TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO
(Field effect transistor, FET)
INTRODUCCIÓN:
qSon dispositivos de estado sólido
qTienen tres o cuatro terminales
qEs el campo eléctrico el que controla el flujo de cargas
qEl flujo de portadores es de un único tipo ( o electrones ó huecos)
qPueden funcionar en diferentes regiones de polarización
qSegún en que región de polarización se encuentren, funcionan como:
qResistencias controladas por tensión
qAmplificadores de corriente ó tensión
qFuentes de corriente
qInterruptores lógicos y de potencia
1
qHay de bastantes tipos, pero los mas importantes son los:
MOSFET (Metal-óxido semiconductor)
qNormalmente tienen tres terminales denominados:
qDrenador
qPuerta
qFuente ó surtidor
qSon dispositivos gobernados por tensión
q La corriente de puerta es prácticamente nula (func. Normal)
qUtilizan un solo tipo de portadores de carga,
(Por eso se llaman también unipolares):
qElectrones si son de canal N
qHuecos si son de canal P
COMPARACIÓN ENTRE FETs y BJTs
ØLos FETs necesitan menos área del chip, y menos
pasos de fabr.
ØLos BJts pueden generar corrientes de salida mas
elevadas
para conmutación rápida con cargas capacitivas.
ØLos FETs tiene una impedancia de entrada muy alta
Ø En los Fets el parámetro de transconductancia (gm)
es menor
que en los BJts, y por lo tanto tienen menor
ganancia.
Características
1. Su operación depende del flujo de portadores mayoritarios
solamente.
2. Es más sencillo de fabricar y ocupa menos espacio en
forma integrada.
3. Exhibe una gran resistencia de entrada, típicamente de
muchos megaOhms.
4. Es menos ruidosa que el transistor bipolar.
5. No exhibe voltaje offset a corriente de drenaje cero, y por
tanto lo hace un excelente recortador de señales.
Construcción
El FET consiste de una región de tipo n la cual tiene es su parte media
dos regiones de tipo p. Una terminal de la región n se llama Fuente
(Sourse) y la opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p están
conectadas. La terminar de las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)
Contactos óhmicos
Canal-n
p n p
Compuerta (G)
Región de
agotamiento
Fuente (S)
VGS = 0 y VDS > 0
D +
Región de
ID
agotamiento
VDS
G
VDD
p n p
S IS -
Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor
• El nombre hace mención a la estructura interna: Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
• Es un dispositivo unipolar: la conducción sólo es debida a un tipo
de portador
• Los usados en Electrónica de potencia son de tipo “acumulación”
D D
EL MOSFET DE POTENCIA
G G
S S
Canal N Canal P
Conducción debida Conducción
a electrones debida a huecos
• Los más usados son los MOSFET de canal N
• La conducción es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad Þ menores resistencias de canal en conducción
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación
• Curvas características del MOSFET
- Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+
VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
VGS = 4V
EL MOSFET DE POTENCIA
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referencias normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH = 2V
- Curvas de entrada:
No tienen interés (puerta aislada del canal)
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulación
• Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
+
EL MOSFET DE POTENCIA
VGS VGS = 2,5V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente
(sin interés en electrónica de potencia)
Comportamiento como circuito abierto
Ideas generales sobre los MOSFETs
• Precauciones en el uso de transistores MOSFET
- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de
los dedos. A veces se integran diodos zener de protección
- Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
EL MOSFET DE POTENCIA
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
Características fundamentales de los MOSFETs de potencia
1ª -Máxima tensión drenador-fuente
2ª -Máxima corriente de drenador
3ª -Resistencia en conducción
4ª -Tensiones umbral y máximas de puerta
5ª -Velocidad de conmutación
1ª Máxima tensión drenador-fuente
• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a
EL MOSFET DE POTENCIA
la fuente) y el drenador.
• Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña
circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
1ª Máxima tensión drenador-fuente
• La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS
o como V(BR)DSS
• Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia
Baja tensión Media tensión Alta tensión
15 V 100 V 500 V
EL MOSFET DE POTENCIA
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificación 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
2ª Máxima corriente de drenador
• El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua máxima ID
- Corriente máxima pulsada IDM
EL MOSFET DE POTENCIA
• La corriente continua máxima ID depende de la
temperatura de la cápsula (mounting base aquí)
A 100ºC, ID=23·0,7=16,1A
4ª Tensiones umbral y máximas de puerta
• La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es
típicamente de ± 20V
EL MOSFET DE POTENCIA
Pérdidas en un MOSFET de potencia
• Pérdidas por convivencia tensión corriente entre drenador y fuente
vGS
vDS Pcond = RDS(on)iDT(rms)2
Pconm = fS(won + woff)
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
PVI Won Pérdidas en conmutación
Pérdidas en
conducción Woff