Introducción
Este trabajo está destinado a resumir puntos importantes sobre el dispositivo FET y sus
variantes tomando de referencia la más utilizada que es MOSFET. Conocer su historia,
evolución y usos mas importantes. Es de bien asumir que el desarrollo de estos
dispositivos electrónicos da como resultados un avance en la tecnología como la
conocemos hoy en día.
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: FUENTE
(Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando la corriente entre
drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al
terminal de puerta. Algunos tipos de FET presentan facilidades en cuanto a su integración
en áreas pequeñas y se utilizan especialmente en altas escalas de integración (LSI o VLSI),
con un amplio desarrollo para circuitos digitales (microprocesadores, memorias, etc.) y un
permanente avance en su utilización en circuitos integrados de aplicación analógica.
Teniendo en cuenta que pueden llegar a manejar más de 10 A de corriente. Se utilizan en
diversas aplicaciones en reemplazo del transistor bipolar, dando un alto rendimiento en
circuitos relativamente simples1.
El MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal), antes
mencionado, es un tipo especial de transistor de efecto de campo en el que el electrodo
de puerta es una pequeña placa de metal aislada del sustrato por una película delgada de
dióxido de silicio. La corriente de fuga de la compuerta, tan baja como 10 picoamperios en
algunos modelos, es mucho menor que la del FET de unión y da como resultado una
resistencia de entrada comparable a la del tubo de vacío. Por lo tanto, a todos los efectos
prácticos, el MOSFET, como el tubo de vacío, es esencialmente un dispositivo accionado
por voltaje.
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Historia
En 1959 MM (John) Atalla y Dawon Kahng en Bell Labs lograron el primer transistor de
efecto de campo de puerta aislada (FET) exitoso, que Lilienfeld, Heil, Shockley y otros
(1926 Milestone) habían anticipado durante mucho tiempo al superar la "Superficie" que
bloquearon la penetración de campos eléctricos en el material semiconductor. Al
investigar las capas de dióxido de silicio crecidas térmicamente, encontraron que estos
estados podrían reducirse notablemente en la interfaz entre el silicio y su óxido en un
sándwich que comprende capas de metal (puerta M), óxido (O - aislamiento) y silicio (S -
semiconductor), de ahí el nombre MOSFET, conocido popularmente como MOS. Como su
dispositivo era lento y no respondía a necesidades urgentes del sistema telefónico, no se
siguió adelante. En un memorando de 1961, sin embargo, Kahng señaló su potencial
"facilidad de fabricación y la posibilidad de aplicación en circuitos integrados". Pero los
investigadores de Fairchild y RCA reconocieron estas ventajas. En 1960, Karl Zaininger y
Charles Meuller fabricaron un transistor MOS en RCA y C.T. Sah de Fairchild construyó un
tetrodo controlado por MOS. Fred Heiman y Steven Hofstein siguieron en 1962 con un
dispositivo integrado experimental de 16 transistores en RCA.
La región conductora del transistor MOS es de tipo p (lo que la convierte en un dispositivo
de "canal p") o de tipo n (dispositivo de "canal n"). Estos últimos son más rápidos que el
canal p pero son más difíciles de hacer. Los dispositivos MOS llegaron al mercado
comercial en 1964. General Microelectronics (GME 1004) y Fairchild (FI 100) ofrecieron
dispositivos de canal p para aplicaciones lógicas y de conmutación; RCA introdujo un
transistor de canal n (3N98) para amplificar señales. Debido a su tamaño más pequeño y
menor consumo de energía que los dispositivos bipolares, más del 99 por ciento de los
microchips producidos en la actualidad utilizan transistores MOS. Lograr tal ubicuidad
requirió décadas de esfuerzo2.
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Ilustración 1 Propuesta realizada por Steven Hofstein 1962
Estructura física
El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres terminales que se construye sin
uniones PN dentro de la ruta de transporte de corriente principal entre los terminales de
drenaje y fuente. Estos terminales corresponden en función al Colector y al Emisor
respectivamente del transistor bipolar. La ruta de corriente entre estos dos terminales se
denomina "canal", que puede estar hecho de un material semiconductor tipo P o tipo N.
El control de la corriente que fluye en este canal se logra variando el voltaje aplicado a la
puerta. Como su nombre lo indica, los transistores bipolares son dispositivos "bipolares"
porque operan con ambos tipos de portadores de carga, agujeros y electrones. El
transistor de efecto de campo, por otro lado, es un dispositivo "unipolar" que depende
solo de la conducción de electrones (canal N) o agujeros (canal P).
Al igual que los transistores de unión bipolar, los MOSFET se componen de dos regiones
semiconductoras diferentes, n y p. En lugar de crear una corriente a través del dispositivo
rellenando los "agujeros" en la región p, el MOSFET forma un "canal" de la capa n cargada
positivamente entre las dos n secciones, como se muestra en la Ilustración 2 Este "canal"
se forma cuando Se aplica un voltaje a través de la puerta, que atrae los electrones en la
región n más cercana a la carga de la puerta. La fuerza del voltaje de la puerta determina
la geometría del canal y la corriente que pasa a través de él. La Ilustración 3 muestra la
característica de drenaje del MOSFET, la relación entre el voltaje de drenaje-fuente y la
corriente de drenaje3.
Ilustración 2 Estructura MOSFET, ejemplo Tipo P y N.
Ilustración 3 Región de operación del MOSFET
Ilustración 4 Región de operación del MOSFET.
Terminología utilizada en el análisis de circuitos MOSFET
VDS: el voltaje máximo entre el drenaje y la fuente que se garantiza que el dispositivo
bloque en el estado apagado. Esta sección de la hoja de datos trata sobre los más
utilizados rangos de temperaturas, a diferencia del rango de temperatura completo del
dispositivo.
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ID - la corriente continua máxima que el dispositivo puede transportar con la base de
montaje sujeta continuamente a 25oC con el dispositivo completamente encendido. En el
Ptot: la potencia continua máxima que el dispositivo puede disipar con la base de montaje
sujeta continuamente a 25oC.
RDS (on) (fuente de drenaje en estado de resistencia): la resistencia típica y máxima del
dispositivo en el estado encendido en las condiciones descritas. RDS (activado) varía
mucho con T y el voltaje de la fuente de puerta (VGS).
QGD (carga de drenaje de puerta): un parámetro de conmutación importante que se
relaciona con la pérdida de conmutación, junto con Q GS y QG (tot) . QGD es inversamente
proporcional a RDS (on), por lo que elegir un el equilibrio adecuado entre RDS (on) y QGD es
fundamental para un rendimiento óptimo del circuito.
QOSS (carga de salida): un parámetro de conmutación cada vez más importante en los
MOSFET modernos, ya que se han optimizado los demás parámetros de conmutación.
EDS(AL)S (energía de avalancha de fuente de drenaje no repetitiva): describe la energía
máxima permitido en cualquier pico de voltaje o pulso que exceda la clasificación VDS del
dispositivo, excesivo esta clasificación, corre el riesgo de dañar el dispositivo. Este
parámetro describe lo que es comúnmente denominado "robustez", que es la capacidad
del dispositivo para resistir eventos de sobretensión.
Información de pines
Esta sección describe las conexiones internas y el diseño general del dispositivo. El símbolo
es para un MOSFET de canal n de mejora con la fuente y el cuerpo unidos, y un diodo
paralelo entre la fuente y el drenaje. El diodo paralelo se conoce como cuerpo diodo y es
inherente a los MOSFET de potencia. Los MOSFET de potencia de canal N tienen el diodo
de cuerpo entre el drenaje y la fuente, como se muestra en la Tabla 1.
Tabla 1 PIN Layer.
Dibujo Símbolo
PIN Símbolo Descripción
simplificado comercial
1 S Source
2 S Source
3 S Source
4 G Gate
mb D Conector drenar
En la iIlustración 5, que seguidamente se muestra, se tiene una comparación entre los
símbolos de los MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los
símbolos para los JFET dibujados con la fuente y el drenaje ordenados de modo que las
tensiones más elevadas aparecen en la parte superior del símbolo y la corriente fluye
hacia abajo.
Ilustración 5 Simbología de FET y MOSFET
Técnicas de manufactura.
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor
sólido cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio) con diferentes
contaminaciones, que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante
una corriente de control, mucho menor.
El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,
partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John
Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer transistor
de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de fabricación, su
comercialización a gran escala.
Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas, en
los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e
inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba
a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios").
Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una
de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicación
sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las
secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de
emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como
el dispositivo predominante, con párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes
del uso de un JFET de canal-p4.
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Análisis del funcionamiento
Primero se analizará el efecto de las variaciones de la tensión de puerta - fuente
manteniendo constante la tensión de drenaje - fuente en un valor pequeño. Luego se
mantendrá la tensión puerta - fuente constante haciendo variar la tensión drenaje -
fuente. A partir de estos análisis se diferenciarán las distintas zonas de funcionamiento:
zona de corte, zona óhmica o resistiva, zona de estrangulación o saturación del canal y
zona de ruptura.
a) Tensión de drenaje - fuente constante (VDS=cte.). Si se aplica una tensión
constante pequeña (fracción de voltio) entre drenaje y fuente, la corriente de
drenaje (ID) resulta función de la tensión aplicada entre puerta y fuente (VGS). Esta
corriente puede fluir aun con una polarización nula en la puerta. A medida que se
aumenta la polarización inversa de puerta la corriente entre drenaje y fuente va
disminuyendo (el canal se angosta debido al efecto de la carga espacial) hasta que,
para un determinado valor de tensión de puerta (VP, tensión de contracción del
canal o de pinch-off ) la circulación se interrumpe. El dispositivo se corta pues se ha
producido el total vaciamiento de portadores en el canal debido al efecto de
recombinación de las cargas libres. En un JFET de canal N (N-JFET), la tensión de
contracción es negativa e ID es positiva. Lo inverso ocurre en un JFET de canal P 5.
b) Tensión de puerta - fuente constante (VGS constante). Manteniendo constante la
tensión de puerta en un valor tal que asegure que el JFET esté en la zona de
conducción para tensión de drenaje - fuente nula la corriente de drenaje será nula.
Si VGS< VP y VDS = 0 ⇒ ID = 0 Al ir incrementando la tensión de drenaje (vDS) la
corriente comienza a aumentar linealmente produciendo una mayor caída de
tensión en el canal que eleva la polarización inversa de puerta y produce el
estrechamiento del canal. Este estrechamiento no es uniforme, sino que es más
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pronunciado en las zonas más lejanas del terminal de fuente. Hay un nivel de
tensión vDS que produce la estrangulación o saturación del canal. A partir de ese
valor la corriente iD se mantiene prácticamente constante frente a los aumentos
de vDS. 2b(x) δ S D G G L FIG. 2.02: SATURACION DEL CANAL EN UN JFET. Es
imposible que se produzca la estrangulación total del canal (cierre total del mismo)
y en consecuencia que la corriente resulte nula, pues ese mismo efecto producirá
una disminución de la polarización inversa revirtiendo el proceso (apertura del
canal). Para tensiones vDS muy elevadas se produce un efecto de ruptura en
avalancha y la corriente aumenta bruscamente.
Zonas de funcionamiento
La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo.
En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
Zona lineal. El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de
la tensión VGS.
Zona de saturación. A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el
FET,amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte. La intensidad de Drenador es nula.
Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor. En la zona óhmica o lineal se
observa como al aumentar la tensión drenador surtidor aumenta la intensidad de
drenador. En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor
produce una saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante.
Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona. La zona de corte
se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula. La zona de ruptura indica la
máxima tensión que soportará el transistor entre drenador y surtidor. Es de destacar que
cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es máxima.
Efecto de la temperatura
A medida que aumenta la temperatura disminuye la movilidad de los portadores, los iones
de la red cristalina tienen mayor vibración provocando una menor libertad de movimiento
de los portadores en la estructura cristalina. Este efecto produce, para un campo eléctrico
dado, una disminución de las velocidades y, en consecuencia, una reducción de la
corriente de drenaje (0,7%/oC). Paralelamente se produce una disminución del ancho de
la barrera puerta - canal a medida que aumenta la temperatura, este efecto tiende a
aumentar la tensión de contracción (VP), o sea que para la misma tensión de puerta -
fuente obtengo una menor corriente (∆VP ≈ -2,2 mV/oC).
Modos de configuración del FETs
Configuración de fuente común (CS)
En la configuración de fuente común (similar al emisor común), la entrada se aplica a la
puerta y su salida se toma del drenaje como se muestra. Este es el modo de
funcionamiento más común del FET debido a su alta impedancia de entrada y buena
amplificación de voltaje y, como tal, los amplificadores de fuente común se utilizan
ampliamente. Ver en la ilustración
Ilustración 6 Configuración fuente común del FETs.
El modo de fuente común de conexión FET generalmente
se usa en amplificadores de frecuencia de audio y en
etapas y preamplificadores de alta impedancia de entrada. Al ser un circuito amplificador,
la señal de salida está 180o “desfasada” con la entrada.
Configuración de puerta común (CG)
En la configuración de puerta común (similar a la base común), la entrada se aplica a la
fuente y su salida se toma del drenaje con la puerta conectada directamente a tierra (0v)
como se muestra en la Ilustración 7. La característica de alta impedancia de entrada de la
conexión anterior se pierde en esta configuración ya que la puerta común tiene una baja
impedancia de entrada, pero una alta impedancia de salida.
Este tipo de configuración FET se puede utilizar en
circuitos de alta frecuencia o en circuitos de
adaptación de impedancia donde una impedancia de
entrada baja debe combinarse con una impedancia de
salida alta. La salida está "en fase" con la entrada.
Ilustración 7 Configuración de puerta común
(CG) del FETs.
Configuración de drenaje común (CD)
En la configuración de drenaje común (similar al colector común), la entrada se aplica a la
puerta y su salida se toma de la fuente. La configuración de drenaje común o "seguidor de
fuente" tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida y una
ganancia de voltaje cercana a la unidad, por lo que se utiliza en amplificadores de búfer.
La ganancia de voltaje de la configuración del seguidor de fuente es menor que la unidad,
y la señal de salida está "en fase", 0o con la señal de entrada.
Este tipo de configuración se conoce como "drenaje
común" porque no hay señal disponible en la conexión
de drenaje, el voltaje presente, + VDD solo
proporciona un sesgo. La salida está en fase con la
entrada.
Ilustración 8 Configuración de drenaje Polarización del amplificador JFET
común del FETs.
Al igual que el transistor de unión bipolar, los JFET se pueden utilizar para hacer circuitos
amplificadores de clase A de una sola etapa con el amplificador de fuente común JFET y
las características son muy similares al circuito emisor común BJT. La principal ventaja que
tienen los amplificadores JFET sobre los amplificadores BJT es su alta impedancia de
entrada que está controlada por la red resistiva de polarización de puerta formada por R1
y R2 como se muestra en la Ilustración 8.
Ilustración 9 Circuito de ilustrado de amplificador FETs.
Tipos de FETs6
FET o JFET (Junction Field Effect Transistor).
MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated Gate
Field Effect Transistor).
Clasificación según el método de aislamiento entre el canal y la puerta
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante
(normalmente SiO2).
El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n.
El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del
JFET con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante
entre la puerta y el cuerpo del transistor.
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Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor).
Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de
potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está
entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más
utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra
rápida del transistor.
Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una
puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de
ADN iguales
Ejemplos de aplicación
APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o Impedancia de entrada Uso general, equipo de medida,
separador (buffer) alta y de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo
Amplificador de RF Bajo ruido
para comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM y TV,equipos
Mezclador
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar Receptores, generadores de
CAG ganancia señales
Amplificador Baja capacidad de Instrumentos de medición,
cascodo entrada equipos de prueba
Amplificadores de cc, sistemas de
Troceador Ausencia de deriva
control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable
Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas de
por voltaje
tono
Amplificador de Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
baja frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón,
Oscilador
frecuencia receptores
Circuito MOS Integración en gran escala,
Pequeño tamaño
digital computadores, memorias
Ventajas y desventajas de los FETS7
Las ventajas del FET
1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107
W). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se
prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos
pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de
dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque
mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores
pequeños de tensión de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas del FET
1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de
entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.
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CONCLUSION
Es necesario conocer el tipo de encapsulado y sus características principales antes de
realizar un esquema electrónico, así como el esquema de identificación de los terminales y
la evaluación de las gamas de utilidades posibles. También tendremos que conocer una
serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos
sobrepasar para mantener el equipo en óptimo funcionamiento. El parámetro de la
potencia disipada por el FETs es especialmente crítico con la temperatura, de modo que
esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces
necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos
los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.