Circuito Bootstrap
Los interruptores en circuitos como los convertidores CC-CC realizan una transición
cuando la tensión y la corriente son distintas de cero, lo que produce pérdidas de
potencia. Esas perdidas se pueden minimizar con circuitos de excitadores diseñados
para proporcionar unas rápidas transiciones de conmutación.
El circuito de excitación para un MOSFET
Un MOSFET es un dispositivo controlado por tensión. Su estado de conducción se
consigue cuando la tensión puerta-fuente sobrepasa de forma suficiente la tensión
umbral, lo que fuerza al MOSFET a entrar en la región de trabajo óhmica. Normalmente
esa tensión esta entre 10 a 20 V. El estado desactivado se consigue con una tensión
menor que la tensión umbral.
Algunas topologías, como el convertidor reductor que utiliza un MOSFET de canal n,
requieren que el circuito de excitación del MOSFET sea flotante con respecto a la masa
del circuito. A los circuitos de excitación para estas aplicaciones se les llama circuito de
excitación de lado alto. Un circuito de excitación que se puede utilizar es el llamado
“Bootstrap” mostrado en la figura
Circuito Bootstrap
Cuando v I está en nivel alto, Q 1 conduce y M 2 conduce. Con M 2 activado, el
condensador C 1se carga a través del diodo a la tensión V s . Cuando v I está en nivel bajo,
Q1 está al corte y la tensión de puerta del transistor de conmutación M 1 se eleva hasta
V c+¿ ¿, haciendo conducir a M 1. Con M 1 activado y la tensión de salida v o igual a V s , la
puerta de M 1 está a 2 V s a causa de la carga almacenada en C 1. Esto mantiene en M 1 una
tensión puerta-fuente de V s , mientras M 1 esté conduciendo. Cuando v I pasa a nivel alto
y Q 1 entra en conducción, la puerta de M 1 pasa a nivel bajo para poner a M 1 al corte.
Los excitadores de puerta para MOSFET se pueden obtener en forma de circuito
integrado. El IR2110 de International Rectifier está diseñado para excitar tanto a un
interruptor de lado alto como a uno de lado bajo. [1]
Para la implementación del circuito de excitación Bootstrap se va a simular un
convertidor CC-CC tipo SEPIC con las siguientes especificaciones
V g=55 V
V =54 V
I =8 A
R=6.75Ω
f =15 kHz
∆ i=10 % I =0.8 A
∆ v=10 % V =5.4 V
D=0.5
C 1=C2 =49 μF
L1=L2=2.3 mH
Circuito SEPIC simulado en Proteus sin circuito Bootstrap de excitación del MOSFET
conectado
Formas de onda del osciloscopio de Proteus
En la figura se puede ver que cuando no está conectado el circuito de excitación al
MOSFET existe bastante perdida a la salida pues el voltaje medio está alrededor de 25
V como se ve en la figura. Esto indica que conectar una señal de pulsos directamente al
MOSFET no es lo correcto pues no se obtienen los resultados esperados mediante las
especificaciones del circuito
Circuito SEPIC simulado en Proteus con circuito Bootstrap de excitación del MOSFET
En la figura se observa que al conectar el circuito Bootstrap al MOSFET se logra
obtener los valores esperados ya que el voltaje medio de salida es de alrededor de 54.5
V que es un valor cercano al especificado para la simulación.
Referencias
[1] D. W Hart, “Electronica de Potencia,” Madrid, España. Pearson education,
Madrid, p. 472, 2001.
