra exagerada
para propósitos de ilustración.
POLARIZACIÓN DE UN DIODO
En el punto de equilibrio ningún electrón se mueve a través de la unión pn. En
general el término polarización se refiere al uso de un voltaje de cc para
establecer ciertas condiciones de operación para un dispositivo electrónico. En
relación con un diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa.
Cualquiera de estas condiciones de polarización se establece conectando un
voltaje de cc suficiente y con la polaridad apropiada a través de la unión pn.
Polarización en directa
Para polarizar un diodo se aplica un voltaje de cc a través de él. Polarización en
directa es la condición que permite la circulación de corriente a través de la
unión pn. La figura 2 muestra una fuente de voltaje de cc conectada por un
material conductor (contactos y alambres) a través de un diodo en la dirección
que produce polarización en directa. Este voltaje de polarización externo se
expresa como VPOLARIZACIÓN. El resistor limita la corriente en condición de
polarización en directa a un valor que no dañe al diodo. Observe que el lado
negativo de VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y el lado
positivo está conectado a la región p: éste es un requisito para que se dé la
polarización en directa. Un segundo requerimiento es que el voltaje de
polarización, VPOLARIZACIÓN, debe ser más grande que el potencial de barrera.
Figura 2 Un diodo conectado para polarización en directa
Polarización en inversa
La polarización en inversa es la condición que en esencia evita la circulación de
corriente a través del diodo. La figura 3 muestra una fuente de voltaje de cc
conectada a través de un diodo en la dirección que produce polarización en
inversa. Este voltaje de polarización externo se designa como VPOLARIZACIÓN,
como en el caso de polarización en directa. Observe que el lado positivo de
VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y el lado negativo está
conectado a la región p. Observe también que la región de empobrecimiento
se muestra mucho más ancha que la condición de polarización en directa o
equilibrio.
Figura 3. Un diodo conectado para polarización en inversa. Se muestra un resistor limitador aunque no es
importante en la polarización en inversa porque en esencia no hay corriente.
Característica De Voltaje-Corriente De Un Diodo.
Como ya se aprendió, la polarización en directa produce corriente a través de
un diodo y la polarización en inversa evita una circulación de corriente, excepto
por una corriente en inversa despreciable. La polarización en inversa impide, en
esencia, la circulación de corriente en tanto el voltaje de polarización en inversa
no sea igual o exceda el voltaje de ruptura de la unión.
Característica V-I en condición de polarización en directa.
Cuando se aplica un voltaje de polarización en directa a través de un diodo se
produce corriente. Esta corriente se conoce como corriente de polarización en
directa y se expresa como IF. La figura 4 ilustra lo que sucede a medida que el
voltaje de polarización en directa se incrementa positivamente desde 0 V. Se
utiliza el resistor para limitar la corriente de polarización en directa a un valor que
no sobrecaliente el diodo y no provoque daños.
Figura 4 Las mediciones de polarización en directa muestran cambios generales en VF e IF a medida que se
incrementa el VPOLARIZACIÓN.
Con 0 V a través del diodo, no se produce corriente de polarización en directa.
A medida que se incrementa gradualmente el voltaje de polarización en directa,
la corriente de polarización y el voltaje a través del diodo se incrementan
gradualmente, como se muestra en la figura 4 (a) lo muestra. Una parte del
voltaje de polarización en directa decae a través del resistor limitador.
Cuando el voltaje de polarización en directa se incrementa a un valor en el que
el voltaje a través del diodo alcanza aproximadamente 0.7 V (potencial de
barrera), la corriente de polarización en directa comienza a incrementarse con
rapidez, como muestra la figura 4 (b).
Conforme el voltaje de polarización en directa se incrementa, la corriente
continúa incrementándose muy rápidamente, aunque el voltaje a través del
diodo se incrementa sólo gradualmente por encima de 0.7 V. Este pequeño
incremento en el voltaje del diodo por encima del potencial de barrera se debe
a la caída de voltaje a través de la resistencia dinámica interna del material
semiconductor.
Primera aproximación: diodo ideal
Esta es la aproximación más simple. La curva del diodo si lo tomamos como ideal
es la representada en la figura. También se indica su circuito equivalente
dependiendo de la zona de funcionamiento.
Cuando se toma el diodo ideal y está polarizado en directa su tensión es cero,
por lo tanto se sustituye por un cortocircuito entre sus terminales. Sin embargo, si
esta polarizado en inversa se sustituye por un circuito abierto, ya que no permite
el paso de la corriente en esa zona de trabajo.
Segunda aproximación
Probablemente sea la aproximación más utilizada. Cuando el diodo está
polarizado en directa, su circuito equivalente es un generador de tensión de valor
igual a la tensión umbral del diodo. Mientras que si se encuentra polarizado en
inversa es un circuito abierto, ya que no circula la corriente a través de él. La
curva del diodo en este caso es la siguiente:
Tercera aproximación
La última aproximación es la más real de todas. En ella, se tiene en cuenta la
resistencia interna del diodo y por lo tanto, se incluye en su circuito equivalente
cuando el semiconductor está polarizado en directa. Su valor suele ser muy
pequeño respecto a las resistencias externas al diodo, por eso en mucha
ocasiones se desprecia su efecto. La curva característica en esta aproximación
es:
En este caso, además de añadir un generador de tensión de valor V umbral hay
que tener en cuenta la resistencia interna del dispositivo. De esta manera, al
sustituir el componente por su circuito equivalente, está formado por el
generador y la resistencia cuando se polarice en directa.
Bibliografía
Thomas L. Floyd. (2008). DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS. En DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICOS (3 - 21). México: PEARSON EDUCACIÓN,.