AMPLIFICADOR

4 MODELOS DELTRANSISTOR BIPOLAR

Existen dos tipos principales de señales aplicadas al transistor BJT:

 Señales de continua
 Señales de alterna de pequeña amplitud que oscilan respecto a un punto de
operación en RAN

En este apartado se presentan modelos del transistor BJT válidos para el análisis de
ambas situaciones. En primer lugar se presenta el modelo de Ebers-Moll, con el que
puede realizarse el cálculo de las corrientes y tensiones de polarización de un transistor
sea cual fuere su región de operación. A partir de las ecuaciones dictadas por este
modelo, se deducen posteriormente las expresiones necesarias para el análisis de señales
de alterna de pequeña amplitud, a través del modelo de parámetros híbridos.

4.1 MODELO DE EBERS-MOLL

En el apartado 2 se han presentado los modelos parciales para cada una de las regiones
de funcionamiento (corte, saturación, RAN) del transistor bipolar. Sin embargo, existe
un modelo estático general válido para las tres regiones: el modelo de Ebers-Moll.

El modelo está basado en el hecho de que un transistor BJT se compone de dos uniones
PN, la unión base-emisor y la unión base-colector. Por lo tanto se puede expresar las
corrientes del transistor como la superposición de las corrientes en las dos uniones PN.
En la Figura 20 se muestra la notación empleada durante este apartado.

Figura 20: Notaciones empleadas en este apartado

Considerando el modelo ideal para los diodos BE y BC se tiene que:

donde ICS, IES son las corrientes de saturación de ambos diodos.

Sin embargo, el comportamiento del transistor es más complejo que el de dos diodos
conectados en serie. Se debe tener el cuenta el efecto transistor descrito en el capítulo 2:
debido a que las uniones se encuentran muy próximas entre sí se produce una
interacción electrónica entre ellas.

En la Figura 7.21 se muestra el modelo de Ebers-Moll para un transistor NPN. Este se

compone de dos diodos de unión PN y dos fuentes de intensidad dependientes.

Figura 7.21: Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar NPN.

El efecto transistor viene caracterizado por las fuentes de corriente dependientes. Como
se ha explicado, parte de la corriente IDBE, que circula por la unión base-emisor es
atrapada por la unión base-colector. Este hecho se modela mediante la fuente de
corriente aFIDBE. aF es un parámetro característico de cada transistor que toma valores
próximos a la unidad.

De igual manera, parte de la corriente IDBC atraviesa la región de base para alcanzar el
emisor. Esto se modela con la fuente de corriente aRIDBC. Debido a que la estructura de
un transistor no es simétrica, sino que está optimizada para obtener valores altos de aF,
aR es generalmente pequeña (desde 0.02 a 0.5).

Además, aplicando las leyes de la física de semiconductores se obtiene la condición de

reciprocidad, que se concreta en la siguiente expresión:

IS toma valores entre 10-14 y 10-15A para transistores de baja potencia.

Si se aplica la ley de los nudos en el emisor, el colector y la base

Se puede sustituir en esta ecuación las corrientes de los diodos IDBE y IDBC. Además, si se
definen las constantes bF y bR de manera que

las ecuaciones anteriores, resultan

que son las ecuaciones de las intensidades en los tres terminales del transistor NPN
según el modelo de Ebers-Moll. Estas ecuaciones son válidas para cualquier región de
funcionamiento.

Aún siendo un modelo complejo del transistor, el modelo de Ebers-Moll no describe

todos los efectos que tienen lugar en el dispositivo. Los llamados efectos de segundo
orden como la tensión de ruptura en inversa de las uniones PN, o la dependencia de IC
con VCE no están incluidos en este modelo.

4.2 APLICACION DEL MODELO DE EBERS-MOLL A LA REGION ACTIVA

NORMAL

En este apartado se van a simplificar las ecuaciones de Ebers-Moll, deducidas en el

apartado anterior para el caso de que el transistor se encuentre funcionando en la RAN.

Como ya se ha comentado, el funcionamiento en la RAN de un transistor se caracteriza

por tener la unión PN polarizada en directa (con VBE 0.7V) y la unión base colector polarizada en inversa (VBC <
0). Obsérvese que bajo estas condiciones las expresiones exponenciales de las
ecuaciones de Ebers_Moll se pueden simplificar

y las ecuaciones quedan reducidas a:

Como el segundo sumando de estas ecuaciones suele ser despreciable frente al valor de
IB, IC e IE, a partir de las ecuaciones B. y C., se puede obtener la relación

que concuerda con la deducida en el apartado 2.2.

4.3 MODELO HIBRIDO PARA PEQUENTILDE;AS SENTILDE;ALES DE

ALTERNA

En este subapartado se presenta el modelo híbrido del transistor BJT, uno de los más
ampliamente utilizados para el análisis de las pequeñas señales de alterna. Para la
deducción del mismo se consideran las siguientes hipótesis:

 Transistor polarizado en RAN

 Oscilaciones alternas de baja amplitud y baja frecuencia

4.3.1 Expresiones generales

Según se ha indicado en el apartado 3, el punto de operación de un transistor bipolar

viene indicado por cuatro variables eléctricas. De entre las diversas opciones posibles,
para la deducción del modelo híbrido se escogen como variables independientes la
corriente IB y la tensión VCE, mientras que las dependientes son VBE e IC. De este modo,
las ecuaciones características del transistor vendrán dadas por dos funciones f1 y f2 tales
que:

Las tensiones y corrientes de un punto de polarización concreto vendrán dadas por las
expresiones anteriores:

Supongamos que sobre este punto de operación Q se añade una componente alterna,
caracterizada por un IB y por un VCE. Para calcular el VBE y el IC pueden sustituirse las
funciones f1 y f2 en las cercanías del punto Q por las tangentes respectivas en dicho
punto. Como se trata de funciones de dos variables independientes, las expresiones
serán las siguientes:

A partir de este momento, para simplificar la notación se escribirán con letra minúscula
los incrementos de las variables. La expresión anterior admite una representación
matricial:

en donde los coeficientes hij se llaman parámetros híbridos, puesto que tienen diferentes
unidades entre sí.

 hie : Impedancia de entrada ()

 hre: Ganancia inversa de tensión
 hfe : Ganancia directa de corriente, o ganancia dinámica
 hoe : Admitancia de salida (-1)

4.3.2 Cálculo de los parámetros híbridos

Para el cálculo de los parámetros hij se van a emplear las expresiones resultantes del
modelo de Ebers-Moll para la RAN.

 Función f1 =>
 Función f2 =>

Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos según estos cálculos.
Este resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya que en
realidad hre 5 x 10-5 y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeño que en muchos
casos son aceptables las expresiones obtenidas anteriormente.

4.3.3 Representación gráfica

El modelo híbrido , con las simplificaciones mostradas en el subapartado anterior,
admite la siguiente representación gráfica:

Figura 22: Modelo híbrido para pequeñas señales de alterna

5 EJEMPLO DE APLICACION: EL AMPLIFICADOR DE SEÑALES

ALTERNAS

El mundo está lleno de pequeñas señales que necesitan amplificarse para procesar la
información que contienen. Por ejemplo: una guitarra eléctrica. El movimiento de una
cuerda metálica en el interior de un campo magnético (creado por los captadores o
pastillas) provoca una pequeña variación de tensión entre dos terminales de una bobina.
Para que esa débil señal pueda llegar a los oídos de todo un auditorio, es evidente que se
necesita una amplificación. La señal producida por la pastilla de la guitarra viaja por un
par de terminales hasta el amplificador. Aquí se produce la transformación de la
pequeña señal, que es capaz ahora de excitar la membrana de un altavoz con la potencia
que se desee.

Para que se pueda oír lo que se toca realmente, la amplificación debe cumplir ciertas
condiciones:

1. Debe respetar la forma de onda de la tensión de entrada. Si no lo hace así, se

produce una distorsión, una pérdida de la información que aporta.
2. La energía absorbida de la fuente que emite la onda que se desea amplificar ha
de ser mínima. El circuito amplificador necesita una fuente de alimentación
propia.

5.1 EL TRANSISTOR BIPOLAR

El esquema más sencillo de amplificador de señales es el propio transistor bipolar.

 Figura 23: Circuito con un transistor bipolar.

Si el transistor se encuentra en la RAN, hay una relación lineal entre e :

Como es reflejo de la entrada e lo es de la salida, este esquema proporciona una

ganancia en corriente. Sin embargo presenta dos limitaciones muy importantes:

1. Sólo amplifica la parte positiva de la señal: Cuando es menor que 0,7 V Q

pasa al estado de corte, con lo que .
2. Requiere señales de tensión grandes, por lo menos mayores que 0,7 V, ya que la
señal de entrada ha de polarizar en directa la unión BE y llevar el transistor a la
RAN.

Con este dispositivo sólo se puede trabajar con señales positivas mayores de 0,7 V. Por
lo tanto no es capaz de amplificar señales de alterna. La figura siguiente representa
aproximadamente la respuesta que se obtendría al tratar señales de alterna:
 Figura 24: Corrientes en el circuito de la Figura 23.

5.2 POLARIZACION DEL TRANSISTOR Q A TRAVES DE LA BASE

Figura 25: Transistor polarizado a través de la base.

Este esquema presenta la novedad de la resistencia RB. Gracias a ella, la base se polariza
mediante la fuente de alimentación EC y no mediante . La corriente que llega a la base
proviene de dos fuentes:

 : Es la señal que queremos amplificar, por lo tanto, será variable en el tiempo.

  : Esta corriente es la suministrada por EC, que es una fuente de continua,
para la polarización del transistor.

La intensidad de colector será, si Q está en la RAN:

Finalmente, puede calcularse la tensión de salida :

La siguiente figura ayuda a comprender mejor estos conceptos.

Figura 26: Tensiones y corrientes en el circuito de la Figura 25.

La onda de salida es, efectivamente, proporcional a la entrada, pero está desplazada en
el eje de las "Y", es decir, tiene una componente de continua que ha sido introducida por
la fuente de polarización del transistor.

LOGROS DEL ESQUEMA:

1. El transistor es también capaz de amplificar la parte negativa de la señal.

2. La tensión de entrada puede ser pequeña, ya que ahora el transistor se polariza a
través de una fuente de alimentación ajena a la entrada.
3. En la salida se dispone de una señal de tensión, gracias a RC, que cumple dos
misiones:

o Transforma en una tensión .

o Junto con RB lleva el transistor a la RAN.

INCONVENIENTES:

1. Al conectar directamente el generador de señal a la entrada, IB iría a tierra a

través de él. Esto podría dañar el generador (en el ejemplo de la introducción, las
pastillas o captadores de la guitarra eléctrica)
2. Al conectar directamente la salida a la carga (altavoz), IC iría a tierra a través de
ella, dañándola.

Los inconvenientes de este esquema están introducidos por la corriente continua de

polarización. Estas corrientes deben quedar limitadas al interior del dispositivo
amplificador.

5.3 EL CONDENSADOR DE ACOPLAMIENTO

El condensador es un componente que se comporta como un circuito abierto para la

corriente continua. Por medio de él, se aísla tanto la entrada como la salida de las
componentes de continua. Si elegimos correctamente el valor de la capacidad de
acuerdo con la frecuencia a la que se espera que trabaje el dispositivo, se logra además
que estos condensadores se comporten como un cortocircuito para las señales de alterna
que se quieren amplificar. En cualquier caso, la respuesta frecuencial del amplificador
queda limitada por los valores de C1 y C2.
 Figura 27: Esquema amplificador con condensadores de acoplamiento.

Una vez visto el esquema básico de un amplificador, se enuncian los parámetros más
importantes de éste:

 : Señal de entrada (pequeña señal AC).

 : Corriente de entrada, que se absorbe del generador de señal de entrada
(AC).
 : Señal de salida (AC).

 , : Corrientes de polarización del transistor (DC).

 , : Resistencias de polarización.
 : Carga sobre la que se aplica la tensión de salida.
 : Aísla la entrada del circuito de la polarización en continua.
 : Aísla la salida del circuito de la polarización continua.

5.4 GANANCIA Y RESISTENCIA DE ENTRADA DE UN AMPLIFICADOR

El esquema presentado es sólo una de las posibles soluciones válidas para la

amplificación de señales. Para comparar las características de todos ellos, se definen dos
parámetros de AC: la ganancia en tensión y la resistencia de entrada:

Ganancia en tensión:

Es el cociente entre la señal de salida y la aplicada al dispositivo. Normalmente, la

ganancia depende de la carga que se conecte ( ).
Nótese que en este parámetro se relacionan las amplitudes de las señales alternas
entrada y de salida y no los valores instantáneos. Se da por supuesto que el circuito va a
mantener en gran medida la similitud de las formas de onda, y de lo que se trata es de
cuantificar la magnitud de la amplificación. (El grado de distorsión de la señal de salida
con respecto a la de entrada se valora mediante otros parámetros).

Resistencia de entrada:

La resistencia de entrada da una idea de la cantidad de corriente que absorbe la fuente

de señal que se desea amplificar (no hay que confundir la con la fuente de alimentación
del amplificador). Dado que interesa absorber poca energía de la fuente, el amplificador
será tanto mejor cuanto mayor sea su resistencia de entrada.

Puesto que la señal de entrada es alterna, estamos de nuevo ante un parámetro que
relaciona las amplitudes de las oscilaciones de las magnitudes eléctricas implicadas

5.5 METODO DE CALCULO

Cuando todos los componentes de un circuito responden a ecuaciones lineales, se puede

aplicar el principio de superposición. En este caso, los transistores no son
componentes lineales. Sin embargo, teniendo en cuenta que las señales aplicadas son de
baja amplitud, el transistor opera soportando pequeñas oscilaciones con respecto a unas
magnitudes continuas, luego sí que es posible aplicar la superposición teniendo en
cuenta el punto de operación:

1. Cálculo del punto de operación DC: Se sustituyen los condensadores por

circuito abierto. A continuación se introduce el modelo DC del transistor en
RAN y se calculan los valores de las corrientes y tensiones de polarización.
2. Determinación del modelo AC del transistor: Ha de emplearse el modelo de
pequeñas señales, particularizando para en los resultados del punto 1.
3. Estudio del circuito en AC. En este estudio las componentes de continua no
afectan a la relación de las amplitudes de las ondas AC. Por consiguiente pueden
cortocircuitarse las fuentes de tensión continua. Si el diseño del circuito es
correcto, los condensadores pasan a comportarse como cortocircuitos.

5.6 EJEMPLO DE CALCULO

A continuación se aplica este procedimiento al cálculo de y en el último esquema

presentado, en su funcionamiento en vacío.

1) Punto de operación DC
 Figura 28: Esquema equivalente DC del circuito Figura 27.

Según el circuito equivalente DC:

2) Parámetros del modelo equivalente AC

Los parámetros del modelo AC son la resistencia de entrada y la ganancia dinámica

de corriente . Ambos han sido definidos en el subapartado 4.3.2 de este capítulo.

3) Estudio AC

La figura 24 muestra el esquema equivalente del circuito para las señales de alterna.
 Figura 29: Circuito equivalente AC

La resistencia RB está conectada por un terminal a la fuente de señales y a la base, y por

el otro a la fuente de alimentación EC. Idealmente, esta fuente no ofrece ningún
obstáculo para las señales de alterna (si su resistencia interna es nula), se comporta
como un cortocircuito que conecta RB con tierra. En el lado derecho del esquema, RC se
une por una parte con el colector del transistor, y por la otra con tierra a través de la
fuente de alimentación.

Es de vital importancia que se tenga en cuenta que en este esquema sólo se relacionan
las amplitudes de las ondas, y no sus valores instantáneos.

Los valores de rIN y AV pueden obtenerse a partir del esquema de la figura 24.

Como :

Nótese que para el cálculo de los parámetros rIN y AV no es necesario definir el valor de
vIN, ya que en ambos casos se calcular variaciones de una magnitud con respecto a esa
tensión de entrada.

ETAPAS DE AMPLIFICACION ESTABILIZADAS

El esquema de la Figura 27 presenta un claro problema de inestabilidad: La tensión de

la base depende directamente de la corriente de base. Cualquier pequeña variación
debido a la influencia de la temperatura sobre la resistencia RB modificará el punto de
operación, y con él la ganancia. El esquema de la Figura 30 incluye dos mejoras con
respecto al anterior:
  Polarización de la base a través de un divisor de tensión.
 Estabilización mediante resistencia de emisor.

Figura 30: Circuito amplificador estabilizado.

Las funciones de estos subcircuitos son:

 Divisor de tensiones: Mediante una correcta selección de las resistencias y

puede conseguirse que la corriente sea muy superior a . Entonces, la
tensión de la base quedará fijada únicamente por el valor de las resistencias del
divisor.
 Resistencia de emisor ( ): Un aumento de la corriente de colector provocará
una elevación de la tensión de emisor. Con ello, como la tensión de base es fija,
la tensión base emisor disminuirá, la corriente de base también y finalmente, la
corriente de colector volverá a su valor de diseño. El condensador se encarga de
cortocircuitar esta resistencia en alterna.