PRACTICA # 1.

IDENTIFICACION DE BJT, CONCEPTO DE PUNTO DE TRABAJO, RECTAS DE CARGA

1. INTRODUCCIÓN

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si éste es NPN o PNP, sin
embargo, se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos
indican como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base.

La estabilidad de funcionamiento de los circuitos con transistores es un aspecto fundamental en el diseño de los mismos.
El diseñador no sólo ha de asegurar que el circuito funciona, sino que lo hace dentro de los límites máximos y mínimos
indicados por las especificaciones del mismo. Además, ha de prever posibles eventualidades al funcionamiento que
puedan hacer que el circuito deje de funcionar.

2. OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL

Identificar al transistor bipolar y comprender los conceptos de punto de trabajo y rectas de carga.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS:

• Reconocer físicamente un transistor bipolar (identificar sus terminales)

• Diferenciar los transistores NPN y PNP
• Diseñar el punto de trabajo y construir las rectas de carga de un transistor BJT en configuración emisor común.
• Comprender el proceso de análisis y diseño de una polarización para BJT.

3. MARCO TEÓRICO

BJT: El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los terminales controla las
otras dos. Los transistores se utilizan para amplificación, regulación de potencia y como interruptores. Los transistores
han sido uno de los componentes claves en la electrónica moderna gracias a su confiabilidad y bajo costo. Miles de
transistores son utilizados en circuitos integrados que componen la mayoría de los equipos digitales y electrónicos hoy
día. Reemplazaron los tubos de vacío en el siglo XX por su pequeño tamaño y bajo costo, habilidad para controlar
corrientes altas, alta eficiencia, largo periodo de vida, baja disipación de potencia entre otras características.

Figura 1.43. Transistor BJT con terminales y terminales BJT visto desde arriba.
Tipos de transistores: existen varios tipos de transistores dependiendo de sus materiales y configuración
interna. Los más comunes son los transistores de unión bipolar (bipolar junction) o BJT y los transistores de
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efecto de campo (field effect) o FET. Los BJT son usados para amplificar y switching su nombre es derivado de
su funcionamiento interno que utiliza el movimiento de electrones y huecos. El transistor de unión bipolar (BJT)
está formado por la unión de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipos p y uno tipo n. Se conoce
como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones como por huecos. La figura 1.44a,
muestra la construcción de un BJT tipo NPN (dos semiconductores tipo n separados por un semiconductor tipo
p) y su correspondiente símbolo esquemático. Los terminales del transistor se identifican como Colector (C),
Emisor (E) y Base (B). La figura 1.44b, muestra un BJT tipo PNP.

Figura 1.44. a) BJT en configuración NPN, b) BJT en configuración PNP.

Los NPN tiene dos capas de material tipo N y una de tipo P entre medio. Estos BJT son los más comúnmente utilizados, ya
que el movimiento de los electrones es mucho más rápido que el movimiento de huecos y esto permite controlar mayores
valores de corriente y producen mayor rapidez de operación. Los PNP tienen dos capas de material tipo P y un tipo N
entre medio. Estos BJT funcionan con el movimiento de huecos. Los últimos BJT están compuestos por materiales
semiconductores distintos al material N y P. son utilizadas por su habilidad de controlar frecuencias bien altas varios
cientos de GHz.

Regiones de operación:

Los transistores bipolares contienen cuatro regiones principales de operación, parecido a los diodos. En cada región, la
corriente es controlada de forma distinta y las uniones o “diodos” internos están en un modo distinto.

• Forward active o activa: unión E-B en polarización directa, unión B-C en polarización inversa, corriente del C-E es
proporcional a la corriente de la base, para variaciones pequeñas de corriente de base la proporción es grande.

• Reverse active o inversa: unión E-B en polarización directa, unión B-C en polarización inversa, relación de corriente es
inversa al modo activo.

• Saturation o saturación: ambas uniones en polarización inversa, BJT funciona como un switch cerrado dejando pasar
toda la corriente por ella.

• Cutoff o corte: ambas uniones en polarización inversa, BJT funciona como un switch abierto bloqueando toda corriente
por ella.

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Concepto de punto de trabajo:

El transistor BJT que opera en la región lineal tiene unas características eléctricas lineales que son utilizadas para
amplificación. En estos circuitos, las señales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de
energía realizado a través de fuentes de tensión externas denominadas fuentes de alimentación o fuentes de polarización.
Las fuentes de alimentación cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones en continuas necesarias para
que el transistor opere en la región lineal y suministrar energía al transistor de la que parte de ella va a ser convertida en
potencia (amplificación). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina
punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).

Rectas de carga:

Los diseños de amplificadores de pequeña señal con transistores se hacen ubicando el punto de funcionamiento en el
centro de la recta de carga cuando no se da una carga , sino que la carga es .

Cuando se da se debe trazar una recta de carga en y en el centro de ella se debe ubicar el punto , denominado
. Es decir que ahora se consideran dos rectas de carga, la recta de carga o estática y la recta de carga AC o dinámica.

Para AC se plantea la malla de salida: + =0

De donde

=−

Teniendo en cuenta que

= − y que = −

Reemplazando:

−
− =−

= + −

La ecuación anterior define la ecuación para la recta de carga en AC, así:

Para transistor la saturación por causa de la señal, CE=0

= + /
Para transistor en corte por causa de la señal, =0

= +

La figura 1.45 muestra las rectas de carga y

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 Figura 1.45. Rectas de carga AC y DC

Cómo se obtiene la recta en DC?

Para saturación:

=0

= /( + )

Para corte:
=0

=
En adelante, la resistencia vista en la salida cuando se hace análisis DC se escribirá como:
= +
Algunas observaciones de la figura 1.45 son:
1. La recta de carga AC es de mayor pendiente que la recta de carga DC.
2. Implica que ! y
3. Las igualdades se dan cuando " →∞ y =

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4. El corte de las dos rectas de carga es el punto de funcionamiento .
La máxima señal en voltaje que se obtiene a la salida se obtiene del siguiente análisis:

%= −

Como: = +

&' = + −

&' =

El máximo voltaje pico-pico sin distorsión es:

&'' =2

Este voltaje también se puede expresar como:

&'' =2

De las ecuaciones &'' =2 y &'' =2 , se tomara la de menor valor.

Para el circuito emisor común con bypass, = )"

Pero si el circuito amplificador EC no tiene bypass, será:

= )" +

Para el diseño, el punto que se ubica en el centro de la recta de carga por lo que se cumple que:

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 =2

Como = + /

*+,-
Entonces: 2 = +
./0

*+,-
Reemplazando = en la ecuación que define la malla de salida en DC:
./0

= +

= + ∗

* ∗.
De donde: = (. ++3./0 )
/0 40

*++
E, =.
/0 3.40

La última ecuación solo se utiliza en el diseño y asegura que el punto quede en el centro de la recta de carga en .

Polarización:

En transistor del circuito de la figura 1.46, esta polarizado con dos resistencias y una fuente de tensión en
continua VCC. En este circuito se verifica que:

6
 Figura 1.46. a) Transistor polarizado, b) Recta de carga.

− 6
6 =
6

Si suponemos que el transistor se encuentra en la región directa lineal, entonces se puede relacionar las intensidades de
base y colector a través de la hFE y asignar una tensión base-emisor típica de 0.7 V. El cálculo de las tensiones e intensidades
del transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:

( − 0.7 )
6 =
6

= ℎ: ∗ 6

= − ∗

Esta ecuación define la recta de carga obtenida al aplicar LVK al circuito de polarización.

En la figura 1.46b se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a
través de tres parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada
recta de carga estática: si Q se encuentra en el límite superior de la recta el transistor estará saturado, en el
límite inferior en corte y en los puntos intermedios en la región lineal. Esta recta se obtiene a través de la
ecuación del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas características del transistor
de la figura 1.46b corresponde a una recta.
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Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a)
*++
VCE=0, entonces = , b) IC=0, entonces =
.+

Estos puntos se pueden identificar en la figura 1.46b, y representan los cortes de la recta descarga estática con
los ejes de coordenadas. Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor es
seleccionar la situación del punto Q. La selección más práctica es situarle en la mitad de la recta de carga estática
para que la corriente de colector sea la mitad de su valor máximo, condición conocida como excursión máxima
simétrica. Evidentemente esta es una condición de diseño que asegurara el máximo margen del punto Q a
incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de
operación del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situación
del punto Q estará definida por las diferentes restricciones.

La selección del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a través de diferentes circuitos de polarización que fijen
sus tensiones y corrientes. En las figuras 1.47 a 1.50, se muestran los circuitos de polarización más típicos basados en
resistencias y fuentes de alimentación; además, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo de
los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes. Por ejemplo, el circuito de la figura
1.47, es poco recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva térmica que
autodestruye el transistor. La polarización de corriente de base de la figura 1.49, es mucho más estable, aunque el que
más se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarización. La polarización de colector-base asegura que
el transistor nunca entra en saturación al mantener su tensión colector-base positiva.

Circuitos de polarización de transistores de unión bipolar:

Polarización de corriente de base

− 6
6 =
6 + (1 + ℎ: )

= ℎ: 6

1 + ℎ:
= − < + =
ℎ:
Si 6 ≪ (ℎ: ≫ 1)
− 6
6 =
6+ (ℎ : )

= − ( + )

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 Figura 1.47. Polarización de corriente de base

Polarización de tensión de base constante

− 6
6 =
6 + (1 + ℎ: )
= ℎ: 6

1 + ℎ:
= − < + =
ℎ:

Figura 1.48. Polarización de tensión de base constante.

Polarización de colector-base
− 6
6 =
6 + (1 + ℎ: )( + )
= ℎ: 6

= 6 6 + 6

El transistor nunca entra en saturación

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 Figura 1.49. Polarización de colector-base

Autopolarización

Idénticas formulas al caso anterior, siendo

6@ 6B
6 = 6@ || 6B =
6@ + 6B

6@
66 =
6@ + 6B

Figura 1.50. Autopolarización.

4. MATERIALES Y EQUIPOS

• Transistor BJT NPN (2N2222 o 2N3904) y BJT PNP (2N3906)

• Resistencias
• Condensadores
• Sondas para osciloscopio
• Multímetro

5. PROCEDIMIENTO PARA LA PRÁCTICA

Medición de transistores:

Traiga al laboratorio dos transistores NPN y PNP: BJT NPN (2N2222 o 2N3904) y BJT PNP (2N3906)

Figura 1.51. Medición de transistor PNP

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Con ayuda de los “datasheets” del transistor NPN, revise cuales son los terminales. Llene la siguiente tabla con los valores
del multímetro, repita el procedimiento con el transistor PNP, ingrese los datos en una tabla igual.

Figura 1.52. Medición de transistor NPN

Tabla 5.1. Tabla para registro de los voltajes de multímetro.

Punta ROJA Punta NEGRA Voltaje en el Multímetro

Base Emisor

Base Colector

Colector Emisor

Emisor Colector

Emisor Base

Colector Base

Curvas de caracterización del transistor (para hacerlo en laboratorio):

Monte el siguiente circuito, con los siguientes valores: 6 = 100CΩ = 1EΩ
V = 15 66 : I
A continuación, complete la siguiente tabla (no olvide que los valores de corriente se calculan. Lo mismo que el
valor de ℎJ .

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 Figura 1.53. Transistor polarizado.
Tabla 5.2. Características polarización
VBB VBE VCE IC=(VCC-VCE)/RC IB=(VBB-VBE)/RB hFE=Ic/Ib

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Grafique en Excel o en papel milimetrado ( )e( I I)

Figura 1.54. Variables a graficar en Excel.

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Responda las siguientes preguntas:
Cuál es la diferencia del transistor PNP y NPN?
Qué significa ℎ: ?
¿Un transistor es un elemento que amplifica corriente o voltaje? Justifique su respuesta.

ASPECTOS PARA EVALUAR EN EL INFORME

• Tablas de resultados
• Gráficas en Excel
• Análisis del tercer punto, partes: a y b: graficas. Como se los indique arriba traerlos ya desarrollado en la bitácora
• Comparación de resultados teóricos con resultados prácticos obtenidos en el laboratorio: Tablas comparativas.
• Conclusiones de la práctica para los cuatro aspectos desarrollados en esta guía.

6. BIBLIOGRAFÍA

[Link]
Nashelsky/Electr%C3%B3nica%20teor%C3%ADa%20de%20circuitos%20y%20dispositivos%20electr%C3%B3nicos%2
0-%20Edicion%2010%20-%20Robert%20L.%20Boylestad%2C%20Louis%20Nashelsky#page/n213/mode/1up

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