Glaniorys Germán 2016-0880
Tipos de Mosfet
Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya
realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato de
tipo n y difusiones de tipo p. Las áreas de difusión se denominan fuente y drenador, y el conductor
entre ellos es la puerta.
Transistores nMOS y pMOS
Los terminales de fuente y drenaje son físicamente simétricos. Sin embargo, decimos que la carga
fluye desde la fuente hasta el drenaje. En un transistor nMOS, la carga es transportada por
electrones, que fluyen de voltaje negativo a positivo. voltaje. En un transistor pMOS, la carga es
transportada por agujeros, que fluyen de voltaje positivo a voltaje negativo. Si dibujamos esquemas
con el voltaje más positivo en la parte superior y el más negativo en la parte inferior, la fuente de
cargas (negativas) en un transistor nMOS es el terminal inferior y la fuente de cargas (positivas) en
un transistor pMOS es el terminal superior.
Hay dos tipos de MOSFET: nMOS y pMOS, La figura 1.29 muestra secciones transversales de cada
tipo, hechas cortando una oblea y mirándola desde un lado.
Los transistores de tipo n, llamados nMOS, tienen regiones de dopantes de tipo n adyacentes a la
puerta llamada fuente y el desagüe y están construidos sobre un sustrato semiconductor tipo p. los
pMOS transistores son todo lo contrario, que consisten en regiones de drenaje y fuente de tipo p en
un tipo n sustrato.
Comencemos por explorar el funcionamiento de un transistor nMOS. El sustrato de un transistor
nMOS normalmente está unido a GND, el voltaje más bajo del sistema. Primero, considere la
situación cuando la puerta también está a 0 V, como se muestra en la figura 1.30 (a). Los diodos
entre la fuente o el drenaje y el sustrato tienen polarización inversa porque el voltaje de la fuente o
del drenaje no es negativo. Por lo tanto, no hay camino para que la corriente fluya entre la fuente y el
drenaje, por lo que el transistor está APAGADO. Ahora, considere cuando la puerta se eleva a V DD,
como se muestra en la Figura 1.30 (b). Cuando se aplica un voltaje positivo a la placa superior de un
capacitor, se establece un campo eléctrico que atrae carga positiva en la placa superior y carga
negativa en la placa inferior. Si el voltaje es suficientemente grande, se atrae tanta carga negativa a
la parte inferior de la puerta que la región invierte de tipo p a convertirse efectivamente en tipo n.
Esta región invertida se llama canal. Ahora el transistor tiene un camino continuo desde la fuente de
tipo n a través del canal de tipo n hasta el drenaje de tipo n, por lo que los electrones pueden fluir de
la fuente al drenaje. El transistor está encendido. El voltaje de puerta requerido para encender un
transistor se llama el voltaje umbral, V t, y suele ser de 0,3 a 0,7 V.
Los transistores pMOS funcionan de manera opuesta, como podría ser adivinado de la burbuja en su
símbolo. El sustrato está atado a V DD. Cuando la puerta también está en V DD, el transistor pMOS
está APAGADO. Cuando la puerta está en GND, el canal se invierte a tipo p y el transistor pMOS
está encendido. Desafortunadamente, los MOSFET no son interruptores perfectos. En particular, los
transistores nMOS pasan bien los 0 pero pasan mal los 1. Específicamente, cuando la puerta de un
transistor nMOS está en V DD, el drenaje solo se balanceará entre 0 y V DD V t. Del mismo modo,
los transistores pMOS pasan bien los 1 pero los 0 mal. Sin embargo, veremos que es posible
construir puertas lógicas que use transistores solo en su modo bueno. Los transistores nMOS
necesitan un sustrato de tipo p, y los transistores pMOS necesitan un sustrato de tipo n. Para
construir ambos tipos de transistores en el mismo chip, los procesos de fabricación generalmente
comienzan con una oblea tipo p, luego implantan regiones de tipo n llamadas pozos donde deben ir
los transistores pMOS. Estos procesos que proporcionan ambos tipos de transistores se denominan
MOS complementarios o CMOS. Los procesos CMOS se utilizan para construir la gran mayoría de
todos los transistores fabricados en la actualidad.
En resumen, los procesos CMOS nos dan dos tipos de interruptores controlados eléctricamente,
como se muestra en la Figura 1.31. El voltaje en la puerta (g) regula el flujo de corriente entre la
fuente (s) y el drenaje (d). Los transistores nMOS están en OFF cuando la puerta es 0 y en ON
cuando la puerta es 1. Los transistores pMOS son todo lo contrario: ENCENDIDO cuando la puerta
es 0 y APAGADO cuando la puerta es 1.
Referencias
Harris, D. M., & Harris, S. L. (2007). DISENO DIGITAL Y ARQUITECTURA INFORMATICA . Elsevier.
