Diodos

l¡lrnoouccróH
En el capltulo anterior se fataron casi exclusivamente los circuitos lineales; se consideró que
cualquier falta de linealidad, como la introducida por la saturación de salida de un arnplificador,
era un problema que debía resolver el diseñador del circuito. Sin embargo, hay muchas otras
funciones de procesamiento de señales que sólo pueden instrumentarse con circuitos no linea-
les. Algunos ejemplos son la generación de voltajes de dc a parti¡ de la fuente de alimentación
de ac y la generación de señales con diversas formas de onda (por ejemplo, senoides, ondas
cuadradas, pulsos, etc.).'Además, los circuitos digitales lógicos y de memoria son una clase
especial de circuitos no lineales.
El diodo es el elemento de circuito no lineal más simple y fundamental. Al igual que el
resistor, el diodo üene dos terminal€s, pero a diferencia de é1, que tiene una relación lineal
(en línea recta) entre la corriente que pasa por él y el voltaje que aparece en sus terminales, el
diodo presenta una caracteística i-u no lineal.
En este capítulo se estudian4n los diodos. Para comprender su función esencial, se empezNá
con un elemento ficticio: el diodo ideal. Luego se presenta:á el diodo de unión de silicio, se

139
a \

14o 3 cAPfTUto3 DroDos

explicarán las curvas ca¡acterlsticas de sus terminales y se ofrecerán técnicas para el anr4lisis
de circuitos con diodos. Esta rftima tarea se relaciona con el irnpofante tema del modelado
de1 dispositivo. El estudio del modelado de las curvas caxactefsticas del diodo sentará las
bases para el estudio posterior del modelado de la operación del transistor en los dos capítulos
siguientes.
Entre las muchas aplicaciones de los diodos, la más común es el diseño de rec¡ificado¡es
(que convierten ac en dc). Por tanto, se estudiarári circuitos rectiflcadores con cierto detalle y se
revisarán brevemente otras aplicaciones de los diodos. En todo el libro, pero sobre todo en el ca-
pítulo 13, se encontrarán otros circuitos no lineales que utilizan diodos y otros dispositivos.
Para comprender el origen de las características de las terminales de un diodo se revisará
su operación física. El estudio de la operación física de una unión pn y de los conceptos básicos
de la física de semiconductores tiene el obietivo de sentar las bases para comprender no sólo las
caractelsticas de los diodos de unión sino también 1as del transistor de efecto de campo, que se
estudiarán en el capltulo siguiente, y del de unión bipolar, que se estudiará en el capltulo 5'
Aunque casi todo este capítulo se relacionará con el estudio de los diodos de silicio de
:unión pn, se revisarán brevemente algunos tipos especializados, incluidos el fotodiodo y el
diodo emisor de luz. El capítulo concluirá con una descripción del modelo del diodo utilizado
en el programa SPICE de simulación de circuitos. También se presentaxá un ejemplo de diseño
que ilustra el uso de la sirnulación de SPICE.

'il..t EL DIODO IDEAT

3.1.1 La característica corriente-volta¡e

Podría considerarse que el diodo ideal es el elemento más fundamental de los circuitos no linea-
les. Se trata de un dispositivo con dos terminales representado con el símbolo que se muestra
en la figura [Link]) y con la caracteística i-u que se muestra en la 3.1b). La caracterlstica de las

Anodo Cátodo

St>, 1.
l'
a) b)

___>
Hi*Éi*Pe-------------o
+7)
u<0>i = 0 i>0 +¿:0
c) a
FIGURA 3.1 El diodo ideal: ¿) sfmbolo del ci¡cuito de diodo; ,) caracterlstica ¡-q c) ci¡cuito equivalente
[Link]ón inversa; d) circuito equivalente en la di¡ección directa.
en la
 3.1 EL DtoDo |DEAL & r 4r

+10v +10 v

t
I

frro
| ,n-o
+ lY*
OV f to,,

I=I

FIGURA 3.2 Los dos nodos de operación de los

diodos ideales y el uso de un circuito extemo para
a) b) limitar la corriente dirccta a) y el voltaie inverso ó).

terminales del diodo ideal podría interpretarse de la manera siguiente: si se aplica al diodo un
voltaje negativo len relación con la dirección de referencia indicada en la figura 3.1a)], no pasa
corriente y el diodo se comporta como un circuito abierto lfigura [Link])]. Se dice que este tipo
de diodo tiene polarización inversa o que opera en dirccción inversa. Un diodo ideal tiene
corriente cero cuando opera en dirección inversa y se dice que está en corte.
Por otra parte, si se aplica al diodo ideal una corriente positiva [en relación con la direc-
ción de reférencia indicada en la figura 3.1a)1, aparecerá en él una caída de voltaje de cero.
En otras palabras, el diodo ideal se comporta como un cofocircuito en la dirección posíriva
[figura 3.1d)]; y pasa cualquier corriente con caída de voltaje de cero. Se dice que un diodo
con polarización directa está conduciendo.
Esta descripción ayuda a reconocer que debe diseñarse el circuito extemo de modo que
limite a valores predeterminados el paso de la coriente di¡ecta por un diodo conductor y el
del voltaje inverso por un diodo en corte. En la frgura 3,2 se muestran dos circuitos con diodos
que ilustran el tema. Obviamente, en el circuito de la figura 3.2a) el diodo está conduciendo.
Por tanto, su caída de voltaje será cero y la coriente que pasa por él estará determinada por la
fuente de alimentación de +10 V y el resistor de 1 kO como 10 mA. Resulta obvio que el diodo
del circuito de la figura 3.2á) estr4 en corte y su cor:riente será cero, lo que significa que toda la
fuente de alimentación de 10 V apatecerá como polarización inversa a través del diodo.
La terminal positiva del diodo es el ánodo y la negativa es el cátodo, terminología que
ha sobrevivido desde la época de los diodos de bulbos o tubos de vacío. La cancterística i-?
del diodo ideal (que conduce en una dirección y no en la otra) explica por qué se eligió para el
circuito un sÍmbolo parecido a una flecha.
Como se hace evidente con la descripción anterior, la cancteística í-u del diodo ideal
es altamente no lineal; aunque esü4 formada por dos segmentos de lirea recta, se encuentran
en un ángulo de 90o. A un¿ curva no lineal conformada por segmentos de línea recta se le de-
nomina lineal por piezas. Si en una aplicación determinada se utiliza un dispositivo con una
caracteústica lineal por piezas de manera tal que la señal de sus terminales sólo alteme en uno
de los segmentos, entonces se considera que el dispositivo es un elemento de circuito lineal
en ese segmento en particular. Por otra parte, si las señales alteman entre uno o más puntos de
ruptura de la curva característica, ya no se puede realizar un análisis lineal.

3.1.2 Una apl¡cación simple: el rect¡ficador

Una aplicación fundamental del diodo, que usa su caracteística i-2, marcadarnente no lineal,
es el circuito rectificador que se ilustra en la figura 3.3a). El circuito está conformado por la
r 42 3 cAPfTUr.o 3 DroDos

"ru ltto-

a)

.,m:., +Lb:O_

at2O ¿¡ sO

c) d)

e)

FIGURA 3.3 a) Ci¡cuiio rcctificador. á) Ond¿ de entrada- ¿) Circuito equivalente cuando r,r > 0.
d) Circuito equivalente cuardo ¿, < 0. ¿) Onda de s¿lida.

conexión en serie de un diodo D y un resistorR. Sea el yolt¿je de entrada u¡ la onda senoidal que
se muestra en la figura 3.3b), y suponga que el diodo es ideal. Durante los semiciclos posiüvos
de la senoide de entrada, el voltaje u¡ positivo hará que la corriente pase por el diodo en sentido
directo. De ello se desprcnde que el voltaje z, del diodo será muy pequeño (idealmente cero).
Por tanto, el circuito tendtá el equivalent€ mostrado en h ngura 3.3c), y el voltaje de salida uo
será igual al voltaje de entrada q. Por otra parte, durante los semiciclos negativos de u, el diodo
no conducirá. De modo que el cfucuito ten&á el equivalente que se muestra en la figura 3.3d) y
¿,o sefá cero. Por tanto, el voltaje de salida presentará la forma de onda de la figura 3.3e). Tome
nota de que se altema la polaridad de u, y de que su valor promedio es cero, mientras que ¡ro es
unidireccional y tiene un valor promedio finito o tn componente de [Link] cÍcuito de la figuÉ
3.3a) recüfica la señal y, por ello, se le denomina rectific¡dor. Puede usarse para generar dc
a pafir de ac. En la sección 3.5 se estudiarán los circuitos rcctificadores-
 3,1 EL DroDo TDEAL I 143

En la flgura 3.,1a) se muesha un circuito para cargar una batela de 12 V Si z,s es una senoide con
amplitud pico de 24 Y encuentre la fracción de cada ciclo durante la cual el diodo conduce. Además,
encuentre el valor pico de la coüiente del diodo y el máximo voltaje de polarización inversa que
aparece en el diodo.
r44 I cAPfTUto3 DroDos

a n
1's

-,:.'"
+
12Y
/rq l,\l \ f
-'"

\,/
a) b)

FIGURA 3.4 Ci¡cuito y fomas de onda del ejemplo 3.1.

Solución
El diodo conduce cuando us excede de 12 V como se muestra en la figura 3.4á). El ángulo de con-
ducción es 24 donde 9estrá dado por

cos9 = 12

Por tanto, d= 60' y el ¡ángulo de conducción es 120", la terce¡a parle de un ciclo,

El valor pico de la corriente de diodo está dado por

l," = 24- 12 = o.12 e.

100

El mr4ximo voltaje inverso en el diodo ocur¡e cuando ús está en su pico negativo y es ig\al aU +
12 =36v.

3.1.3 Otra aplicación: compuertas lógicas con d¡odos

Los diodos, junto con los resistores, se utilizan para inshumentar funciones lógicas digitáles.
En la figura 3.5 se muestran dos compuertas lógicas con diodos. Para ver cómo funcionan
estos clcuitos, piense en un sistema lógico positivo en el que los valores de voltajes cercanos

+5V
lA

'08

úC

4) b)

FIGUnA 3.5 Compuertas lógicas de diodos: a) compuena ORi á) comp!¡erta AND (en un sis¡ema de
lógica positiva).
 3.1 EL DtoDo rDEAL I r45

a 0V conesponden ala lógica 0 (o baja) y los cercanos a+5 V corresponden a la lógica 1 (o

alta). El circuito de la figura 3.5a) tiene tres entradas, o¡, 4 y a6. Es fácll ver que los diodos
conectados a entradas de +5 V conduci¡¡án, limitando la salida r.9 a un valor igual a +5 V. Este
voltaje positivo en la saüda mantendrá en corte a los diodos con entradas bajas (alrededor de
0 V). La salida será alta si una o más de las enÍadas son altas. Por ta o, el circuito ejecuta la
función lógica OR, que se expresa en notación booleana como

Y=A+B+C
De manera similar, se recomienda al lector que demueshe que el circuito de la figura 3.5b)
implementa la función lógica AND usando este mismo sistema lógico,

Y=A.B.C

Suponiendo que los diodos son ideales, encuenhe los valores de 1 y y en los circuitos de la figura
3-6.

+10 v +10 v

- l0v - l0v
a)

fIGURA 3.6 Circuito del ejemplo 3.2.

Solución
A primera vista no es tan obvio en estos circuitos si ninguno, uno o ambos diodos están conduciendo.
Ental caso, se htce una suposiciónfactible, se sigue con el aruálísis y luego se revisa si se llega a
una solución consiste¿¡¿. En el caso del circuito de la flgura 3.6a), se supondrá que ambos diodos
están conduciendo. De ello se desprende que V¿ = Q y l./ = Q. l¡s¡¿ se determina la coÍiente que
pasa por D2 con

r-=ff=t-e
a

r 46 I cAPfruLo 3 DroDos

Al escribir una ecuación de nodo en B,

¡+l 0-(- l0)

= 5

se obtiene 1= 1 mA. Por tanto, D¡ está conduciendo, como se supuso originalmente, y el resultado
finalesl=1mAyV=0V
En el caso del circuito de la ñgura 3.6á), si se supone que ambos diodos están conduciendo,
entonces ys = 0 y y = 0, La coriente en D2 se obtiene de

¡^, = lo=:) o = z.e

La ecuación de nodo en B es

t'rz= 0 - (-10)
10
lo que aroja 1 = - 1 mA. Como esto no es posible, nuesha suposición es incorecta. Se empieza de
nuevo y se supone que Dr está en colte y D2 en conducción. La coffiente 1D2 est-rá dada por

,,, = lifQ = 1.33 rnA

y el voltaje eq el nodo B es

V¡ = -10 + 10 x 1.33 = +3.3 V

Portanto,Drtienepolarizacióninversa,comosesupuso,yelresultadofinalesl:0yV:3.3Y.
 3.2 cARAcrERfsrrcAs DE LAs TERMTNALES DE Los DroDos DE uNróN @ tot

3,2 CARACTERíSTICAS DE LAS TERMINALES

DE LOS DIODOS DE UNIÓN

En esta sección se estudian las curvas caracteísticas de los diodos reales (de manera específica,
los diodos semiconductores de unión hechos de silicio). Los procesos físicos que sustentan
las ca¡acteústicas de las terminales de los diodos y el nombre "diodo de unión" se estudiarán
en la sección 3.7.
En la igura 3.7 se muestra la curva característica i-z de un diodo de unión de silicio. La
misma aparece en la figura 3.8 con algunas escalas expandidas y otras comprimidas para
revelar algunos detalles. Tome en cuenta que los cambios en la escala producen una aparente
discontinuidad en el origen.
Como se indica, la curva caracteística está formada por tres regiones:

1. La región de polarización di¡ecta, determinada por u > 0

2. La región de polarización inversa, determinada por z < 0
3. La región de ruptura, determinada por a < -V2¡
En las siguientes secciones se describirán las tres regiones de operación.
r 4s a cApftulo ¡ .- DroDos

'.

Se entra en la región de operación cuando eI \,oltaje ú e¡ la iérminal es

positivo. En la región directa, la rclacitn i-u es muy parecida a

"tl'¿ IsG:/^v-t 1)
 3.2 cARAcrERfsrrcAs DE LAs TERMTNALES DE Los DroDos DE uNróN $ ta"

En esta ecuación, Is es una constante para un diodo determinado a una temperatura definida.
En la sección 3.7 se da una fórmula para Is a partir de los parámetros físicos y la temperatura
del diodo. A la corriente 1s suele denominársele corriente de saturación (por razones que
serán evidentes en su momento). Otro nombre que se le aplica ocasionalmente es corriente
de escala. Este nombre se debe a que es directamente proporcional al área de sección trans-
versal del diodo. Por tanto, al duplicar el área de unión se obtiene un diodo con el doble del
valor de 15 y, como se indica en la ecuación del diodo, duplica el valor de la corriente i para
un voltaje de polarización directa u. En el caso de diodos "a¡equeña señal" (diodos pequeños
para aplicaciones de baja potencia), -I5 es del orden de 10-15 A. Sin embargo, su valor guarda
una estrecha relación con la temperatura. Como regla general, 1r duplica su valor cada vez que
la temperatura aumenta 5óC.
En la ecuación (3.1), el voltaje yr es una constante llamada voltaje térmico y está dado
por

v,=kr
's (3.2)

donde
t: constante de Boltzmann : 1.38 x 10-23 joulesTkelvin
T: temperatura absoluta en grados kelvn - 273 + temperatura en oC
4: la magnitud [Link] carga electrónica : 1.60 x 10-19 coulomb
A temperatura ambiente (20'C) el valor de V¡ es 25.2 mV. En un análisis rrípido y aproxirnado
de circuitos se utiizaVr:25 mV a temperatura ambiente.'
En la ecuación del diodo la constante ¡¿ tiene un valor enÍe 1 y 2, dependiendo del material
y la estn¡ctura física del diodo. Los diodos fabricados con el proceso estándar de los circuitos
integados muestrafi z : 1 cuando operan en condiciones normales.2 Los diodos disponibles
como componentes discretos de dos terminales generalrnente muestran ,r : 2. En general, se
supondrá que z = 1, a menos que se indique lo contrario.
En el caso de una corriente i apreciable en dirección directa, de manera especlfica para
i ) 15, se puede aproxirnar la ecuación (3.1) con la relación exponencial

i: I r"o'o" (3.3)

Una opción consiste en expresar esta relación en la forma logarítmica

o = ,V,ln !,s (3.4)

donde ln denota el logaritmo natural (de base e).

La relación exponencial entre la corriente i y el voltáje ¿, se cumple tras muchas décadas
de coriente (podría encontrarse un periodo de hasta siete décadas; es decir, ul factor de 10?).
Se trata de una propiedad notable de los diodos de unión, que también se encuentra en los
transistores de unión bipolar y que se ha explotado en muchas aplicaciones interesantes.
En el caso de la relación directa i-¿ de la ecuación (3.3), evalúe la corriente 11 correspon-
diente a gn voltaje de dio{o Yr:

It = I"e '

I En el caso de equipo
elecüónico que opera dentro de un gabinete, suele suponerse una tempeÉtura
ambiente ügeranente más elevada (25'C). A esta tempentua, yr = 25.8 mV No obstante, para sim-
plifica¡ la exposición y promover el aniálisis r.4pido de un circuito, en todo el libro se utiliza el valor V,

2
- 25 mV que es arifinéticamente más conveniente.
En un cücuito integrado, los diodos suelen obtenerse al conecta¡ un t¡ansistor de unión bipolar (BJI,
Bipolor lunction Transistor) como dispositivo de dos tenrinales,lo que se analizará en el capítulo 5.
a- \

l so Ó cAPfruLo 3 DroDos

De igual manera, si el voltaje es y2, la corriente 12 del diodo será

V^/ aV-
Iz= Ise '

Si se combinan estas dos ecuaciones, se obtiene

12 1v,-v,¡tnv,
l=e
que se puede reescribir como

V,-V, = nV-l¡L
' 11

o, en logaritmos de base 10,

v2- vt = 2'3nv'bs!
l1
(3'5)

Esta ecuación simplemente establece que si hay un cambio de una década (factor de 10) en
corriente, la caída de voltaje del diodo cambia2.3nV7, o ahededor de 60 mV para n : 1 y I20
¡nV para ,¡ : 2. Esto también sugiere que es más conveniente graficar la relación i-v del diodo
en papel semilogarítrnico. Al usar el eje yertical, lineal, para 4 y el eje horizontal, logarítmico
pndierrte &,23nVrpor década de coniente. Por rlltimo,
paxa i, se obüene una llnea recta con una
debe rnencionarse que si se desconoce el valor exacto de n (que se obtiene con un experimento
simple), los diseñadores de circuitos emplean el número aproximado, y más conveniente, de
0.1 V/decada para la pendiente de la caracteísüca logarítmica del diodo.
Un vistazo a la caracteística !uen la región directa (figura 3.8) revela que la corriente es
insignificante para u menor de 0.5 V. A este valor suele denominársele voltqle de conducción.
Sin embargo, debe destaca$e que este umbral aparente de la curva caractelstica simplemente
es consecuencia de la relación exponencial. Otra consecuencia de esta relación es el rápido
incremento de i. Por tanto, para un diodo de "conducción plena", la caída de voltaje se encuentra
en un intervalo estrecho, de 0.6 a 0.8 V. Esto hace que suda un "modelo" simple para el diodo,
en el cual se supone que un diodo conductor tiene una caída aproximada de 0.7 V. Los diodos
con corrientes nominales diferentes (es decir, áreas distintas e 1s también diferenle, de modo
correspondiente) mostrar¡án la caída de 0.7 V a distintas corientes. Por ejemplo, un diodo a
pequeña señal podría tener una caída de 0.7 V a j : 1 mA, mientras que uno con potencia más
elevada la tendría a i : 1 A. Se estudiarán los temas relacionados con el análisis de circuitos
con diodos y los modelos de diodos en la siguiente sección.

Un diodo de silicio es un dispositivo de I mA que despliega un volraje de polarización difecta de

0.7 V a una corriente de 1 mA. Evalúe la constante de escala 1s de la unión en el caso de que ¿ no
es I ni 2. ¿Cuáles constanúes de escala se aplicarlan a un diodo de 1 A de la misma manufactura
[Link]?

Solución
Como

i = Ise
 3.2 cARAcrERfsrrcAs DE LAs TERMTNALEs DE Los DroDos DE uNróN {$ ttt

entonces

-x/nV-
Is = ie

Para el diodo de I mA:

16A,
Si¿= l: 1s: [J-3eJoolzs:6.9 x l0 o alrededo¡ de l0-l5A
Si¿ = 2: 1s: lo 3e-1oo/s0 - 8.3 x l0 l0A. o al¡ededor de l0 9A
El diodo que conduce I A a 0.7 V corresponde a mil diodos de 1 mA en paralelo con un árca total
de unión mil veces más gmnde. Por tanto, 1s también 9s mil veces mayor, representando 1 pA y
1 pA, respectivamenb, p?'ta n : 1 y n = 2.

Con este ejemplo debe resultar evidente que el valor de ¿ es muy importante.

Debido a que 1r y V¡ son funciones de la temperatura, la caracteística i-u directa cambia

con la temperatura, como se ilustra en la figura 3.9. A una coriente constante de diodo, la caída
de voltaje en las terminales del diodo disminuye en unos 2 mV por cada aumento de 1.C. Este
cambio del voltaje en el diodo dependiente de la temperatura se ha explotado para el diseño
de termómetros electrónicos.

FIGURA 3.9 Ilustración de la dependencia

de la temperatum de la caractedstica de
pola¡ización di¡ecta de un diodo. A una
cordente constante, la caída de voltaje
disminuye ap¡oximadamente 2 mV por cada
aumento de 1"C-
rs2 lry cAPhuLo l DroDos

3.2.2 La región de polarización inversa

Se entra en la región de operación de polarización inve¡sa cuando el voltaje u del diodo se
vuelve negativo. Con la ecuación (3.1) se predice que si z es negativo y varias veces mayor que
y¡ (25 mV), el término exponencial se vuelve insignificante en comparación con la unidad, y
la corriente del diodo se vuelve

i: I"

Es decir, la corriente en la dirección inversa es constante e igual a t. Aesta constancia se debe

el féffnrno corríente de saturación.
Los diodos reales muestran corrientes inversas que, aunque muy pequeñas, resultan mucho
mayores que 15. Por ejemplo, un diodo a pequeña señal con Is entre 10-14 y 10-15 A podía
mostrar una corriente inversa en el orden de I nA. La corriente inversa también aumenta un
poco con el incremento en la magnitud del voltaje inverso. Tome en cuenta que la magnitud
de la corriente es muy pequeña; por ello, los detalles no son muy evidentes en la característica
i-u del diodo que se muestra en la figura 3.8.
Gran parte de la corriente inve¡sa se debe a efectos de escape o filtración. Estas corrientes
son proporcionales al fuea de unión, igual que 15. Sin embargo, su dependencia de la tem-
peratura es diferente. Por tanto, mientras que 15 se duplica por cada 5oC de aumento en la
temperatura, la ¡egla general es que la corriente inversa se duplica por cada 10"C de aumento
en la tempe¡atura.

t_
: t-
FIGURA E3.9

3.2.3 La región de ruptura

La tercera región distintiva de la operación de un diodo es la de ruptura, que se identifica fácil-
mente en la curva característica i-rdel diodo, en la figura 3.8. Se entra en la región de ruptura
cuando la magnitud del voltaje inverso supera un valor de umbral que se especifica para cada
diodo y que se denomina voltaje de ruptura. Es un voltaje que se encuentra en la "rodilla"
 3.3 MoDELADo DE LA cARAcrERfsrtcA DtREcrA DEL DtoDo $ ttt

de la curva l-z en la figura 3.8 y se denota con yzK, donde el subÍndice Z es la inicial deZEnet
(que se explicará en breve) y K proviene de rodilla.
Como se observa en la figura 3.8, la coriente inversa aumenta rápidamente en la región
de ruptura, y el aumento asociado con la caída de voltaje es muy pequeño. Por lo general, la
ruptura del diodo no es destructiva, siempre y cuando la circuiteía extema limite a un nivel
"seguro" la potencia disipada en el diodo. Este valor seguro suele especifica$e en las hojas de
datos del dispositivo. Por tanto, resulta necesario limitar la corriente inversa en la región de
fuptura a un valor consistente con la disipación de potencia permisible.
El hecho de que la característica i-u del diodo en ruptun sea una línea casi vertical perrnite
su uso en la regulación de voltaje. En la sección 3.5 se estudiará este tema.

3.3 MODELADO DE LA CARACTERíSNCA DIRECÍA DEL DIODO

Una vez que han estudiado las caractelsticas de las terminales del diodo, está listo para abor-
dar el análisis de los circuitos empleando los diodos de conducción di¡ecta. En la figura 3.10
se muesta este tipo de circuito. Está integrado por una fuente de dc yDD, un resistor R y un
diodo. Se desea analizar este circuito pata determinar el voltaje yD y la corriente 1D del diodo.
Hacia el final, se considerará el desa¡rollo de varios modelos para la operación del diodo. Ya
se conocen dos de estos modelos: el de diodo ideal y el exponencial. En el siguiente anrálisis
se evaluará la adecuación de estos dos modelos para diversas situaciones de análisis. Además,
se desarrollarán y comentarán otros modelos. Además de ser útil para el análisis y diseño de
circuitos con diodos, este material establece las bases para el modelado de la operación con
transistores que se estudiatá en los dos capítulos siguientes.

3.3,1 El modelo exponencial

La descripción más exacta de la operación del diódo en la región directa la proporciona el
modelo exponencial. Sin embargo, por desgracia, su natutaleza fueÍemente no lineal hace que
este modelo sea el más difícil de usar. Para ilustrarlo, analícese el circuito de la figura 3.10
empleando el modelo exponencial del diodo.
Suponiendo que V¿¿ es mayor de 0.5 V la corriente del diodo será mucho mayor que 15 y
es posible representar su caxacteística i-u mediante la relación exponencial, lo que da como
resultado

In=I"e' (3.6)

La otra ecuación que rige la operación del ci¡cuito se obtiene al escribir una ecuación de lazo
de Kirchhoff, que produce

,,. Voo - vo
= --- R- (3.7)

Suponiendo que se conocen los valores de Is y de ¡r del diodo, las ecuaciones (3.6) y (3.7)
tienen loivalores de trrcógnita lry Vo. Dos opciones para obtener la solución son los análisis
grráfico e iterativo.

R -:->
+
vD
FIGURA 3.I O Circuito simple empleado para ilustrar el análisis
de circuitos en que el diodo está en conducción di¡ecta,
-

r s4 C cAPfruto 3 DroDos

Caractelsticas del diodo

o
d" ol"t""ion¡
.po
Línea de carga

Pendiente =

FIGURA 3.1 I A¡álisis g¡¡íñco del circuito de la frgu¡a 3.10 mediante el modelo exponencial del diodo.

3.3,2 Análisis gráfico con el modelo exponencial

€l análisis gráflco se realiza al representar las relaciones entre las ecuaciones (3.6) y (3.7) en el
plano ¡-¿ Entonces la solución estará dada por las coordenadas en el punto de intefsección de
las dos gráficas. En la figura 3.11 se muestra un borrridor de la construcción gráfica. La curva
representa la ecuación exponencial del diodo [ecuación (3.6)]; la recta, la (3.7). A esta línea
recta se le conoca como línea de carga, nombre que adquirirá mayor sentido en capítulos pos-
teriores. La línea de carga interseca la cu¡va del diodo en el punto Q, que representa el punto
de operación del circuito. Sus coordenadas arrojan los valores de 1¿ y V¡.
El an¡áüsis gráfico ayuda a visualizar la operación del ci¡cuito. Sin embargo, el esfuerzo
necesario para aplicar este análisis, sobre todo en el caso de circuitos complejos, es excesivo
y no se justifica en la práctica.

3.3.3 Análisis iterativo con el modelo exponencial

Las ecuaciones (3.6) y (3.7) se resuelven con un procedirniento iterativo simple, como se ilustra
con el siguiente ejemplo.

Determine la coÍiente 1, y el voltaje yD del diodo para el circuito de la figura 3,10 con V¿¡ : 5 V
y R : 1 k0. Suponga que el diodo tiene una coriente de I mA a un voltaje de 0,7 V, y que su caída
de-voltaje cambia 0.1 V por cada cambio de década en la corriente-

Solución
Para empezar la iteración, se supone que Vp : 0.7 V y se emplea la ecuación (3.7) para encontrar
la corriente,
Vo, - V,
h=
=
5 -o'7 = ¿.3 ,o¡
 3.3 MoDELADo DE LA cARAcrERlsrtcA DtREcrA DEL DtoDo Q t tt

Ahom seutiliza la ecuación del diodo para obtener una mejor estimación de V¿. Para ello, se emplea
ta ecuación (3.5),

V'- V' = Z'3'Y'6'!¡l

Para este caso,2,3ryr : 0.1 V. Por tanto,

vz = vt+ o-Ilogl:
tl

Al sustih¡ir yl : 0.7 V,1r : 1 mAe 1z: 4.3 mAse obtiene V, = 0.763 V Por tanto, los resultados
de la primera iteración son ID : 4.3 mA y V¿ :
0'763 V La segunda iGración se ¡ealiza de mane¡a
pa¡ecida:

,, = s-yP = 4.237 mA

vz = [Link]+[Link])
= 0"762\
Por tanto, la segunda itelación arroja 1¿ :
4.237 rr,Ay VD = 0.762 V Como estos valores no son
muy diferentes de los obtenidos ras la primera iteración, no se necesitan más y la solución es 1¿ =
4.237 m{y V¡: O;762V.

3.3,4 La necesidad de un análisis rápido

El procedimiento de análisis iterativo uiilizado en el ejemplo anterior es simple y arroja resul-
tados precisos tras dos o tres iteraciones. No obstante, existen situaciones en las que el esfuerzo
y el tiempo requeridos son aún mayores de lo justificable. De manera específica, si se elabora
un diseño con papel y lápiz de un circuito relativamente complejo, el análisis nápido se hace
necesario. Al aplicarlo, el diseñador tiene la opción de evaluar diversas posibilidades antes de
tomar un¿ decisión sobre un circuito adecuado. Pam acelelar el proceso de anáüsis, es necesario
conforrnarse con resultados menos precisos. Sin embargo, resulta laro que esto represente un
problema, porque es posible postergar el aniálisis más preciso hasta que se obtenga un diseño
final, o casi final. El análisis exacto del diseño casi final podrla realizarse con el apoyo de un
programa de cómputo para análisis de circuitos, como SPICE (consulte la sección 3.9). Entonces,
los resultados de este análisis se utilizarían para depurar o afinar aún más el diseño.
Para acelerar el proceso de análisis, se deben encontrar modelos más simples para la ca-
racteística dirccta del diodo.

3.3.5 El modelo lineal por piezas

El análisis se simplificafa mucho si se encuentran relaciones lineales para describir las ca-
racterísticas de las terminales del diodo. En la figura 3.12 se ilustra un intento en este sentido;
en ella, la curva exponencial se aproxima con dos líneas rectas, la A con una pendiente celo y
la B con una pendiente fr¿. Se observará que, para el caso moshado en la figura 3.12, en un
intervalo de coriente de 0.1 a 10 mA los voltajes predichos por el modelo de líneas rcctas que
se muestra difiere menos de 50 mV de los predichos por el modelo exponencial. Obviamente,
la elección de estas dos rectas no es única; se tendrá una mayor aproximación si se restringe
e1 intervalo de corriente para el cual se requiere la aproximación.
1s6 O cApfTur.o 3 DroDos

lD
(rnA)

12
11
l0 Línea recta B
9 Pendiente = -L
8
,7

6
5
4
3
2
I

FTGURA 3.12 Aproximación a la curva caracterlstica di¡€cta de lm diodo con dos rcctás: el modelo lineal
por piezas.

El modelo de lfieas rectas (o lineal por piezas) de la figura 3.12 puede describirse con

ip= 0, ao 3 Vro
(3.8)
ip= (up-Vo)/rr, ap2Vps
donde V¿6 es la intersección de la línea B en el eje del voltaje y rD es el inverso de la pendiente
de la línea B. Para el ejemplo mostado, yDo :
0.65 V y r, = lQ f,).
El modelo lineal por piezas descrito con las ecuaciones (3.8) se representa con el circuito
equivalente que se muesta en la figura 3.13. Observe que en el modelo se incluye un diodo
ideal para restringir ip al flujo en sentido ditecto. También se le conoce como modelo de ba-
terfu más resistencia.

a) b)

FIGURA 3.11 Modelo lineal po¡ piezas de la curva camctefstica dirccta de un diodo y Épresentación
de su ci¡cuito equivalente.
 3.3 MODELADO DE LA CARACTERÍSTICA DIRECTA DEL DIODO Q ttt

Repita el problema del ejemplo 3.4 aplicando un modelo lineal po¡ piezas cuyos parámetros están
dados en la ñgura 3.12 (V¡¡: O.65Y, r¡:20 O). Tome en cuenta que las curvas descritas en esta
figura son las del diodo del ejernplo 3.4 (1 mA a 0.7 V y 0.1 V/década).

Solución
Al reemplazar el diodo del circuito de la figura 3.10 con el modelo equivalente de la figura 3.13 se
obtiene el circuito de la figura 3.14; a partir de é1, es posible escribü para [a coriente ID,

- = Yo, - Von
ID - R;;;-

F|GURA3.f4 El circuito de la figura 3.10, una vez reemPlazado

el diodo con su modelo lineal por piezas de la figura 3.13.

donde los parámetros Vos y r¡ del modelo son, de acue¡do con la figura 3.12, V¡¡ : 0.65 Y y
r¿ : 20 f). Por tanto,

¡, = _1:!!!
I + O.O2 =
4.2ó ¡nA

Ahora puede calcularse el voltaje del diodo, yD:

VD = VDo + ID|D
= 0.65+4.26x0.02 - 0.735V

3.3.6 El modelo de caída de voltaie constante

Puede obtenerse un modelo aún más simple de las curvas caracteísticas directas del diodo si se
utiliza una recta vertical para aproximar la parte de crecimiento r.'4pido de la curva exponencial,
como se muestra en la figura 3.15. El modelo resultante simplemente indica que un diodo de
conducción directa muestra una caída de voltqie constante V¿. El valor de yD suele tomarse
como 0.7 V Observe que para el diodo cuyas caracteísticas se describen en la figura 3.15 este
[Link] que el voltaje estará dentro de l:0.1V en el intervalo de coriente de 0.1 a 10
mA. El modelo de caída de voltaje constante puede representarse con el circuito equivalente
que se muesÍa en la figura 3.16.
En las fases iniciales del análisis y el diseño, el modelo de uso más frecuente es el de caída
de voltaje constante. Esto resulta especialmente cierto si en esas etapas no se tiene información
detallada sobre las curvas características del diodo, como suele suceder
Por ríltimo, obsewe que si se emplea el modelo de caída de voltaje constante para resolver
el problema de los ejemplos 3.4 y 3.5, se obtiene

Vo = 0.7v
158 C cAplTuro 3 DroDos

iD
(mA)

t2
ll
10
9
8
'7

6
5
4
3 FIGURA3.15 Desanollo del modelo de
caída de voltaje constanle de las camcterlsficas
2
directas del diodo. Se utiliza una rccta vertical
1
(B) para ap¡oriúar la exponencial de rlpido
oecimiento. Obse¡ve que este modelo simple
predice que yD esta¡á dent¡o de iO.I V en el
intervalo de co¡¡iente de 0.1 a l0 ¡nA.

2_-
-:---[Link]
oo .4i.
- €v' =o't"
,____l
a) b)

FIGURA 3.16 El modelo de caída de voltaje constarte de las ca¡actefsticas dircctas del diodo
y la rcFeseritació¡r de su circuito equivalente.

e
vDD-o.7
Io =

= + = 4.3nA
que no son muy diferentes de los valores obtenidos antes con modelos más elaborados.

3.3.7 El modelo del diodo ideal

En apücaciones con voltajes mucho mayores que la caída de voltaje del diodo (de 0.6 a 0.g V),
es posible omitir por completo esta última al calcular la corriente del diodo. El resultado es el
modelo de diodo ideal, que se eshrdió en la sección 3.1. En el caso del circuito electrónico de
los ejemplos 3-4 y 3.5 (es decir, la figura 3.10 conVpy¡: 5 V y t:
1 kf,l), el uso del modelo
del diodo ideal lleva a

Vo= OV
5-0
1
= 5mA
 3.3 MODELADO DE LA CARACTERfSTtCA DTRECTA DEL DTODO
w rl

que no seda una mala estimación para un análisis muy rápido. Sin embargo, casi sin trabajo
adicional, el modelo de caída de 0.7 V arroja resultados mucho más realistas. Pero tome
en cuenta que la mayor utilidad del modelo del diodo ideal consiste en determinar cuáles
diodos están en conducción y cuáles en corte en un ci¡cuito con varios diodos, como el de
la sección 3. I-

[Link]

03.r2

+10v

3.3.8 El modelo a pequeña señal

Hay aplicaciones en las que un diodo está polarizado para operar en un punto de la caracterís-
tica dirccta i-u y una pequeña señal de ac está superpuesta sobre las cantidades de dc. En esta
situación, primero es necesario determinar el punto de operación de dc del diodo (Vp e Ip),
empleando uno de los modelos ya analizados. Lo más frecuente es que se utilice el de caída
a

160 6 cAPfTuLo3 DroDos

lD
(mA)
2.O

1.8

1.6

1.4
Punto de polarización
1,.2

0.80 o¡

io0 td.Q)
------->

+
o¿(t) +
-J oD(t)
+
Vo

a) b)

FrcUnA 3.f 7
Desa¡¡ollo del modelo a pequeña señal del diodo. Tome en cuenta que los valorcs
numé¡icos most¡ados son paÉ un diodo con ,r = 2.

de 0.7 V. Luego, para una operación a pequeña señal ahededor del punto de polarización de
dc, el diodo estará mejor representado por una resistencia igual al inverso de la pendiente de
la tangente a la caxacterística i-z en el punto de polarización. En la sección 1-4 se introdujo el
concepto de polarización de un dispositivo no lineal y de la restricción de la excursión de la
señal a un segmento corto, casi lineal, de su caracteística al¡ededor del punto de polarización,
pero en ese caso se presentó para redes de dos puertos. En el análisis siguiente se desanolla un
modelo a pequeña señal similar para el diodo de unión y se ilustraná su aplicación.
Revise el circuito conceptual de la figura 3.17a) y la correspondiente representación gráfica
dé la figura 3.17á). Se aplica al diodo un voltaje de dc Vp, representado por una batería, al que
se superpone una señal ulr) que varía con el tiempo y que se supone (arbitra¡iamente) que tiene
forma triangular. En ausencia de la señal dt), el yoltaje del diodo es igual a V¿ y, de manera
correspondiente, el diodo conducirá una corriente de dc, ID, dada por

(3.e)

Cuando se aplica la señal ult), el voltaje total instantáneo del diodo rrD(/) estará dado por

aDG) = VD+ adG) (3.10)

 3.3 MoDELADo DE LA cARAcrERlsrrcA DrREcrA DEL DtoDo I t"t

De manera correspondiente, la coriente tot¿I instantránea del diodo ip(r) será

iolt¡ = ¡ r"oo/nvr (3.11)

Al susütuir uo en la ecuación (3.10) se obtiene

ioft) = Ir"tvo*'o\/nv'

que puede reescribirse

i o(t¡ = 1'"vo/nvr
""at'vr
Mediante la ecuación (3.9) resulta
u,/iV^
iDQ) = JDe " (3.12)

Ahora bien, si la amplitud de la señal uft) se mantiene lo suficientemente pequeña, de rnodo

que
a)
(3.13)
,--rru'
es posible expandir la exponencial de la ecuación (3.12) en una serie y truncar ésta después de
los dos primeros témjhos para obtener la expresión aproximada

tr<tl- r"Q + (3.r4)

n!t-rr)
Ésta es la aproxirnación a pequeña señal. Es válida para señales con amplitudes menores a
unos 10 mV para el caso de ¿ :
2 y 5 rnV para n = t hevise la ecuación (3.13) y recuerde
que Yr = 25 mvl.3
De la ecuación (3.14) se tiene

iol) = Ir+ (3.15)

nbrruo
Por tanto, superpuesto a la corriente de señal de dc lD, existe un componente de la corriente de
señal que es dircctamente ¡noporcional al voltaje u¿ de la señal. Es decir,

io = Ip'l ia (3.16)

donde

. ID
(3.17)
td = ;vrad
La cantidad que relaciona la corriente de señal i, con el voltaje de señal u, tiene unidades de
conductancia, mhos ((J), y se denomina conductancia de diodo a pequeña señal. El inverso
de este valor es la rrsistcncia de diodo a pequeña señal, o resistencia incrrmental, r¿,

,o _ nV- (3.18)
In
Tome en cuent¿ que el valor de ro es inversamente proporcional a la corriente de polarización
ID,

3Paran=[Link]¿=l0mVPort¿nto,eltéminosigüienteenlaexpansiónenseriede
la exponencial será j x 0.2' = 0.02. un factor de 10 menor que el témino lineal que se conserva. Una
mejor aproximación se logtarla al mantener z¿ más ¡requeño. Además, tome nota de que en el caso de
z = 1 , v, estaría limitado a, por deci¡ algo, 5 mV
r 62 I cAPfTULo 3 DroDos

Si regresa a la representación gáfica de la figura 3.17b) verá fácilnente que el uso de la

aproxirnación a pequeña señal es equivalente a suponer que /a amplitud de la señal es lo sufi'
cientemente pequeña como para que la excursión a lo largo de la curva i-v esté limitadq a un
segmento corto, casi líneal. La pendiente de este segmento, que es igual a la Pendiente de la
tangente a la curva i-u en el punto de operación Q, es igual a la conductancia a pequeña señal.
Se anima al lector a demostrar que la pendiente de la curva i-u en i : 1¿ es igual a ID/nVr, que
es fr¿; o sea,

,"='llh),.=,. (3.19)

Con base en lo arterior se concluye que las cantidades a Pequeña señal r,/lt) e iD(/) estarán
superpuestas a las cantidades V¿ e 1p que definen el punto de polarización, o punto de reposo,
del diodo. Las primeras están relacionadas con la resistencia a pequeña señal del diodo r¿ eva-
luada en el punto de polarización [ecuación (3.18)]. Por tanto, es posible realizar el análisis a
pequeña señal por separado del análisis de polarización de dc, lo que resulta muy conveniente
debido a la linealización de las características del diodo inheréntes a la aProximación a la
pequeña señal. De manera específica, después de que se realiza el análisis de dc, se obtiene el
circuito equivalente a pequeña señal si se eliminan todas las fuentes (es decir, las fuentes de
voltaje de dc en cortocircuito y de corriente de dc a circuito abierto) y se reemplaza el diodo
con su resistencia a pequeña señal. El siguiente ejemplo debe ilustrar la aplicación del modelo
a pequeña señal.

Considere el circuito que se muesha en la figura 3.18a) para el caso en que R :10 kl). La fuente
de alimentación ly' tiene un valor de dc de l0 V en la cual está superpuesta una senoide de 60 Hz de
amplitud pico de 1 V (Esfe componente de "señal" del volraje de la fuente de alimentación es una
imperfección en el diseño de ésta; se le conoce como rizo de la fuente de alimentación. Más adelante
se volverá al tema.) Calcule el voltaje de dc del diodo y la amplitud de la señal de onda senoidal que
aparece en é1. Suponga que el diodo tiene una caída de 0.7 V a una coriente de I mAy n = 2.

a) b) c)
FIGURA 3.f 8 ¿) Circuito del ejemplo 3.6. ó) Circuifo para calcula¡ el punto de operación de dc.
c) Ci¡cuito equivalente a pequeña señal.

Solución
Si sólo consideran las cantidades de dc, se supone yD : 0.7 V y se calcula la corriente de dc del
diodo
1o :-o'7 =
Io - 0.93 mA
 3.3 MoDELADo DE LA cARAcrERfsrrcA DrREcrA DEL DroDo Q tua

Debido a que este valor es muy cercano a 1 mA, el voltaje del diodo seri4 muy parecido al valor
supuesto de 0.7 V En su punto de operación, la resistencia incremental r., del diodo es

,o=Ú=2,x=?5=s3.8o
ID 0.93

El voltaje de señal en las terrninales del diodo se encuentra con el circuito equivalente a pequeña
señal de la figura 3.18c). Aquí, z" denota el componente senoidal de pico de 60 Hz I V de y' y
z, es la correspondiente señal en el diodo. El uso de la regla del divisor de voltaje proporciona la
amplitud pico de L'd como sigue:

,o tpicol = ü-L**,
= 1--o.9Iq - = 5.35mv
Por último, observe que este valor es muy pequeño; por tanto, está justificado el uso del modelo a
pequeña señal del diodo.

3.3.9 Uso de la caída directa del diodo en la regulación del voltaje

El empleo adicional del modelo de diodo a pequeña señal se encuentra en una apücación po-
pular: el uso de diodos para crear un voltaje regulado. Un regulador de voltaje es un circuito
que tiene el fin de proporcionar un voltaje de dc constante entre sus terminales de salida. Es
necesario que este voltaje permanezca lo más constante posible, a pesar de a) cambios en la
corriente de caxga obtenida de la tendnal de salida del regulador y ó) carnbios en el voltaje de
la fuente de alimentación de dc conectada al cücuito regülador. Debido a que la caída de voltaje
directa del diodo sigue casi constante en unos 0.7 V mientras que la corriente que lo atrayiesa
vaía en cantidades relativamente grandes, un diodo con polarización directa puede servir como
regulador de voltaje simple. Para ilustrar esto, en el ejemplo 3.6 se vio que aunque el voltaje
de la fuente de 10 V de dc tenía un rizo de 2 V de pico a pico (una variación de !:!}Vo), elirzo
correspondiente en el voltaje del diodo era de sólo unos :t5.4 mV (una variación de +0.87o).
Es posible obtener voltajes fegulados mayores de 0.7 V si se conectan varios diodos en serie.
Por ejemplo, el uso de tres diodos en serie con polarización directa proporciona un voltaje de
unos 2 V. En el siguiente ejemplo se estudiará uno de estos chcuitos que utiliza el modelo del
diodo a pequeña señal para cuantificar la eficacia del regulador de voltaje que se obtiene.

Imagine el circuito moshado en la figula 3.19. Una cadena de tres diodos se usa para proporcionar
un voltaje constante de unos 2.1 V. Se desea calcular el porcentaje de cambio en este voltaje rcgu-
lado rlebido a a) un cambio de :! 10% en el voltaje de la fuente de alimentación y b) una conexión
de una resistencia de carga de 1 kl). Supotga n : 2.

Solución
Sin carga, el valor nominal de la corriente en la cadena de diodos esti dado por

I- 10 -.2'1 '1.9
= mA

Por tanto, cada diodo tendrá una rcsistencia incremental de

nvr
7

164 g CAPITULo3 DroDos

l0 t lv
t
f ': 'on
r---.-
ü ,, fo, :1kO

gt_
== F|GURA3.l9 Circuito del eiemplo 3.7.

Elusode¿=2da
2 x25
'7 .9
=6.3O
Los t¡es diodos en serie tend¡án una resistencia incremental to¡al de

r = 3r¿ = 18.90
Esta resistencia, junto con laR, forma un divisor de voltaje cuya relación se utiliza para calcular el
'cambio en voltaje de salida debido a un cambio de a 10% (es decir, 1l V) en el voltaje de la fuente
d€ alimentación. Por tanto, el cambio de pico a pico en el voltaje de salida ser¿i

Lro - 2-!
r+R^= z=$!1,89- = [Link]
0-0189+l

Es decir, el voltaje de salida cambiará en t 18.5 mV o 10.9%, de manera correspondiente al cambio

de tl V (a 107o) en el voltaje de la fuente de alimentación. Como esto implica un cambio de unos
a6.2 mV por diodo, estájustificado el uso del modelo a pequeña señal.
Cuando se conecta una resistencia de carga de I kf) a la cadena de diodos, toma una co[iente de
unos 2.1 mA. Po¡ tanto,la corriente en los diodos se reduce 2.1 mA,lo que lleva a una disminución
de voltaje en la cadena de diodos dada por

A,uo = -2.1xr = 2.1x 18.9 = -39.7 mV

Esto indica que el voltaje en las terminales de cada diodo disminuye unos 13.2 mV; por tanto, el uso
del modelo a pequeña señal no está plenamente justificado. No obstante, un cálculo detallado del
:
cambio de voltaje mediante el modelo exponencial arroja Au¿ -35.5 mV, que no es muy diferente
del valor aprcximado que se obtiene con el modelo incremental.
 3.3 MODELADO DE LA CARACfERfSTtCA DTRECTA DEL DTODO
$ t"t

3.3.1 0 Resumen
Como resumen de esta importante sección de modelado de diodos, en la tabla 3.1 se presenta
una lista de los cinco modelos de diodos estudiados y se proporcionan comentarios pefinentes
relacionados con cada uno que tienen la intención de ayudar a seleccionar un modelo apropia-
do para una apücación determinada. Los diseñadores de circuitos enfrentan constantemente la
pregunta "¿cuál modelo?", no sólo con diodos sino con todos los elementos de un circuito. El pro-
blema radica en encontra¡ un equilibrio entre exactitud y rapidez de análisis. La capacidad
propia para seleccionar los modelos apropiados de dispositivos mejotará con la práctica y la
experiencia.

Modelo Ecuac¡ones Ciruito Comentarios

Exponencial
1s: lo l2Aa lo 15A,
tD dependiendo del área
de unión
"o=[Link],be(!) Vr=25mY
vD2-vDt = 2.3nvrbE(ff) n=la2
Modelo basado en la
física y notablemente
2,3nVr= ñ mY pan n = | exacto
2.3nV, = l)$ ¡¡1\ p¡a n = ) Útil cuando es necesa¡io
el análisis exacto
(Continúa)
!6ó O cAPfTUto3 DroDos

Modelo Gráfica Ecuaciones Circu¡to Comentarios

Lineal Panz.t¡ 3 Vrn'. íD La elección de V¡e y r¿

por piezas io= o eslr4 determinada por el
Oateda más -_-l intervalo de cordent€
rcsistencia) Para rD>VDoi
1
io= _ @p-
tD
Voo)
ffi
1#G
Ideal para el cual se requiere
el modelo.
Para la cantidad de rrabajo
t! s vDo
%ffi relacionad¿, no es tan
útil como el modelo

ffi I
fD de calda de volraje
constante.
Sólo se usa de vez en
cuando-
"l
Caída de Para iD>O Fácil de usar y muy
voltaje Úo=O"7 Y popular pala análisis
constanúe lp rápido y manual, que es
(o el esencial para el diseño
"modelo ,I de circüitos.
0.7 v") fffira"ur
,, ,ffi
**0.7v
I

0.7 v ._l
Diodo ideal Para ü > 0: Bueno paÉ detemhar
oo= O cuáles diodos eslán
lp
conduciendo y cuáles
estiin en corae en un cir-
i__l cuito de va¡ios diodos.
1.. Bueno para obtener va-
úDffi Ideal lores muy ap¡oximados
para corrientes de dio-
I

;l dos, sobre todo cuaodo

los voltajes del circuito
son mucho mayores
que YD.

A pequeña Para pequeñas señales super- Útil para encontrar el

señal puestas en YD e ID: componente de señal
í¿= v¿/r¿ del voltqie del diodo
o-
r¿= nVr/I¡ +l (por ejemplo, en el

*#"
uso como regulador de
@ara z = l, u¿ está limitada a
voltaje).
5 m[ para z= 2, l0 mV)
Sirve como base para
modelado a pequeña
I

._l señal de fansistorcs

(capln¡los 4 y 5).
 3.4 opERAcróN EN LA REGróN DE RUpruRA TNVERsA: DroDos zENER f tut

3,4 OPERAC¡ÓN EN tA REGIÓN DE RUPTURA INVERSA:

DIODOS ZENER

La muy inclinada curva i-r, que muestra el diodo en la región de ruptura (figura 3.8), y la caída
de voltaje casi constante indicada por ello sugieren que es posible emplear diodos que operan
en la región de ruptua para el diseño de reguladores de voltaje. De la sección anterior se re-
cordará que los reguladores de voltaje son chcuitos que proporcionan voltajes de salida de dc
constantes frente a los cambios en su corriente de carga y el voltaje de la fuente de alimentación
del sistema. En realidad, se trata de una aplicación muy importante de los diodos; de hecho,
se fabrican diodos especiales que operan de manera específica en la región de ruptura. A estos
diodos se les denornina diodos de ruptura o, con mayor frecuencia, diodos Zener, nombre
de uno de los primeros investigadores en esta área.
En la figura 3.20 se muestra el símbolo de circuito del diodo Zener. En aplicaciones nor-
males la corriente circula por el cátodo, que es positivo en relación con el ánodo. Por tanto,lz
y yz tienen valores positivos en la figura 3.20.

3.4.1 Especificación y modelado del diodo Zener

En la figura 3.21 se muestran detalles de las caracteísticas iu en la región de ruptura. Se
observa que en el caso de corrientes mayores que la corrient€ de rodilla 1r, (especificada en
la hoja de datos del diodo Zener), la curva i-z es casi una recta. Por lo general, el fabricante

,,TL',

J' FIGURA 3.20 Slmbolo del circuiro de un diodo Zener.

-Vz -'?o -r,*

I
Pendiente

-1zr (coriente de prueba)

N
I
l
AV= Nr,
FIGURA 3.21 l,a curva caracteística i-v de un diodo; la región de ruptua se muestra con cierto detalle.
a -l

r6s O cAPrTuLor DroDos

especifica el voltaje V, a través del diodo Zener a una coniente específica de prueba, 12. En
la figura 3.21 se han indicado estos par¡ámetros como las coordenadas del punto rotulado con
una O. Por tanto, un diodo Zener de 6.8 V presentaxá una caída de 6.8 V a una coriente de
prueba específica de 10 mA. A medida que la corri€nte que pasa por el Zener se desvía de I7y,
cambiará el voltaje que pasa por é1, aunque ligeramente. En la figura 3.21 se muestra que, en
correspondencia con el cambio de corriente 41, el voltaje del
ner cambia en AV, lo que se
relaciona con A1 mediante

LV = r,LI

donde r, es el inverso de la pendiente de la curva i-u casi lineal en el punto O. La tesistencia rz

es la r€sistencia incr€mental del diodo Z€ner en el punto de operación O. También se le conoce
como rcsistencia dinámisa dsl Ze¡sr, y su valor aparece en las hojas de datos del dispositivo.
Por lo general, el valor de r, va de unos cuantos a varias decenas de ohms. Obviamente, cuanto
menor sea eI valor de /2, más constante permanecerá el voltaje del Zener a medida que cambia
su cofriente y, por tanto, más ideal se volverá su operación. En este sentido, en la figura 3.21
se observa que r" permanece baja y casi constante en una amplia gama de corientes, mientras
que su valor aumenta de manera considerable en las cetcanlas de la rodilla. Por ello, como guía
general de diseño, debe evitarse la operación del
ner en esta región de baja coriente.
[,os diodos Zener se fabrican con voltajes yz que van de unos cuantos a varios cientos de
yolts. Además de yz (a una coÍiente determin ada Io), r" e I"*, elfabicante también especifica
la potencia máxima que el dispositivo puede disipar de manera segura. Por tanto, un diodo
Zener de 0.5 W y 6.8 V operará con seguridad a corrientes que alcarzan un máximo de unos
70 rnA.
I¿ caractefstica i-" casi lineal del diodo Zener sugiere que es posible modelar el dispositivo
como se indica en lafigna3.2Z. Aqul, Vr¡ indica el punto en que la recta de la penóientelr"
interseca al eje del voltaje (véase la figura 3.21). Aunque se observa que yzo es ligeramente
diferente del voltaje de rodilla V26, en la práctica sus yalores son casi iguales. El modelo de
circuito equivalente de la figura 3.22 se describida analíticamente con

V2 = V2s+ r.I2 (3.2O)

y aplicapara Iz> IzKy, obviaÍrcnte, Vz> Vn.

3.4.2 Uso del diodo Zener como regulador en paralelo

Ahora se ilusftará, a manera de ejemplo, el uso de diodos Zener en el diseño de reguladores en
paralelo, llamados así porque el circuito del regulador aparece en paralelo con la carga.

Iz

FrcUnA ¡.22 Modelo del diodo Zener

-

3.4 opERAcróN EN LA REGIóN DE RUpruRA TNVERsA: DroDos ZENER S t",

Las especificaciones del diodo Zener del circuito de la figura 3 .23a) sonV2: 6.8 V a 12 5 mA, :
:
rz: 20 A e IzK O.2mA. Nominalmente, el volaje de alimentación V+ es 10 V, pero puede variar
en t1 V.

6.8 V
Ze¡e¡

a) b)

FIGURA 3.23 ¿) Circuito del ejemplo 3.8. á) El circuito con el diodo ner reemplazado con su modelo
de circuito equivalente.

d) Encuentre yo sin c*ga y con y' a su valor nominal.

á) Encuentre el cambio en Vo debido al cambio de tl
V en V+. Tome en consideración que a (AV¿/
AV+), por to general expresado en mV/V, se le conoce como rtgulación de línea,
c) Encuentre el cambio en V¿ que se presenta al conectar una resistencia de carga R¿ que maneja
una corriente 1¿ :
1 mA y, por tanto, encuentre la r€gulación de carga (AyolA¡¿) en mV/mA.

4 Encuentre el canbio en Vo cuando R" = 2 kO.

¿) Ercuentre el valor de yo cuando R¿ : 0.5 kO.

fl ¿Cuál es el valor mínimo de R¿ en el cual el diodo aún opera en la región de ruptura?

Solución
Primero se debe determinar el valor de V2q del modelo de diodo Zener. Al sustituir yz : 6.8 V
12 = 5 mAy r, = 20 f) en la ecuación (3.20) se obtiene yzo : 6.7 V. En la figura 3.23á) se muestra
el circuito, pero se ha reemplazado el diodo ner con su modelo,
4) Sin carga conectada, la corriente que ¡ecoÍe el Z€ner está dada por

I-=t=v*-vto
' R+ r,
= ## = 6.35mA
Por taúo,

Vo = Vzo+ Izrz
= 6.7 + 6.35 x 0.02 = 6.83 V
a -\

r70 Ó cAPITULo3 DroDos

ó) Para un cambio de tl V en V+, el cambio en el voltaje de salida se encuenha con

= Nf r|,
^vo
in
= t lx-----:- = t38.5 mV
Por tanto.

Regulación de línea : 38.5 mVfr'

c) Cuando está conectada una resistencia de carga R¿ que toma una corriente de catga 1¿ I mA, :
la corriente del diodo Zener disminuirá enI mA. El cambio correspondiente en el voltaje del Z,ener
se encuentra con

A'Vs = r"A'17

= 20x-1 = -20 mV
Por tanto, la regulación de carga es

Regulación de carga = 1?
aIt = -ro tur.o
d)Cuando está conectada una resistencia de carga de 2 kf), la corriente de carga será ap¡oximada-
mente 6.8 V/2 k'o = 3.4 mA. Por tanto, el cambio en la conierte delZener será Nr:
-3.4 mA, y
el cambio coffespondiente en el voltaje del Zener (voltaje de salida) será
LVo = 7'6¡t

= 20x-3.4 = -68 mV
Sin emba¡go, este cálculo es aproxirnado, porque omite el cambio en la corriente 1. Una estimación
más exacta de AV¿ se obtendrá al analizar el circuito de [a figuru 3.23á). El resultado de este análisis
es AVo = -79 -Y
e) Una R" de 0.5 kf,l tomarla una corriente de carga de 6.8/0.5 = 13.6 mA. Esto no es posible,
porque la corriente lque se proporciona a través de R es de sólo 6.4 mA (para V+ = t0 V). Por
tanto, el Z,ener debe estar en corte. En este caso, yo se detemina con el divisor de voltaje formado
por R" y R lfig\ra 3.23a)1,

"='.& o{
=10-----:j:-=5v
Debido a que este voltaje es menor que el de ruptua del Zener, el diodo ya no está operando en la
región de ruptua.

/) :
Para que el Zener esté en el límite de la rcgión de mpí¡ra 12 Iu = o.2mAyV"- Vzr- 6-7 y.
En este punto la menor coniente alimentada a través de R (el peü de los casos) es (9 - 6.7)10.5 =
4.6 mA; por tanto, la coriente de carga es 4.6 -
O.2 :
4.4 mA. El valor corespondiente de R¡_ es

o"=H- tsra

3.4.3 Efec'tos de la temperatura

La dependencia que presenta el voltaje delZnner,Vv enrelación con la temperatura se espe-
cifica con su coeficiente de temperatura TC, o temco (t¿mperature coefficient), como suele
a-

3.5 crRcurros REcrrFrcADoREs @ 't tt

conocérsele, y se expresa comúnmente en mV/'C. El valor del TC depende del voltaje del
Zener; para un determinado diodo el TC varía con la cor¡iente de operación. Los diodos Zener
con V7 menores a unos 5 V muestran un TC negativo. Por otra parte, los Zener con voltajes
más elevados muestran uno positivo. Es posible hacer que el TC de un diodo Zener sea cero
con un yz de unos 5 V, si se opera el diodo a una corriente especificada. Otra técnica común
para obtener un voltaje de referencia con bajo coeficiente de temperatura consiste en conectar
en serie un diodo Zener con un coeficiente de tempe¡atura positivo de unos 2 mV/'C y otro
en conducción directa. Como este último tiene una caída de voltaje de : 0.7 V ] un TC de
unos -2 mV/oC, la combinación en serie proporcionará un voltaje de (V, * 0.7) con un TC
cercano a 0.

3.4.4 Comentario f¡nal

A pesar de que son simples y útiles, los diodos Zener han perdido gran parte de su popu-
laridad en años recientes. Han sido virtualmente ¡eemplazados con circuitos integrados de
diseño especial que realizan la regulación de voltaje de manera más efectiva y con mayor
flexibilidad-

3.5 CIRCUITOS RECTIFICADORES

Una de las aplicaciones más impofantes de los diodos es el diseño de circuilos rectificadores. Un
diodo recqificador representa un bloque de construcción esencial de las fuentes de alimentación
de dc requeridas para el equipo electrónico. Un diagrama en bloque de este tipo de fuente de
alimentación se muesta en la figura 3.24. Como se indica, la fuente se alimenta de una línea
de ac de 120 V (rms) y ó0 Hz, y entrega un voltaje de dc, V¿ (nomalmente en el intewalo de
5 a 20 V), a un circuito electrónico representado por el bloqtrc de carga. Es necesario que el
voltaje de dc sea lo más constante posible, a pesar de las variaciones en el voltaje de la línea
de ac y de la corriente tomada de la carga.
El primer bloque de una fuente de alimentación de dc €s el transformador de potencia.
Estí formado por dos bobinas separadas y devanadas alrededor de un núcleo de hieno que
acopla magnéticamente los dos devanados. El devanado primario, que tiene Nr vueltas, se
t 72 é cAPfTUto 3 DroDos

Transformador
de potencia
i.'
Linea ac
120 V (ms)
6OHz
-

ffit ------------->
t t t

FIGURA 3.24 Dia$ama de bloque de una fuente de alimentación de dc.

conecta a la fuente de alimentación de 120 V de ac; el devanado secundario, con N2 vueltas,

se conecta al circuito de la fuente de alimentación de dc. Por tanto, se desarrolla voltaje ¿,s de
ac de !20(N2/N) yolts (rms) entre las dos terrninales del devanado secunda¡io. Al seleccionar
una relación apropiada enÍe las vueltas (N1/N2) del transformador, el diseñador reduce el vol-
taje de línea al valor requerido para una deteminada salida de voltaje de dc de la fuente. Por
ejemplo, un yolt¿je secunda¡io de 8 V rms resultaría apropiado para una salida de 5 V de dc.
Esto se logra con una relación de 15:l entre las weltas.
Además de entregr la arnpütud senoidal apropiada para la fuente de alfunentación de dc,
' el transformador de potencia crea aislamiento eléctrico entre el equipo electrónico y el circuito
de la línea de aliment¿ción. Dicho aislamiento minimiza el riesgo de una descarga eléctrica
para el usuario del equipo.
El rectificador de diodo convierte la senoide de entrada us en una salida unipolar que puede
tener la forma de onda pulsante indicada en la figura 3.2. Aunque esta onda üene un promedio
diferente de cero o un componente de dc, su naturaleza de pulsos la vuelve inadecuada como
fuente de dc para circuitos electrónicos, de alll la necesidad de contar con un filtro. El bloque
de filtro de la figura 3.24 reduce en gran medida las variaciones en la magnitud de la salida
del rectificador. En las siguientes secciones se estudiarán varios circuitos rectificadores y una
inst¡umentación simple del filtro de salida.
Aunque la salida del filtro rectificador es mucho más constante, todavía contiene un com-
ponente que depende del tiempo, conocido como rizo. Para reducirlo y estabilizar la magnitud
del voltaje de salida de dc de la fuente conha variaciones debidas a cambios en la corriente de
carga, se emplea un rcgulador de voltaje. Este regulador se insfumenta mediante la configuración
de regulador Zener en paralelo estudiada en la sección 3.4. Como una opción, que es mucho
más común en el presente, puede utilizarse un regulador de circuito integrado.

3,5,1 El rectificador de media onda

El rectificador de media onda utiliza semiciclos altemados de la senoide de entrada. En la
figura 3.25a) se muestra el circuito de un rectificador de media onda. Este circuito se analizó
en la sección 3.1 (véase la figura 3.3), suponiendo un diodo ideal. Con el modelo más realista
de diodo con bateía más resistencia, se obtiene el ci¡cuito equivalente mostrado en la figura
3.25á), a partir del cual es posible escribir

lo = O, o51V.,¡ (3.21a)

(3.2tb)
oo =
#ror-v^#rr, vs2vps

La característica de transferencia representada por estas ecuaciones se observa en la fgura

3.25c). En muchas aplicaciones, rp ( R y la segunda ecuación puede simplificarse a

(3.22)
 3.5 crRcurros REcrrFrcADoREs ! ttt

Ideal YDo

rffir-
rD
D

----> -l
",O ,.* ;"
'"9
+
oo

L_________o_____+___-
= =
a) b)

_t)

a)

FTGURA 3.25 a) Rectificado¡ de media onda. á) Circuito equivalente del rcctificador de media ondá en que
se ha rcemplazado el diodo con su modelo de bateda más resistencia. c) Carac¡edstica de ÍansfeEncia del
circuito ¡ecfificador. /) Ooda5 de entrada y salida, suponiendo que ¡D < ,R.

donde Vp¡ : 0.7 o 0.8 V. En la figura 3.25d) se rnuestra el voltaje de salida obtenido cuando
la entrada ¡.,s es una senoide.
Al seleccionar diodos para el diseño de un rectificado¡ deben especificarse dos paánetros
importantes: la capacidad de manejo de corriente requerida (determinada ¡ror la mayor corriente
que se espera que conduzca el diodo), y el voltaje inverso de plco (Pry) que el diodo debe
resistfu sin ruptura, deteminado por el mayor voltaje inverso que se espera a través del diodo.
a

174 lF cAPfTUto 3 DroDos

En el circuito rectificador de la figura 3.25a) se obsewa que cuando v5 es negativo, el diodo

estará en corte y ,o será cero. De ello se desprende que PIV es igual al pico de u5,

PIV : Y"

Sin embargo, lo prudente es seleccionar un diodo que tenga un voltaje de ruptura inverso por
10 menos 507¿ mayor que el PIV esperado.
Antes de dejar el rectificador de media onda, debe tomarse nota de dos temas. En primer
lugar, es posible utilizar la curva exponencial del diodo para determinar la caracte¡ística de
hansferencia exacta del rectificador (consulte el problema 3.73). Sin embargo, la cantidad de
trabajo suele ser demasiada como parajustificarse en la práctica. Por supuesto, este análisis se
realiza fácilmente con un programa de computadora para análisis de circuitos, como SPICE
(consulte 1a sección 3.9).
En segundo lugar, si se analiza el circuito con precisión, o no, debe resultar obvio que
dicho ci¡cuito no funciona adecuadamente cuando la señal de entradaes pequeña. Por ejemplo,
el circuito no puede emplearse para rectificar una senoide de entrada de amplitud de 100 mV.
Para este tipo de aplicación se recurre a un rectificador de precisión, que es un circuito que
emplea diodos junto con amp ops. En la sección 3.5.5 se presentará este tipo de circuito.

3.5.2 Rectificador de onda completa

El rectificador de onda completa utiliza ambas mitades de la senoide de entrada. Para proporcio-
nar una salida unipolar, invierte las mitades negativas de la onda senoidal. En la figwa3.26a)
se muestra una posible instrumentación. Aquí el devanado secundario del transformador tiene
derivación central para proporcionar dos voltajes z5 iguales a lo largo de las dos mitades del
devanado secundario con las polaridades indicadas. Tome en cuenta que cuando el voltaje de
línea de entrada (que alimenta al primario) es positivo, ambas señales ¡otuladas como us serán
positivas. En este caso Dl conducirá y Drtendrá polaización inversa. La corriente que pasa
por Dl fluirá por R y regresará a la derivación cenhal del devanado secundario. El circuito
se comportará como rectificador de media onda, y la salida durante los semiciclos positivos,
cuando Dr conduce, será idéntica a la producida por el rectificador de media onda.
Alora bien, en el semiciclo negativo del voltaje de línea de ac, ambos voltajes rotulados
u5 serián negativos. Por tanto, Dl estará en corte y D2 conducirá, La corriente que pasa por Dr
fluirá por R y regresará a la derivación central. De esto se desprende que, en los semiciclos
negativos, mientras D2 conduce, el circuito se comporta como rectificador de media onda. Sin
embargo, lo importante es que la corriente que pasa por R siempre fluirá en la misma direc-
ción y, por tanto, ua será unipolar, como se indica en lafigva3.26c). La onda de salida que
se muestra se obtiene al suponer que un diodo en conducción tiene una disminución o caída
 1.5 crRcurros REcrrFtcAooREs ! ttt

Voltaje
de línea
de ac

-vo o vo

b)

lt
\

c)

FIGURA 3.26 Rectificador de orda completa que emple¿ un transfomrado¡ con devanado secuodario
y derivacióÍ central; ¿) ci¡cuito; ó) curva caracteústica de taansferencia suponiendo un modelo
de celda de voltaje consta¡te para los nodos; c) ondas de entrada y salida,

de voltáje constante V¿. Por tanto, la característica de transfercncia del rectificador de onda
completa adquiere la forma mostrada en lafigra3.26b).
Obviamente, el rectificador de onda completa produce una forma de onda más "energética"
que la de media onda. En casi todas las aplicaciones de rectificadores se opta por algrln tipo
de onda completa.
Para encontrar el PfV de los diodos en el circuito rectificador de onda completa, piense
en la situación que se present¿ en los semiciclos positivos. El diodo D, está conduciendo y
el D2 está en corte. El voltaje en el cátodo de D2 es uo y el de su ánodo es - us. Por tanto, el
voltaje inverso en D 2será (ao + u5), que alcanzará su máximo cuando uo esté en su valor pico
de (V" - V¿) y ¡rs se encuentra en su valot pico de %; por tanto,

Pf/=2V,-Vo
que es casi el doble del caso del rectifcador de media onda.
7'

176 W CAPITULO 3 DtoDos

3.5.3 El rectificador en puente

En la ñgura 3.27a) se muesfta una instrumentación altema del ¡ectificado¡ de onda completa.
El ci¡cuito, conocido como rectificador en puente (debido a la similitud de su conñguración
con la del puente de Wheatstone), no requiere de t¡ansformador con derivación cenhal, lo que
representa una ventaja distintiva sobre el circuito rectificador de onda completa de la figura
3.26. Sin embargo, el rectificador en puente requiere cuatro diodos, en comparación con los
dos del ci¡cuito ante¡ior. Esto no es una desventaja, porque los diodos son económicos y es
posible comprar un puente de diodos en un paquete.
' El circuito ¡ectificador en puente opera de la siguiente manera: durante los semiciclos
positivos del voltaje de entada, u5 es positivo y, por tanto, la corriente se conduce a través del
diodo D,, el resistor R y el diodo D2. Mientras tanto, los diodos D3 y Do tienen polarización
inversa. Obsewe que hay dos diodos en serie en la ruta de conducción y, por tanto, z¿ será dos
caídas de diodo menor que zr, (comparado con una caída en el circuito que se acaba de analizar).
Esta es una desventaja del rectificador en puente,

, 2 Vn

-L)-
JA \/
It

FIGURA 3.27 El rectificador en puente: ¿) ci¡cuitoi ,) formas de onda de entrada y salida.

 3.5 C IRCU ITOS RECTIFICADORES 177

Ahora piense en la situación que se presenta durante los semiciclos negativos del voltaje
de entrada. El voltaje secundario zs será negativo y, por ello, z5 será positivo, forzando la
corriente por D3, R y Da. Mientras tanto, los diodos D, y D2 tendrán polarización inversa.
Sin embargo, lo impofante es que, durante ambos semiciclos, la corriente pasará por R en la
misma dirección (de derecha a izquierda); po¡ tanto, up siempre será positivo, como se indica
en la ñgura 3.21b).
Para determinar el voltaje inverso de pico (PIV) de cada diodo, considere el circuito durante
los semiciclos positivos. El voltaje inverso que pasa por Dj puede determinarse a partir del
lazo formado por D., R y D, como

uD3 (inverso) = uo+ aot (diteclo)

Por tanto, el valor máximo de up3 ocurre en el pico de o y está dado por

pIV=V,_ZVD+VD=V,_Vo
Observe que aquí el PIV es casi la mitad del valor del rectificador de onda completa con trans-
formador con derivación cantral. Ésta es otra ventaja del rectificador en puente,
Una ventaja más de dicho ci¡cuito sobre el que emplea un transformadu con derivación
central es que el devanado secundario de éste sólo necesita ahededor de la mitad de las vueltas.
Otra manera de ver este tema se desprende de la observación de que cada mitad del devanado
secundario del transformador con derivación central sólo se utiliza la mitad del tiempo. Estas
ventajas han hecho que el rectificador en puente sea la configuración más popula¡ de circuito
recti ficador.

3.5.4 El rectificador con un condensador de filtro:

el rectificador de pico
La naturaleza de pulsos del voltaje de salida producido por los ci¡cuitos rectificadores analiza-
dos antes los hace inadecuados como fuente de alimentación de dc para circuitos electrónicos.
Una manera simple de reducir la variación del voltaje de salida es colocar un condensador en
el resistor de carga. Se demostrará que este condensador de filtro sirve para reducir en gran
medida las variaciones del voltaje de salida del rectificado¡.
Para vercómo funciona el circuito rectificadol con un condensador de filtro, revise primero
el circuito simple de la figura 3.28. Sea la entrada quna senoide con un valor pico V, y suponga
que el diodo es ideal. A medida que u¡ se vuelve positivo, el diodo conduce y el condensador
se carga de modo qve 7ro = aL Esta situación sigue hasta que u, llega a su valor pico Vr. Más
atlá del pico, a medida que u, disminuye, el diodo adquiere polarización inversa y el voltaje de
salida permanece constante en el valor de Vr. En realidad, hablando teódcamente, el conden-
sador ¡etendrá su carga (y por tanto su voltaje) de manera indeflnida, porque no hay manera
de que se descargue. Por tanto, el circuito proporciona una salida de voltaje de dc igual al pico
de la onda senoidal de entrada. Es un resultado muy estimulante en vista de nuestro deseo de
producir una salida de dc.
-

fis O cAPfTUro 3 DroDos

FIGUnA 3.28 a) Circuito simple empleado para ilüsÍa¡ el efecto de u¡ coÁdensado¡ de fltro. ,) Fonnas
de orda de ent¡ada y salida supoaiendo un diodo idea!. Observe que el circuito proporcio¡¿ un voltaje de dc
igual al pico de la ond¿ senoidál de ent¡ada. Po¡ tanto, se conoce al circuito como rectifcador de pico
o detector de pico.

En seguida se va a rcvisat la situación más práctica en que una resistencia de carga R se

conecta en pa¡alelo al condensador C, como se observa en la figtxa 3.29a\. Sin embargo, se
sigue suponiendo que el diodo es ideal. Como antes, para una entrada senoidal, el condensador
se carga al pico de la entrada yp. Entonces el diodo está en corte y el condensador se desóarga
a través de la resistencia de carga R. La desc¿rga del condensador continuari4 durante casi
todo el ciclo, hasta el momento en que r¿ exceda el voltaje del condensador. Entonces el diodo
conducirá otra vez y cargará el condensador al pico de a¡, y el proceso se re¡rtiná. Observe que
para evitar que el voltaje de salida disminuya demasiado durante la descarga del condensado¡
se selecciona un valor para C en el que la constante de tiempo CR sea mucho mayor que el
intervalo de descarga.
Ahora está listo para analizar el circuito con todo detalle. En la figura 3.29ó) se muestran
las ondas de voltaje de entrada y salida en un estado estable, dada la suposición de que CR >
7, donde I es el periodo de la senoide de entrada. En la figura 3.29c) se muestran las ondas
de la coniente de catga

it = uo/ R (3.23)

y de la corriente del diodo (cuando estri conduciendo)

io = ic* it (3.u)
dt,
= C=+i,
rit
(3.25)
-

3.5 crRcurros REcrrFrcADoREs I tt"

tD
.-->

I
vp
v,
ltl

ll
Intervalo de
conducción Ar

-l

c)

FIGUnA 3.29 Ondas de voltaje y cor¡iedte en el cicuito [Link]¡ da pico coll CR > f. SE supone
que el diodo es ideal.

Las siguientes observaciones yienen al caso:

1. El diodo conduce durante un b¡eve intervalo, At, cerca del pico de la senoide de entrada
y proporciona al condensador una carga igual a la perdida durante el intervalo mucho
más largo de descarga. Este rlltimo es cercano al periodo 7.
2. Suponiendo un diodo ideal, la conducción del diodo empieza en f1, cuando el voltaje
u¡ de entrada es igual al de salida u¿ que decae exponencialmente. La conducción se
detiene en f2, poco después del pico de u¡; el valor exacto de 12 se determina al asignar
r¡ : 0 en la ecuación (3.25).
r 80 C cAPfruro 3 DroDos

3. Durante el intervalo de corte del diodo, el condensador C se descatga a través de R y,

por tanto, uo decae exponencialmente con una constante de tiempo CR. El intervalo de
descarga empieza a¡renas pasando el pico de ur. Al firlal del intervalo de descarga, que
dura casi todo el periodo T, t6: Vo - V,, donde V, es el voltaje de pico a pico del rizo.
Cuando CR ) T- el valor de V. es ¡rqueño.
4. Cuando V. es pequeño, 1,o es casi constante e igual al valor pico de ¿,r. Por tanto, el voltaje
de salida de dc es casi igual a Vo. De manera similar, la corriente i¿ es casi constante y
su componente de dc 1¿ esüá dado por

r. =L (3.26)

Si lo desea, una expresión rnás precisa para el voltaje de salida de dc puede obtenerse
al tomar el p¡omedio de los valores extremos de ¡lo,

Vo = V,-LV, (3.27 )
Con estas observaciones a la mano, ahora se obtendrán expresiones para V" y para los
valores promedio y pico de la corriente del diodo. Durante el intervalo en que el diodo está en
corte, uo puede expresarse como

uo = voe-t/CR

Al final del intervalo de descarga se tiene

Vp-V,- Vpe-r/cR

Ahora, como CR ) Z, es posible usar la aproximación e-rlcR : 1 -T/CR pa¡a obtener

T
v,=ve-R (3.28)

Se observa que para mantener y, pequeño se debe selecciona¡ una capacitancia C, de modo que
CR > ?. El voltaje de rizo V. de la ecuación (3.28) puede expresarse a partir de 1a frecuencia
,f : VI como
,,,,_-!o (3.29a)
.fCR
Mediante la ecuación (3.26) se expresa V, con la expresión altema
I,
v,= (3.29b)
o
Tome nota de que una interpretación altema de la aproximación hecha arriba es que el conden-
sador descarga por medio de una corriente constante 1¿ = yp/R. Esta aproximación es válida
siempre y cuando V" (
Vo.
Usando la figura 3.290), y suponiendo que la conducción del diodo cesa casi en el pico de
ir, es posible determinar el intervalo de conducción At a partir de

Vpcos (ú,Lt) = Vp- V,

donde to: 2$: 2t¡lT es la frecuencia angular de ur. Debido a que (aÁt) es un ángulo pequeño,
se puede emplear la aproximación cos ( oÁr) : t- I lalAt¡' para obtener

,4-,¡ñ,tvo (3.30)

Se observa que cuando V, ( V' el ángulo de conducción aÁl será pequeño, como se supuso.
 3.5 crRcurros REcrrFrcADoREs $ t"t

Para deteminar el promedio de la coniente del diodo durante la conducción, l¿*,, se

iguala la carga que el diodo alimenta al condensador,

Q.¡i."oo¿ = i6.r* Af
donde, de la ecuacion (3.24),

ig*o = ipp,*- I¡
para la carga que el condensador pierde durante el intervalo de descarga,

Qp.,a,a^= CV,

para obtene¡ empleando las ecuaciones (3.30) y (3.29a),

¡op- = IÁl+ n J-zvlv,) (3.3r)

Observe que cuando V, ( Vo, el promedio de la corriente del diodo durante la conducción es
mucho mayor que la corriente de carga de dc. Esto no sorprende, porque el diodo conduce
durante un intervalo muy corto y debe reponer la carga perdida por el condensador durante el
intervalo mucho más largo en que 1¿ lo descarga.
El valor pico de la coriente del diodo, iDná*, puede determinarse al evaluar la expresión
de la ecuación (3.25) alprincipio de la conducción del diodo (es decir, en r 11 : :
-A¡, donde
:
t 0 estrí en el pico). Suponiendo que ¿; es casi constante en el valor dado por la ecuación
(3.26), se obtiene

ip^6, = I¡(l+zn^lÑ¡v,¡ (3.32)

De las ecuaciones (3.31) y (3.32), se ve que paruV,4Vo, io^r:2ir*-,

que se relaciona con el
hecho de que la forma de onda de ip es casi un triángulo rectángulo [véase la figsra3.29c)].

Un rectiñcador de pico alimentado por una senoide de 60 Hz tiene un valor pico Vo : 100 V. Si la
resistencia de carga es R = 10 kf), encuentre el valor de la capacitancia, C, que resulta¡á en un rizo
de pico a pico de 2 V. Además, calcule la ftacción del ciclo en que el diodo esti4 conduciendo y los
valores promedio y pico de la cor¡iente del diodo.

Solución
De la ecuación (3.29c) se obtiene el valor de C como

=!-=
v,fR 2x60xtoxl03
100
= 83.3 pF

El rá[Link] conducción ¿oAt se encuentra en la ecuación (3.30) como

aLt = J2x2/1O0 = 0.2 rad

Por tanto, el diodo conduce durante (0.2/21t) X 100 = 3.18% del ciclo. El promedio de la corrienie
del diodo se obtiene de la ecuación (3.31), donde 1, = 100/10 :
10 mA, como

io, = ro(1+ tJMñ/2) = 32a nA

La corriente pico del diodo se encuentra utiüzando la ecuación (3.32),

io-¿" = l0(1+2nEx t@/Z) = 638 mA

r s2 I cAPfTULo 3 DroDos

FIGURA 3.30 Formas de onda en el rectificador del pico de onda completa.

Al circuito de la figura 3.29a) se le conoce como rectifcador de pico de media onda. Los
circuitos rectificadores de onda completa de las figuras 3.26a)y 3.27c) pueden convertirse en
rectificadores de pico mediante la inclusión de un condensador en paralelo con el resistor de
carga. Como en el caso del de media onda, el voltaje de salida de dc será casi igual al valor
pico de la onda senoidal de entrada (véase la figura 3.30). Sin embargo, la frecuencia de rizo
será el doble de la de entrada. En este caso, el voltaje de rizo de pico a pico se obtiene con un
. procedimiento idéntico al anterior, pero con el periodo de descarga 7 sustituido con T/2,1o
que arroia

,, --Ju (3.33)
" zfcR
Mientras que el intervalo de conducción del diodo, Al, arín estaná dado por la ecuación (3.30),
las corrientes promedio y pico en cada diodo estarán dadas por

t¿0..= 1¿(1 + n,tV¡ZV,¡ (3.34)

ie^a, = I ¡(1 + Zz^lio,tZV,¡ (3.35)

Comparando estas expresiones con las correspondientes para el caso de media onda, se nota
que si los valores de Vo,f R y 4 son los mismos (y por tanto, se tiene la misma 1r) se necesita
un condensador de la mitad del tamaño del que se requiere en el rectificador de media onda.
Además, la corriente en cada diodo del rectificador de onda completa es de alrededor de la
mitad de la que circula en el diodo del c cuito de media onda.
En el análisis anterior se supuso que se trabajaba con diodos ideales. La exactitud de los
resultados mejorará si se toma en cuenta la caída de voltaje del diodo. Esto se logra sólo con
reemplazar el voltaje pico Vo al cual carga el condensador con (V, - Vp),parulos circuitos de
media onda y de onda completa, empleando un transformador con derivación central, y con
(Vo - 2Vp) pala el caso del rectificador en puente.
Se concluye esta sección al observar que los ci¡cuitos de rectificador de pico tienen aplica-
ción en sistemas de procesamiento de señales en las que se requiere detectar el pico de una señal
de enüada. En este caso, el circuito es un detector de pico. Una aplicación que goza de ciefa
popularidad está en el diseño de un demodulador para señales de amplitud modulada (AM). No
se analizaná esta aplicación aquí.
 3.5 crRcurros REcrrFrcADoREs @ t"t

3,5.5 Rectificador de precisión de media onda: el superdiodoa

Los ci¡cuitos rectificadores estudiados hasta ahora experimentan una o más caídas de diodos
en las rutas de la señal. Po¡ tanto, estos ci¡cuitos sólo funcionan bien cuando la señal que habrá
de rectificarse es mucho mayor que la caída de voltaje de un dlodo en conducción (alrededor
de 0.7 V). En este caso, los detalles de las caracteústicas de conducción directa del diodo o el
valor exacto de su voltaje no ¡epresentan un papel importante en la determinación del desem-
peño del circuito. Esto es lo que ocune en la aplicación de circuitos de recüficador al diseño de
fuentes de alimentación. Sin embargo, hay otras aplicaciones en las que la señal que habrá de
representarse es pequeia (es decir, se encuentra en el orden de 100 mV) y, por tanto, clararnente
insuficiente para poner un diodo en conducción. Además, en aplicaciones de insirumentación
surge la necesidad de circuitos de rectificador con caractedsticas de transferencia muy precisas
y predecibles. Para estas aplicaciones se ha desar¡ollado una clase de ci¡cuitos mediante amp
ops (capítulo 2) junto con diodos que proporcionan rectificación de precisión. En el siguiente
análisis se estudia¡á uno de estos circuitos, dejando el estudio más extenso de los ci¡cuitos de
amp ops-diodos para el capítulo 13.
En la figura 3.3la) se muestra un circuito rectificador de precisión de medi¿ onda integrado
por un diodo conectado en la ruta de retroalimentación negatiya de un amp op, en donde R es
la resistencia de carga del rectificador Por supuesto, el amp op necesita fuentes de alimenta-
ción para operar. Por razones de simplicidad, éstas no se muestran en el diagnma del circuito.
Este funciona de la siguiente manera: si u¿ es positivo, el voltaje de salida u, del amp op será
positivo y el diodo conducirá, estableciendo una ruta cer¡ada de retoalimentación entre la
terminal de salida del amp op y la terminal negativa de ent¡ada. Esta ruta hará que apatezca

"Superdiodo"

a) b)

FIGURA 3.31 El "supe¡diodo" rectificador de media onda de precisión y su caracte¡ística de fansfe¡encia

casi ideal. Observe que, cuando ?, > 0 y el diodo conduce, el amp op alimenta la corriente de ca¡ga
y la fuente eslá convenientemente separada, lo que representa oÍa ventaja.

4
Esta sección exige conocimientos de amplificadorcs operacionales.
184 lW cAPÍTUto 3 DroDos

un coÍocircuito virtual entre las dos terminales de ent¡ada. Por tanto, el voltaje en la terminal
de enhada negativa, que también es el voltaje de salida zo, será igual (con una diferencia de
algunos milivolts) al de la terminal de enüada positiva, que es el voltaje de entrada u,,

ao : 4 a1)_0

Tome en cuenta que ya no esá presente el voltaje de desnivel (-0.6 V) mostrado en el circuito recti-
ficador de media onda simple de la figura 3.25. Para que el circuito de amp op empiece su operación,
z, üene que exceder sólo un voltaje insigniflcante igual a la caída del diodo dividida enne la ganancia

a lazo abierto del amp op. En otras palabras, la curva característica d€ tansferencia de la lúlea recta
ue-z¡ casi pasa por el origen. Esto hace que el circuito sea adecuado para aplicaciones relacio-
nadas con señales muy pequeñas.
Se verá ahora el caso en que z¡ se hace negativo. El voltaje de salida u, del amp op tenderá
a seguir y volverse negativo. Esto hará que el diodo adquiera polarización inversa y no pasará
corriente pof la fesistencia R, haciendo que o perfnanezca igual a 0 V Por tanto, para z/ < 0,
u¿ : 0. Debido a que, en este caso, el diodo está en corte, el amp op operará a la manera del
laz o abierto y su salida estará en el nivel negativo de saturación.
La curva característica de t¡ansferencia de este circuito será como la que s€ muestra en la
figura 3.31á), que es casi idéntica a la característica ideal de un rectificador de media onda. Las
curvas no ideales del diodo han quedado casi ocultas al conectado en la ruta de retroalimentación
, negativa de un amp op. Se trata de otla aplicación importante de la retroalimentación negativa,
tema que se estudiará formalmente en el capítulo 8. A la combinación de diodo y amp op, que
se muestra en el recuadro con guiones de la figura 3.31a), suele dársele, apropiadamente, el
nombre de "superdiodo".

K ..r crRcurros LrMrrADoREs y FTJADoRES

En esta sección se presentan aplicaciones adicionales de circuitos no li¡eales con diodos.

3.6.1 Circuitos limitadores

En la flgura 3.32 se muesfta la característica de transferencia general de un circuito limitador
Como se indica, en el caso de entradas en un intewalo determínado, L_lK 3 a, ! L*úK, el limi-
tador actúa como un cicuito lineal, que ofrece una salida proporcional a la entrada, us : Ka,,
Aunque generalmente K puede ser mayor que 1 , los circuitos analizados en esta sección tienen
K ( I y son conocidos como limitadores pasivos. (En el capítulo 13 se presentarrán ejemplos de
limitadores activos.) Si u, excede el zrz bral supeiot (L* lK1, el voltaje de salida estará limitado
o fijado al nivel limitador superior ¿+. Por otra parte, si u1 se reduce debajo del umbral limitador
inferior (I /r'), el voltaje de salida z¿ estará limitado al nivel limitador inferior L .
 3.6 clRcurros LrMrrADoREs y FTJADoREs I t"t

FrcUnA3.32 C\rva ca¡ac¡e¡lstica de

transfe¡encia general de ur circuito limitador.

F¡GURA 3.33 I-a aplicacióD de una onda senoidal a un liñitador puede produci¡ el recoÍe de sus dos
picos.

La curva carac¡erlstica de transferencia general de la figura 3.32 describe un limitador

doble (es decir, un limitador que funciona en los picos positivos y negativos de una onda de
entrada). Por supuesto, hay también limitrdorcs sencilloc. Pot último, tome en cuenta que si
se alimenta una onda de entrada a un limitador doble, como el mostrado en la figura 3.33, sus
dos picos serán [Link] tanta, L los limitadores se les conoce como recortádo¡€s.
Al limitador cuyas curvas caracteísticas están descritas en la figura 3.32 se le conoce
corro limitador dum. La limltación $rave se camcteriza por transiciones más suaves entle
la región lineal y las tegiones de safüración y una pendiente mayor que cero en las regiones de
saturación, como se ilustra en la figura 3.34. Dependiendo de la aplicación, puede preferkse
la limitación dura o suave.

FIGURA 3.34 Limitación suave.

a .l

r86 O cAPrTuLo3 DroDos

Los limitadores se aplican en diversos sistemas de procesamiento de señales, Una de sus

aplicaciones más sirnples es la limitación del voltaje entre las dos terminales de entrada de un
amp op a un valor menor que el vohaje de ruptura de los transistores que integran la etapa de
entrada de su circuito, Posteriormente se estudiarán con mayor detalle ésta y otlas aplicaciones
I imitadoras -

Se pueden combinar diodos con resistores para obtener instrumentáciones simples de la

función limitadora. En la figura 3.35 se describen varios ejemplos. En cada parte de la figura
se presentan el circuito y su curva caracteística de fansferencia. Las curvas se obtienen con el
:
modelo del diodo de cafda constante de voltaje (yD 0.7 V), pero suponiendo una transición
suave entre las regiones lineales y de satuación de la curva. Se obtienen rnejores aproximaciones
de las características de transferencia con el modelo lineal por piezas del diodo. Si se hace esto,
la fegión de saturación de la cuwa adquiere una leve pendiente (debida al efecto de rp).
El circuito que se observa en la figura 3.35a) es de un rectificador de media onda, con la
excepción de que la salida se toma del diodo. En el caso de u¡ < 0.5 V, el diodo esl4 en corte,
no pasa coniente y la caída de voltaje a través de R es cero; por tanto, ue = u¡. A medida que
ur excede los 0.5 V, el diodo está en conducción, ümitando más adelante a u¿ a una calda de
diodo (0.7 V). El circuito de la figura 3.35b) es similar al de la 3.35c), con excepción de que
el diodo está invertido.

5V -=-

+ 0.7)

FrcUnA 3.35 Va¡ios ci¡cuitos limitador€s biásicos.

 3.6 crRcurros LrMrrADoREs y FTJADoREs
@ t"t

Es posible obtene¡ una doble limitación si dos diodos de polaridad opuesta se colocan
en paralelo, como se ilust¡a en la figura 3.35c). Aquí, la región lineal de la característica se
obtiene para -0.5 V < z¡ 10.5 V. Para este intervalo de 1, ambos diodos estiín en corte y
u¿ : u¡. A medida que ?.¡ excede 0.5 V Dr conduce y, con el tiempo, limita z¿ a +0.7 V Del
mismo modo, a medida que rr¡ se hace más negativo que 0.5 V, D2 conduce y a la larga
limita ze a -0.7 V
Los umbrales y los niveles de saturación de los limitadores de diodos se controlan mediante
cadenas de diodos, conectando un voltaje de dc en serie con el o los diodos, o con ambas opcio-
nes. Esta última idea se ilustua en la figura 3.35fl. Finalmente, en lugar de cadenas de diodos,
se pueden usar dos diodos Zene¡ en serie, como se muesúa en la figura 3.35e). En este circuito
la limitación ocurre en la dirección positiva a un voltaje de V2 + 0.7 , donde 0.7 V representa
la caída de voltaje a t¡avés del diodo Zener Z1 cuando conduce de manera directa. En el caso
de entradas negativas, Zt actúa como un Zener, mientras que 22 conduce en sentido directo.
Debe mencionarse que se distribuyen comercialmente pares de diodos Zener conectados en
serie para aplicaciones de este tipo; se les denomina Zener de doble ánodo.
Es posible crear circuitos limitadores más flexibles si se combinan amp ops con diodos y
resistores. En el capítulo 13 se analizarán eiemplos de estos ci¡cuitos.

l0ld)

3.6.2 El condensador filador o restaurador de dc

Si en el circuito básico de rectificador de pico se toma la salida en las terminales del diodo
y no en las del condensador, se obtiene un interesante circuito con impofiantes aplicaciones.
El circuito, denominado restau¡ador de dc, se muest¡a en la figura 3.36, alimentado con una
onda cuadrada. Debido a la polaridad con que se conecta el diodo, el condensador se cargará
a un voltaje u. con la polaridad indicada en la figura 3.36 e igual a la magnitud del pico más
negativo de la señal de entrada. A continuación, el diodo deja de conducir y el condensador
retiene su voltaje de manera indefinida. Por ejemplo, si la onda cuadrada de entrada tiene los
niveles arbitrarios 6 V y a4 V, entonces zs será igual a 6 V
-

rss E cAPfTUto3 DroDos

tO

+l0v
0

a) c)

FIGURA 3.36 El condensador fijadü o ¡estaúador de dc con una enfiada de onda cuad¡ada y sin caiga.

AJrora bien, como el voltaje de salida uo está dado por

a6= a¡-f a¿

se concluye que la onda de salida será idéntica a la de enhada, con la excepción de que estr4
desplazada hacia arriba en ?c volts. Por tarito, en este ejemplo la salida será una onda cuadra-
da con niveles de 0 y * 10 V
Otra manera de visuaüzar la operación del circuito de la figura 3.36 consiste en tomar nota
de que el diodo está conectado a través de la salida con la polaridad mostrada, lo que impide
que el voltaje de salida baje a menos de 0 V (al conducir y cargar el condensador, lo que causa
que la salida se eleve a 0 V), pero esta conexión no restringirá la altemancia positiva de 1,o.
Por tanto, la onda de salida tendrá su picoffo a mlnimo 0 Y razón por la que se le llama con-
densador de fliación. Debe resultar obvio que, en caso de invertir la polaridad del diodo, se
obtendrá una onda de salida cuyo máximo pico est4 fijo a 0 V. En cualquier caso, la onda de
salida tendrá un valor promedio o componente de dc flnito. Éste carece por completo de relación
con el valor promedio de la onda de entrada. Como aplicación, considere una señal de pulso
que se transmite mediarte un sistema acoplado con condensadores, o a dc. Este acoplamiento
hará que el tren de pulsos pierda todo componente de dc que tenía originahnente. Alimenta¡
la onda de pulsos resultante a un circuito de fijación lo provee con rm componente de dc bien
determinado, proceso conocido como restauración de dc. Por eso el circuito recibe el nombre
de restaurador de dc.
La restaüación de dc resulta útil porque el componente de dc o el valor promedio de una
onda de pulsos es una medida eficaz de su ciclo cle trabajo.s Es posible modular el ciclo de
trabajo de una onda de pulsos (en un proceso denominado modulación de ancho de pulso) y
hacer que transporte información. En este tipo de sistema, la detección o demodulación se logra
simplemente al alimentaf la onda de pulso recibida a un restaurador de dc y luego usar un sirnple
filtro RC pasabajas para separar el promedio de la onda de salida y los pulsos superpuestos.
Cuando se conecta una resistencia de carga R en paralelo a un diodo en un citcuito de
fijación, como se muestra en la figura 3.37, la situación cambia de manera importante. Mientras
que la salida está arriba de tierra, por R debe circular una corriente de dc neta. Como en este
momento el diodo está en corte, tesulta obvio que la coriente viene del condensador, lo que
ca¡rsa que éste se descargue y que el voltaje de salida caiga. Esto se muestra en lafrgcura3.37
para una entrada de onda cuadrada. Dwante el intervalo que va de t0 a tt, el voltaje de salida
cae exponencialmente con la constante de tiempo ClR. En 4 la entrada disrninuye V. volts y
la salida trata de seguirla. Esto hace que el diodo conduzca con fueza y cargue de prisa el
condensador Al final del intervalo de fr a t2, el voltaje de salida seía normalmente de unas
cuantas décimas de volt negativo (como -0.5 V). Enseguida, a medida que la entrada se eleva
en % volts (en t2), la salida lo sigue y el ciclo se repite. En estado estable, la pérdida de carga

5
El ciclo de trabajo de uoa onda de pulso es la proporción de cada ciclo ocupada por et pulso. En ot¡as
palabras, es el ancho del pulso expresado como una fiacción del periodo del pulso.
a

3.6 crRcurros LrMrrADoREs y FTJADoRE' I t

""

c
.fl_f-LY
f-iFff--
9_L t_+f-
b)
¿o
v"

l_
===
a)

FIGURA 3.37 El condensador de fijación co¡ una Fsistencia de ca¡ga n.

del condensador durante €l intervalo de f0 a /t se recupefa durante el intervalo de ,l a tz. Este

equilibrio de carga permite calcular el promedio de corriente del diodo, además de los detalles
de la onda de salida.

3.6.3 El doblador de voltaie

En la figura 3.38a) se muestra un ctcuito compuesto por dos secciones en cascada: un fijador
formado por C1 y D1 y un rectificador de pico formado por D2 y C2- Cuando lo excita una se-
noide de ampütud Vo, la sección fijadora proporciona la onda de voltaje mostrada en la figura
3-38á), suponiendo diodos ideales. Observe que mientras los picos posiüvos están fijos en
cero volts, el pico ne gatlto alcarua -2V0. Como respuesta a esta foma de onda, la sección de

+Up D2

Up sefi (Dt

-ve

-2Vp

b)

FIGUnA 3.38 Doblador de volt¿je: ¿) circuito; ,) onda del voltaje a través de Dl,
-

r 90 & cAPfTULo 3 DroDos

detector de pico proporciona a través del condensador C, un voltaje negativo de dc de magnitud

2ye. Como el voltaje de salida es el doble del pico de entrada, al circuito se le conoce como
doblador de voltaje. La técnica se puede ampliar para que proporcione voltajes de dc de salida
que sean múltiplos mayores de Vo.

!M r.r oPERAcróN FísrcA DE DroDos

Una vez estudiada la curva característica de la terminal y las aplicaciones de circuitos de diodos
de unión, se revisan brevemente los procesos físicos que dan lugar a dichas características. El
siguiente tratamiento de la física del dispositivo se ha simplificado un poco: no obstante, debe
proporcionaf detalles suficientes para una mayor comprensión de los diodos y de la operación
.de los transistores en los siguientes dos capítulos.

3.7,1 Conceptos básicos de semiconductores

La unión pn Básicamente, el diodo semiconductor es una unión pn, como se muesfa de
manera esquemática en la figura 3.39. Como se indica, la uniónpn estrí integrada por un material
semiconductor tipo p (por ejemplo, el silicio) que se pone en contacto con un material semicon-
ductor tipo r (también siticio). En la práctica real, ambas regiones son parte del mismo cristal
de silicio; es decir, la unión pn se forma dentro de un solo cústal de silicio al crear regiones
con diferentes cantidades de impurezas (regiones p y r). En el apéndice A se proporciona una
breve descripción del proceso empleado para la fabricación de uniones pn. Como se indica
en la figura 3.39, se hacen conexiones alambradas extemas a las regiones p y ¿ (es decir, las
terminales del diodo) con contactos de metal (aluminio).
Además de se¡ en esencia, un diodo, la uniónp¿ es el elemento básico de los transistores de
unión bipolar (BJT, Bipolar Junction [Link]) y juega un papel importante en la operación
de los transistores de efecto de campo (FET, Field-Effect Tra¡,J,Jfors). Por tanto, es importante
comprender la operación física de las unionesp¿ para entender la operación y las características
terminales de los diodos y los transistores.

Silicio intrínseco Aunque puede utilizarse silicio o germanio para fabricar dispositivos se-
miconductores (por ciefo, los primeros diodos y transistores estaban hechos de germanio), la

Contacto de metal Contacto de metal

FIGURA 3.39 Estructura física simplificada del diodo de unión. (Las geometrías teales se presentan
en el aÉndice A.)
-

3.7 opERACTON FTSTCA DE DTODOS o r 9r

Electrones Enlaces
de valencia covalentes

#1_rk# \h
Atomos de silicio

- -w-
-w-
FIGUnA l.4O La rep¡esentació¡ bidimensional del cristal de silicio. El clrculo representa el núcleo
intemo de los átomos de silicio, donde +4 indica su carga positiva de +4q, que es neut¡alizada por la carya
de los cuatro elecfiones de valencia. Observe cómo los enlaces covalentes se forman al compartil los
elecfrones de valencia. A 0 K, todos los enlaces esüán intactos y no hay electrones libres disponibles para la
conducción de la coftiente-

tecnología de circuitos integrados de hoy €n día está basada casi por entero en el siücio. Por esta
razón, en todo el libro se centrará el enfoque principalmente en los dispositivos de silicio.6
Un cristal de silicio puro o intrínseco tiene una estructura regular de rejilla en la que los
átomos se mantienen en sus posiciones mediante enlaces, denominados enlac€s coval€ntes,
formados por los cuatro electrones de valencia asociados con cada átomo de silicio. A tempe-
raturas 10 suficientemente bajas, todos los enlaces covalentes están intactos y no se dispone de
electron€s libres (o existen muy pocos) que conduzcan la corriente eléctrica. Sin embargo, a
temperatura ambiente, algunos enlaces se rompen por ionización térrnica y algunos electrones
se liberan. Como se muestra en la figura 3.41, cuando se rompe un enlace covalente, un elecfón
aba¡dona su átomo padre; por tanto, se deja en éste una carga positiva, igual a la magnitud de
la carga del electrón. Es posible que un electrón de un átomo vecino sea atraído a esta carga
positiva, dejando su átomo padre. Esta acción llena el "hueco" que exisla en el átomo ioni-
zado pero crea un nuevo hueco en el oho átomo. Este proceso se repite, con el resultado de
que efectivamente se tiene un pofador de carga positivo, o hueco, reaoniendo la esfuctura
de cristal de silicio y quedando disponible para conducir corriente eléctrica. La rnagnitud de
carga de un hueco es igual a la de un electrón.
La ionización térmica produce nrlmeros iguales de electrones libres y huecos y, por tanto,
concentraciones iguales. Bsos electrones libres y huecos se mueven al azar en la estructura de
cristal del silicio y, en el proceso, es posible que algunos electrones llenen algünos huecos. Este
proceso, denominado rccombinación, da lugar a la desaparición de electrones libres y huecos.
La velocidad de recombinación es proporcional al número de electrones libres y huecos, lo
que a su vez está determinado por la velocidad de ionización. Ésta depende fuertemente de la

6
Una excepción es el te¡na del arseniuro de galio (GaAs), qüe no se incluye en esta edición del libro pero
que se estudia con cierto detalle en el mate¡ial proporcionado en el sitio web del texto o en el CD qu9
acompaña a este libro.
7

192 3 cAPfTUto 3 DroDos

Elect¡ones Electlón
de valencia libre

r:ffi{-l-
r- Fl--r-
Rotüa de
enlace t--+lli
I r )----1 Hueco

--w--
covalente
_ \+/

E¡lace
Atomos de silicio
covalefte

[Link] A tempe¡atu¡a ambierte, algunos de los e¡lac€$ covalentEs se rompen por ionización
té¡mica. Cada eDlace roto hace que se pierda u¡ electrón y un hueco, los cuales esla¡án disponibles pa¡a
.conducción de corriente.

temperatura. En equilibdo témico, la velocidad de recombinación es igual a la de ionización

o de generación térmica, y es posible calcular la concentración de electrones libres Í, que es
igual a la concentración de huecos p,

n:P=n¡
donde n¡ denota la concentración de electrones libres o hueco en el siücio intrlnseco a una
temperatura determinada. El estudio de la física de semiconductores demuestra que a una tem-
peratüa absoluta f (en grados kelvin), la concentración intrínseca n, (es decir, el número de
electrones libres y huecos por cenlmetro cúbico) se encuentra a partir de

. a
ni = BT"e-E^/kf
" (3.36)

donde B es un parámetro dependiente del material 5.4: x

1031 para el silicio, E6 es un
parámetro conocido como energía de separación de banda :
1.12 electrón volts (eV) para el
silicio, y t es la constante de Boltzmann = 8.62 X 10-t eV/K. Aunque no se usa la energía de
separación de banda en esta exposición introductoria que se centra en circuitos, es interesante
tomar nota de que Ec representa la energía mínirna requerida para romper un enlace covalente
y, por ta¡rto, para generar un pax electrón-hueco. La sustitución en la ecuación (3.36) de los
valores de par¡ámetro dados demuestr^a que, en el caso del silicio intrínseco a temperatura
ambienle (I : 300 K), ri, :
¡.5 X l0¡0 portadores/cm3. Para coloca¡ este número en perspec-
tiva, se observa que el cristal de silicio tiene alrededor de 5 x 1022 átomos/cm3. poi tanio, u
temperatura ambiente, ¡sólo se ioniza uno de cada mil millones de átomos!
Por último, debe recordarse que la razón por la que se dice que el silicio es un sernicon-
ductor es que su conductividad (determinada por el número de portadores de carga disponibles
para conducir corriente eléctrica) se encuentra entre la de los conductores (por ejemplo, los
metales) y la de los aislantes (como el vidrio).

Difusión y desplazamiento Son dos los mecanismos usados por huecos y electrones para
moverse por un cristal de silicio: la difusión y el desplazarniento. La difusión se asocia con el
movimiento aleatorio, debido a la agitación térmica. En una pieza de silicio con concentraciones
a \

3.7 opERAcróN Ff srcA DE DroDos C 193

4) b)

FIGURA 3.42 Ba¡r¿ de silicio intrínseco a) en que el perfil de co¡centración de huecos mostrado
en á) se ha creado a lo largo del eje r mediante algún mecanismo no especifrcado.

uniformes de electrones libres y huecos, este movimiento aleatorio no produce un flujo neto de
carga (es decir, corrients). Por otra parte, si la concentración de electrones libres se hace más
alta en una parte de la pieza de silicio que en otra, entonces los electrones se difundir¡in de la
región de alta concentración a la de baja. Este proceso de dii¡sión da lugar a un flujo neto de
carga, o corriente de difusién. Como ejemplo, imagine la bana de silicio que se muestra en la
frg\a3.42a), enla que el perfil de concentración de huecos que se muestra en la figva3.42b)
se ha creado a lo largo del eje r mediante algún mecanismo no especificado. La existencia de
este perfil de concentación produce una corriente de difusión de huecos en la dirccción ¿ y
la magnitud de la coniente en cualquier punto es propotcional a la pendiente de la curva de
concentración, o el gmdiente de concentración, en ese punto

to= -ooofi (3.37)

donde "/o es la densidad de la c^orriente (es decir, la corriente por unidad de área det plano
perpendicular al eje x¡ en A/cm', 4 es la magnitud de carga del electrón : 1.6 X l0-re C, y
Dp es una constarite denorninada constante de difusión o difusiüdad de huecos. Tome en
cuenta que el gradiente (dp/dx) es neganvo, lo que produce una coniente posiüva en dirección
*, como se esperaba. En el caso de la difusión de elecaones que es resultado de un giadiente
de concenÍación de electrones, se aplica una relación similar, dando la densidad de corriente
de electrones

- = -dn
r^ sD,; (3.38)

donde Dn es la difusividad de electrones. Observe que na (dn/dx) negativa da lugar a una

corriente negativa, debido a la convención de que la dirección positiva de coniente es la que
corresponde al flujo de la carga positiva (y es opuesta al ffujo de la negativa). En el caso de
huecos y electrones que se difunden por el silicio intrínseco, los valores típicos para las cons-
tantes de difusión s on Dp : 12 cmz Á y D, : 34 cm2/s.
El otro mecanismo para el desplazamiento de pofadores en semiconductores es el des-
plazamiento. El desplazamiento de portadores oqure cuando se aplica un campo eléctrico a
una pieza de silicio. El campo eléctrico acelera los electrones libres y los huecos, que adquie-
ren un componente de velocidad (superpuesto a la velocidad de su desplazamiento térmico),
denominado velocidad de desplazamiento. Si la fuerza del campo eléctrico se denota con E
r94 t cAPlTUto3 DroDos

(en V/cm), los huecos cargados positivamente se desplazarán en la dirección de E y adquirirán

una velocidad V¿,r¡ (en cm/s) dada por

aa."pt= FpE (3.39)

donde po es una constante denominada movilidad de huecos, cuyas unidades ,on ' ,,
"-2/V
En el silicio intfnseco, ¡to suele ser 480 cm'lV . s. Los elechones cargados negativamente se
desplazarán en dirección opuesta a la del campo eléctrico, y su velocidad estará dada por una
relación similar a la de la ecuación (3.39), con la excepción de que ¡t¡ es reemplazadapor un,
que es la movilidad del electrón. En el silicio intrínsoco, pn suele ser 1-350 cm2/V . s, alrcdedor
de 2.5 veces mayor que la movilidad de los huecos.
Ahora piense en un cristal de silicio que üene una densidad de huecos p y una densidad de
electrones libres ,? sometidas a un campo eléctrico E. Los huecos se desplazarán en la misma
dirección que E (llámese dirección x) con una velocidad ¡t E. Por tanto, eú ste una carga positiva
de densidad 4p (coulomb/cm3) que se desplaza en la dirección ¡ con velocidad pp (cm/s).
De esto se-desprende que en I segundo urla carga de qplteEA (coulomb) cruzaÍiá un plano de
área A (cm2) que es perpendicular al eje ¡. Se trat¿ del componente de corriente causaáo por el
desplazamiento de huecos. Al dividir entre el ¡4rea A se obtiene la densidad de coriente

Je a",er= QP PeE (3.4oa)

Los electrones libres se desplaz ari4n en la dirección opuesta a la de -8. Por tanto, se tiene una carga
de densidad ( - 4n) moviéndose en dirccción negaiiva r y, por t¿nto, tiene una velocidad negativa
(-ll,.8). El resultado es un componente de corriente positiva con una densidad dada por
J^_¿*¿= 4n!,E (3.40b)

La densidad de corriente de desplazamiento total se obtiene al combina¡ las ecuaciones

(3.40a) y Q.a0Q,

J¿""01= qQtpo+ np.)E (3.40c)

Debe tomarse nota de que es una forma de la ley de Ohm con la resisüvidad p (en unidades
de f) . cm) dada por

p = l/l-q@pp+ np,)l (3.41)

Pof último, vale la pena mencionar que existe una relación simple, conocida como rrlación
de Einstein, entre difusividad y movilidad de portadores,
D" D.
(3.42)
p, lp
donde yr es el voltaje térmico que se encontró antes, en la
dación r-udel diodo [ecuación (3.1)].
Recuerde que, a temperatura ambiente, yr : 25 mV. El lector verificará fácilmente la validez
de la ecuación (3.42) si sustituye los valores típicos dados antes para el silicio intrfnseco.

Semiconductores con impurezas Como ya se describió, el cristal de silicio intrínseco

tiene concentraciones iguales de electrones libres y huecos generadas por ionización térmica.
Estas concentraciones, denotadas por n,, dependen estrechamente de la temperatuta. Los semi-
conductores con impurezas son materiales en los que predominan los portadores de una clase
(electrones o huecos). Al silicio con impurezas en el que la mayor parte de los portadores de
carga son electrones cargados negatiyamente, se le denomina tipo n, mientras que al silicio
contaminado de modo que la mayor parte de los portadores de carga son huecos cargados
positi\)ament¿ se le denomina üpop.
La inoculación de impuezas en un cristal de silicio para conveffulo en tipo ¿ op se hace al
introducir un nrímero reducido de átomos impuros. Por ejemplo, al introducir átomos impuros
 3.7 opERAcróN Ff srcA DE DroDos é r 95

ElecÍones Enlaces
de valencia covalentes

dfftrffi. + Electrones übres donados

\ r-1
t;4
por átomos de impureza

Átomo de impureza

r -I-
pentavalente (donado¡)
-,

Áomos de silicio

- -}fd-
flGUnA 3.43 C¡istal de silicio con impurezas de un elemento pentavalente. Cada átomo de impureza
do¡a un elect¡ón libre, por lo que se le denomina donador. El semiconductor con impurezas se vuelve tipo ¿.

de un elemento pentalalente como el fósforo se obtiene silicio tipo n, porque los átomos de
fósforo que reemplazan algunos de los átomos de silicio en la estructura del cristal tienen cinco
electrones de valencia; cuatro de ellos forman enlaces con los átomos de silicio vecinos, mien-
tras que el quinto átomo se conviefle en un electrón libre (figura 3.43). Por tanto, cada átomo
de fósforo dona un electrón libre al cristal de silicio; a la impureza de fósforo se le denomina
donador. Sin embargo, debe quedar claro que no se generan huecos en este proceso; casi todos
los portadores de carga en el silicio con irnpurezas de fósforo serán electrones, En realidad, si
la concentración de átomos donadores (fósforo) es ND, la concentración de electrones libres
en el silicio tipo z, z,e, será, en equilibrio térmico,

(3.43)

donde el subíndice 0 adicional denota equilibrio térmico. Usando física de semiconductores

se observa que, en equilibrio térmico, el producto de las concentraciones de elecfones y de
huecos permanece constante: es dec¡r,

2
ni (3.44)

Por tanto, la concenÍación de huecos, pn¡, generados por ionización érmica será
2

,*: h, (3'4s)

Debido que ¿, es una función de la temperatura [ecuación (3.36)], se sabe que la concentración
a
minoritarbs será una función de la temperatura, en tanto que la de los electrones
de los huecos
mayoritarios ser.á independiente de ésta.
Para producir un semiconductor tipo p, se ha contaminado el silicio con una impureza
trivalente como el boro. Cada uno de los átomos de boro de impweza acepto un electrón del
cristal de silicio; de modo que pueden formar enlaces covalentes en la estructura de rejilla.
Por tanto, como se muestra en la figura 3.,14, cada átomo de boro da lugar a un hueco, y la
concentración de los huecos mayoritarios en silicio tipop, en equilibrio térmico, es casi igual
a la concentración N,{ de la impureza del aceptante (boro),

(3.46)
7

re6 & CAPíTULO3 DroDos

Enlaces
Elect¡ones
covalentes
de valencia
Atomo de silicio

(+4
t f,\= +4

Átomo de impureza
trivalente (aceptante)

-l+4 +4

Hueco

- -(*¿ +4

FIGURA 3.44 Cristal de silicio con impúeza trivalente. Cada átomo de impureza da lugar a un hueco,
y el semiconductor se vuelve de tipo p.

En este silicio tipop se podrá calcular la concentración de los electrones minoritarios, genera-
dos por ionización térmica, si se utiliza el hecho de que el producto de las concentraciones de
podadores permanece constante; por tanto,

n?
nro= (3.47)
i^
Debe destacarse que una pieza de silicio tipo n op es eléctricamente neutra; casi todos los
portadores libres (electrones en silicio tipo n y huecos en silicio tipo p) son neutralizados por
cargas enlazadas latentes asociadas con los átomos de impureza.

3.7.2 La unión pn en condiciones de circuito ab¡erto

En la figura 3.45 se muestra una unión pn en condiciones de circuito abierto (es deci¡ se
dejan abiertas las terminales extemas). Ios signos "+" del material tipo p denotan los huecos
-

3.7 oPERACróN FfsrcA DE D'oDos I

Io -------*
<- 1"

Cargas de enlace o latentes

Región de agotamiento

a)

.b)

FIGURA 3.f5 ¿) La unión p'¡ sin voltaje aplicado (te¡minales a cicuito abierto). á) Distribución
del potencial a lo la¡go de un eje pe¡pendicula¡ a la unión.

mayoritarios. La carga de estos huecos estr4 neutralizada por una cantidad igual de carga de
enlace negativa asociada con los átomos que la aceptan. Para simplificarlo, estas cargas no se
muestran en el diagrama. Tampoco se muesfan los electrones minoritarios generados en el
material tipo p por ionización térmica.
En el material tipo n, los electrones mayoritarios se indican con signos ,. ". Aquí tampoco
se muestra la carga de enlace positiva, que neutraliza la carga de los electrones mayoritarios,
para simplificar el diagrama. El material tipo n lambién contiene huecos minoritarios generados
por ionización térmica que no se muestran en el diagrama.

La corriente de difusión ,D
Debido a que la concentración de huecos es alta en la región
p y baja en la r, los huecos difrmden a favés de la unión del lado p al n; de rnanera similar,
se
los electrones se difunden por la unión del lado ¿ al p. Estos dos componentes de coriente
se suman para formar la corriente de difusión 1r, cuya dirección es del lado p al z, como se
indica en'la figura 3.45. '

[a región de agotamiento Los huecos que se difunden a través de la unión hacia la región
n se recombinan nápidamente con algunos de los electrones mayoritaxios presentes y, por tanto,
desaparecen de la escena. Este proceso de recombinación lleva a la desaparición de algunos
electrones libres del material tipo /,. Por tanto, los electrones libres ya no neutralizan4n parte
de la carga de enlace positiva; se dice que esta carga ha quedado descubierta. Debido a que la
recombinación tiene lugar cerca de la unión, habrá una región cercana a la unión que mostrará
agotamiento de electrones libres y contendtá carga de enlace positiva descubierta, como se
indica en la figura 3.45-
r98 g cAPfTuto3 DroDos

Los electones que se difunden a través de la unión en la región p se recombinan rápida-

mente con algunos de los huecos mayoritarios y, por tanto, desaparecen de la escena. Esto lleva
también a la desaparición de algunos huecos mayoritarios, lo que provoca el descubrimiento
de parte de la carga de enlace negativa (es decir, los huecos ya no la neutralizar). Por ello, en
el material p que se encuenta cerca de la unión habrá una re gión cc¡'J. agotamiento de huecos
y que contiene carga de enlace negaliva descubierta, como se muestra en la figura 3.45.
De esto se concluye que habrá una región de agotamiento de portadores en ambos
lados de la unión; el lado ¿ estará cargado positivamente y el lado p negativamente. A esta
región de agotamiento de portadores (o sólo región de agotamiento) también se le conoce
como región de carga espacial. Las cargas que se encuentran a ambos lados de la región de
agotamiento hacen que se establezca un campo eléctrico a través de la región; de a1lí que se
presente una diferencia de potencial a través de la región de agotamiento, con el lado ¿ en un
voltaje positivo, en relación con el lado p, como se muestra en la figura 3.45á). Por tanto, el
campo eléctrico resultante se opone a la difusión de huecos en la región ¿ y electrones en lap.
En realidad, la caída de voltaje a tavés de la región de agotamiento actúa como una barrera
que debe superarse para que los huecos se difundan a la región ¿ y los electrones lo hagan a
la región p. Cuanto mayor sea el voltaje de la barrera, menor será la cantidad de portadores
que podrán superar la barrera y, por tanto, será menor la magnitud de la coriente de difusión.
Por ello, la coriente de difusión 1¡ depende fuertemente de la caída de voltaje y0 a través de
la región de agotamiento.
' La corriente de desplazamienlo /s y el equilibrio Además del componente de corriente
1¡ debido a la difusión de portadores mayoritarios. existe un componente debido al desplaza-
miento de portadores minoritarios a través de la unión. De manera específica, algunos de los
huecos generados térmicamente en el material ¿ se difunden por éste en la orilla de la región
de agotamiento. Allí experimentan el campo eléctrico que los barre hacia el lado p. De manera
similar, algunos de los electrones mayoritarios generados térmicamente en el material p se
difunden a la orilla de la región de agotamiento y son barridos por el campo eléctrico hacia el
lado ¿. Estos dos componentes de coriente (electrones movidos de p a z y huecos movidos
de n ap, ambos por desplazamiento) se suman para formar la corriente de desplazamiento Is,
cuya dirección va del lado n al p de la unión, como se indica en la figura 3 .45 . Debido a que la
corriente Is es llevada por portadores minoritarios generados térmicamente, su valor depende
estrechamente de la temperatura; sin embargo, es independiente del valor del voltaje y0 de la
capa de agotamiento.
En condiciones de circuito abierto (figura 3.45) no existe corriente extema; por tanto, las
dos corrientes opuestas a través de la unión deben tener la misma magnitud:

Ip: Is

El voltaje de barrera y0 mantiene esta condición de equilibrio. Por tanto, si por alguna ¡azón
1, excede a 15, entonces será mayor la carga de enlace que queda descubierta a ambos lados
de la unión, se ensanchará la capa de agotamiento y aumentará el voltaje (V) en ésta. A su
vez, esto hace que 1D disminuya hasta que se alcanza el equilibrio con 1p : 1s. Por otra pafe,
mayor que 1o, disminuirá la cantidad de carga que no queda descubiefa, se estrechatá
si,15 es
la capa de agotamiento y se reducirá el voltaje a través de ella. Esto provoca que ID aumente.
hasta que se alcanza el equilibrio con 1¿ : 15.

El volta¡e ¡ntegrado de unión Si no se aplica voltaje extemo, se demuestra que el voltai,

y0 a favés de la unión pz está dado por

v" = vl"(ry¿!p,) {3.48)

donde N¡ y N¡ son las concentraciones de impurezas de los lados p y n de la unión. r--p,".c-

tivamente. Por tanto, y0 depende de estas concentraciones y de la tenlperatum. Se lt
"onoce
7 -\

3.7 opERAclóN FfstcA DE DtoDOS & r 99

como voltaje integrado de unión. Por lo general, en el silicio a temperatura ambiente, Vo se

encuentra entre 0.6 y 0.8 V
Cuando las terminales de la unión pn se dejan a circuito abierto, el voltaje medido entre
ellas será cero. Es decü, el voltaje Vo a través de las terminales de la región de agotamiento no
aparece entre las !'3rminales del diodo. Esto se debe a que los voltajes de contacto que existen
en las uniones metal-semiconductor en las terminales del diodo contrarrestan y equilibran con
exactitud el voltaje de barrera. Si éste no fuera el caso, se podría tomat energía de la unión pz
aislada, lo que viola claramente el principio de la conservación de la energía.

Ancho de la región de agotamiento De la exposición anterior debe resultar evidente que

existe una región de agotariiento tanto en los materiales p como en los n y que en ambos lados
hay cantidades iguales de carga. Sin embargo, como los niveles de contaminación no siempre
son iguales en los materiales p y ,¡, es posible deducir que ambos lados de la región de agota-
miento no tendrán el mismo ancho. Más bien, para que quede descubierta la misma cantidad
de carga, la capa de agotamiento se extenderá a mayor profundidad en el mate¡ial con menores
impurezas. De manera específica, si se denota que el ancho de la región de agotamiento del
lado p es ro y del lado n es .x,, esta condición de igualdad de calga se expresaría como

qxoANo = qx"ANo
donde A es el área de corte transversal de la unión. Es posible reordenar esta ecuación para
obtener
,n (3.49)
=No
En la práctica real, es normal que un lado de la unión tenga mayor cantidad de impurezas que
el otro, con el resultado de que la región de agotamiento abarca un lado casi completo (el lado
con menores irnpurezas). Finalmente, tomando en cuenta la física de los dispositivos, el ancho
de la región de agotamiento de una unión a circuito abiefo está dado por

Wasot= xn+ xp = *#u, (3.50)

donde e" es la permisividad eléctrica del silicio: 11.7 eo : 1.94 ¡ lOl2 F/cm. Por lo general,
!yo8,, se eocuentra en el intervalo de 0.1 a 1 prn.

3,7.3 La unión pn en condiciones de polarización inversa

El comportamiento de la unión pn en la dirección inversa se explica más fácilmente a escala
microscópica si se le excita con una fuente de alimentación constante (en lugar de una fuente de
voltaje), como se muestra en la figura 3.46. Obviamente, la fuente de alimentación 1se encuentra
en la dirección inversa. Pol el momento, considere que la magnitud de 1es menor que la de 15;
si l fuera mayor que 1r, ocurriía una ruptura, como se explicará en la sección 3.7.4,
7 -\

2oo t cAPfTUr.o 3 DroDos

--- 1s

c o
c o
c o
c o
c o

ÍIGURA 3.46 La unión pn excitada por una fuente de alimentación const¡nte I en la di¡ección inversa.
P4ra evitar la ruptura, 1 se mantiene abajo de 13. Observe que la capa de agotamiento se ensancha y que el
voltaje de la ba¡¡era aumenta en Vr volts, qüe apa¡ece entre las teminales como un voltaje inverso.

La corriente 1 será transportada por electrones que fluyen en el circuito extemo del material
n alp (es decir, en dirección opuesta a la de I). Esto hará que los electrones dejen el material n y
los huecos dejen el material p. Los elecÍones libres que dejal el material n causan un aumento
en la carga de enlace positiva que queda al descubieÍo. De manera similar, los huecos que dejan
el material p llevan al aumento de la carga de enlace negativa que queda al descubierto. Por
tanto, la corriente inversa l producirá un aumento en el ancho de la capa de agotamiento y en
la carga almacenada en ella. A su vez, esto produce un mayor voltaje a fayés de la región de
agotamiento (es decil, un mayor voltaje de la barrera), lo que hace que disminuya la corriente
de difusión 1o. La corriente de desplazamiento Is, que es independiente del voltaje de la barera,
permanecerá constante. Finalmente, se alcanzará el equilibrio (estado estable) cuando

Is-ID:l
En equilibrio, el aumento en el voltaje de la capa de agotamiento, por ariba del valor del voltaje
integrado y0, aparecerá como un voltaje extemo que puede medfuse entle las terminales del
diodo, con z positivo en relación conp. En la figura 3.46, este voltaje aparece como V¡.
Ahora es posible considerar que se excita la unión pz con un voltaje inverso V¡ menor
que el voltaje de ruptura V2¡. (Revise la figura 3.8 para recordar la definición de Vo.) Cuando
se aplica por primera vez el voltaje V^, pasa una corriente inversa en el circuito extemo dep
a n. Esta coriente causa un aumento en el ancho y la carga de la capa de agotamiento. Con
el tiempo, el voltaje a través de la capa de agotamiento aumentará en la magnitud del voltaje
extemo yi, alcanzando en ese momento un equilibrio con la corriente invetsa extema 1 igual
a (Is - I)- Sin embargo, tome nota de que inicialmente la corriente extema puede ser mucho
mayor que 15. El propósito de esta situación transitoria inicial es cargar la capa de agotamiento
y aumentar el voltaje a través de ella en V¡ volts. Con el tiempo, cuando se alca¡za un estado
estable, 1p será insignificante y la coriente inversa s€rá casi igual a 1r.

La capacitancia de agotamiento Del análisis anterior se observa la analogía entre la

capa de agotamiento de una unión p¿ y un condensador. A medida que cambia el voltaje a
-

3.7 opERActóN FfstcA DE DtoDos O 20l

o
.E Pendiente = C-

I Punto de polarización

O
0 vn volraje inve$o, Y¡

frcUnA 3./f7 La carga almacenada en cualquier lado de la capa de agotamiento como función
del voltaje inverso YÁ.

través de la unión pn, también lo hace la carga almacenada en la capa de agotamiento. En la

frgJtra 3.47 se muestra una curva característica tÍpica de carga contra voltaje extemo de una
rmión pz. Observe que sólo se muestra la parte de la curva que corresponde a la región con
polarización inversa.
Se obtendná una expresión para la carga almacenada q, de la cqa de agotamiento si se en-
cuentra la carga almacenada en cualquiera de los lados de la unión (cuyas cargas, por supuesto,
son iguales). Empleando el lado ¿, se escribe

qr=qN=qNDx,A

donde A es el área de la sección transyersal de la unión (en un plano peryendicular a la pá-

gina). Luego se usa la ecuación (3.49) para expresar xn en términos del ancho de la capa de
agot tliento W"soñara obtener

et = rffP*¡¡,Aw.,, (3.5 r)

donde W'o"o, se encuent¡a de la ecuación (3.50) al reemplazar yo con el voltaje total a través de
la región de agotamiento (Yo + Y¡),

*",",=
@(t*;f,),*^, (3.s2)

La combinación de las ecuaciones (3.51) y (3.52) produce la expresión para la relación no li-
neal 4¡V¡ descrita en la figura 3.47. Obviamente, esta relación no representa a un condensador
lineal. sin embargo, se puede usar una aproxirnación de capacitancia lineal si el dispositivo estrá
polarizado y la variación_de la señal alrededor del punto de polarización es pequeña, como se
ilustra en la figura 3.47. Ésa es h técnica que se utilizó en la sección 1.4 para obtener amplifi-
cación lineal con un amplificador que tiene una caracterlstica de transferencia no lineal y en la
sección 3.3 para obtener un modelo a pequeña señal para el diodo en la región de polarización
directa. Dada esta aproximación a pequeña señal, la capacitancia ate agotamiento (también
conocida como capacitancia de unión) es simplemente la pendiente de la curva qrVR en el
punto de polarización Q.
dsrl
c¡= avrlr^un (3.53)
7 -\

2o2 @ cAPlTULo3 DroDos

Se puede evaluar fácilmente la derivada y encontrar Cj. Como opción, se puede txatar la capa
de agotamiento como un condensadorde placas paralelas y obtener una expresión idéntica para
C, empleando la fórmula familiar
t-A
-' w"""'
(3.54)

donde Il'"r,, está dada en la ecuación (3.52). La expresión resultante para Cj se puede escribir
en la forma conveniente

c¡o
c¡= r----17 (3.55)
/r * Ii
\i vo

donde Crg es el valor de Cj obtenido para un voltaje aplicado de cero,

'\/ N,rN¡ \/ I \ (3.56)

C¡s =A ItN. +N"/\ %l

, El análisis antedor y la expresión para Ct se aplican a las uniones en las que se hace que
la concentración del portador cambie abruptamente en la orilla de la unión. Una fórmula más
general para C, es

^ Cn
(3.57)
l1+;l
donde m es una constante cuyo valor depende de la manera en que cambia la concentración del
lado p al n de la unión. Se le denomina coeficiente de graduación, y su valor va de 1 a j.
Para recapitulat a medida que se aplica un voltaje de polarización inversa a una unión pz,
ocure una situación transitoria en que la capacitancia de agotamiento se carga al nuevo voltaje
de polarización. Después de que pasa esta situación transitoria, la coniente inversa de estado
estable es simplemente igual a 15 1D. Normalmente, /D es muy pequeña cuando el diodo
fiene polarización inversa y la coriente inversa es casi igual a 15. Sin embargo, sólo se trata
de un modelo teórico y no se aplica muy bien. En realidad, corrientes de hasta unos cuartos
l5
nanoamperes ( 10-9 A) fluyen en dirección inversa, en dispositivos en los que 15 ronda los 1t)-
A. Esta diferencia considerable se debe al escape y otros efectos. Más aún, la corriente inversa
depende hasta cierto punto de la magnitud del voltaje inverso, al conhario del modelo teórico
que establece que 1 :15, índspendiente del valo¡ del voltaje inverso aplicado. No obstante,
como participan corrientes muy bajas, no suelen interesar los detalles de la característica i-rl
de1 diodo en la di¡ección inversa.
-

3.7 opERAcróN FfsrcA DE DroDos & 2o3

FIGUnA 3.48 La unión p¡, excitada por una tuente de colriente hversa 1, donde 1 > 1s. La unión se rompe
y se desarrolla un voltaje yz a través de la unión, con la pol¿¡idad indicada.

3.7.4 La unión prl en la región de ruptura

Al considerar la operación del diodo en la región de polarización inversa de la sección 3.7.3,
se supuso que la fuente de ali¡nentación inversa 1 (figura 3.46) era menor de 15 o, de manera
equivalente, que el voltaje inverso V¡ era menor que el voltaje de ruptura yz(. (Revise la figura
3.8 para recordar la definición de Vr*.) Ahora se desea estudiar el mecanismo de ruptura en las
uniones pn y explicar la¡ razones por las que la línea que representa l¿ relación i-u en la región
de ruptura es casi vertical. Para este fin, se excita la unión pn con una fuente de alimentación
que hace que una corriente constante 1 mayor de 15 fluya en dirección inversa, como se muesha
en la figura 3.48. Esta fuente de alimentación moverá los huecos del material p del circuito
exterio/ hacia el material ¿, y los electrones del material z del circuito exterior hacia el material
p. Esta acción hace que quede al descubierto cada vez más carga de enlace; por ello, la capa
de agotamiento se ensancha y aumenta el voltaje de la barrera. Este último efecto causa una
disminución en la corriente de difusión; con el tiempo, se reducirá casi a cero. No obstante,
esto no basta para alcanzar un estado estable, po¡que 1 es mayor que 1s. Por tanto, el proceso
que lleva al ensancharniento de la capa de agotamiento prosigue hasta desarrollar un voltaje
de unión que es lo suficientemente alto, en cuyo punto se establece un nuevo mecanismo para
alimentar los portadores de carga para sustentar la corriente 1. Como se explicará alora, este
mecanismo para proporcionar las corrientes inversas que excedan 1s puede tomar una de dos
formas, dependiendo del material, la estructura y otros elementos de la uniónpÍ.
Los dos mecanismos de ruptura posibles son el efecto Zener y el efecto avalancha. Si
una unión pz se rompe con un voltaje de r]opt!¡ravz < 5 Y el mecanismo suele ser el efecto
Zener. Una ruptura de avalancha ocurre cuando V7 es mayor de unos 7 V. En el caso de uniones
que se rompen entre 5 y 7 V, el mecanismo puede ser el efecto Zener, el de avalancha, o una
combinación de los dos.
La ruptura Zener ocurre cuando aumenta el campo eléctrico en la región de agotamiento,
al punto en que puede romper enlaces covalentes y genetar pares electrón-hueco. El campo
eléctrico barrerá los electrones generados de esta manera hacia el lado n y los huecos hacia
el ladop..Por tanto, estos ,electrones y huecos constituyen una corriente inversa a través de la
unión que ayuda a sostener la corriente extema 1. Una vez que empieza el efecto Zener, puede
generarse una grar cantidad de portadores, con un aumento insignificante en el voltaje de Ia
unión. Por tanto, la corriente inversa en la región de ruptura se determinará con el circuito ex-
temo, mientras que el voltaje inverso que aparece enÍe las terminales del diodo segui¡á cerca
del voltaje nominal de ruptura Yz.
El otro mecanismo de ruptura es el de avalancha, que ocurre cuando los pofadores mino-
ritarios que cruzan la región de agotamiento bajo la influencia del campo eléctrico ganan su-

7
Por supuesto, la corriente del circuito extemo seii4 completamente transportada por electrones.
-

2o4 I CAPÍTU|O 3 DroDos

ficiente energía cinética como para romper enlaces covalentes en los átomos con los que
chocan. Es posible que los portadores liberados en el proceso tengan una energía lo suficien-
temente alta como para hacer que otlos portadores se liberen en otra colisión de ionización.
Este proceso ocurre en forma de avalancha, con el resultado de que se crean muchos portado-
res que pueden sustentar cualquier valor de corriente inversa, como lo determina el circuito
extemo, con un cambio insignificante en la caída de voltaje a través de la unión.
Como se mencionó antes, la ruptura de la unión pn no es un proceso destructivo, siempre
y cuando no se exceda la máxima disipación de potencia especificada. Este valor nominal
máximo de disipación de potencia, a su vez, se relaciona con un valor máximo pata la coriente
inversa.

3,7.5 La un¡ón pr en condiciones de polarización directa

Ahora se estudiarála operación de la unión pn en la región de polarización directa. Hay que
repetir que es más fácil explicar la operación física si se excita la unión mediante una fuente
de coriente constante que alimenie una corriente 1 en di¡ección directa, como se ilustra en la
figura 3.49. Esto hace que el chcuito externo alimente a los portadores mayoritarios a ambos
lados de la udón: huecos al material p y electrones al material rx. Estos portadores mayoritarios
neutralizarán parte de la carga de enlace que queda descubierta, causando que se almacene
menos carga en la capa de agotamiento, Por tanto, esta capa se estrecha y se reduce el voltaje
de la barrera de agotamiento. Esta reducción hace posible que una mayor cantidad de huecos
bruce la barrera del material p al z y que más electrones del lado n crucen al p. Por tanto, la
co¡riente de difusión 1D aumenta hasta que se alcanza un equilibrio con 1D 1s : 1, la corriente
directa alimentada extemamente.
Ahora examine con mayor detalle el paso de la corriente a través de la unión pz polarizada
directamente en estado estable, El voltaje de la barrera es menor que yo en una cantidad y que
aparece entre las teminales del diodo como caída de voltaje de polarización diecta (es decir,
el ánodo del diodo señ4 más positivo que el cátodo por y volts). Debido a la disminución del
voltaje de la banera o, como opción, a la caída de voltaje directo y, se inyectán huecos a través
de la unión hacia la región z, y se inyectan electrones a través de la unión hacia la regiónp. Los
huecos inyectados en la región z provocarán allí que una concentración de pofadores minori-
tarios, pn, exceda el valor de equilibrio térmico, p,n. El exceso de concentración (p, pno) será
-
mayor cerca de la orilla de la capa de agotamiento y se reducirá (exponencialmente) a medida

I¡---_->
<_ 1.

FIGURA 3.49 La unión pfi excitada por una fuente de co¡¡iente constante que p¡opotciona una corriente
1en dirección directa. La capa de agotamiento es estrecha y el voltaje de barrera aumenta en y volts, 10 que
aparece como un voltaje extemo en di¡ección dirccta.
 3.7 opERAcroN FrsrcA DE DroDos o 2o5

Región p Región
de
agota-
miento

Exceso de
concentración

no(xr)
-

Valor de equilibrio térmico

FIGUnA 3.50 Distribución de portado¡es minoritados en una ¡mión p,l de polarización directa. Se supone
que la región p tiene mayor cantidad de impurezas que la regióD rr; lV¡ > ND.

que se aleja de la unión, alcanzando el cero en algín momento, En la ñgura 3.50 se muestra
esta distribución de portadores minoritarios.
En estado estable, el perfil de concentración del exceso de ¡mrtadorcs minoritarios perma-
nece constante, y es esta concentración la que da lugar al incremento de la corriente de difusión
1, por arriba del valor 15, Esto se debe a que la distribución mostrada causa que los huecos
minoritarios inyectados se difundan lejos de la unión, hacia la región n, y que desaparezcan
por recombinación. Para mantener el equilibrio, el circuito extemo tendrá que alimentar una
cantidad igual de electrones, reponiendo el suminist¡o de electrones en el material ¿,
Es posible afrrmar lo mismo acerca de los electrones de minoría en el material p. Por su-
puesto, la corriente de difusión 1, es la suma de los componentes de electrones y huecos.

La relación corriente-volta¡e Ahora se mostrará cómo surge la relación i-u del diodo de
la ecuación (3.1). Con ese fin, se estudia con detalle el componente de corriente causado por
los huecos inyectados a través de la unión hacia la región n. Un resultado importante de la
física de semiconductores relaciona la concentración de pofadores minoritarios en la orilla de
la región de agotamiento, denotada porp,(x") en la figura 3.50, con el voltaje de polarización
directa lz,

p,1x,¡ = p,oeu/u' (3.58)

A esto se le conoce como ley de la unión; su prueba suele encontrarse en libros de texto que
abordan la física de los dispositivos.
La distribución del exceso de concentración de huecos en la región z, que se muestra en
la figura 3.50, es una función que decae exponencialmente con la distancia y puede exp¡esarse
como

p
"(x)
= p,o+ lp^(x^) - prole-G-";)/1" (3'59)

donde Zo es una constante que detemina la inclinación del decaimiento exponencial. Se deno-
mina longitud de difusión de huecos en el sücio tipo n. Cuanto menor sea el valor de Zo, más
n4pido se recombinarán con elechones mayoritarios los huecos inyectados, lo que originará
206 S cAPfTUr.o 3 DroDos

un decaimiento muy inclinado de la concentración de portadores minoritarios. En realidad Zo

se relaciona con otro pari4metro de los semiconductores conocido como duración del exceso
de portadores minoritarios, to. Es el tiempo promedio que tarda un hueco inyectado en la
región z en recombinarse con un electrón mayoritario. La relación es

to = J-oor, (3.60)

donde, corno ya se mencionó, Do es la constante de difusión para huecos en el silicio tipo r.

Los valores comunes de ¿p se encuentran eúe 1 y 100pm, y los valores correspondientes de
fp se encuentran enbe t y 10000 ns.
Los huecos que se difunden en la región n darán lugar a una corriente de huecos cuya
densidad se evalúa con las ecuaciones (3.37) y (3.59), mientras que p,(x,) se obtiene de la
ecuación (3.58),

to= qDfp^.1"", - l)e4'-')/Lo

Observe que "/, es mayor en la orilla de la región de agotamiento (.r = x") y decae exponen-
cialmente con la distancia. Por supuesto, el decaimiento se debe a la recombinación con los
electrones mayoritarios. En estado estable, los pottadores mayoritarios tendrán que reponerse
y, por tanto, el circuito extemo tendrá que suministrar electrones hacia la región z con una ve-
locidad que mantendrá constante la corriente al valor que tiene en,r = .f . Por lanto, la densidad
de corriente debida a la inyección de huecos está dada por

D- v/v-
J, = q;!p^oQ l) (3.61)

Es posible realizar un anifisis si¡nilar en el caso de los elechones inyectados a través de la unión
hacia la región p, que produce el componente de coriente de electrones J",

J, = qD;r"o1""', - l¡ (3.62)

donde l,o es la longitud de la difusión de los electrones en la región p. Debido a que .Io y
"/,
están en la misma dirección, pueden sumarse y multiplicane por el área de cofe transversal A
de la unión para obtener la coriente total l como

r. = Al-;+-:)(c
. /qD"p"n qD"n"n1 vtv,,_
r)

Al sustituir parapo' = nllNDy para nd)= z]/N¡, se puede expresa¡ 1en la forma

,t D- D,\ vtv^
r = Asn;lLñ;+
Ln^)(e'- l) (3.63)

Se reconoce ésta como la ecuación del diodo en la que la corriente de saturación 15 esti4 dada por

o*?(&.+*) (3.@)
',=
Observe que. como se esperaba,15 es directamente ptoporcional al área A de la unión. Más arín,
15 es proporcional a rf; que es una función directa de la temperatura
fecuación (3.36)]. Además,
observe que la exponencial de la ecuación (3.63) no incluye la constante n; z es un par¡imetro
"compuesto" que se incluye para tomar en cuenta los efectos no ideales.

Capac¡tancia de difusión A partir de la desffipción de la operación de la unión pn en

la región directa, se observa que en el estado esiable cierta cantidad de exceso de carga de
pofadores minoritarios se almacena en cada una de las regiones p y n. Si cambia el voltaje de
 3.7 opERAcróN FfstcA DE DtoDos & 2o7

la teminal, esta carga tendrá que cambiar antes que se alcance un nuevo est¿do estáble. Este
fenómeno de carga y atnacenamiento da lugaf a otro efecto capacitivo, marcadamente distinto
del que se debe al almacenarniento de carga en la región de agotamiento.
Pa¡a calcular el exceso de carga almacenada de portadores minoritmios, consulte la figura
3.50. E1 exceso de carga de huecos almacenado en la región ¿ puede encontrarse a parth del
área sombreada bajo la exponencial, como se muestra a continuación:

Qo : x área sombreada bajo la exponencial p,(r)

Aq
= Aq x fu,(x,) - p*lLo

Sustituyendo con¿(,r,) de la ecuación (3.58) y usando la ecuación (3.61), es posible expresar

Q como
L1
Q,=
úr,
donde Ir-- AJ, es el componente de huecos de la corriente a través de la unión, Ahora, usando la
ecuación (3.60), se sustitrtye con L2olDo: r/, la duación de vida de los huecos, para obtener

Qo = rJo (3.65)

Esta atractiva relación irldica que el exceso de carga de huecos almacenado es proporcional
al componente de coniente de huecos y a la duración de por vida de los huecos. Es posible
desarollar una relación similar para la carga de electrones almacenada en la región p,

Q" = ¡"1" (3.ó6)

donde lo es la duración de por vida del electrón en la región p. La carga total de exceso de
portadores minoritarios puede obtenerse al stumat Qry Q-

Q = tele + t"I
"
(3.67)

Esta carga puede expresarse en términos de la corriente del diodo 1 : 1, + ,lo como

Q= rrl (3.68)

donde [Link] el tiempo medio de tnínsito del diodo. Obvifinente, ? estrárelacionada con
6y 2,. Mris
aún, en casi todos los dispositivos prácticos, un lado de la unión üene una cantidad mucho mayor
de impurezas que el otro. Por ejemplo, si N¡ )
No, se puede demosfaf qrlLe Ie> I,,l Ip, ep> e,, :
Q : QoY, por tato, fr - tp. Este caso se ilustra en el ejercicio 3.34.
En el caso de cambios pequeños alrededor de un punto de polarización, se puede definir
la capacitancia de difusión a pequeña señal, C¿, como

cd _dQ
dv
y es posible demostrar que

cd =(4, (3.6e)

donde 1 es la corriente del diodo en el punto de polarización. Tome en cuenta que Cd es di-
rcctamente proporcional a la corriente del diodo, ¿ y por tanto resulta insignificarte cuando
el diodo tiene polarización inversa. Tome nota también de que para mantener Cd pequeña, el
tiempo de tránsito r, debe hacerse pequeño,,requisito importante para los diodos que hablán
Ce operar a alta velocidad o alta frecuencia.
2o8 {ES cAP fTU to 3 DroDos

Capacitancia de unión En condiciones de polarización directa, se encuenfta la capacitan-

cia de la capa de agotamiento o de la unión al reemplazar VR con - V en la ecuación (3.57).
Sin embargo, la exactitud de esta relación en la región de polarización directa es mala. Como
opción, los diseñadores de circuitos utilizan la siguiente regla general:

C,- 2C¡o (3.70)

3.7.6 Resumen
Para contar con una referencia fácil de utilizar, en la tabla 3.2 se proporciona una lista de las
relaciones importantes que describen la operación física de las uniones pn,

Valores de constantes y palámetros

Cantidad Relac¡ón (para Siintrínseco a I = 300 K)

Concentración de portadores nl : 37:t" zotw B:5.4>< 163171¡¡3sm6;

en el silicio intrínseco (/crn3) Ec = I 12 eY
/< : 8.62 x 10-5 eVlK
¿¡:1.5x1010/cm3

Densidad de corriente rP = -qDP* s: 160 x l0 19

coulombs
de difusión (A/cm2) Dp: 12 cm2/s
J, = sD,4,1, D.: 34 cmzls
Densidad de coriente Id",e¡: q(ppp + np,,)E /r" : 480 cm2/ry' . s
de desplazimiento (A"/cmz) /, : I 350 cm'/V' s
Resistividad (O . cm) P:llLs@pp+np")l /b y l¿, disminuye con el aumento en las
concentraciones de impurezas

Relación entre movilidad p" Vr : kllq

=%
y difusividad - 25.8 mV

Concentración de portadores
en silicio tipo ¿ (/cm3)
a

3,8 TrPos EspEctALEs DE DtoDos ! ,o,

Valores de constantes y paÉmetros

Cantidad Relación (para 5i intrínseco a f = 300 K)

Concentración de portadorcs
en silicio tipo p (cm3) nro = o?/N^
Voltaje int€rado
de unión (v)
vo= VrbLW
Ancho de la región
de agota¡niento (cm) " =No
Wagot
= x,|x,
e, = 11.7 h
2e,
€o = 8.854 x lo-ta F/cm

q
("4*")tv,*v"l
Carga almacenada en la capa
de agot¿miento (coulomb)
tt= offL*oAW*
Capacitancia de agotamiento (F) ^ e.A ^ e,A,
Li=fr1'uio=*"*lr^
1l
c, = crf(r+h)- au,
C¡ : 2C;¡ (mra Polarización directa)

CorieÍte directa (A) I = Ip+ Io

, D- v/v-
r, = Aq,ilfrG '-1)

, D v/v-
t,=Aenitft;\" '-r)
+ D"\
CoÍienúe de satuación (A) DP
I. = Aon?(
" ' \LeN D L"N A't

Duración de vida del portado¡ 6 = fi/oo r,= r|,ro, L, L" I pmalú pm

minoritario (s)
I ns al0ans
Aünacenamiento de ca¡ga
del pofado¡
Qo = Q,= tJ"
tolo

minoritario (coulomb) Q = Qr+9, = trl

Capacitancia
de ditusión (F) = (fr),
",

3.8 TIPOS ESPECIALES DE DIODOS8

En esta sección se analizarán brevemente algunos tipos especiales de diodos.

8
Puede omitir esta sección sin perder la continuidad.
a \

21o {& cAPfruLo 3 DroDos

3.8.1 El diodo de barrera Schottky (SBD)

El diodo de baÍera Schottky (SBD, Schottky-Barrier Diode) se forma al poner un metal en
contacto con un material semiconductor tipo n con algunas irnpurezas. La unión resultante del
metal y el serniconductor se compofa como un diodo, conduciendo corriente en una dirección
(de1 ránodo rnetálico al cátodo semiconductor) y actuando como circuito abierto en la oÍ4, y se
le conoce como diodo de barrera Schottky, o simplemente como diodo Schottky. En realidad,
la característica de corriente-voltaje del SBD es notablemente similar a la de un diodo de unión
pn, con dos excepciones importantes:

1. En el SBD, la corriente es llevada por portadores mayoritarios (elecÍones). Por tanto,

el SBD no exhibe los efectos de alrnacenamiento de carga de portadores minoritarios
encontrados en las uniones pz con polarización directa, Como resultado de esto, es
posible llevar a los diodos Schottky de conducción a corte, y viceversa, mucho más
rápido que en los diodos de unión pn.
2. La caida de voltaje de polarización directa de un SBD que conduce es menor que la de
un diodo de uniónpn. Por ejemplo, un SBD hecho de silicio exhibe una caída de voltaje
directo de 0.3 a 0.5 V, comparada con la de 0.6 a 0.8 V que se encuenha en los diodos
de unión pz de silicio. Los SBD también pueden hacerse de a$eniuro de galio (G_aAs)
y, en realidad, desempeñan un papel impofante en el diseño de circuitos de GaAs.g Los
SBD de arseniuro de galio exhiben caídas de voltaje dtecto de unos 0.7 V
Apafe de los circuitos de GaAs, los diodos Schottky encuentran aplicaciones en el diseño de
una forma especial de circuitos lógicos de txarsistores bipolares conocidos como Schottky-TTl,
donde TTL son las siglas de lógica de transistor a hansistor (Transistor-Transistor Logic).
Antes de dejar el tema de los diodos de barrera Schottky, es importánte destacar que no todos
los contactos de metal con semiconductor son diodos. En realidad, el metal suele depositarse en
la superficie del semiconductor para hacer terminales en dispositivos semiconductores y para
conectar diferentes dispositivos en un chip de CI. A estos contactos de metal-semiconductor se
les denomina contactos óhrnicos, para distinguidos de los contactos rectificadores que llevan
a los SBD. Por lo general, los contactos óhmicos se hacen mediante el depósito de metal en
regiones semiconductoras con gran cantidad de impurezas (y, por tanto, de baja resistividad).

3.8.2 Varactores
En secciones anteriores usted aprendió que las uniones pz con polarización inversa exhiben
un efecto de almacenamiento de caxga que se modela con la capacitancia de capa de agota-
miento o de unión, C;. Como se indica en la ecuación (3.57), C, es una función del voltaje con
polarización inversa y¡. Esta dependencia resulta útil en diversas aplicaciones, como la sin-
tonía automática en radiorreceptores. Por tanto, se fabrican diodos especiales para emplearlos
como condensadores de voltaje variable conocidos como varacto¡es. Estos dispositivos estiín
mejorados para que su capacitancia tenga una fuerte dependencia del voltaje al arreglar que el
coeficiente de graduación m sea 3 o 4.

38.3 Fotodiodos
Si se ilumina una uniónpz con polarización inversa (es decir, si se expone a una luz que incide
sobre ella), los fotones que impactan la unión provocan el rompimiento de los enlaces covalen-
tes y, por tanto, se generan pares electrón-hueco en la capa de agotamiento. Luego, el campo
eléctico de la región de agotamiento barre los electrones liberados hacia el lado n y los huecos
hacia el p, dando lugar a una corriente inversa a través de la unión. Esta corriente, conocida

9
El cD que aconpaña el texto y el sitio web rclacionado con el texto contienel material sobre circuitos
GaAs-
 3.g TrPos [Link] DE DroDos $ ,t't

como fotocorriente, es proporcional a la intensidad de la luz que incide. Este tipo de diodos,
conocidos como fotodiodos, se utilizan para convertir señales luminosas en eléctricas.
Por lo general, los fotodiodos se fabrican con un semiconductor compuestolo como el
arseniuro de galio. El fotodiodo es un componente importante de una familia creciente de
circuitos conocida como optoelectrónica o fotónica. Como su nombre lo indica, este tipo
de circuitos utilizan una combinación óptima de electrónica y óptica para el procesamiento, el
almacenamiento y la transmisión de señales. Por lo general, la electrónica es el medio preferido
para el procesamiento de señales, mientras que la óptica es más apropiada para transmisión y
almacenamiento. Entre los ejemplos se incluyen la transmisión de señales de teléfono y tele-
visión por fibra óptica, y el almacenamiento óptico en discos CD-ROM. La t¡ansmisión óptica
proporciona anchos de banda considerables y baja atenuación de señales. La óptica permite el
aknacenamiento confiable de grandes cantidades de datos en un espacio pequeño.
Por último, debe tomar nota de que sin polarización inversa el fotodiodo iluminado fun-
ciona como celda solar. Normalrnente fabricadas con silicio de bajo costo, las celdas solares
convierten la luz en energía eléctrica.

3.8.4 Diodos emisores de luz (LED)

El diodo emisor de luz (LED, Light-Emitting Diode) realiza la función inversa del fotodiodo;
convierte una corriente directa en luz, El lector recordará que en una unión pz con polariza-
ción directa los portadores minoritarios se inyectan a través de la unión y se difunden hacia
las regiones p y n, Luego, los portadores minoritarios que se difunden se recombinan con los
mayoritarios. Esta recombinación puede dar lugar a la emisión de luz. Esto se logra al fabricar
la unión pn utilizando un semiconductor del tipo conocido como material de separación de
banda directa. El arseniuro de galio pefenece a este grupo y puede emplearse, por tanto, para
fabricar diodos emisores de luz.
La luz emitida por un LED es proporcional a la cantidad de recombinaciones que tienen
lugar, que es proporcional, a su vez, a la corriente directa en el diodo.
Los LED son dispositivos muy populares. Tienen aplicación en el diseño de diversos tipos
de monitores, incluidos los de inshumentos de laboratorio como los voltímetros digitales.
Se puede lograr que produzcan luz de diversos colores. Más aún, pueden diseñarse para que
produzcan luz coherente con un ancho de banda muy esÍecho. El dispositivo resultante es un
diodo láser. Este üpo de diodo tiene aplicación en sistemas ópticos de comunicaciones y en
reproductores de CD, entre otros.
La combinación de un LED con un fotodiodo en el rnismo paquete produce un dispositivo
conocido como optoaislador. El LED convierte una señal eléctrica aplicada al optoaislador
en luz, que es detectada por el fotodiodo y convelida nuevamente en una señal eléctrica a la
saüda del optoaislador El uso de éste proporciona un aislamiento eléctrico completo entre el
circuito eléctrico conectado a la enÍada del aislador y el circuito conectado a su salida, Este
aislamiento es útil para reducir el efecto de la interferencia etéctrica sobre la transmisión de la
señal en un sistema y, por tanto, los optoaisladores suelen utilizarse en el diseño de sistemas
digitales. También se usar en el diseño de instrumentos médicos para reducir el riesgo de
descargas eléctricas en pacientes.
Tomd nota de que no e! necesario realizar acoplamiento óptico entre un LED y un fotodio-
do en un paquete pequeño. En realidad, puede aplicarse a larga distancia empleando una fibra
óptica, como se hace en los enlaces de comunicación de fibra óptica.

10
Mientras que un elemento semiconductor, como el silicio, utiliza un elemento de la columna IV de la
tabla periódica de los elementos, un semiconductor compuesto emplea una combi¡ación de elementos
de las columnas III y [V o II y VI. Por ejemplo, el GaAs se forma con galio (columna III) y arsénico
(colunma V); por tarito, se le conoce como compuesb m-V
a

212 Ó CAPfTULO3 DtoDos

U t't BtE"-?51'1""'áNDroDo
sPrcE Y E,EM PLos

Se concluye este capítulo con una descripción del modelo que usa SPICE para los diodos.
También se ilustrará el uso de SPICE en el diseño de una fuente de alimentación de dc.

3.9.1 El modelo de diodo

Para el diseñador, el valor de los resultados de la sirnulación tiene relación directa con la ca-
lidad de los modelos usados para los dispositivos. Cuanto mayor sea la fidelidad con que el
modelo representa las diversas características del dispositivo, mayor será la exactitud con que
los resultados de la simulación desc¡ibi¡¡án la operación real de lm circuito fabricado. En otras
palabras, para ver el efecto que tienen diversas imperfecciones en la operación de un dispositivo
sobre el desempeño de un circuito, deben incluirse éstas en el modelo del dispositivo empleado
por el simulador del circuito. Obviamente, estos comentarios acerca del modelado se apücan
a todos los dispositivos y no sólo a los diodos.
En la figura 3.51 se muestra el modelo del diodo de SPICE a gran señal. El comportamiento
estático se modela mediarte la relación exponencial i-u. El comportamiento dinámico está
representado por el condensador no lineal Cp, que es la suma de la capacitancia de difusión
C¿ y la capacitancia de la unión C;. La resistencia en serie Rs representa la resistencia de las
.regiones p y z a ambos lados de la unión. El valor de esta resistencia parásita es ideaknente
cero, pero suele encontrarse en el intervalo de unos cuantos ohms para diodos a pequeña señal.
En el caso del análisis a pequeña señal, SPICE usa la resistencia incremental del diodo, r¿ y
los valores incrementales de C¿ y C;.
En la tabla 3.3 se proporciona una lista parcial de 1os parámetros del modelo del diodo
empleados por SPICE; todos ellos deben resulta¡le familia¡es al lector. Pero contar con un
buen modelo de dispositivos sólo resuelve la mitad del problema de modelado; la ofia mitad
consiste en determinar valores apropiados para los parámetos del modelo, De ninguria manera
resulta fácil. Los valores de los parámetros del modelo se determinan mediante el uso de una
combinación de la caracterización del proceso de fabricación del dispositivo y de mediciones
específicas realizadas en los dispositivos fabricados reales. Los fabricantes de semiconductores
dedical grandes esfuerzos e inviefen mucho dinero para obtener los parámetros del modelo de
sus dispositivos. En el caso de diodos distintos, los valores de los parámetros del modelo SPICE
pueden deteminarse a partir de las hojas de datos del diodo, entregadas si son necesarias para
mediciones clave. Los simuladores de ci¡cuitos (como PSpice) incluyen en sus bibliotecas los
parámetros del modelo de algunos de los componentes populares y con glan disponibilidad
comercial. Para ilustrar esto, en el ejemplo 3.10 se usa el diodo de uniónpn 1N4148, disponible
comercialmente, cuyos parámetros de modelo de SPICE se encuentran en PSpice.

iD=IsQ'D/'vr-l)
Cp: C¿-r c,: fi4eulu, + crf (t ftY

FIGURA 3.51 El modelo de diodo de SPICE.

-

3.9 EL MoDELo DE DroDo sprcE y EJEMpLos DE srMULAcróN

$ ,,tt

Parámetro 5ímbolo
de SPICE del libro Unidades
Is Is Co¡riente de satuÉción
N n Coeficiente de emisión
RS fts Resistencia óhmica o
VJ vo Voltaje integado
cJo cro Capacitancia de (unión) agotamiento sin polarización F
M Coeficiente de graduación
TI ,TT
Tiempo de tnánsito s
BV va( Voltaje de ruptua
IBV hx Corriente inversa a V2¡

FIGUiA 3,52 Modelo de ci¡cuito equivalente usado para

simular el diodo Zener en SPICE. El diodo Dr es ideal y se
puede aproximar en SPICE mediante ün valor muy pequeño
para ¿ (por ejemplo, ¡- 0.01).

3.9.2 El modelo del diodo Zener

El modelo de diodo anterior no describe adecuadamente su operación en la región de ruptura.
Por tanto, no proporciona un modelo satisfactorio de los diodos Zener. Sin embargo, el modelo
equivalente de circuito que se muestra en la figura 3.52 puede emplearse para simular un diodo
Zener en SPICE. Aqul, el D, es un üodo ideal que puede aproxirnarse en SpICE empleando
:
un valor muy pequeño para n (como z 0.01). El D2 es un diodo regular que modela la región
de polarización directa del Zener (para casi todas las apücaciones, los parámetros de D2 tienen
pocas consecuencias).

DISEÑO DE UNA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE DC

En este ejemplo se diseñará una fuente de alimentación de dc empleando el circuito rectificadot
cuyo esquema de Capturell se muestra en la figura 3.53. El circuito está formado por un rectifi-

1l
Se recuerda al lecto¡ que los archivos del esquema de Capture, y su corespoldiente simulación de
Pspice, de todos los ejemplos de esúe libro se encontrarán en el CD adjunto, además de su sitio web
([Link]). En estos esquemas (como se muesta en la ñgura 3.53) se utilizan par¡ímehos
de variable pam incorpoür los valo¡es de los diversos componentes de los circuitos. Esto permite
investiga¡ el efecto del cambio de los valores de los componentes para simplificar el cambió de los
corespondientes valores de los parámetros.
214 O cAPrTuro3 DroDos

PARAMETERS:
C = 520u
R:l9l
Risolation: 100E6
Rload : 200
Rs: 0.5
{Rs} z

VOFF = 0
VAMPL = 169
FREQ : 60
DlN4148
{ Risolation }

F|GURA3.53 Esquema de Capture de la fuente de alimentación de 5 V del ejemplo 3.10.

cador de diodo de onda completa, un condensador de filtro y un regulador de voltaje Zener. El

' único componente tal vez complejo es R"i"¡- el rcsistor de 100 Mf) entre el devanado secundario
del Íansformador y tiera. Este resistor se incluye para que proporcione la continuidad de dc ¡
por tanto, "mantenga feliz a SPICE '; tiene poco efecto en la operación del circuito.
Se requiere que la fuente de alimentación (en la figura 3.53) proporcione un voltaje de dc
nominal de 5 V y que pueda suministrar una coriente de carga /"-su de hasta 25 mA; es decir,
R"-s" puede ser lan bajo como 200 O. La fuente es alimentada desde una línea de ac de 120
V (rms) 60 Hz. Tome en cuenta que en el esquema de PSpice (figura 3.53) se usa una fuente
de voltaje senoidal con amplitud pico de 169 V para representar la fuente de alimentación de
120 V rms (como 120 V rms : 169 V pico). Suponga la disponibilidad de un diodo Zener de
5.1 V que tiene r, : l0 A a Iz:20 mA (y, por tanto,V6: 4.9Y)y qte la coniente mínima
requerida a navés del diodo Zener es 12.r, : 5 mA.
Un diseño aproximado se obüene de la manera siguiente: se reduce la fuente de alirnen-
tación de 120 V (rms) para proporcionar senoides de 12 V (pico) a través de cada devanado
secundario empleando una relación de 14:1 !.r¡€ltas para el transformador de derivación central.
La elección de 12 V es una compensación razonable entre la necesidad de permitir suficiente
voltaje (ariba de la salida de 5 V) para operar el rectificador y el regulador, que mantiene
razonablemente bajos los PIV nominales de los diodos. Para determinar un valor para R, se
puede usar la siguiente expresión:

o Vc.. Vro- rrlt^^

"- I"^,"- Ir*^
donde un estimado para V6.¡,, el voltaje míni¡no a través del condensador, se obtiene al restarle
i12 V una caída del diodo (por ejemplo, 0.8 V) y permiti¡ un voltaje de rizo a través del con-
densador de, por ejemplo, 4 = 0.5 V. Por tanio, ys.¡, :
10.7 V Más aún, se observa que 1..,
:25 mAe I7^¡:
5 mA, y que V^ :
49Y y r, = 10 O. El resultado es que R 191 fl. :
A continuación, se determina C empleando una nueva forma de la ecuación (3.33) con Vo/R
reemplazado con la corriente a través del resistor de 191 f). Esta corriente puede estimarse al
observar que el voltaje a través de C varía de 10.7 a 11.2 V y, por tanto, tiene un valor pro-
medio de 10.95 V. Más arín, el voltaje deseado a través del Zener es de 5 V El rcsultado es
C : 520 pF.
Ahora, con un diseño aptoximado a la mano, se puede proceder con la simulación de
SPICE. Para el diodo Z€ner, se usa el modelo de la figura 3.52, y se supone (arbitrariamente)
 3.9 EL MODELO DE DTODO SptCE y EJEMPLOS DE stMULACtóN Q t
"
t2v y'oltaje de cond€ nsador de suavizado V¡

t0v l
.::
8V
.,i
rli
t, :

6V
Voltaje de carga Y¿¡

4V

2V

0v
0 50m 100 m 150m 200 m
" vQ,$ o v (6,4)
Tiempo (s)

FIGUnA 3.54 El voltaje ?c a través del condensado¡ de suavizado C y el voltaje ¿o a través del resistor
de carga : 200 f,) en la fuente de alimentación de 5 V del ejemplo 3.10.
R"'*,

queDr tienels: 100pAyn:0.01,mientrasqueD2tiene15 = 100pAy ¿: 1.7. Para los

diodos de rectificador se usa el tipo 1N4148 comercialmente disponiblel2 lcon I":2.682nA,
n : 1.836, R5 : 0.5664 O, V6 : 0.5 V, C7e : 4 pF, m = 0.333, c, : 11.54 ns, V2¡ : 100 Y,
Izr : 100 pA).
En PSpice se realiza un análisis hansitorio y se grafican las ondas del voltaje ?c a través
del condensador de suavizado C y el voltaje u¿ a través del resistor de carga R"*n. En la figura
3.54 está representado el resultado de la simulación de Rc,gn : 200 O (Icüga = 25 mA). Obsewe
que uc tiene un promedio de 10.85 V y un rizo de 10.21 V. Por tanto, V" : 0.42 V, que está
cerca del valor de 0.5 V que se esperaría para el valor elegido de C. El voltaje de salida ue es
muy cercano al requerido de 5 V, y a6 vaía entre 4.957 Y y 4.977 y para un rizo de sólo 20
mY Las va¡iaciones de uo con R"*" se ilustran en la figura 3.55 para R"-r" : 500,250,200 y
1 50 l). De acuerdo con esto, uo permanece cerca del valor nominal de 5 V cuando
ncdsd es tan
bajo como 200 O (1"-s" 25 mA). En el caso de lR"** : 150 O (que indica que 1"*" = 33.3
=
mA, mayor que el valor mráximo designado), se ve una caída importante en (de alrededor de
"o
4.8 V), además de un gran aumento en el voltaje de rizo en la salida (de alrededor de 190 mV).
Esto se debe a que el regulador Zener ya no es opracional; el Zener en realidad está en corte.
Se llega a la conclusión de que el diseño cumple con las es¡recificaciones, y es factible
detenerse aquí. Como opción, se puede considera¡ la afinación del diseño empleando ejecucio-
nes adicionales de PSpice'como ayuda para esta tarea. Por ejemplo, considere lo que pasaría
si usa¡a un valor menor de C, etc. También se pueden investigar otras propiedades del diseño
actual; por ejemplo, la corriente máxima a través de cada diodo y revisar si este m¡íximo se
encuentra dentro del valor nominal especificado para el diodo.

l2El
-od"lo 1N4148 está incluido en la biblioteca de evaluación (EVAL) de la biblioreca de pspice
(OrCad 9.2 Lite Edition), que está disponible en el CD que acompaña a esre lib¡o.
a

2r6 w CAPÍTULOs DtoDos

5.25 V
i
I

R-..--, : I

500 O
€ 'r1*
i-
d€a
5.00 v
---.t..
I
R",,", = 200 l)
3"", 'i"'t\
4.'75 V
{
r.f
\l
I \il \,

4.50 V
I 60 165 170 t75 180 185 r90 195 200
oov^ v(7,4)
Tiempo (ms)

FIGURA 3.55 La onda de voltaje de salida de la fuente de alimentación de 5 V (en el ejemplo 3.10)
:
para va¡ias resistencias de carga: R.o,s. 500, 250, 200 y 150 O. La regulación de voltaje se pierde a una
resistencia de carga de 150 O.

esqqgma de
id dá los
 RES,MEN @ ,tt

| .:.
"l
'.': a:,
\

Resuue¡u
I En la di¡ección directa, el diodo ideal conduce cualquier co- La propiedad de flujo unidireccional de cor¡iente hace que el
rriente fo¡zada por el ci¡cuito extemo mientras que despliega diodo resulte útil en el diseño de circuitos recüficadorcs.
una caída de voltaje de ce¡o. El diodo ideal no conduce en
dirección inversaj cualquier voltaje aplicado aparece como La conducción directa de diodos pnácticos de silicio está carac-
polarización inversa a través del diodo. terizada de manera exacta por la relación i = 1s¿"/"v7.
2rB &i cAPfTUr.o 3 DroDos

Un diodo de silicio conduce una coriente insigniñcante hasta Una región de agotamiento de portadores se desarrolla en la
qüe el voltaje de polarización directa es por lo menos de 0,5 interface de una unión pni ellado n estácatgado positivamente
V. Entonces la coriente aumenta úpidamente, y la caída de y el p negatívamente, A la dife¡e¡cia de voltaje resultante se
voltaje aumenta de 60 a 120 mV (dependiendo del valor de ¿) le denomha voltaje de baÍe¡a.
por cada década de cambio de corriente.
Una coniente de difusión 1, fluye en dirección directa (trans-
I En la dirección inversa, un diodo de silicio conduce una co- portada por huecos desde el lado p y electrories desde el lado
r¡iente de unos l0 9 A. Esta corriente es mucho mayor que 1s /¿), y una cor¡iente /s fluye en dirección inversa (transportada
y aumenta con la magritud del voltaje inverso, por portadorcs minoritarios generados térmicamente). En
una unión a circuito abierto,lD = 1s y el voltaje de barrera se
I Más allá de cierto valor de voltaje inve$o (que depende del
denota con y0, al que también se le denomina voltaje integado
diodo) se presenta una ruptura y la coÍiente aumenta ¡ápida-
de la unión.
mente con un pequeño aumento coÍespondiente en voltaje.
Al aplicar ur voltaje de polarización inve¡sa lVl a una unión pr
I Los diodos diseñados pa¡a operar en la región de ruptura son
se provoca el ensanchainiento de la región de agotamiento, y el
los diodos Z-ene¡. Se emplean en el diseño de reguladores de
voltaje de barrera auinenta a (yo + Il4). l¿ co¡dente de difusión
voltaje cuya función es obtener un voltaje colstante de dc que
disminuye y fluye una co¡riente neta inve$a de (Is ID ). -
cambia poco con las variaciones del voltaje de la fuente de
alimentación, la coÍiente de carga o ambas, Al aplicar un voltaje de polarización directa ll4 a una unión
p¿ se p¡ovoca el eshechamiento de la región de agotamiento,
Existe una jerarquía de modelos de diodo; la aplicación dete¡-
y el voltaje de barrera disminuye a (V¡ - ll4). La coriente
mina la selección de urr modelo apropiado.
de difusión aumenta y fluye una coriente lreta directa de
¡ En muchas aplicaciones uí diodo conductor se rnodela con- (I¿ 1s).

siderando que tiene una calda de voltaje constante, por lo

Para conocer un resumen de los modelos de diodo en la región
general cercana a 0.7 V.
de polarizació[ directa, consulte la tabla 3.1.
I Un diodo poiarizado pam operar a una corriente de dc 1D tiene
Para conocer un resumen de las relaciones que rigen la opera-
una resistencia a pequeña súoJ r¿ :
[Link] e.
ción física de la unión pr, consulte la t¿bla 3.2.
El diodo de unión de silicio es, en esencia, una unión p¿. Esta
unión está formada en un solo cristal de silicio.

I En el silicio tipo p hay abundancia de huecos (portadores

cargados positivamente), mientras que en el silicio tipo ¿ los
elecÍones son los abundantes.

PROBLEMAS
st(flÓil t.1: Et DtoDo tDEAI 3.3 En el caso de los circuitos mostrados en la figura P3.3 em-
pleando diodos ideales, encuentre los valo¡es de los voltajes y
3.1 La baterfu AA de una lintema, cuyo equivalente de Thé-
coÍierites indicados.
venin es una fuente de voltaje de 1.5 V y una resistencia de
I f!, se conecta a las terminales de un diodo ideal. Desc¡iba dos 3.4 En cada uno de los circuitos de diodo ideal mostrados en la
posibles situaciones. ¿Cuál es la coriente del diodo y el voltaje figu¡a P3.4, u/ es una onda senoidal pico de 1 kIIz, l0 V. Dibuje
de la terminal cuando a) la conexión se hace entre el cátodo del la onda resultante en ¿o. ¿Cu¡íles son los valores pico positivos
diodo y la terminal positiva de la bateía?, á) ¿el ránodo y la terminal y negativos?
positiva están conectados?
1.5 El circui¡o mostrado en la figura P3.5 es el modelo de un
3.2 Para los ci¡cuitos que se muestran en la figura P3.2 emplean- ca¡gador de bateías. Aquí lrl es una onda senoidal pico de l0 V,
do diodos ideales, encuentÍe los valores de voltaje y corriente Dr y D2 son diodos ideales,,l es una fuente de coriente de 100
indicados. mA, y I es una batería de 4.5 V Grafique y rotule la onda de la
a

[Link]' J tt"

+3 v +3 V + 3V
l l t
j,o*,
'ü
|,0*., +
FN L------- u
t------o
r+ 'ü+
f 'ou"
r0 ko

I I +
-3 V -3 V 3V -3 V
a) b) c) d)

fIGURA P3.2

+lv
+3V

+1V

+3V

D1 D2

ó
ÍIGURAP3.4 (Cont ia)
22o O cAPfruro r DroDos

1kf}
lko
1ko

h\

+15 v

FrcUnA P3.¿l (C ontinuación\

coniente de la batela i¡. ¿Cu.ál es el valor pico? ¿Cuál es el valor Enpleando " 1" par¿ denot¿r el valo¡ alto y "0" pa¡a el bajo, prepare
promedio? Si el valor pico de z, se rcduce en 1070, ¿cuáles son una tabla con cuatro columnas que incluyen tod¿s las combinacio-
los valores pico y promedio de i¡? nes de entada posibles y los valorcs resultan¡es de X y y. ¿Qué
función lógica es X de A y B? ¿Qué tunción lógica es f de A y 8?
¿Pa¡a cuáles valo¡es de A y B tienen X y ts el mismo valor? ¿Para
cuáles valores de,4 y B tienen X y f valorcs opuestos?

FIGURA P3.'
a)
1.6 Los circuitos mostrados en la figura P3.6 pueden funcionar
como compüefas lógicas pa¡a voltajes de entrada atfas o bajas. FIGURA P3.6
 PRoELEMAS | ,tt

03.7 En el caso de la compuefia lógica de la ñgula 3.54) suponga ll3.l1 En el caso del circuito rcctificador de la figura 3.3a), la
diodos ideales y niveles de voltaje de enrrada de 0 y +5 V. Encuentre onda senoidal de ent¡ada tiene un valor de 120 V rms y se supone
un valor adecuado para R de modo tal que la coriente rcquerida de que el diodo es ideal. Seleccione un valor adecuado para R de rnodo
cada una de las fuentes de señal de entr¿da no exceda 0.1 mA. tal que la coniente pico del diodo no exceda 50 mA. ¿Cuál es el
mayor voltaje inverso que apa¡ecerá a aavés del diodo?
Dl.8 Repita el problema 3.7 pa¡a la compuerta lógica de la
figura 3.5á). 3.12 En el circuito rectiñcador de la figura 3.3, la fuente de en-
trada tiefie una resistencia de fi¡ente R¡. En el caso de qüe R, =
?./r

3.9 Suponiendo que los diodos de los circuitos de la figura P3.9 R y suponiendo que el diodo es ideal, trace y rctule claramente la
son ideales, encuentre los valores de los voltajes y las corrientes curva ca¡acte¡ística de tmnsfelencia uo contra ¿¡.
rcfulados.
l.l3 Una onda cuad¡ada de amplitud 6 V de pico a pico y plo-
medio cero se aplica a ur ci¡cuito parecido al de la figura 3.3a),
+5V +5 V empleando un resistor de 100 f,). ¿Cuá es el voltaje pico de saüda?
¿Cuáles la corrienle picodeld¡odo? ¿Cüál es lacorriente pico pro-
medio? ¿Cuál es el máxirno voltaje inverso a ¡ravés del diodo?

¡.14 Repita el problema 3,13 para la situación en que el voltaje

promedio de la onda cuadrada es 2 Y mieDt¡as que su valor de
pico a pico permanece en 6 V
*D3.15 Diseñe un circuito cargador de batefas, [Link] al de la
figura 3.4, empleando un diodo ideal en el que la coriente fluye a
la bateía de 12 V el 20% del tiempo y tiene un valor promedio de
100 mA. ¿Qué voltaje de onda senoidal de pico a pico se requiere?
¿Qué resistencia es necesaria? ¿Cuál es la coniente pico de diodo?
¿Qué voltaje pico inverso resiste el diodo? Si se pueden especin-
car ¡esisto¡es de un solo dígito signifrcativo y un voltaje de pico
a pico sólo hasta el volt ftxás cercano, ¿qué diseño escogeía pa¡a
garantizar la conieffe de carga requerida? ¿En qué fracción del
-5V -5 V
ciclo fluye la coÍiente del diodo? ¿Cuál es la corriente promedio
a) b) del diodo? ¿Cuál es la coniente pico del diodo? ¿Cuál voltaje pico
inverso ¡esiste el diodo?
FIGURA P3.9
3.16 El circuito de la flgura P3.16 se utiiiza en un sistema de
3.10 Suponiendo que los diodos de los circuitos de h ngura señalización empleando un alambre además de un retomo a tie¡ra
P3.10 son ideales, utilice el teorema de Thévenin para simplificar común. En un momento cualquiem, la entrada dene uno de tres
los circuitos y, con ello, encueúhe los valotes de las co¡rientes y valo¡es: *3 Y 0 Y -3 v. ¿Cuál es el estatus de las lámparas para
los voltajes rotulados. cada valor de entrada? (Tome nota de que las lámparas pueden
estar separadas y qüe tal vez haya diferentes tipos de conexión,
¡en un solo alambre!)
+ 9V +9V +5V

t0ko 10 ko

l0 ko 10 ko

o) b)

FIGURA P3.1O FIGURA P3.16

222 g cAPfruto3 DroDos

5T(CIÓil 3,2: (ARA(IENfSIICAS DE I.A5 T¡[Link]

DE r.05 Dr0D0s DE UilrÓil

3.17 Calcule el valor del vottaje térmico, Vr, a 4O"C, O"C,

+40'C y + 150"C. ¿A qué temperatura está y¡ exactamente a
25 mV?

1.18 ¿A qué voltaje en dirección directa un diodo para el que ¿

: 2 conduce una co¡rienne igual a 1 000 Is? En términos de 1s,
¿qué coniente fluye en el rnismo diodo cuando su voltaje directo
es 0.7 V?

3.19 Un diodo con caída de voltaje en dirección dircct¿ de 0.7 V a

1.0 mA y a = 1 opera a 0.5 V ¿Cuiál es el valor de la coriente?
FIGURA P3.23
3.20 Un diodo determinado, con n : l, conduce 5 mA con un
voltaje de unión de 0.7 V ¿Cuál es su corriente de saturación 15?
3.25 En el circuito mostrado en la figura P3.25, ambos diodos
¿Curíl corriente fluir:rá en este diodo si el voltaje de unión se eleva a
tienen r¡ :
l, pero Dt tiene diez veces el iÁrea de unión de D2. ¿Cuál
0.71 V? ¿A 0.8 V? ¿Si el voltaje de unión se reduce a 0.69 V? ¿A
:
valor de y se obtiene? Pa¡a obtener un valor de V 50 mV, ¿qué
0.6 V? ¿Qué cambio en el voltaje de unión aumentará la cor¡iente coÍiente ¿ se necesita?

del diodo en un factor de l0?

l.2l Se toman las [Link] en diodos de unión

en los que V es el voltaje en la terminales e 1 es la corriente del
diodo. Para cada diodo, estime los valo¡es de 1s y el voltaje en las
teminales a 17o de la coriente medida pa¡a n = | y n = 2. rJse
V¡ = 25 mV en sús cálculos.

a) V=0.700Va1:1.00A
á) V= 0.650Va1: l.00rnA
c) V= 0.650Va1: l0pA
d) V= 0.700Va/: l0mA
3.22 Abajo se encuentran los resultados de las mediciones to-
madas en va¡ios diodos de unión difercntes. Para cada diodo,los
datos proporcionados son la corrierite 1, el voltaje cor¡espondiente FIGURA P3.25
V y el voltaje del diodo a una cor¡iente //10. En cada caso, calcule
3.26 En el ci¡cuito mostrado en la figula P3.26, ambos diodos son
1s, r y el voltaje del diodo a 101.
idénticos, conduciendo 10 ¡nA a 0.7 V y 100 mA a 0.8 V. Encuentre

a) mA, 700 mV, 600 mV

10.0
el valo¡ de R pa¡a el que V :
80 mV
b) 1.0 mA, 700 mV, 600 mV
c) 10 A, 800 mV, 700 mV
d) 1 mA,700 mV 580 mV
¿) 10tA,700 mY 640 mV
3.23 El ci¡cuito de ta figura P3.23 utiliza tres diodos idénricos
que ¡ienen¿: I els: l0 l4A. Encuent¡e el valor de la co¡riente
1que se requieré para obtener un vóltaje de salida uo = 2 V Si una
carga toma una cor¡iente de I mA de la terminal de salida, ¿cuál
es el cambio en el voltaje de salida?

3.24 Un diodo de unión es operado en un circuito que se alimenta

con una cor¡ierite constante 1. ¿Cuál es el efecto en el voltaje en
dirección directa del diodo si se conecta en paralelo un diodo
idéntico? Suponga,? : 1.
 PRoBLEMA5 $ ,rt

3.27 Va¡ios diodos que tienen diversos tainaños, pero todos aún, el diseñador tiene Ézón en cleer que ¿ = 2. Pa¡a la fuente de
con z : 1, se miden a varias temperaturas y corrientes de unión alimentación disponible, que va de 0.5 a 1.5 mA, ¿qué voltaje de
como se indica abajo. Para cada uno, calcule el voltaje del diodo u ón se esperaría? ¿Qué cambio adicional de voltaje se espe¡ada
a I mAy 25"C. para una variación de temperatura de a25oc?

a) 620 mV a l0pAyOoC *3,11 Como opción para la idea sugerida en el problema 3.30, el
á) 790 mV a l Ay 50'C diseñador considera un segundo método para producir un voltaje
c) 590 mV a 100pAy 100oC pequeño rclativamente constante, a partir de una fuente de corriente
d) y -50oC
850 mV a 10 mA variable: depende de la capacidad para hacer copias muy exact¿s
e) 700 mV a 100mAy75oC de cualquier co¡dente pequeña disponible (empleando un proceso
llamado reflejo de conienle). El diseñador plopone el uso de esta
*3.28 En el circuito most¡ado en la figura P3.28, Dl es un dio- idea para alimentar dos diodos de diferentes á¡eas de unión con la
do de co¡ñente elevada y área grande cuya filtración inve$a es misma corriente y medir su difercncia de voltaje de unión, Cuenta
elevada e independiente del voltaje aplicado, mientras que D2 es con dos tipos de diodos; para un voltaje de polarización directa
ün diodo mucho más pequeño de menor corriente, para el que ¿ de 700 mY uno conduce 0.1 mA y el otro I A, Ahora, en e1 caso
: 1. A temperatura ambiente de 20oC, el ¡esistor R1 está ajustado de co¡rientes idénticas de 0.5 a I .5 mA alimentadas a cada diodo,
para hacer V¡¡ :
% = 520 nV Mediciones subsecuentes indican ¿qué intervalo de voltajes de diferencía se obtiene? ¿Cuál es el
que Rt es 520 kf,. ¿Cuáes espera que sean los voltajes V¡1 y V2 efecto de un cambio de tempentura de a25'C en este diseño?
aoocya40'C? Supongaquez=1.

+lov sE((lóil 3.3: ü0DEIAD0 DE tA (AnA(rEnlSl(A

DI RI(TI DTI DIODO

*332 Reüse el análisis gá.fico del circuito de diodos de la figura

3,lO coíVDD: I YR = I kO, y un diodo que tiene 1" 10 ls
=
Ay¿ : 1. Calcule urr pequeño nrimero de puntos en la curva
caracteística del diodo en la cercanía del lugar en que espe¡a que
la llnea de carga la interseque, y utilice un proceso gráfico para
refinar su estimación de la cor¡iente del diodo. ¿Qué valores de
corriente y voltaje de diodo se encuentrari? De manera analltica
encuentre el voltaje correspondienúe a su estimado de corriente.
D2
¿En cuánto diñerc del valor calculado gráficamente?

3.13 Utilice et p¡ocedimiento de anáüsis iterativo para determinar

laconiente y el voltaje del diodo en el circuito de la figura 3, l0 para
FIGüRA P3.2A :
V¡e = I Y, R 1 kO y un diodo que tiene 1" = lQ-15 ¡ y ¿ 1, :
3.1¡l Un "diodo de I mA" (es decir, uno que tiene rrD = 0.7 Va
3.29 Cuando se aplic¿ una coniente de 15 A a un diodo determi-
io = I mA) está conectado en serie con un lesistor de 200 ll a una
firente de alimentación de l -O V
nado, se encuentra que el voltaje de unión se conviefe inrnediata-
mente en 700 mV Sin embargo, a medida que la potencia disipada ¿) Propo¡cione un estimado de la corriente del diodo que espe-
en el diodo aurnenta su temperatwa, el voltaje disminuye y con Iarla.
el tiempo alcanza 580 mV ¿Curíl es la elevación aparcnte en la :
á) Si el diodo está camctedzado por ¿ 2, estime con rnayor
tempeÉtüa de la unión? ¿Cuál es la potencia disipada en el diodo precisión la cor¡ie¡te del diodo empleando análisis ite¡ativo.
en su estado final? ¿Cuál es el aumento de temperatura por watt de
disipación de potencia? (A esto se le llama resistencia témica.) l.l5 Acontinuación se enumera un conjunto de circuitos que son
vafiantes del mostrado en la figura 3.10. Para cada diodo usado se
*3.30 Un diseñador de un instrumento que debe operar en un prcporciona la cor¡iente de unión medida 10 eIr el voltaje de unión
amplio intervalo de voltaje de alimentación observa que la caída yo, junto con el caribio del voltaje de unión AV medido cuando
de voltaje de unión de uD diodo es relativamente independiente de la coÍiente se aumenta 10 vece$. Para cada ci¡cuito encuentre la
la corriente de unión y considera el uso de un diodo grande para coriente del diodo ID y el volraje del diodo V¡ que se obtiene,
establecer un voltaje pequeño relativamente constante. Cuenta con empleando la ecuación exponencial del diodo y la iteración. (Sir-
un diodo de potencia con tun coriente nominal de 10 A a 0.8Y Más gerenciai para red\atÍ su carya de trabajo, observe la relación muy
224 & cAPfTur.o 3 DroDos

especial entre el circuito y los paiámetros del diodo en muchos para el que la diferencia en los valores calculados de la cor¡iente
casos, pero no en todos.) Por último, tome nota de que el uso de es de sólo l7o? Pa¡a y : 2Y y R = I kf,), ¿cuáles son las dos
esas relaciones, o aproximaciones a ellas, ¡suele hace¡ mucho rnás corrientes que se obtendrían si se usan dos valores de V¿? ¿CuáI
fácil y rápido su primer repaso del diseño de un circuito!) es su porcentaje de diferencia?

D3.43 Un diseñado¡ tiene una cantidad ¡elativamente grande de

a 10.0 9.3 1.0 700 t00
diodos con un flujo de corriente de 20 mA a 0.7 Y y cuya aprod-
b 3.0 2.3 1.0 700 100 mación de 0. I V/década es rclativamente buena. Empleando una
c 2.O 2-O 10 7M 100 fuente de coÍiente de l0 mA, desea c¡ear un voltaje de referencia
d 2.o 2.o l .0 7w 100 de 1.25 V Sugiera una combinación de diodos en serie y paialelo
e 1.0 0.30 l0 7Oú 100 que harán que el trabajo sea lo mejor posible. ¿Curántos diodos se
f 1.0 0.30 10 700 60 necesitan? ¿Qué voltaje se obtiene realmente?
c 1.0 0.30 10 700 120
h 0.5 30 10 700 100 3.44 Revise el circuito rectificador de media onda de la frgura
3.3¿) con :
n I kf¡; et diodo tiene las curvas características y el
D!.36 Suponiendo la disponibilidad de diodos para los que z¡ = modelo lineal por piez¿¡s que se muestra e[ la figura 3.20 (V¡¡ =
[Link]= lrnAyz= l, diseñe un circuito que utilice cuaho 0.65 Y rD = 20 O). ñulice el circuito rectificador empleando el
diodos conectados en serie entre sí, y en sefie con un rcsistor R modelo lineal por piezas para el diodo y, por ta¡rto, encuenÍe el
conectado a una fue¡te de alimentación de 10 V El voltaje a través voltaje de salida z¿ como ñrnción de r.,/. Dibuje la caracteística
de la cadena de diodos habrá de ser 3.0 V. de hansferencia u¿ coltra rrl para 0 < u¡ < l0 V. En el caso en que
¿,¡ sea una senoide con amplitud pico de l0 V, dibuje y rotule con
3.37 Encuentre tos parámetros de un modelo lineal por piezas de claridad la onda de ?ro.
un diodo para el que a, :0,7 9 aío = I mAy ¿:2. El modelo
habní de encajar exactamerite a 1 mA y l0 mA. Calcule el enor 1.45 Resuelva los problemas del ejemplo 3.2 empleando el modelo
en milivolts al predeci up usando el modelo lineal por piezas a de diodo cori caída constante de voltaje (yD :
0.7 V).
tD : 0.5,5 y 14 rtA.
3.46 En el caso de los circuitos de la figura P3.2, empleando el
3.3E Usando una copia de la curva del diodo presentada en la modelo de diodo con caída constante de voltaje (y¿ = 0.7 v),
figura 3.12, aproxime la ca¡acteística del diodo usando una línea encuentre los voltaies y las corientes indicados.
rccta que coincida exactamente con la caracteística del diodo a
l,¡17 Para los circuitos most¡ados en la figura P3.3, encuent¡e los
l0 y 1 mA. ¿Cuál es la pendiente? ¿Cuál es el valor de rD? ¿Y
voltajes y las cordentes indicados usando el modelo de diodo de
eI de Vo62
caída de voltaje consla'nte (yD = 0.7 V').
3.39 En una copia de las características del diodo Fesentadas
3.48 En el caso de los circuitos de la ñgura P3,9, use el modelo
en la figura 3,12, dibuje u¡a recta de ca¡ga que coresponda a un
de diodo con calda de voltaje constante (yD = 0.7 V) y encuentre
circuito extemo integrado por una fuente de voltaje de 0.9 V y ufi
los valo¡es de las corrientes y voltajes rotulados,
rcsistor de 100 f¡. ¿Cu¡áles valo¡es de calda del diodo y corriente
de lazo es¡imala si usara: 3.49 Pa¡a los ci¡cuitos de la frgura P3.10, utilice el teorema de
Thévenin para simplinca¡ los circuitos y ercuenfe los valo¡es de
¿) las curvas ca¡acterísticas reales del diodo?
las cor¡ientes y los voltajes ¡otulados. Suponga que los diodos
ó) el modelo de dos segmentos que se muestra?
conductorcs pueden reprcsenta$e con el modelo de caída constante
1.40 Para los diodos caructerizados abajo, encuentre rD y yDo, de voltaje (YD :
0.7 V).
los elementos del modelo de bateía más rcsistor pa¡a los que la
D¡.50 Repira el problema 3.11, ¡epresent¿ndo al diodo con su
línea ¡ecta interseca la ca¡acterística exponercial del diodo a 0. I X
y 10X la corriente especificada del diodo.
:
modelo de caída de voltaje constante (yD 0.7 V). ¿Qué diferen-
cias hay con el diseño resultante?
a) VD:0.7V alD= lmAyz': I
3,51 Repita el problema del ejemplo 3.1 suponiendo que el diodo
b) V¡: [;l \l alr= lAya: I
c) VD:O.7ValD= lO pAy n: I tiene un área l0 veces mayor que el dispositivo con las curvas
características y el modelo lineal por piezas que se muestran en la
3/{1 El diodo cuya curva caFctedstica se muestra en la ñgula 3.15 figura 3.12. Represente el diodo con su modelo lineal por piezas
habrá de operarse a l0 mA. ¿Cuál seía una elección posible de (tt¡,:O.65+2i¡,).
voltaje adecuado para un modelo de calda de voltaje consta¡úe?
3.52 Se dice que el modelo a pequeña señal es válido para varia-
3.42 Un diodo opera en urt circuito en serie con R y y. Un di- ciones de voltaje de l0 mV aproximadamente, ¿A qué po¡centaje
señador, considerarido el uso de un modelo de voltaje constante, de cambio de corriente coÍesponde (tome en cuenta las señales
no está segwo si usar 0.7 o 0.6 V para Vr. ¿Cuál es el valor de V positivas y negativas) para
7

PRoBLEMAS $ ,rt

a) =12 del diodo está limitado a :l l07o de su co¡riente de dc? ¿Curiles

b) n: 2'! señales de salida corresponden?

Para cada caso, ¿cuál es la máxima señal de voltaje perrnisibte (po-

1.56 En el ci¡cuito atenuador acoplado con un condelsador
sitiva o negativa), si el cambio de co¡¡iente está limirado a l07o?
mosfado en la frgura Fti.56,1es una coÍiente de dc que varía de
1,53 En la aplicación de un ci¡cuito dete¡rninado, diez "diodos 0 a I mA,D, yD2 son diodos con¿: l, y C, y C2 son grandes
de 20 mA" (un diodo de 20 mAes el que proporciona una calda condensadorcs de acoplamiento. En el caso de pequeñas señales de
de 0.7 V cuando la co¡¡iente que lo recone es de 20 mA) conec- entmda, encueüt¡e los valores de la relación !,luipara I iglal a:
tados en paralelo operan a una cor¡iente tolal de 0.1 A. Para los
a) op[
diodos coincidentes, con r = 1, ¿cuál es la corriente que fluye en
b) rp[
cada uno? ¿Cuál es la rcsistencia a pequeña señal de cada diodo y
c) l0pA
de la combinación? Compare esto con la resistencia incremental
d) tw pA
de un solo diodo que conduce 0.1 A. Si cada uno de los diodos
e) 500 ¡A
de 20 mA tiene una resistencia en se¡ie de 0,2 f) asociado con el
alambre unido a la unión, ¿cuál es la resistencia equivalette de los
f) 6N pA
g) 900 pA
diez diodos conectados en paralelo? ¿Cuál resistencia de conexión
h) 99O ttA
necesitaría un solo diodo pa¡a ser totalmente equivalente? (N¿ta:
por esto la co[exión en paralelo de los diodos ¡eales suelen usarse
D lmA
con frecuencia de manera ventajosa.)

3.54 En el circuito que se muestra en la figura P3.54, 1 es una

coriente de dc y ?" es una señal senoidal. l,os condensadores C¡
y C2 son muy grandes; su función es acoplar la señal al diodo, y
desde éste, pero bloquear el paso de la cor¡iente de dc hacia la
fuente de señales o la carga (rc mostrada). Utilice el modelo a
pequeña señal del diodo paru demostrar que el componente de la
señal de voltaje de la salida es

nVr
" nvr + IR,
Si = 10 mV, encuenÍe ,, par¿I= 1 rnA,0.l mAy 1 pA. Sean
¿,"

-R" = I kO y ¿ : 2. ¿A qué valor de 1 rro se \'üelve la mitad de u,?

Tome nota de que este circuito ñ¡nciona como un atenuador de
señales en el que el factor de atenuación está controlado por el
valor de la corrie[te de dc, L
F!GURA P3.56
3.55 En el circuito atenuador de la ñgura P3.54, sea R, = 16 ¡¡¡.
El diodo es un dispositivo de I mA; es decir, exhibe una caída l0 pA, ¿cuál es la señal
Pa¡a la corriente en cada diodo superior a
de voltaje de 0.7 V a una coÍiente de dc de 1 mA y tiene ¿ = l. de entrada más grande con la cual la co¡riente c¡ítica del diodo
Para p€queñas señales de entrada, ¿cuál valor de la coÍiente 1 se pe¡manece dentro de 107o de su valor de dc?
necesita para que o"/a, :0-5O? ¿O.1O'l ¿0.01? ¿0.001? En cada
caso, ¿cuál es la señal de entrada más grande que puede usarse
*3.57 En el circui¡o mostrado en la f,gura P3.57, del diodo D¡ al
mientras se asegua que el componente de la señal de la co¡riente Da son idénticos. Cada uno tiene ¡? = 1 y es un "diodo de I mA"
(es deci¡, muestra una calda de voltaje de 0.7 V a üna coniente
de I mA.

a) Para pequeñas señales de entrada (por ejemplo, l0 mV pico),

encug¡rtre los valoÉs de la transmisión a pequeña señal rl,/z¡ para
varios valores de 1: 0 pA, I pA, l0 pA, 100 lA, 1 mA y l0 rDA.
ó) Para un diodo conductor con polarización direct¿, ¿cuál es la
magnitud máxima del voltaje de señal que puede soporta¡ mientras
la coriente de señal co¡respondiente está limitada a 107¿ de la
coÍiente de polarización de dc? Ahom bien, pa¡a el circuito de
la flgura P3.57, en el caso de rma entrada pico de l0 mV, ¿cuál es
el merior valor de 1 al cual las cor¡ientes del diodo permanecen
FIGURA P3.5¡I deltro de :! 10 de su valor de dc?
226 & CAPÍTULO3 DroDos

a) Utilice el modelo a pequeña señal del diodo para demostrar

que el cambio en voltaje de salida correspondiente a un cambio
delVenV+es
Avo nVt
-
LV+ v+ + nvr o.7

A esta cantidad se le conoce como ¡egulación de línea y suele

expresafse en mv/v.
á) Gene¡alice la expresión antedor para el caso de rrr diodos
conectados en serie y el valor de R ajustado para que el voltaje a
través de cada diodo sea de 0.7 V (y Vo = 0.7 n Y).
c) Calcule el valor de la regulación de línea para el caso en que
:
lr' l0V (nominales) y,
m = | y íí) n = [Link] n 2. :

FIGURA P3.'7

c) Para 1 : 1 mA, ¿cuál es la máima señal de salida posible a la

cual las cor¡ientes del diodo se desvían cuando mucho 107o de sus
valorcs de dc? ¿Cuál es su enhada pico correspondiente?
*3.58 En el circuito mostrado e¡ la figura P3.58, / es una co¡¡iente
de dc y z, es una señal senoidal co¡ amplitud pequeña (menos de
l0 mV) y una frecuencia de 100 kHz. Al representar el diodo con
su resistencia a pequeña señal rd, que es una función de /, gaflque
FIGURA P3.59
el circuito para determina¡ el voltaje de salida senoidal % y, de
esta manera, encuent¡e el desplazamiento de fase entre V, y V,.
*D3.60 Revise et circuito regulador de voltaje mostrado en la
Encuentre el valor de I que ptoporcionará un desplazamiento de
fase de -45o, y encuenfe el intervalo de desplazamiento de fase figura P3.59 dada la condición de que una corriente de carga 1¿ se
alcanzado a medida que l vada entre O.l y l0 veces este valor. ob¡iene de la terminal de salida.
Suponga que z = l. a) Si el valor de /. es lo suficienlemenle pequeño como pam que
el cambio correspondienfe en el voltaje de salida del regulador
AV¿ sea lo suficientemente pequeño como para justificar et uso
del modelo a pequeña señal del diodo, demuestre que

LV^
-; = -\,o ll R)

A esta caffidad se le conoce como regulación de carga y suele

expresarse en mV/mA.
á) Si se elige un valor de R tal que, ante la ausencia de carga, el
voltaje en las terminales del diodo sea 0.7 V y la corriente del diodo
sea lD, demuestre que la expresión obtenida efi ¿) se vuelve

LVo nvr f - o.l

FIGURA P3.58 IL Io 'y' - 0.7 +nv,

Seleccione el valo¡ mínimo posible para 1, que produzca una

*J.59 Revise el ci¡cuito ¡egulador de voltaje mostrado en la ñgura regulación de ca¡ga < 5 mV/mA. Suponga que ,:
2. Si y' es
P3.59. El valor de R se escoge de modo tal que permita obtene¡ un nominalmente l0 V, ¿qué valor de R se requiere? Además, espe-
voltaje de salida V¿ (a través del diodo) de 0.7 V. cifique el diodo reque¡ido.
 PROBLEMAS Q "'
c) Generalice la exp¡esión obrenida en b) para el caso de m diodos sE(oÓil 3.4: OPERAflóX EX rA RECtóil
conectados en sede y n ajustada paÉ obtener Vo : O.1mV sin D¡ nüPIURA lll nSl: lrl0DOS ZEIIER
carga.
3.61 Abajo se proporcionan especificaciores parciales de un
D3.61 Diseñe un regulador de voltqje de diodo para que alimenle conjulto de diodos Zene¡. Identifique los paránetros faltantes y
1.5 V a una carga de 150 f,}. Use dos diodos con especifcaciones estime su valoT. De la figura 3.21, observará qre V2¡7
de calda de 0.7 V a una co¡riente de l0 mA y ri : =Va.
1. Los diodos
+5 V a través
habr¡ín de corcctarse a una fuent9 de alimentación de a) Vz : lO.0 V, VzK: 9.6 V e 1r" : 56 ¿4
de un resistor R. Especifrque el valor de R. ¿Cuál es la corie¡te b) In: lOrnl\,Vz:9.1 Vyr, = IQQ
del diodo con la carga conectada? ¿Cuál es el aumento rcsultante c) \ = 2 A,Vz= 6.8Y y V2¡: 6.6!
en el voltaje de salida cuando la carga está desconectada? ¿Cuál O Vz= lBv,ln= 5mAyV:¿':17.2Y
cambio se produce si la resistencia de carga se reduce a l0O f,l? e) 17¡= 2ffimA,V, = 7.5 V y /, : 1.5 O
¿A 75 O? ¿A 50 O?
Suponiendo que la potencia nominal de un diodo de ruptwa está
*D1,62 Un regutador de voltaje que incluye dos diodos en serie establecida en casi el doble de la cordente del Zener especificada
alimentados con una fuente de co¡riente constante se utiliza como (17), ¿,cu'ál es la potencia nominal de cada uno de los diodos
reernplazo para una batería de carbón y zinc de 1.5 V de voltaje descritos antes?
nominal. La coriente de carga del rcgulado¡ va de 2 a 7 mA. Se
cuenta con fuentes de coneúte constante de 5, l0 y 15 mA. ¿Cuál D3,65 Un diseñador requierc un reguladü en paralelo de 20 Y
escogeía y por qué? ¿Qué cambio en voltaje de salida se obtendrfa agoximadamente, Cuenta con dos tipos de diodos Zene¡: dispositi-
cuando la coriente de ca¡ga varíe en toda su escala? Suponga que vos de 6.8 V con r" de 10 ll y de 5. I V con r, de 30 O. Para las dos
:
los diodos tienen ¿ 2. principales opciones posibles, encuentre laregulación de carga, En
.
este cálculo omi¡a el efecto de la rcsistencia ft del Fgulador.
*3.63 En la figura P3.63 se muestra un diseño particular de ün
regulador de voltaje. Los diodos D r y D2 son midades de l0 mA; es 3.6ó Un regulador en paralelo utiliza un Zener con rcsistencia
deci¡, cada uno tiene una caída de voltaje de 0.7 V a una cor¡iente inc¡emental de 5 f) y se alimenta mediante un resistor de 82 f). Si
de 10 mA. Cada uno tiene r¡ - l. la fuente de alimentación en bruto cambia 1 .3 Y ¿cuál es el cambio
cor¡espondiente ell el voltaje de salida ¡egulado?
a) ¿Cuál es el voltaje de salida V¿ del regulador con una carga
de 150 O conectada? 3.ó7 Un diodo Zener de 9.1 V exhibe su voltaje nominal a una co-
ó) Encüentre Yo sin carya. rriente de Fueba de 28 mA. Aesta coÍiente, la resistencia indemental
c) Con la carga conectada, ¿a qué valo¡ puede reducise la fuente se esperifica como 5 f,). Encuentre V,o del modelo Zener. Encuentue
de alimentación de 5 V mient¡as se mantiene el volt¿je de salida el voltaje Zene¡ a una coniente de 10 y de 100 rlA.
de carga dentro de 0. I V de su valor nominal?
d) ¿Cuát es el voltaje de salida cargado cuando la fuente de D3.68 Dseñe un circuito regulador ner de 7,5 V empleando un
alimentación de 5 V se eleva a la misma cantidad que la caída ner de 7.5 V especificado a 12 mA. El Zenq tiene una rcsistencia
encontrad¿ en c)? increnental r, :30 O y una corriente de ¡odilla de 0.5 mA, el re-
¿) Para el intervalo de cambios explorado en c) y d¡, gulado¡ opera a pafif de una fuente de alimeltación de 10 V y tiene
¿en qué
porcentaje cambia el voltaje de salida para cada porcentaje de una carga de 1.2 k!). ¿Cuál es el valor de R que ha elegido? ¡,Cuál es
cambio de voltaje de alimentación en el peo¡ de los casos? el voltaje de salida del regulador cuando la fuente de alimentación es
l0Eo m^ alt^? ¿lOEo más baja? ¿Curál es el voltaje de salida cuando
la ñ¡ente es 1070 más baja y se elimina la carga? ¿Cuál es el ¡esisror
+5V
de ca¡g¿ miás pequeño posible que puede usarse mient¡as el Zener
opera a una corriente no menor que la coÍiente de ¡odilla ¡nientras
la fuente es l07o más baja?

*D3.69 Proporcione dos diseños de ¡eguladores en pa¡alelo

utilizando el diodo Zend 1N5235, que tiene las siguientes esp€ci-
frcaciones: yz :6.8 V y t":
5 Aparulz= O.20 mAi alz: O.25
Dl mA (más cerca de la rodilla) r, : 750 0. Para ambos diseños, el
voltaje de alimentación es 9 V, nominalmente, y varía en al V.
D2 En el caso del primq diseño, suponga que la disponibitidad de la
co¡riente de alimentación no es un ¡noblema y, po¡ tanto, opere el
diodo a 20 mA. Pa¡a el segundo diseño, suponga que la corriefite
de la fue¡te de alimentación en bruto está limitada y, por ello, se
FIGURA P3.63 ve forzado a operar el diodo a 0.25 mA. En estos diseños iniciales
228 & cAPfTUto3 DroDos

suponga que no hay carga. Para cada diseño, e¡rcuente el valot de 3.73 Empleando la cancúedsaica exponencial del diodo, demues-
R y la regulación de línea. tre que, parar./s y uo mayores que cero, el circuito de la ñgura 3.254)

*D1.70 tiene la curva caracterísüca de nansfe¡encia

Un regulador en paralelo ner emplea un diodo Zener de
9.1 Vcon yz : 9.1 V It=9mA,conr,= 30 !i) e 1r* : 9.3 m4. : :
a
El volúaje disponible en la fuente de alimentación es de 15 V y vafa
a6 os - up (a íp I mA) - nVTln(tt6lR)
hasta t 107¿, Para este diodo, ¿cuál es el valor de yzo? En el caso donde ¡,,J y ?o estián en volts y R en k[¡,
de una resistencia nominal de carga R¿ de 1 k!) y una co-
rriente nominal Zener de 10 mA, ¿qué coriente debe circutar 3.7¡l Considere un ci¡cuito rectificador de media onda con entrada
en la resistencia R de alimentación? Para el valor nominal de onda triangular de 5 V de amplitud de pico a pico y promedio
de voltaje de la fuente de alimentación, seleccione un va- cerc, con R :
1 kf¡. Suponga que el diodo puede ¡eprese¡tarse
lor pa¡a el resistor R, especificado a un dígito significativo, con el modelo lheal por piezas con yDo = O.65 Y y ro = )g d¡.
para obtene¡ al menos esa co¡riente. ¿Cuál voltaje de salida Encuent¡e el valor promedio de ?o.
nominal se obtiene? Para un cambio de t107o en el volta-
je de la fuente,
1.75 En el caso de un circuito rectificador de media onda con R
va¡iación en voltaie de salid¿ obtiene? Si la
¡'.qué
cordente de carga se rcduce en 507¿, ¿cuál es el aurnento en yo?
= I kf) que utiliza un diodo cuya caída de voltaje es 0.7 V a una
corúente de 1 mA y que exhibe un cambio de 0. I V por década de
¿Cu¡íl es el mínimo valor de la ¡esistencia de carga que puede
variación de corient€, encuenÍe los valorcs del voltaje de entrada
tolera$e mientras se ma¡tiene la ¡egulación cüando el voltaje de
al rectificador correspondiente a ro = 0.1,0.5, 1,2,5 y 10 V. Gra-
la fuente de alime¡tación es bajo? ¿Cuál es el mínimo voltaje
nque l¿ caracteística de transfercncia del rectiñcador.
de salida posible? Calcule valores para la regulación de línea y
de carga para este circuito, empleando los resultados numé¡icos 1.76 Un circuito rectiñcador de media onda con una carga de I
obtenidos en este prcblema. . kf,) opera con una fuente de alimentaciór casera de 120 V (¡ms) y
*D3.71 60 tlz, mediante un tra¡sformador reductor de l0 a l. Utiliza un
Se debe diseñar un regulador Zener en paralelo para pro-
diodo de silicio que se puede modelar para tenel una caída de 0.7
po¡ciona¡ un voltaje ¡egulado de unos l0 V Se ha especiñcado que
V para cualquier coniente. ¿Cu¡ál es el voltaje pico de la salida
el Zener de 10 V y I W disponible, tipo I N4740, tiene una caída de
rectificada? ¿En qué f¡acción del ciclo conduce el diodo? ¿Cuál
10 V a una cor¡iente de pn¡eba de 25 mA. A esta co¡Tiente su ¡: es
es el voltaje de salida promedio? ¿Cuál es la coriente prcmedio
7 O. La fuente de alimentación en bruto disponible tie[e ult valor
en la carga?
nominal de 20 V pero puede variar hasla en a257o. Se necesita
que el regulado¡ propo¡cione una coriente de carya de 0 a 20 r¡A.
1.77 Un circuito rectificador de onda completa con una carga de
Diseñe para una coriente mínima dg Zener de 5 mA, I kO opera con una ñ.¡ente de alimentación casera de 120 V (rms)
a) Errcr.)e¡'tle Vn- y 60 Hz, mediante un fansfomador con relación de 5 a I y que
á) Calcule el valor necesario de.l?. trene un devanado secundario con derivación cent¡al, Utiliza dos
c) Encuentre la regulación de línea. yo diodos de silicio que se pueden modelar para tener una caída de
¿Cuál es el cambio en
expresado como porcentaje, corespondiente al canblo de !25Vo 0.7 V en todas las corrientes. ¿Cuál es el voltaje pico de la salida
en YJ? rectificada? ¿En qué ftacción de un ciclo conduce cada diodo?
d) Encuenhe la ¡egulación de carga. ¿En qué porcentaje cambia ¿Cuál es el voltaje de salida promedio? ¿Cuál es la corriente
Vp de la condición sin carga a la de carga completa?
promedio en la carga?
e) ¿Cuál es la coriente máxima que se requiere que conduzca el l.7E Un circüto rectificado¡ de onda completa en puente, con una
Zener de su diseño? ¿Cuál es la disipación de ¡rotencia del Zener
k0, opera con una fuente de alimentación casera de 120
carga de I
en est4 condición?
V (ms) y 60 Hz, mediante un transfomador reductor de l0 a I
que tiene un devanado secundario. Emplea cuat¡o diodos; cad¿ uno

sE(oóil 3,5¡ Cr RCU |IOS nE( ftCtD0nES de ellos se puede modelar pala que tenga una caída de 0.7 V para
cualquier corriente. ¿Cuál es el valor pico del voltaje rectifrcado
1.72 Revise el circuito rcctifica¿lor de media onda de la figura a través de la carga? ¿En qué fiacción de un ciclo conduce cada
3.254) con el diodo invertido. Sea ?s una senoide con amplitud diodo? ¿Cuál es el voltaje promedio a través de la carga? ¿Cuál
pico de 15 V y sea R :
1.5 kf,). Use el modelo de diodo de caída es la cordente promedio a través de la carga?
constante de voltaje co/]'VD = O.7 V.
D3.79 Se necesita diseñar un circuito rectificador de onda com-
a) Gra6que la caracteística de transferencia. pleta empleando el circuito de la ñgura 3.26 para proporcionar un
á) Trace la onda de zo. voltaje de salida promedio de:
c) Encuentre el valor promedio de a¿.
d) Encuentre la corriente pico en el diodo. a) 10V
¿) Bncuentre el PMel diodo. á) 100 v
a

PRoBLEMAS s "'

+
Dn
'"
120 V(rms)
60 Hz
+
s

FIGURA P3.82

En cada caso encuent¡e la relación necesa¡ia de rueltas del transfor- a) Especinque el voltaje rms que debe apa¡ecq a havés del
mador. Suponga que un diodo conductor tiene una caída de voltaje secundario del t¡ansfomador.
de 0.7 V El voltaje de la línea de ac es 120 V rms. ,) Encuentre el vald rcquerido para el condensador de filtro.
¿) Encuentre el máximo voltaje inverso que apa¡ece¡í a Íavés
D3.80 Repita el problem¿ 3.79 para el circuito rectificador en
del diodo y especiñque el PIV nominal del diodo.
puente de la [Link] 3.27.
d) Calcule la coniente promedio que atraviesa el diodo durante
D3.81 Revise el ¡ectificador de onda compteta de la ñgura 3.26 la conducción.
cuando la relación de vuelrái del tra¡sformador es tal que el voltaje e) Calcule la corriente pico del diodo.
a través de todo el devanado secund¿rio es Z V Ims. Si el voltaje tD3.8? Repita el problema 3.86 para el caso en que el diseñador
de enÍada de la línea de ac (120 V ¡ms) fluchía hasta en :t 1070,
opta por un ci¡cuito de onda completa que utilice un transformador
encuente el PIV requerido de los diodos. (Recuerde usa¡ un factor
con derivación central.
de seguridad en su diseño.)
*D3.88 Repita el problema 3.86 para el caso en el que el diseñador
*3.82 El circuito de la ngu¡a P3,82 instrumenta un rcatiñcador de
opta por un circuito rectificador de onda completa en puente.
salida complementaria" Grafique y roi¡le cla¡amente las orutas <b uj
y o¿ Suponga una caída de 0.7 V a través de cada diodo conductor. *3.89 Considere un ¡ectiñcado¡ de pico de media onda alimen-
Si la magninrd del promedio de cada salida habná de ser de 15 V, tado con un voltaje us de onda triangulat con amplitud de pico
encuentre la amplitud r€querida de la onda senoidal a través de todo a pico de 20 V, promedio cero y fiecuencia de 1 kHz, Suponga
el devanado secunda¡io. ¿Cu,ál es el PtV de cada diodo? que el diodo tiene una calda de 0.7 V cuando conduce. Sea
la rcsistencia de carga -R : 100 C) y el condensador de filÍo
1.83 Aumente el circuito recdncador del problema 3.76 con un :
C 100 /F. Encuent¡e el voltaje de salida promedio de dc, el
condensador escogido pala obtener un voltaje de pico a pico de
intervalo en que el diodo conduce, la corriente promedio del diodo
ilzo de i) lOTo y ii) 17a de la salida pico. En cada caso,
durante la conducción y la mráxima corriente del diodo.
¿) ¿Qué voltaje de salida promedio se obtiene? *D1.90 Imagine el ci¡cuito de la figura P3.82 con dos conden-
á) ¿En cu¡ál fracción del ciclo corduce el diodo?
sadores de frltro iguales conectados a favés de los resistorcs de
c) ¿Cuál es la corriente promedio del diodo?
carya R. Suponga que los diodos disponibles exhiben una caída
¿) ¿Cu{ál es la coriente pico del diodo?
de 0.7 V cuando conducen. Diseñe el circuito para que p¡opor-
1.8'l Repira el problema 3.83 para el rectificado¡ del problema cione un voltaje de salida de :¡15 V de dc con un rizo de pico a
3.77. pico no mayor de 1 V. Cada fuente de alimentación deb€ tener la
capacidad de proveer 200 mA de co¡riente de dc a su resistor de
1.85 Reprla el problema 3.83 para el rectificado¡ del p¡oblema carga R. Especifique por completo los condensadores, los diodos
3.78. y el transformador.
*Dl.Eó Se debe usar un rectificador de picos para diseñar una 1.91 El amp op del circuito rcctifrcador de precisión de la figura
fuente de alimentación de dc que proporcione un promedio de P3.91 es ideal con niveles de saturación de salida de :! 12 V. Su-
voltaje de salida de dc de 15 V en la cüal se pemit¿ un máximo ponga que cuando conduce, el diodo exhibe una caída de volt¿je
i
de 1 V de dzo. El rectificador alimenta una carga de 150 (l y es constante de 0.7 V. Enc¡,te¡ltte.', oo y l,Apara].
alirnenado con el voltaje de línea ( 120 V rms, 6O Hz) a tavés de un
transfomador. Los diodos disponibles tienen caída de 0.7 V cuando a) ot= 11Y
conduce¡. Si el diseñador opta por el circuito de media onda: b) ttt = ¡2Y
2so C cAPfTUr-o 3 DroDos

c) +2y
d) ut = -2Y
Además, encuenhe el voltaje de salida promedio obtenido cuando
v¡ es una onda cuadrada simétrica con frecuencia de 1 kHz, am-
plitud de 5 V y promedio de cero.
lko

+2V

1ko

1ko
FIGURA P3.97

3.92 El amp op del cicuito dg la ñgula P3.92 es ideal con niveles

I
de satuación de salida de 12 V l¡s diodos exhib€n una calda
constante de 0.7 V cuando conducen. BncuenÍe ú_, vAy úoparui
*2V
a) u, = ¡1Y
b) u¡: *,2Y c)
c) u, : -1Y
d) q: -2v lko

-2V
d)

atGUnA P3.93

t.95 Los circuitos de la flgu¡a P3.93¿) y d) están cone¡tados de

la siguiente manen: las dos termimles de eúada están cotrectadas
FIGURA P3.92 entre sí, al igual que las dos de salida. Grafique la ca¡acteística de
t¡ansferencia del circuito resultante, suponiendo qu€ el voltaje de
sE((lót{ 3.6: flncutros Lt trlD0nEs y FtraDoRIs co¡te de los diodos es 0.5 V y su caída de voltaje cuando conducen
por completo es de 0.7 V.
3.91 Grañque la curva caracterlstica de transferencia úo collfta úr
para los circuitos limitadorcs que se müestran en la figura P3.93. ¡.9ó Repik el problema 3.95 para tos dos circuitos de la figura
Todos los diodos empiezan a conducir a una calda de voltaje en P3.93a) y ó) conectados de la manera siguieúte: las dos temina-
dirección directa de 0,5 V y tienen caldas de voltaje de 0.7 V les de entrada están conectadas entre sl al igual que las dos de
cuando conducen completamente, salida.

1.94 Repita el problema 3.93 suponiendo que los diodos esl4n *1.97 Grafique y ronrle con cla¡idad la ca¡acteística de hans-
modelados con el procedimiento lineal por piezas con Vro= 0.65 ferencia del ci¡cuito de la figura P3.97 para -2OY ! r.t¡ 3 +2O Y.
Vyro=26¡1. Suponga que los diodos se pueden rcpreseritar medianl€ un modelo
 PRoBLEMAS $ "',t
lineal po¡ piezas con y¿0 : 0.65 V y r, = l¡ ¡¡. Suponiendo que *3.101 Vuelva a revisar el pmblema 3.100 con diodos modelados
el volt¿je especificado del ner (8.2 V) se mide a una coriente mediante una desviación de 0.5 V y un ¡esistor co¡sistente con una
de 10 mA y que r, : 20 f), represente el Zene¡ con un modelo condüccíón de 10 mA a 0.7 V. Grafique y cuantifique el voltaje de
lineal por piezas. salida para enhadas de a 10 V

*t.102 En el circuito mostrado en la figura P3.102, los diodos

lko exhiben una caída de 0.7 V a 0. I mA con una curva caracteística
de 0.1 V/década, En el caso de enfadas en el i¡tervalo de 15 Y
proporcione una gnáfica calibrada de los voltajes en las salidas B
y C. Para una senoide de 5 V pico, 100 Hz aplicada en A, grafique
las señales en los nodos B y C,

5ko

FIGURA P3.97

*3.98 Grafique la característica de üansferencia del circuito de

:
la ñgura P3.98 al evaluar ¿,¡ corespondiente a ae O,5, O.6, O.1,
0.8,0, -0.5, -0.6, -0.7'y -0.8 V Suponga que los diodos son FIGURA P3.102
unidades de I mA (es decir, tienen caídas de 0.7 V a cordentes
de 1 mA) y que tienen ca¡actelstica logaítmica de 0. 1 V/década.
**l.l0l Grafique y roh¡le la ca¡acterlstica de fansferencia del
Indique si el circuito es un limitador du¡o o suave. ¿Cuál es el
valor de K? Estime ¿* y ¿_. circuito mostrado en la figura P3. 103 sobre un intervalo de :i: 10 V
de señales de ent¡ad¿. Todos los diodos son unidades de 1 mA (es
decir, exhiben una caída de 0.7 V a rma corrieDte de I mA) con
:
r 1. ¿Cuáles son tas pendientes de la curva caracte¡ística e¡ el
extremo de los niveles de :i:10 V?

+lv
FIGURA P3.98

D3.99 Diseñe circuiros limitadores usando únicamente diodos y

kl¡ para proporcionar una señal de salida limit¿da
resistores de 10
al intervalo:

a) -O.7Vymás
á) -2.1 Vymás
c):!1.4V
Suponga que cada diodo üone una cald¿ de 0.7 V cuando con-
duce.

D3.100 Diseñe un circuito limitador de dos lados empleando un

resistor, dos diodos y dos fuentes de potencia pa¡a alimentár una
FTGUnA P3.103 -2V
carga de I k(l con niveles limitadores nominales de t3 V. Utilice
diodos modelados para una caída de voltaje constante de 0.7 V. En t.l0¡l A un condensador ñjo que utiliza un diodo ideal con un
la región no limirador4 la ganancia de voltaje del circuito debe cátodo a tierra se le prcpo¡ciona una onda senoidal de 10 V lms.
ser al menos de 0.95 V/V. ¿Cuál es el valor promedio (de dc) de la salida resultante?
232 3 cAPfruto3 DroDos

-l0v

c
',4F-1-', ",Ál----f",

b)
t_
*ü
I

==
c)
t-

-2V
e) 8)

FIGURA P3.T05

**1.105 De los ci¡cuitos de la figura P3.105, cada uno emplea 10 lfn de largo, 3 llÍi de ancho y 1 lan de espesor, hecha de varios
uno o va¡ios diodos ideales. Grañque la salida para la entrada materiales- El diseñador considera:
mostrada. Rotule los niveles m.ás positivo y m.ás negativo de salida.
Suponga que CR ?.) ¿) silicio intrínseco
á) silicio con impurezas tipo n con IV, = tQl6/sm3
c) silicio con impurezas tipo z con N, = lQ18¡¡¡3
sr(flóil r.7: oPrRACróil físr(a DE Dr0D0s d) silicio con impurezas tipo p con No : 10107gn3
e) aluminio con resistividad de 2.8pf,) . cm
N¿t¿: si al resolver los siguientes p¡oblemas surge la necesidad
de us¿r valores de parámetros o constantes fisicas deteminadas y Encuent¡e la resistencia en cada caso. Para el silicio intrí¡seco, uti-
que no se exp{esan, por favor co¡rsulte la tabla 3.1. Pa¡aelsiüciocon impurezas, suponga
üce losdatosde la tabla 3.2.
p,=25p0= I 200 cm2lV.s. (Recueñe que R = pLlA.,
3.10ó Encuentre los valores de la concent¡ación de pofadores
intrlnse{os para el silicio a0"C, 20'C, 100oC y l25oC. 3.108 Se inyectan huecos de manera constante en una región de
¿¡ -70'C,
A cada tempemtuÉ, ¿qué fiacción de los átomos está ionizada? silicio tipo ¿ (coneckda a oüos dispositivos; los detalles no son
Recuerde que un c¡ist¿l de siücio tiene aproximadamente 5 X importantes para esta pregunta). En el esrado estable, se establece
lo22 átomos/cm3. el perfrl de concentración de exceso de huecos most¡ado gn la fi-
gu¡a P3. 108 en la región de silicio tipo ¡¡. Aqul, "exceso" significa
3.107 Con el f,n de desarrollar intuición paú las rutas de conduc- po¡ aÍiba de la conceñació¡rp"o. Si ND :
1016/cm3, zr 1.5 ;¡ :
ción dentro de un circuito integ¡ado, un diseñador joven examina :
l0l0/cm3 y üz 5 lm, encuentre la densidad de la corienúe que
la resistencia de terminal a terminal de una barra de conexión de pasar.í en la dirección *.
a

PRoBLEMAs $ ,rt

Suponga que n, -
l0l0/cm3, Sin volta¡e extemo apücado, ¿cuál es
el ancho de la región de agotamiento, y hasta dónde se extiende en
las regiones p y ¿? Si el árca de corte transversal de la unión es de
100 pf, encuentre la magnitud de carya alrnacenada en cualquier
lado de la unión y calcule la capacitancia de la unión, C;.

1.115 Si en el caso de una unión en particular,la concentración

de aceptantes es 1016/cm3 y la de donantes, l0l5/cm3, encuent¡e
et voltaje inúegrado de la unión. Süponga que ¿, 10r0/cm3. Ade-
más, encüentre el ancho de la región de agotamiento (Iv,s,J y su
owx exúgnsión en cada una de las rcgiones p y ¿ cuando la unión tiene
FIGUNA P3.I08 polarización inve¡sa con yR :
5 V A este valor de polarización
inve¡sa, calcule la magnitud de la carya alnacenada a cada lado
de la unión. Suponga que el área de la unión es de 400 Fl.
3.109 Contraste las vetocidades de desplazamiento de electrones Tan¡bién calcule Cj.
y huecos a través de una capa de 10 ¡nn de silicio intrínseco a la
que se aplica un voltaje de 5 V Seap,: I 350cm2¡r'.s y/b - 3.116 Estime la carga total ahnacenada en una capa de agota-
480 cm"/V . s. miento de 0.1 pm en ün lado de una unión de l0 pm x 10 ¡rm.
La concentración de impurezas en ese lado de la unión es de
l.1t 0 Encuentre el flujo de cordente en una barr¿ de silicio de 1016/cm3,
l0 /m de longitud que tiene u¡ra sección transversal de 5 X 4lan
y densidades de electrones libres y huecos de 1057cm3 y 1015/cm3, 3.117 Combine las ecuaciones (3.51) y (3.52) para encoltrar 4.r
¡espectivariente, con 1 V aplicado de teminal a terminal. Utitice en términos de yx. Diferencie esta expresión para encontrar otla
p, = l2c[ cm2v . sy /o = 500 cm?V. s. para la capacitancia de la unión Cj. Demuestre que la expresión que
enconftó es la misma que la obtenida al combinar las ecuaciones
3.11I En una ba¡r¿ de silicio de l0 ¡m de largo con impuezas (3.s4) y (3.s2).
de donadores, ¿qué concenÍación del donador se necesita para
obtene¡ una densidad de coÍiente de I mA"/prn2 como respuesta 3.118 En el caso de una unión determinada con Cjo = 0.6 pF,
a un voltaje aplicado de M (Nota: aunque las movilidades de los V¡:t = O.75 Y y m : 1/3, ercuentre la capacitancia a voltajes de
pofadores cambian con la concentración de impurezas lvéase la polarización inversa de I y l0 V.
tabla asociada con el problema 3. I 131, como pdmera aproximación
puede suponer que pn habrá de ser consta¡te y ütilizar el valor para 3.119 Un diodo de ruptura de avalancha, cuyo voltaje de ruptu-
silicio intrínseco, I 350 cmLV . s.) V tiene una disipación de potencia nominal de 0,25 W.
ra es de 12
¿Cuál cordente de operación continua elevará la disipación a la
3.112 En una capa de silicio contaminada con fósforo y concen- mitad del valor máximo? Si sólo ocur¡e ruptura en l0 de cada
tración de impurezas de l0l6/crn3, encuenÍe la co¡rcentración de 20 ms, ¿qué promedio de corriente de ruptu¡a se pelnite?
huecos y electrones a 25"C y l25oC.
3.120 En una uniónpz con polarización directa, demuestre que
3.113 La movilidad y la difusividad de los portadores disminuye la relación ent¡e el componente de corTiente debido a la inyección
a medida que aumenta la concentación de impurezas en el silicio. de huecos a tavés de la unión y el debido a la inyección de elec-
En la siguiente tabla se proporcionan algunos puntos de datos para t¡ones está dada por
l!,y /J?frefiE ala coicentraciór de impuezas. Emplee la relación
de Einsteil pa¡a obtener el valor corespondiente & D, y D, I! _DPL^NA
I D^ LP ND

Evahle esta relación para el caso NA = 1018/cm3, N, = 161676¡¡3,

Intrlnseco 1350 480 Lp= 5 pm, L¡= lo pm, Dr= lo cmzls, ¡t^=20 cm2ls y, por tanto,
1016 1100 400 encuentre Ie e 1, para el caso en que el diodo conduce una coriente
1017 '100 260 en diección directa 1= I mA.
1018 360 150
3.121 En un diodo r p+ la concentración de impuezas en la región
p es mucho mayor que en ¡?. En este tipo de diodo, la co¡riente en
3.1f4 Calcule el voltaje integrado de una unión eri la cual las dirección directa se debe principalmente a la inyección de huecos
regionesp y ri estiín contaminadas por iguat con 1016 átomos/cm3. a tavés de la unión. Demuestre que
234 3 cAPfTULo3 DroDos

_ tt r = As"?lw:L",)N,*
r = to = Asn?
&(",ru, 1*fuf<J"'-tt
Pa¡a el caso especlfico en que N¿ =5X Dp : 10
1016/cm3,
cm2ls, ro = 0.1 ps y A = 10a l¡n2, encuentre 4y el voltaje yque
se obtiene cuando I = 0.2 mA. Suponga la ope¡ación a 300 K
o,=tY"#,,
donde n¡ = 1.5 x 10l0/c#. Además, calcule el exceso de carga t
de portadorcs minoritarios y el valor de la capacitancia de diñ¡sión =i4', w'¿,
paraw,> r,
a1=0.2m4.
c) Además, suporiiendo q : O¿,1 = Ip, demuestle que
'*1.122 En un diodo de base corta, el ancho de las regiones p
y r es mucho meno¡ que el de ¿, y ¿¿, ¡espectivamenúg. Como
r€sultado, la dishibución del exceso de po¡tadores minorita¡ios
c, = 9u¡
en cada fegión es una rccfa en lugar de las curvas ex¡ronenciales
most¡adas en la ñgura 3.50,

¿) Pam el diodo de base cona, dibuje una 6gura que corresponda twl
,r=r4
¿ la 3.50, y süponga, como en esa figura, que N¡ ) N¿.
á) Siguiendo un proceso similar al dado en las páginas 205 y 206,
demuesÍe que si el ancho de las ¡egiones p y ,r se denota con Wp d) Si un diseñador desea limitar Cd a 8 pF a 1 : I mA, ¿cuál serla
y W,, eütonces lYo? Suponga D, = 10 cm2ls.