PRÁCTICA N°7
(TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA)
CP – DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Christian Johao Sánchez Jumbo
Facultad de Ingeniería Eléctrica y
Electrónica
Escuela Politécnica Nacional
Quito - Ecuador
[Link]@[Link]
Abstract—En este documento se evidenciará la séptima III. PROCEDIMIENTO
práctica de laboratorio que consiste en experimentar con
transistores bipolares de juntura y sus diferentes A. Configure circuitos en emisor, colector y base común
configuraciones. Para ello se simularán circuitos que permitan para la obtención de las curvas características de
apreciar el funcionamiento de los mismos comprobando las entrada y salida. Identifique las zonas de corte,
curvas de corriente e identificando las zonas de saturación, corte saturación y lineal.
y lineal.
B. Presente los circuitos simulados en la práctica y las
Keywords—simulador, LTspice, circuitos, transistor. curvas características de entrada y salida obtenidas.
Objetivos:
• Familiarizar al estudiante con el transistor bipolar de
juntura.
• Conocer las diferentes configuraciones para el
transistor bipolar de juntura.
• Determinar mediante simulación las curvas
características de entrada y salida para cada
configuración del transistor bipolar de juntura.
I. MARCO TEÓRICO
Los transistores TBJ son dispositivos semiconductores de Fig. 1. Circuito emisor común.
estado sólido que permiten controlar el paso de corriente o
disminuir voltaje a través de sus terminales. Son utilizados
como interruptores electrónicos, amplificadores de señales
o como conmutadores de baja potencia. Los transistores
BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien
de dos diodos semiconductores. Estos transistores cuentan
con tres terminales, emisor, base y colector. La zona
central se denomina base, y las laterales emisor y colector.
Estos pines se representan por la inicial del nombre de la
zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector) [1]. Fig. 2. Señal de entrada emisor común.
II. EQUIPOS Y MATERIALES
• Computadora IBM compatible
• Ltspice
Fig. 3. Señal de salida emisor común.
Fig. 9. Señal de salida colector común.
Fig. 4. Circuito base común. C. Utilice la directiva SPICE “.MODEL <nmMiBJT> AKO:
2N3904 (Bf=<###>)” (<MiBJT>: nombre para el
modelo de transistor, <###>: valor de beta) para variar
el valor de beta del transistor. Obtenga las curvas
características de las tres configuraciones para tres
valores de beta (30, 100, 400). Analice las variaciones
obtenidas en las curvas al variar el valor de beta.
Fig. 5. Señal de entrada base común.
Fig. 10. Circuito emisor común Beta 30.
Fig. 6. Señal de salida base común.
Fig. 11. Circuito emisor común Beta 100.
Fig. 7. Circuito colector común.
Fig. 8. Señal de entrada colector común.
Fig. 12. Circuito emisor común Beta 400.
Fig. 16. Circuito colector común Beta 30
Fig. 17. Circuito colector común Beta 100
Fig. 13. Circuito base común Beta 30.
Fig. 18. Circuito colector común Beta 400
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Fig. 14. Circuito base común Beta 100.
• El TBJ aproxima una fuente dependiente de
corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en
el terminal de colector es controlada por la corriente
en el terminal de base.
• El transistor bipolar basa su funcionamiento en el
control de la corriente que circula entre el emisor y
el colector del mismo, mediante la corriente de base.
• Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que
las corrientes y tensiones continuas que aparecen en
el mismo queden fijadas a unos valores previamente
decididos.
REFERENCES
[1] Morales, J. A. R. (2020, 31 agosto). Transistor bjt, funcionamiento.
PASIÓN ELECTRÓNICA. [Link]
bjt-funcionamiento/
Fig. 15. Circuito base común Beta 400