“Año de la universalización de la salud”

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA MECÁNICA

ELECTRONICA INDUSTRIAL I ML-837

INFORME PREVIO
LABORATORIO N°2
AMPLIFICADOR BASICO A TRANSITOR

PROFESOR: Ing. Edilberto Huamaní H.

SECCIÓN: A

ALUMNO: Montoya Juarez Genaro

CODIGO: 20180282D

2020-2
OBJETIVOS:

• Construir y operar un circuito AMPLIFICADOR BÁSICO a transistor. Reconocer en

la práctica la configuración de EMISOR COMÚN.
• Fortalecer el conocimiento, utilidad y función del transistor, su trabajo en DC y en
AC.
• Operar el circuito amplificador básico para determinar el correspondiente punto de
operación del transistor, sus componentes: corriente de base, corriente de colector y
voltaje entre colector y emisor. Reconocer la ganancia de corriente del transistor a
partir de valores medidos.
• -Operar el circuito amplificador básico con pequeña señal, determinar la ganancia de
tensión a partir de valores medidos. Reconocer la máxima excursión simétrica y las
razones por las cuales hay distorsión en la tensión de salida.

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 FUNDAMENTO TEORICO

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de

salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer
resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Funcionamiento y Funciones Del Transistor

Vemos a la izquierda un transistor real y a la derecha el símbolo usado en los circuitos
electrónicos. Fíjate que siempre tienen 3 patillas y se llaman emisor, base y colector.

Es muy importante saber identificar bien las 3 patillas a la hora de conectarlo. En el caso de
la figura, la 1 sería el emisor, la 2 el colector y la 3 la base.
Por cada patilla podemos tener una corriente, a las que llamaremos:
• Ib o IB = la corriente o intensidad por la base
• Ic o IC = corriente o intensidad por el colector
• Ie o IE = corriente o intensidad por el emisor
El funcionamiento del transistor es muy sencillo: Si no hay corriente de base Ib, no hay corriente
entre el colector y el emisor (Ic-e). Cuando le llega una corriente muy pequeña por la base Ib, tenemos
una corriente entre el colector y el emisor (Ic-e) que será mayor que la Ib.
Podemos considerar la Ib como una corriente de entrada y la Ic-e como una de salida, entonces,
cuando le llega una corriente muy pequeña de entrada por la base, obtenemos una corriente mucho
mayor de salida (entre colector y emisor).

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Según este funcionamiento se puede utilizar para 2 cosas básicamente, es decir, tiene dos funciones:
Función 1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando. Es decir,
funciona Como Interruptor. Si no le llega corriente a la base Ib = 0A; es como si hubiera un interruptor
abierto entre el colector y el emisor, no pasa corriente entre ellos (fíjate en la imagen de más abajo).
Si le llega corriente a la base, entonces es como si hubiera un interruptor cerrado entre el colector y
el emisor, ya que circula corriente entre ellos.
De esta forma se utiliza como un componente para electrónica digital. Por ejemplo, Si la señal de
entrada es 1 (corriente por la base) la señal de salida es 1 (corriente entre el colector y el emisor). Si
la Ib es 0 la de salida también será 0. Por ejemplo, uniendo 2 transistores en serie, obtendremos una
puerta lógica AND, y 2 en paralelo una puerta OR. Podemos configurar todas las puertas lógicas que
se estudian en electrónica digital. De hecho, un circuito integrado está compuesto por transistores.
Función 2. Funciona como un elemento Amplificador de señales. Le llega una señal pequeña,
intensidad de base (Ib) que se convierte en una más grande entre el colector y el emisor (Ic-e), que
podríamos llamar de salida. Esta función es con la que trabajará como un componente de electrónica
analógica, varios valores distintos pueden tomar de entrada y salida.

Tipos de transistor
1. Transistor de contacto puntual.
Llamado también "transistor de punta de
contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947
por John Bardeen y Walter Brattain.
Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinación cobre-
óxido de cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de
transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.

2. Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor)
se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico
y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada
tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.

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Las zonas N (en las que abundan portadores de carga
Negativa) se obtienen contaminando el sustrato con
átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P
(donde se generan portadores de carga Positiva o
«huecos») se logran contaminando con átomos
aceptadores de electrones, como el indio, el
aluminio o el galio.
Las tres zonas contaminadas, dan como resultado
transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la región de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por
lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

3. Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto de campo de unión
(JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece
un contacto óhmico, tenemos así un
transistor de efecto de campo tipo N de la
forma más básica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se
conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el
surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente
en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
• Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión
PN.
• Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.

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 • Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-
Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del
canal semiconductor por una capa de óxido.

4. Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación
electromagnética en frecuencias cercanas a la de
la luz visible; debido a esto su flujo de corriente
puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo
mismo que un transistor normal, solo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes:

• Como un transistor normal con la

corriente de base (IB) (modo común);
• Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

REGION DE SATURACION

Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN según el circuito de la Figura

7). En la tabla de resultados del ejemplo 2 queda claro que según aumenta la tensión EB (o
bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensión VBC disminuye. Llegará un momento en
el que, si IB crece lo suficiente VBC cambiará de signo y pasará a ser positiva. En ese
instante, la unión BC dejará de estar polarizada en inversa, y entrará en polarización
directa. La consecuencia es que el colector pierde su capacidad de recolectar electrones, y
la corriente IC resulta ser inferior al valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la región de saturación

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Por otra parte, según se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones polarizadas en
directa, la tensión entre el colector y el emisor en saturación será:

VCE SAT = VBE ON - VBC ON

Si los diodos BE y BC fueran idénticos, la tensión de conducción de ambos sería

prácticamente igual, y entonces la tensión VCE SAT sería nula. Sin embargo, tal y como se ha
comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con distintas características.
Normalmente la tensión VBE ON es aproximadamente igual a 0,7 V, mientras que VBC ON se
sitúa en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una tensión cercana a 0,2 V. Dado que la tensión de
codo de los diodos permanece prácticamente constante para las corrientes de operación
habituales, la tensión VCE SAT es también independiente de las corrientes IB ó IC. Con ello el
transistor pierde su capacidad de gobierno sobre la corriente de colector, que será
controlada únicamente por el circuito externo.

Análogamente al resto de regiones de funcionamiento, también puede hallarse un modelo

simplificado para realizar cálculos con un transistor polarizado en la región de saturación:

Figura 15. Modelo simplificado del BJT en saturación.

Como puede observarse, en este modelo se toma la tensión VCE SAT nula, pero podría
considerarse cualquier valor sin más que incluir una fuente de tensión independiente del
valor deseado entre el colector y el emisor.

CARACTERISTICA VBE-IB

La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse todo lo
dicho cuando se estudió aquél.

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 Figura 17: Característica IB-VBE.

La curva representada en la Figura 17 sigue la expresión:

CARACTERISTICA VCE-IC

Según lo explicado hasta ahora, la característica VCE - IC debería ser la siguiente:

Figura 18: Característica VCE -IC ideal.

Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a

través de la relación . Por lo tanto, en el plano - , la representación
estará formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores de
IB (en este caso se ha representado el ejemplo para ). Evidentemente, no se
dibujan más que unos valores de IB para no emborronar el gráfico. Para , la
corriente de colector también debe ser nula. La región de corte está representada por el eje
de abscisas. Por contra, para el transistor entra en saturación, luego esta región
queda representada por el eje de ordenadas.

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Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco más compleja (Figura 19):

Figura 19: Característica - real.

Las diferencias son claras:

• En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la tensión colector-

emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del
transistor.

• La región de saturación no aparece bruscamente para , sino que hay una

transición gradual. Típicamente se suele considerar una tensión de saturación
comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.

Bibliografía:

• [Link]
• Transistor Electronico. Que Es, Funcionamiento, Tipos, Circuitos. ([Link])
• Transistor - Wikipedia, la enciclopedia libre

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