UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE

Cdla. Universitaria (Predios Huachi) / Casilla 334 / Telefax: 03-2851894 – 2411537, Correo Electrónico: [Link]@[Link]
AMBATO-ECUADOR

FORMATO DE TRABAJO FINAL

I. PORTADA
UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO
Facultad de Ingeniería en Sistemas, Electrónica e Industrial
“Proyecto Académico de Fin de Semestre: Abril - septiembre 2021”
Título: Nombre del proyecto o trabajo
Carrera: …………………………..
Unidad de Organización Curricular: Profesional
Línea de Investigación: Nanotecnología
Nivel y Paralelo: …………………………..
Alumnos participantes: Apellidos y nombres (orden alfabético)
Apellidos y nombres (orden alfabético)
…………………………..
Módulo y Docente: Nombre del Módulo Ing. Apellido y Nombre

II. 1. PP
INFORME DEL PROYECTO
2. YY

2.1 Título

“MEMORIAS”

2.2 Objetivos
Objetivo General
 Conocer las características generales de los diferentes tipos de memoria que aparecen en un
computador digital y analizar la necesidad de su organización jerárquica.

Objetivos específicos
 Comprender y utilizar en forma correcta la terminología asociada con los sistemas de memoria.
 Explicar que es una memoria RAM y ROM.
 Estudiar las diferentes formas de configuración interna de la memoria principal de un
computador.
 Hablar sobre la diferencia entre memoria volátil y no volátil.

2.3 Resumen

En este documento se hablará de los tipos de memorias que podemos encontrar en un PC, podremos
ver que hay memorias temporales donde estas tienen gran importancia para que los procesos se
realicen de una manera más eficiente, de solo lectura donde se encuentran las instrucciones de la
maquina y se compone por el BIOS y el setup que son esenciales para el funcionamiento del PC y las
memorias para almacenar datos.
Una unidad de memoria es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con los circuitos asociados
que se necesitan para ingresar y sacar la información de almacenamiento. La memoria almacena
información binaria en grupos de bits que se denominan palabras. Una palabra en la memoria es una
entidad de bits que se introducen o se sacan del almacenamiento como una unidad. Una palabra de
memoria es un grupo de números 1 y 0 que puede representar un número, un código de instrucción,
uno o más caracteres alfanuméricos o cualquier otra información en código binario. La mayor parte de
las memorias de las computadoras utilizan palabras cuyo número de bits es un múltiplo de 8, por lo
tanto, una palabra de 16 bits contiene dos bytes, y una palabra de 32 bits está formada de cuatro bytes.

2.4 Palabras clave: (Memorias, Byte, Lectura, Escritura, Integrados)

2.5 Introducción
Una unidad de memoria es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con los circuitos asociados
que se necesitan para ingresar y sacar la información de almacenamiento. La memoria almacena
información binaria en grupos de bits que se denominan palabras. Una palabra en la memoria es una
entidad de bits que se introducen o se sacan del almacenamiento como una unidad. Una palabra de
memoria es un grupo de números 1 y 0 que puede representar un número, un código de instrucción,
uno o más caracteres alfanuméricos o cualquier otra información en código binario. La mayor parte de
las memorias de las computadoras utilizan palabras cuyo número de bits es un múltiplo de 8, por lo
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tanto, una palabra de 16 bits contiene dos bytes, y una palabra de 32 bits está formada de cuatro bytes.
La capacidad de las memorias en las computadoras comerciales por lo general se define como la
cantidad total de bytes que pueden almacenarse. La estructura interna de una unidad de memoria está
especificada por el número de palabras que contiene y la cantidad de bits en cada palabra. Unas líneas
especiales de entrada, llamadas líneas de direccionamiento, seleccionan una palabra particular. A cada
palabra en la memoria se le asigna un número de identificación, llamado una dirección, que comienza
en cero y continua con 1, 2, 3, hasta 2k -1 donde k es la cantidad de líneas de dirección. Se selecciona
una palabra específica en a la memoria, al aplicar la dirección binaria de k bits a las líneas de dirección.
Se utilizan dos tipos principales de memoria en los sistemas de computadoras: memoria de acceso
aleatorio RAM (random-acces memory), y memorias de sólo lectura ROM (read-only memory)

2.6 Materiales y Metodología

Materiales
 Software Word
 Internet
 Software Proteus
 Protoboard Virtual

Metodología

Memorias

En los sistemas digitales, no combinacionales, de proceso debe existir una unidad de memoria en la que se
almacenen los datos, los resultados parciales y los resultados finales del proceso. Cuando el sistema digital de
proceso es programable, además, han de memorizarse las instrucciones del programa.
El esquema del dispositivo de memoria que vamos a utilizar es el siguiente:

Donde el significado de cada línea es el siguiente:

Entrada/Salida de datos. Podemos disponer de líneas de datos de entrada y salida de forma separada,
como en el dibujo, o una única línea para ambas acciones.
Las operaciones básicas para realizar por una memoria son:
 Escritura o almacenamiento. Consiste en grabar la información en la posición deseada.
 Lectura. Consiste en suministrar al exterior, la información previamente escrita en una posición.
 Dirección. Toda memoria está dividida en “porciones”, de forma que el acceso a la memoria, bien
para escritura o bien para lectura, se realiza sobre una determinada de esas Para que un elemento
pueda ser utilizado como dispositivo de memoria, debe cumplir los cuatro requisitos siguientes:
 Debe existir un medio o soporte donde se almacenen estados de energía diferentes
(generalmente se diferencian sólo dos estados, los necesarios para la información binaria).
 Debe existir un transductor de escritura, que genere la energía necesaria para poner el soporte
en el estado deseado.
 Debe existir un transductor de lectura, que permita excitar el soporte para detectar el estado en
que está.
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Finalmente debe existir un mecanismo de direccionamiento, que permita seleccionar la información concreta
que La mayoría de las memorias emplean el almacenamiento binario. Esto significa que la información
más elemental registrada es el bit, a cuyo soporte físico llamaremos punto de memoria.

El punto de memoria puede definirse perfectamente, así como individualizarse claramente y constará de:
dispositivo de almacenamiento, dispositivo de lectura y dispositivo de escritura. Puede ser una zona de una
superficie continua como ocurre en una cinta magnética.

Características De Las Memorias

Volatilidad. Se dice que una memoria es volátil si la información almacenada desaparece si se corta la
alimentación eléctrica. Las memorias semiconductoras son volátiles.

Tiempo de acceso. Es el tiempo que transcurre entre el instante en que se ordena una operación de
lectura y el instante en que se dispone de la primera información.

Pensando en que la escritura o lectura es algo de lo que se sirve un dispositivo como el microprocesador,
se define lo que se llama tiempo de ciclo. Se trata del tiempo que debe transcurrir entre dos operaciones de
lectura o escritura consecutivas. Ello es debido a que los procesos de escritura/lectura, no requieren en sus
fases terminales la atención completa del microprocesador, pudiendo comenzar a realizar otras operaciones
mientras tanto.

Modo de direccionamiento (o de selección del punto de memoria).

Acceso aleatorio: si el tiempo de acceso no depende de la ubicación de los datos en la memoria.

Acceso secuencial: si el tiempo de acceso depende de la localización del elemento de memoria

a utilizar.

Capacidad. Se denomina capacidad de una memoria a la cantidad de información que puede almacenar.
Dado que la información se almacena en el sistema binario, la capacidad se mide en la unidad de medida
de la información binaria, que es el bit. La capacidad, por tanto, se puede considerar como el número total
de bits.

En la práctica, la información se almacena en grupos de bits denominadas palabras o posiciones formales

constituidas por un determinado número de bits accesibles simultáneamente, y por lo tanto, el número de
palabras de una memoria viene dado por el cociente (número de bits totales / bits por palabra). En
consecuencia, la capacidad de una memoria se puede expresar indicando el número de palabras que puede
almacenar.

Por cuestiones históricas la unidad de medida de capacidad de la memoria en la práctica suele ser el
Byte=8bits.

Dada la gran capacidad de las memorias actuales, para expresar su capacidad se usan los siguientes
múltiplos de cualquiera de las unidades anteriores:

 K = 210 = 1024 unidades

 Mega = M = 210 K = 210 · 210 unidades
 Giga = G = 210 M = 210 · 210 · 210 unidades
 Tera = T = 210 G = 210 · 210 · 210 · 210 unidades

Caudal. Es el número máximo de informaciones leídas o escritas por unidad de tiempo. El caudal se
expresa generalmente en K-informaciones o mega-informaciones por segundo. Por ejemplo, se habla de un
caudal de megabytes por segundo.
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CLASIFICACIÓN DE LAS MEMORIAS

Se pueden establecer distintas clasificaciones, atendiendo a distintos criterios. Algunas de éstas son las
siguientes.

Según el tiempo de permanencia

Se refiere al tiempo que permanece la información graba en la memoria:

 No volátil o duradera. Una vez escrito un punto de memoria, su información no se borra hasta que
se vuelva a escribir sobre él. Por ejemplo, los medios magnéticos.
 Volátil. La información desaparece si se deja de suministrar energía a la memoria. Por ejemplo, las
memorias de semiconductores.
 Con refresco. Aunque la memoria esté alimentada, su información se va degradando
paulatinamente, llegando un momento en que no se puede leer correctamente. Para que este tipo
de memorias sean útiles deben refrescarse periódicamente, esto es, deben reactivarse para
regenerar los estados de sus puntos de memoria. Por ejemplo, un condensador que se descarga
por las corrientes de fuga, o las memorias RAM dinámicas.
 Permanente o de sólo lectura (memorias muertas o pasivas). Son aquellas que
contienen siempre la misma información y no pueden borrarse. La información puede grabarse en el
proceso de fabricación o posteriormente, en un proceso de grabación destructivo o permanente. Por
ejemplo, las memorias ROM de semiconductores.

Según la forma de acceso

 Acceso aleatorio (RAM). El tiempo de escritura/lectura es independiente de la localización de la

información dentro de la memoria.
 Dentro de este tipo de memorias podemos hacer la siguiente clasificación, basándonos en la
permanencia de la información en ellas:
1. Memorias activas. Los tiempos de escritura/lectura (R/W) son del mismo orden. Según como se
realice la operación de lectura/escritura tenemos:
a) Lectura/escritura no simultánea. En estas memorias sólo se puede seleccionar una
posición de memoria simultáneamente y realizar en ella la operación de lectura o escritura.
b) Lectura/escritura simultánea. Se pueden realizar ambas operaciones a la vez, pero
sobre posiciones de memoria distintas.
c) Acceso múltiple. Permiten realizar ambas operaciones simultáneamente y sobre
múltiples posiciones de memoria.
2. Memorias pasivas. En éstas los tiempos de escritura y lectura difieren considerablemente,
siendo generalmente mucho mayor el de escritura. Los tipos más importantes son:
a) Totalmente pasivas (ROM). La escritura se realiza en el momento de la fabricación,
siendo imposible escribir sobre ellas después (tiempo de escritura infinito).
b) Pasivas programables (PROM). El proceso de escritura sólo puede realizarse a través de
aparatos especiales y es mucho mayor que el de lectura. Una vez almacenada la
información, basta con lanzar un impulso eléctrico para que la información quede grabada
para siempre.
c) Pasivas reprogramables (RPROM). Son iguales que las PROM, salvo que el método de
escritura se puede usar para borrar y volver a escribir. El número de veces que se puede
realizar esta operación no es ilimitado.
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Acceso serie o secuencial. El tiempo de escritura/lectura depende de la localización del lugar de la

memoria donde queremos realizar esas operaciones. Un ejemplo de éstas son las cintas.

Según la mínima información accesible.

 De bit. Por ejemplo, un registro.
 De palabra. Por ejemplo, las memorias de semiconductores.
 De bloque. En este caso, para leer un dato contenido en un bloque, primero hemos de leer el
bloque completo (crear una copia en una zona de memoria), y luego una búsqueda serie del dato
dentro del bloque.
JERARQUÍA DE LAS MEMORIAS
En una máquina lo ideal sería disponer de una memoria central muy rápida y de gran capacidad. Esta solución
resulta demasiado costosa y en cualquier caso irrealizable técnicamente ya que la capacidad de
direccionamiento del microprocesador es limitada.
Los parámetros que caracterizan a las diferentes tecnologías para la fabricación de memorias son:

 El coste por bit.

 El tiempo que se emplea en acceder a la información.
 La capacidad de almacenamiento.
La memoria se suele estructurar en varios niveles debido al compromiso coste-capacidad- velocidad
(velocidades altas significan costes también altos, y de igual forma, grandes capacidades suponen aumento del
coste). Existirá un nivel rápido de pequeña capacidad, y niveles sucesivos de menor velocidad, pero mayor
capacidad. La información se ubicará en uno de los niveles, de acuerdo con su probabilidad de uso. Así un
programa poco empleado o unos datos de archivo estarán almacenados en un nivel inferior más lento y de
mayor capacidad. Si en un momento determinado se necesita esta información, se transfiere al nivel superior
más rápido para ser utilizada.

Por ello se ha llegado a establecer una jerarquía de las memorias, fundamentalmente en dos niveles:

Una memoria central relativamente rápida, pero de capacidad muy limitada.

 Una memoria auxiliar de mucha mayor capacidad, pero con un tiempo de acceso considerable.
Sin embargo, dentro de un computador pueden aparecer más niveles. Los que suelen existir son:
 Registros: Son de acceso aleatorio y muy pequeña capacidad y tiempo de acceso. Lo
constituyen los registros internos del microprocesador. Son volátiles y de semiconductores.

 Memorias caché: Las características son idénticas a las de los registros, aumentando un poco su
capacidad y tiempo de acceso. Se sitúan, en general, fuera del microprocesador. Se usan, como
veremos, para acelerar los accesos a la memoria principal.

 Memoria central: Son de semiconductores y acceso aleatorio. Su función, como veremos, es la

de almacenar las instrucciones y datos a los que accede la CPU.
 Memorias secundarias o masivas de tipo bloque: Son memorias de mucha más capacidad que
la central, pero también de tiempo de acceso mayor. Son de acceso directo o aleatorio y no volátiles.
La mínima información accesible es un bloque de información llamado sector o segmento (cluster).
Son los discos magnéticos. Otra característica de estas memorias es su gran caudal de información.

 Memorias secundarias o masivas tipo fichero: La mínima información accesible es el fichero. Son
las cintas magnéticas. Se caracterizan por su acceso secuencial, que implica tiempos de acceso
elevados, incluso de hasta varios minutos, pero de una gran capacidad, mayor que las anteriores.
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Cada vez que se quiere leer un dato, se carga previamente todo el fichero en memoria y, a
continuación, se aísla el dato.

MEMORIAS ESPECIALIZADAS
Dentro de esta categoría incluimos las memorias que, por la peculiaridad de su funcionamiento, están
abocadas a aplicaciones especiales.
Se distinguen tres tipos de memorias especializadas: las colas de espera y pilas, las memorias muertas y las
memorias asociativas.
Colas de espera y pilas

Las pilas y las colas de espera son dos conceptos que designan organizaciones particulares de datos en la
memoria central del ordenador, en las que el orden de utilización de las informaciones depende del orden en
que han sido introducidas y por lo tanto son de acceso secuencial.
La cola de espera funciona según el principio "primero en llegar, primero en salir". Al escribir información, el
nuevo dato se añade a continuación del último dato escrito. Al leer información, ésta se realiza en el orden
en que fueron almacenados los datos, es decir, si se quiere acceder a un determinado dato, primero hay que
leer todos las que la precedieron en el orden de llegada. Es lo que se conoce con las siglas inglesas "FIFO"
(First Input First Output).
El funcionamiento de la pila es mediante el esquema "último en llegar, primero en salir". Al escribir
información, el nuevo dato se añade, como antes, a continuación del último dato escrito. Al leer información,
ésta se realiza en el orden inverso en que fueron almacenados los datos, es decir, para leer una
determinada información, primero hay que leer todas las informaciones que llegaron después. Es lo que se
conoce con las siglas "LIFO" (Last Input First Output).
Memorias asociativas (CAM)
La característica diferenciadora de este tipo de memorias es que los procesos de escritura/lectura no se
realizan por especificación de una dirección concreta.
En la operación de lectura no se indica la dirección de memoria donde ha de localizarse la información
que queremos obtener, sino que se suministra una información llamada descriptor a la memoria para
observar si esta lo contiene en alguna posición. Concretamente existen dos métodos:
a) La información almacenada en una posición se divide en dos campos. El primero es el de
comparación o campo clave. El segundo es el de la información en sí. Por tanto para llegar a un
dato se especifica, en el descriptor, el contenido del campo clave asociado. Se recorren todos los
campos hasta dar con el que coincida con el descriptor. Determinada la posición, se procede a leer
la información que almacena.
b) La información de una posición sólo consta de un campo. Esta se compara con el descriptor. Ahora
la memoria da como respuesta un bit cuyo estado indica si existe alguna información en la memoria
que coincida con el descriptor.
Así pues, no se realiza una lectura propiamente dicha, sino que lo que se hace es verificar si la información
está en la memoria o no.
La estructura asociativa de una unidad de memoria es adecuada para el almacenamiento de ciertos tipos de
organizaciones de datos. Por ejemplo, una tabla de clientes con su dirección como dato asociado se debe
organizar en forma asociativa para que al preguntar a la memoria el nombre de un cliente, ésta de a la salida
su dirección.
Desde el punto de vista de la operación de escritura, se puede realizar de dos formas:
a) Aleatoriamente, es decir, se direcciona a una posición libre cualquiera, y en ella se deposita la
información externa.
b) Con lectura previa, consiste en realizar previamente a la escritura, una lectura para saber si existe
alguna posición de memoria que contenga una información idéntica a la que queremos almacenar.
Si existía, se reemplaza la información asociada al campo de comparación por la presente en la entrada
(equivale a una puesta al día). Si no existía, se introduce toda la información de entrada en la primera
posición vacía de la memoria.
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Ejercicios
Cierto Chip de la memoria semiconductora se especifica como 2K X 8 ¿Cuántas palabras pueden
almacenar en este chip? ¿Cuál es el tamaño de palabra? ¿Cuántos bits en total pueden almacenar este
chip?

¿Qué memoria almacena más bits: ¿Una de 5M X 8 o una q almacena 1M palabras con un tamaño de
palabra de 16 bits?

2.7 Resultados
y Discusión

2.8 Conclusiones

2.9 Referencias bibliográficas

V. Rossano, Proteus VSM Simulacion de Circuitos Electrónicos, Buenos Aires: RedUSERS, 2013.

E. G. Breijo, Compilador C CCS y simulador Proteus para microcontroladores PIC, Madrid:

Marcombo, 2009.

M. Bárbaro, "Generador de Patrones de Video NTSC sobre FPGA", ResearchGate, 2020.

[Online]. Available:
[Link]
so bre_FPGA. [Accessed: 16- Oct- 2020].

2.10. Fotografías y gráficos