UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO
FACULTAD DE INGENIERÍA
Dispositivos Electrónicos
8
Práctica #_____
_______________Transistor de efecto de campo_________________
____________________MOS (MOSFET) ______________________
Martínez
Elaborada por: ______________ Rojas
_____________ José Eduardo
___________
Apellido paterno Apellido materno Nombre(s)
Grupo: 10
Semestre: 2020-1
Fecha de entrega: Enero
6__ de _______________ de 2020
Laboratorio
Conceptos Dispositivos
Básicos Electrónicos
y Manejo de equipo
MOSFET electronicos
Laboratorio Dispositvos
Calificación obtenida: ___________
INDICE
Objetivo .......................................................................................................................................................................... 3
Introducción .................................................................................................................................................................... 3
Marco teorico .................................................................................................................................................................. 4
Desarrollo-Investigación .................................................................................................................................................. 6
Conclusiones ................................................................................................................................................................. 11
Referencias.................................................................................................................................................................... 11
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Laboratorio
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y Manejo de equipo
MOSFET electronicos
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Objetivo
Caracterizar un MOSFET, para identificar cada una de sus regiones de operación.
Introducción
En los transistores bipolares, una pequeña corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeño voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico
amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la señal proviene de un dispositivo tal, los cuales
proporcionan corrientes insignificantes.
Los FETS, básicamente son de dos tipos:
El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada, también conocido como
semiconductor de óxido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
El JFET está constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o
anillo de silicio tipo P.
Los terminales del canal N son denominados “FUENTE” (SOURCE) y “DRENAJE” (DRAIN).
El anillo forma el tercer terminal del JFET llamado “COMPUERTA” (GATE).
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula
únicamente desde la fuente al Drenaje sin cruzar la juntura PN.
El control de esta corriente se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización
inverso, aplicado entre la compuerta y la fuente (VGS), formando un campo eléctrico el cual
limita el paso de la corriente a través del canal N. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la
compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de la fuente al Drenaje disminuye.
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MOSFET electronicos
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Marco teorico
¿Qué es un Transistor de Efecto de Campo?
es un dispositivo de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones
que coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes al transistor BJT. Aunque existen
diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos, también hay muchas
semejanzas que se indicarán en las secciones que siguen.
Clasificación sobe los tipos de FET’s existen
La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En
elladistinguimos tres regiones o zonas importantes:
-Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS.
-Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica
y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre
Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
-Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común (SC),
Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor común que es
la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la amplificación de
señales débiles.
La diferencia entre los BJT y los JFET es el parámetro de activación por llamarlo de alguna
manera, los BJT se activan o desactivan con un corriente en su base y los JFET se activan
con una diferencia de potencial entre el GATE y el SOURCE.
Algunos conceptos importantes
Corriente de saturación de drain-source (IDSS)
La corriente de saturación, es aquella parte de la corriente inversa en un diodo
semiconductor, causado por la difusión de la minoría de los portadores de regiones neutrales
para el agotamiento de la región.
Voltaje de corte o apagado o estrangulamiento (VGS(off) o VP)
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logra tener una corriente drain source constante tal que el FET entra en saturación (se
comporta como un cable y permite pasar toda la corriente que admite) y esa condición está
definida, únicamente cuando el voltaje de compuerta es cero.
Voltaje de ruptura de gate-source (BVGSS)
es la mínima tensión necesaria en polarización inversa para hacer que el diodo conduzca en
sentido inverso.
Voltaje de umbral (VT o VGS(th))
Es el valor de tensión en polarización directa a partir del cual un diodo conduce.
Transconductancia de transferencia source (gm o gfs)
es la característica eléctrica que relaciona la corriente de salida de un dispositivo con la
tensión en la entrada del mismo. La conductancia es el recíproco de la resistencia.
Resistencia drain-source de encendido (rDS(on))
Es uno de los parámetros más importante en un MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el
dispositivo. Para un dispositivo particular, crece con la temperatura y decrece con la tensión
de puerta, teniendo este decrecimiento tiene un límite.
1. Curvas Características del MOSFET canal n de ENRIQUECIMIENTO:
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a) ID vs VGS (Característica de Transferencia)
Desarrollo-Investigación
Circuitos
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Simulación
Como no se encontró el 2N5459 JFET escogimos el 2N5452
Utilizando valores VDS. 4-14V y VGS de -2 a 4V
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Aunque se puede notar un poco mejor de VDS 4-14V y VGS de 1 a 5V
Ahora utilizanod el metódo tradicional encontramos que
VGS=1
ID VDD
4.35x10-3 4V
5.92x10-3 6V
6.04x10-3 8V
6.07x10-3 10 V
6.10x10-3 12 V
6.13x10-3 14V
6.14x10-3 15V
VGS=2
ID VDD
3.37x10-3 4V
5.37x10-3 6V
6.21x10-3 8V
6.24x10-3 10 V
6.27x10-3 12 V
6.30x10-3 14V
6.32x10-3 15V
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VGS=3
ID VDD
2.25x10 -3
4V
4.46x10-3 6V
6.11x10-3 8V
6.30x10-3 10 V
6.33x10-3 12 V
6.36x10-3 14V
6.37x10-3 15V
VGS=4
ID VDD
1.02x10-3 4V
3.41x10-3 6V
5.43x10-3 8V
6.32x10-3 10 V
6.35x10-3 12 V
6.39x10-3 14V
6.40x10-3 15V
Curvas caractrísticas del 2N5452
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
4 6 8 10 12 14 16
VGS=4 VGS=3 VGS=2 VGS=1
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Algunas simulaciones de las corrientes tomadas
Aunque las gráficas nos aparecen muy pegadas debido al JFET, tomamos otro JFET comprobando
donde podemos ver que si se muestran mejores gráficas como para el 2N3370
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Conclusiones
En resumidas cuentas se pudo entender y analizarlas curvas de un JFET que son muy
parecidas a las que vimos en los transistores bipolares. Solamente que aquí vamos a ir
modificando el voltaje de lo que es la fuente del drenaje para obtener la corriente del mismo
drenaje. También en las gráficas se puede aprecias la región de saturación, la región de corte
y la región ohmica. Finalmente fue una buena práctica como introducción a los que son los
transistores de efecto de campo.
Referencias
BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS, Electrónica: teoría de circuitos y.
dispositivos electrónicos, [Link], Ed. PEARSON EDUCACIÓN, México, 2003
Donald L. Schilling, Carles Belove(1991). Circuitos Electrónicos: Discretos e Integrados
Publicaciones Alfaomega Marcombo, S.A. Segunda edición
[Link].(2007).Principios Circuitos electricos. PRENTICE HALL/PEARSON Octava
edición
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