Electrónica Analógica y
Digital
Semana 5 – Sesión 1
Circuitos Reguladores
Introducción a Transistores
Temas para el día de hoy:
- Bienvenida
- Logro de la sesión
- Introducción
- Desarrollo del tema
- Resumen
- Conclusiones
Logro de la sesión:
- Al finalizar la sesión el estudiante será capaz de
poder comprender el concepto de regulares de
tensión y transistores, argumentando su utilidad con
claridad y criterio.
Datos/Observaciones
REGULADOR DE TENSION
CONVERSOR AC/DC
Un último bloque es un reglador, formado
básicamente por un diodo Zener. El voltaje
obtenido tras el filtro tiene un alto factor de
ondulación, y es muy sensible a las variaciones de
carga y a las variaciones de la red. El diodo Zener
se encarga de mantener un nivel de tensión
constante.
REGULADOR DE TENSION
• A veces, se necesita suministrar tensión en continua a una carga ( en la práctica, esa carga suele
ser un circuito electrónico que necesita ser alimentado).
• Como acabamos de ver, los circuitos rectificadores generan salidas con rizado, y además, las
tensiones de salida del rectificador cambian cuando la tensión de la línea de corriente alterna
fluctúa
Para eliminar esas fluctuaciones en
la tensión, colocamos un regulador
de tensión entre la fuente y la carga
REGULADOR DE TENSION
• Mediante un circuito con un diodo Zener se puede proporcionar una tensión de salida casi
constante a partir de una fuente variable.
• Para ello, el diodo Zener debe tener una tensión de ruptura igual a la tensión de salida que se
desea
• En este circuito la tensión de salida en
la carga será constante al valor de la
tensión de ruptura del Zener, siempre
que la tensión de entrada variable lo
mantenga funcionando en esa región
de ruptura.
• La resistencia R limita la corriente en
el diodo a un valor seguro para que el
diodo no disipe demasiada potencia.
REGULADOR DE TENSION
• Vamos a calcular que tensión de entrada mínima es necesaria para que el diodo Zener funcione
siempre en la zona de ruptura (para que esté polarizado como mínimo a una tensión 𝑉𝑍 ).
• Si ala entrada tuviésemos una tensión de 𝑉𝑖 < 𝑉𝑧 , el diodo Zener estaría al corte, con lo qe la
tensión en la carga sería (cuidado con el cambio de notación).
𝑅𝐿 . 𝑉𝑖
𝑉𝐿 =
𝑅𝐿 + 𝑅
Para que la tensión de entrada polarice
inversamente al diodo con una tensión
𝑉𝑍 , debe hacer caer una tensión de ese
valor en la resistencia de carga 𝑅𝐿
REGULADOR DE TENSION
• Vamos a calcular que tensión de entrada mínima es necesaria para que el diodo Zener funcione
siempre en la zona de ruptura (para que esté polarizado como mínimo a una tensión 𝑉𝑍 ).
• Si ala entrada tuviésemos una tensión de 𝑉𝑖 < 𝑉𝑧 , el diodo Zener estaría al corte, con lo qe la
tensión en la carga sería (cuidado con el cambio de notación).
𝑅𝐿 . 𝑉𝑖
𝑉𝐿 =
𝑅𝐿 + 𝑅
(𝑅𝐿 + 𝑅)𝑉𝑍
𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 =
𝑅𝐿
REGULADOR DE TENSION
• Para tensiones de entrada mayores que ese valor mínimo, el diodo Zener entra en zona de rptura,
con lo que mantiene una tensión fija de valor 𝑉𝑍 en la resistencia de carga (el circuito equivalente
es un generador de tensión de valor 𝑉𝑍 )
Equivalente
(𝑅𝐿 + 𝑅)𝑉𝑍
𝑉𝑖 > 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 = 𝑉𝐿 = 𝑉𝑍
𝑅𝐿
REGULADOR DE TENSION
• Por ejemplo, si tenemos a la entrada una señal rizada (como la salida de un rectificador con
condensador de filtrado), el regulador funcionará correctamente (el Zener estará en ruptura) si esa
señal de entrada es siempre mayor que 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜.
(𝑅𝐿 + 𝑅)𝑉𝑍
𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 =
𝑅𝐿
𝑉𝐿 = 𝑉𝑍
REGULADOR DE TENSION
• En cambio, si la tensión de entrada es en algún momento menor que 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜. , la tensión de salida
ya no será constante en todo el tiempo a 𝑉𝑍
(𝑅𝐿 + 𝑅)𝑉𝑍
𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 =
𝑅𝐿
¿ 𝐶𝑜𝑚𝑜 𝑠𝑒 𝑝𝑢𝑒𝑑𝑒 𝑠𝑜𝑙𝑢𝑐𝑖𝑜𝑛𝑎𝑟 𝑒𝑠𝑡𝑜?
REGULADOR DE TENSION
• En cambio, si la tensión de entrada es en algún momento menor que 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 , la tensión de salida ya no será
constante en todo el tiempo a 𝑉𝑍
(𝑅𝐿 + 𝑅)𝑉𝑍
𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 =
𝑅𝐿
• Si no tenemos control sobre la tensión de entrada, la única solución es intentar bajar el valor de 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 para
que sea todo el tiempo menor que la entrada.
• No podemos variar 𝑅𝐿 , pues es la resistencia de carga, ni 𝑉𝑍 , pues es la tensión de continua solicitada, pero
podemos modificar el valor de R (es el único componente del circuito regulador sobre el que tenemos libertad
de elección)
REGULADOR DE TENSION
• En cambio, si la tensión de entrada es en algún momento menor que 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 , la tensión de salida
ya no será constante en todo el tiempo a 𝑉𝑍
(𝑅𝐿 + 𝑅)𝑅𝐿
𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 =
𝑅𝐿
• Reduciendo el valor de R estamos
reduciendo el valor de 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 (aunque
lógicamente 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 nunca podrá ser
menor de 𝑉𝑍 , pues el Zener debe estar
polarizado en zona de ruptura).
REGULADOR DE TENSION
• Sin embargo, no se puede reducir el valor de R todo lo que queramos, pues tenemos otra
limitación: la corriente Zener máxima.
• Uno de los parámetros más importantes del diodo Zener que debe darnos el fabricante, aparte de
la tensión de rutprua (𝑉𝑍 ), es la máxima potencia que pueden disipar (𝑃𝑍 ).
• Recordemos que la potencia es el producto de la tensión por la corriente. La tensión en el diodo es
constante al valor (𝑉𝑍 ), con lo que la potencia máxima (𝑃𝑍 ), nos va a determinar la corriente
máxima que puede pasar por el Zener (𝐼𝑍𝑀 ).
• Si sobrepasamos esta corriente (𝐼𝑍𝑀 ) el diodo Zener puede quemarse, pues no será capaz de
disipar tanta potencia.
REGULADOR DE TENSION
Vamos a calcular esa tensión de entrada máxima que no debe superar para no alcanzar la corriente
Zener máxima
Según la primera ley de Kirchhoff
𝐼𝑍 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿
Como 𝐼𝐿 se mantiene fija a 𝑉𝑍 / 𝑅𝐿 , la
corriente 𝐼𝑍𝑀 impone un valor máximo para 𝐼𝑅
𝐼𝑅,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 = 𝐼𝑍𝑀 + 𝐼𝐿
Y según la segunda ley de Kirchhoff
𝑉𝑖,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 = 𝐼𝑅,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 𝑅 + 𝑉𝑍 𝑉𝑖,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 = 𝐼𝑍𝑀 + 𝐼𝐿 𝑅 + 𝑉𝑍
REGULADOR DE TENSION
Así, para no quemar el diodo Zener, la tensión de entrada siempre tendrá que ser menor que ese valor
𝑉𝑖,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 = 𝐼𝑍𝑀 + 𝐼𝐿 𝑅 + 𝑉𝑍
• Si tenemos tensiones de entrada mayores, debemos aumentar el valor de 𝑉𝑖,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 .
• En esa ecuación, los valores 𝐼𝑍𝑀 , 𝐼𝐿 𝑦 𝑉𝑍 vienen impuesto (son fijos), y el único parámetro con el
que podemos jugar con el valor de R.
• Así, si queremos aumentar 𝑉𝑖,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 debemos aumentar el valor de R.
REGULADOR DE TENSION
Por eso, a la hora de elegir el valor de la resistencia de polarización R tendremos que llegar a un
compromiso para fijar unos valores 𝑉𝑖,𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜 𝑦 𝑉𝑖,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 que no sean superados por la tensión de
entrada variable:
(𝑅𝐿 + 𝑅)𝑉𝑍
𝑉𝑖,𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 = 𝐼𝑍𝑀 + 𝐼𝐿 𝑅 + 𝑉𝑍 𝑉𝑖,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 =
𝑅𝐿
TRANSISTORES
• El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor de 3 terminales en donde la señal de salida
entre dos de sus terminales es controlada mediante la señal de entrada del otro terminal.
BJT MOSFET
• El término “transistor” es la contracción en inglés de “transfer resistor” (resistor de transferencia),
porque el transistor ofrece una resistencia variable controlada por tensión o corriente.
TRANSISTORES
• El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor de 3 terminales en donde la señal de salida
entre dos de sus terminales es controlada mediante la señal de entrada del otro terminal
BJT MOSFET
La corriente entre La corriente entre
colector y emisor (señal drenador y fuente
de salida) es controlada (señal de salida) es
mediante la corriente en controlada mediante la
la base (señal de tensión en la puerta
entrada). (señal de entrada).
• Una de las principales funciones que realizan los transistores
es la de amplificar: La señal es una señal amplificada de la
versión de entrada.
TRANSISTORES BJT
• Se denominan transistores bipolares porque su funcionamiento depende del flujo de dos tipos de
portadores de carga: electrones y huecos.
• Los 3 terminales del BJT se denominan: emisor, colector y base.
• Atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos distintos: npn y pnp
BJT NPN BJT PNP
TRANSISTORES BJT
• La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de
emisor: en un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor, mientras que en un PNP la flecha
apunta hacia adentro.
• Además, en ambos casos, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente
que circula por el emisor del transistor.
BJT NPN BJT PNP
TRANSISTORES BJT
• Y además, se cumplen las leyes de Kirchhoff en el transistor, como si fuese un nodo (ley de las
corrientes) o una malla (ley de las tensiones):
Ley de la corrientes de Kirchhoff
Corrientes IE = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
Ley de la corrientes de Kirchhoff
Tensiones 𝑁𝑃𝑁 VCE = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑃𝑁𝑃 VEC = 𝑉𝐸𝐵 + 𝑉𝐵𝐶
TRANSISTORES BJT
• El BJT está formado por 3 capas de semiconductor alternadas (2 uniones pn similares a las vistas
por los diodos ).
Un BJT NPN está constituido por una
final capa de semiconductor tipo p
entre 2 capas de material tipo n
Un BJT PNP está constituido por una
fina capa de semiconductor tipo n
entre dos capas tipo p
Los BJT NPN conducen mejor que los PNP
TRANSISTORES BJT
• Para ver la estructura real del transistor bipolar vamos a centrarnos en el BJT NPN, pues el BJT
PNP será muy similar pero cambiando el tipo de cada capa
TRANSISTORES BJT
ESTRUCTURA REAL NPN
• El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas para obtener
las distintas regiones
• Sobre una base de tipo n (substrato que actúa como colector), se difunden regiones p y n+, en las
que se ponen los contactos de base y emisor.
El emisor ha de ser una región muy
dopada (de ahí la indicación n+).
Cuanto más dopaje tenga el emisor,
mayor cantidad de portadores podrá
aportar la corriente
TRANSISTORES BJT
ESTRUCTURA REAL NPN
• El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas para obtener
las distintas regiones
• Sobre una base de tipo n (substrato que actúa como colector), se difunden regiones p y n+, en las
que se ponen los contactos de base y emisor.
La base ha de ser muy estrecha y
poco dopada, para que tenga lugar
poca recombinación en la misma, y
prácticamente toda la corriente que
proviene de emisor pase a colector,
como veremos más adelante.
TRANSISTORES BJT
ESTRUCTURA REAL NPN
• El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas para obtener
las distintas regiones
• Sobre una base de tipo n (substrato que actúa como colector), se difunden regiones p y n+, en las
que se ponen los contactos de base y emisor.
El colector ha de ser una zona menos
dopada que el emisor, aunque más
que la base. Las características de
esta región tienen que ver con la
recombinación de los portadores que
provienen del emisor.
TRANSISTORES BJT
ESTRUCTURA REAL NPN
• Es de señalar que las dimensiones reales del dispositivo son muy importantes para el correcto
funcionamiento del mismo.
• En esta figura se pretende dar una idea de las relaciones de tamaño que deben existir entre las tres
regiones para que el dispositivo cumpla su misión.
La base debe ser muy estrecha. Si
no fuese así, el dispositivo podría no
comportarse como un transistor, y
trabajar como si de dos diodos en
oposición se tratase.
TRANSISTORES BJT
ESTRUCTURA REAL NPN
• Así las características físicas mas importantes que debe cumplir esta estructura para que el
transistor funcione como queremos:
• Las zonas de emisor y colector no son iguales: el área de contacto con la base es mucho mayor
que la del emisor con la base.
• Esto es así porque la función del emisor es inyectar (emitir) portadores de corriente (electrones
en el caso del NPN, o huecos en el PNP), y la función del colector es recolectarlos
TRANSISTORES BJT
ESTRUCTURA REAL NPN
• Así las características físicas mas importantes que debe cumplir esta estructura para que el
transistor funcione como queremos:
• La anchura de la base es muy pequeña. Esto hace que muchos portadores de corriente puedan
pasar del emisor al colector a través de la base sin recombinarse en
Por ejemplo, si en un transistor NPN
un electrón viaja desde el emisor al
colector y se “encuentra” con un hueco
en la se (que es tipo p y por tanto tiene
muchos huecos libres), se recombina
y desaparece. Sin embargo, como la
base es muy estrecha, lo más seguro
es que le dé tiempo a atravesarla sin
desaparecer.
TRANSISTORES BJT
ESTRUCTURA REAL NPN
• Así las características físicas mas importantes que debe cumplir esta estructura para que el
transistor funcione como queremos:
• El emisor está más dopado que la base, y también que el colector, porque es el que se encarga
de inyectar los portadores.
TRANSISTORES BJT
FUNCIONAMIENTO
• Un BJT sin polarización es similar a dos diodos contrapuestos. En el dispositivo, se forman dos
uniones pn: la unión colector – base y la unión emisor – base.
• En una unión teníamos dos posibilidades de polarización, de tal forma que el diodo tenía dos
posibles estados o zonas de trabajo: en directa y en viceversa.
• Ahora estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, y cada unión puede ser polarizada en una
de esas dos forma: tenemos cuatro zonas de funcionamiento posibles en función del estado de
polarización de las dos uniones,
TRANSISTORES BJT La polarización activa inversa no se suele
utilizar en la práctica. Es un zona
puramente teórica por lo que no es
FUNCIONAMIENTO interesante.
• Las 4 zonas de funcionamiento o regiones de operación, son las siguientes:
• Activa: Unión B-E en directa y unión B-C en inversa.
• Corte: Ambas uniones inversamente polarizadas.
• Saturación: Ambas uniones directamente polarizadas.
• Activa inversa: Unión B-E en inversa y unión B-C en directa
Por ejemplo, esta
sería la polarización
para la región activa
TRANSISTORES BJT
• Las 4 zonas de funcionamiento o regiones de operación, son las siguientes:
Nosotros solo vamos
a estudiar el
comportamiento del
transistor amplificado
TRANSISTORES BJT
• La función amplificadora consiste en elevar el nivel de una señal eléctrica que contiene una
determinada información
Esta señal, en forma de
tensión o corriente, es
aplicada a la entrada del
amplificador, originándose
una señal de salida
conteniendo la misma
información, pero con un
nivel de tensión o
corriente más elevado
En un transistor tenemos 3 terminales: Si elegimos 2
terminales como entrada y 2 como salida, uno de ellos debe
ser común. De esta forma tenemos distintas configuraciones
TRANSISTORES BJT
CONFIGURACIONES
• Dependiendo del terminal escogido como terminal común (referencia de tensiones), tendremos 3
posibles configuraciones:
TRANSISTORES BJT
CONFIGURACIONES
• Las 3 configuraciones son empleadas en la práctica, pero la más usada con diferencia es la
configuración en emisor común, que será la que veremos nosotros.
En esta configuración se toma el emisor como terminal común,
mientras que la base será la entrada y el colector la salida:
𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐸𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎: 𝐼𝐵 𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝐸𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎: 𝑉𝐵𝐸
𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑆𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝐼𝐶 𝑇𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑆𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎: 𝑉𝐶𝐸
Y además por Kirchhoff sabemos que:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
TRANSISTORES BJT
• Por tanto, en la explicación del funcionamiento del BJT que vamos a ver a continuación nos vamos
a centrar en:
• La funcionalidad del BJT como Amplificador → Región Activa
• La configuración de Emisor Común
• Además, para esta explicación usaremos como referencia el BJT NPN. Sin embargo todo es
igualmente aplicable al PNP sin más que intercambiar los papeles que juegan electrones y huecos,
y la polaridad de las fuentes de tensión conectadas a sus terminales
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Acabamos de ver que para utilizar el BJT como amplificador, éste debe trabajar en la región activa.
• Para trabajar en esta región la unión base-emisor debe estar polarizada en directa, y la unión base-
colector debe estar polarizada en inversa.
Esta es la polarización para la
región activa, pero en la
configuración de base común
(que se ve de forma más
intuitiva)
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• En la configuración de emisor común es poco menos intuitivo:
• Hay una fuente de tensión entre base y emisor (𝑉𝐵𝐸 ) y
otra entre colector y emisor (𝑉𝐶𝐸 )
• ¿Qué valores tenemos que dar a esas fuentes para
polarizar el BJT en la región activa?
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• En la configuración de emisor común es poco menos intuitivo:
• Unión base – emisor directamente polarizada:
• 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7𝑉
• Unión base – colector inversamente polarizada:
• 𝑉𝐶𝐸
• 𝑉𝐵𝐶 tiene que ser negativa para
polarización inversa, y según Kirchhoff:
• 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐶𝐸
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Vamos a ver que ocurre internamente en el transistor cuando está
en la región activa:
• La corriente de emisor 𝐼𝐸 es la corriente que pasa por la unión
base-emisor polarizada en directa y depende de 𝑉𝐵𝐸 , justo de la
misma manera en que la corriente depende de la tensión en un
diodo de unión pn.
• En otras palabras, se cumple la ecuación de Shockley:
• Se ha igualado a 1 el coeficiente de
𝑉𝐵𝐸 emisión n, porque ése es el valor
• 𝐼𝐸 = 𝐼𝐸𝑆 𝑒𝑥𝑝 −1
𝑉𝑇 apropiado para la mayoría de transistores
de unión
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Vamos a ver que ocurre internamente en el transistore cuando está
en la región activa:
• La región del emisor tiene un alto nive de dopaje comparada
con la base.
• A causa del elevado dopaje, la concentración de electrones
libres en el emisor es mucho mayor que la de huecos en la
base.
• Por tanto, la corriente 𝐼𝐸 que pasa por la unión base – emisor
consiste, sobre todo, en electrones que fluyen del emisor a la
base (muy pocos huecos fluyen de base a emisor).
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Vamos a ver que ocurre internamente en el transistor cuando
está en la región activa:
• Los electrones que cruzan la unión se convierten en
portadores minoritarios en la región de la base y se
difunden alejándose de la unión del emisor y yendo
hacia la unión del colector.
• Cuando los electrones llegan a la zona de carga espacial
de la unión del colector, se ven arrastrados por el campo
eléctrico a la región del colector (el campo eléctrico en la
zona de carga espacial está orientado del lado n al p).
El parámetro 𝛼 del transistor (también
TRANSISTORES BJT llamado ℎ𝐹𝐵 ), representa, de los
portadores inyectados por el emisor,
que fracción alcanza el colector
REGION ACTIVA
• Vamos a ver que ocurre internamente en el transistor cuando
está en la región activa:
• La región de la base es muy delgada y en ella se
producen muy pocas recombinaciones.
• Por tanto, la mayoría de electrones que entran en la
base, acaban por verse empujados hacia el colector.
• El resultado es que las corrientes de emisor y colector
son muy parecidas:
con 𝛼 = 1
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸
(típicamente 𝛼 = 0.99)
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Vamos a ver que ocurre internamente en el transistor cuando
está en la región activa:
• Solo una pequeña fracción de la corriente que pasa por
la unión base-emisor, proviene del terminal de la base
(en un BJT típico, la corriente de la base es del orden del
1% de la corriente del emisor).
• La corriente de base está compuesta por huecos que
cruzan de la base al emisor y por huecos que se
recombinan con electrones en la base (muy pocos, pues
es muy estrecha).
• Por tanto, ya podemos intuir que la corriente 𝐼𝐵 va a ser
muy pequeña.
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Como las corriente de base y de emisor son básicamente corrientes a través de una unión
p-n se pueden escribir como:
𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸
• 𝐼𝐵 ≈ 𝐼𝐵𝑆 𝑒𝑥𝑝 • 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐸𝑆 𝑒𝑥𝑝
𝑉𝑇 𝑉𝑇
• Es decir, 𝐼𝐵 e 𝐼𝐸 son proporcionales entre sí: • 𝐼𝐵 ∝ 𝐼𝐸
• Emisor común:
• Como, 𝐼𝐶 e 𝐼𝐸 también son proporcionales (relacionados por 𝛼), • Corriente entrada: 𝐼𝐵
la conclusión es que 𝐼𝐶 e 𝐼𝐵 son proporcionales • Corriente salida: 𝐼𝐶
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Por tanto, como la corriente de salida es proporcional a la corriente de entrada, en la región activa el
transistor se comporta como un amplificador de corriente, y se puede escribir:
• 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
• El parámetro 𝛽, también llamado ℎ𝐹𝐸 , es la ganancia del amplificador.
• El hecho de que el emisor esté mucho más dopado que la base, es decir tenga muchos más
portadores de corriente, hace que 𝐼𝐸 >> 𝐼𝐵 , y como 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 , entonces 𝐼𝐶 >> 𝐼𝐵 , es decir, 𝛽 suele ser
grande (alrededor de 100 o más)
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Por tanto, como la corriente de salida es proporcional a la corriente de entrada, en la región activa el
transistor se comporta como un amplificador de corriente, y se puede escribir:
• 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
• El modelo ideal en corriente continua de un transistor NPN en la región activa es:
• 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7𝑉
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• En resumen, acabamos de ver que el transistor en la región activa se comporta como un amplificador
de corriente.
• Con circuitos adecuados (poniendo resistencias), esta amplificación en la corriente se puede
transformar en amplificación de voltaje: la tensión de entrada 𝑉𝐵𝐸 se amplifica en la tensión de salida
𝑉𝐶𝐸 .
• Los parámetros del transistor en la región activa son:
Relación entre ambos:
Parámetro 𝛼 o ℎ𝐹𝐵 : • 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐸 (𝛼 = 1) 𝛼
𝛽=
1−𝛼
Parámetro𝛽 o ℎ𝐹𝐸 : • 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (𝛽 ≫ 1)
𝛽
𝛼=
1−𝛽
TRANSISTORES BJT
REGION ACTIVA
• Obsérvese que, igual que el parámetro 𝛽 del transistor es la ganancia de corriente en la configuración
de emisor común, el parámetro 𝛼 sería la ganancia de corriente en la configuración de base común.
Relación entre ambos:
Parámetro 𝛼 o ℎ𝐹𝐵 : • 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐸 (𝛼 = 1) 𝛼
𝛽=
1−𝛼
Parámetro𝛽 o ℎ𝐹𝐸 : • 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (𝛽 ≫ 1)
𝛽
𝛼=
1−𝛽
TRANSISTORES BJT
REGION DE CORTE
• En este caso, las dos uniones pn está inversamente polarizadas.
• Al igual que hacíamos con el diodo, las podemos modelar como un interruptor abierto (no circula
corriente por base, emisor ni colector).
• No se puede usar en amplificación, pero si en conmutación (conmutador abierto).
𝐼𝐵 ≈ 0
• 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐸
𝐼𝐸 ≈ 0
𝐼𝐶 ≈ 0
TRANSISTORES BJT
REGION DE SATURACIÓN
• En este caso, las dos uniones pn está inversamente polarizadas.
• Las podemos modelar como dos diodos en conducción, es decir con dos fuentes de tensión de cierto
valor (𝑉𝐵𝐸,𝑠𝑎𝑡 y 𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 ).
• Estos valores no los tiene que dar el fabricante del transistor. Valores típicos son 𝑉𝐵𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0.7V y
𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 = 0.2𝑉.
• En este caso, la corriente de colector depende del circuito externo, no de la corriente de base, por lo
que no se comporta como un amplificador (ya no se cumple 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ).
• Así, la región de saturación no se usa para amplificación, sino para conmutación (conmutador
cerrado).
TRANSISTORES BJT
BJT PNP
• Como se ha comentado anteriormente, el funcionamiento de los BJT PNP es muy similar al de los
NPN.
• La diferencia es que, para un funcionamiento correcto como amplificador, las polaridades de la
tensiones que se apliquen al dispositivo PNP deben ser opuestas a las del NPN. Además, las
corrientes fluyen en sentidos opuestos.
• Normalmente en los esquemas orientamos los
transistores PNP con el emisor en la parte
superior, y los transistores NPN con el emisor en
la parte inferior. De esta forma, la corriente fluye
de arriba abajo en ambos dispositivos.
TRANSISTORES BJT
BJT PNP
• El transistor está polarizado en la región activa (funciona como amplificador), si la unión base-emisor
está polarizada en directa (en este caso, si 𝑉𝐵𝐸 < 0) y la unión colector-base está polarizada en
inversa (en este caso, si 𝑉𝐵𝐶 > 0).
• Para el transmisor PNP en la región activa, podemos escribir las mismas ecuaciones con los mismos
parámetros que para el transistor NPN
Parámetro 𝛼 o ℎ𝐹𝐵 : • 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 (𝛼 ≈ 1)
Parámetro 𝛽 o ℎ𝐹𝐸 : • 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐵 (𝛽 ≫ 1)
TRANSISTORES BJT
EJERCICIO
• Un determinado transistor que trabaja con polarización directa en la unión base-emisor y con
polarización inversa en la unión base-colector (es decir, en la región activa), tiene Í𝐶 = 9.5𝑚𝐴, e 𝐼𝐸 =
10𝑚𝐴. Hallar los valores de 𝐼𝐵 , 𝛼 y 𝛽.
• Respuesta: 𝐼𝐵 = 0.5mA , 𝛼 = 0.95 y 𝛽 = 19
REFLEXION
¿QUE HEMOS APRENDIDO HOY?