LAB.

MICROELECTRONICA UNMSM – FIEE

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

UNIVERSIDAD DEL PERÚ, DECANA DE AMÉRICA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES Nº DE MATRÍCULA

Ccoyori Mendoza Mario 16190114

CURSO TEMA
SIMULACIÓN MEDIANTE COMSOL
LAB. MICROELECTRONICA Pull-in of an RF MEMS Switch

INFORME FECHA NOTA

Final REALIZACIÓN ENTREGA

NÚMERO
24/11/19 24/11/19
4

GRUPO PROFESOR

GRUPO HORARIO: LUNES

2-4PM Dr. ALARCON MATUTTI
LAB. MICROELECTRONICA UNMSM – FIEE

1. TÍTULO:
Pull-in of an RF MEMS Switch
(by Lexi Carver January 7, 2014)

2. OBJETIVOS:

Generales:
 Conocer los fundamentos de los Sistemas Microelectromecánicos (MEMS)
 Usar COMSOL Multiphysics para simular MEMS.
Específicos:
 Conocer los principios físicos del funcionamiento de un conmutador RF
 Diseñar un conmutador RF MEMS que consiste en un delgado puente micromecánico
suspendido sobre una capa dieléctrica del programa Comsol.

3. MARCO TEÓRICO:

Estado del arte (conocimientos y desarrollos actuales del tema) Fundamentos teóricos,
modelo físico-matemático, marco general. Propuestas existentes

Tecnología MEMS

Sistemas-Micro-Electro-Mecánicos o MEMS, son una tecnología que, en su forma más

general puede ser definida como elementos mecánicos y electro-mecánicos (por ejemplo,
dispositivos o estructuras) miniaturizados que se realizan con técnicas de micro-fabricación.
Las dimensiones físicas críticas de los dispositivos MEMS pueden variar desde muy por
debajo de una micra en el extremo inferior del espectro de dimensiones, hasta varios
milímetros.

Asimismo, los tipos de dispositivos de MEMS pueden variar de estructuras relativamente

simples que no tienen elementos móviles, a los sistemas electromecánicos extremadamente
complejos con múltiples elementos móviles bajo el control de la microelectrónica integrada.
No sólo es el rendimiento de los dispositivos MEMS lo que los hace excepcionales, sino
también su método de producción, el cual aprovecha las técnicas de fabricación por lotes,
mismas utilizados en la industria de circuitos integrados, lo que se traduce en un costo de
producción por cada dispositivo más bajo, así como muchos otros beneficios.

Aplicaciones

 Impresoras de inyección de tinta, que utilizan piezoeléctricos o burbuja térmica de eyección para
depositar la tinta sobre el papel.
 Acelerómetros en los automóviles modernos para un gran número de finalidades, entre ellas el
despliegue de colchón de aire (airbag) en las colisiones.
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 Acelerómetros en dispositivos de electrónica de consumo, tales como controladores de juegos

(Nintendo Wii), reproductores multimedia personales y teléfonos móviles (Apple iPhone) y una
serie de Cámaras Digitales (varios modelos Canon Digital IXUS). También se usa en ordenadores
para estacionar el cabezal del disco duro cuando es detectada una caída libre, para evitar daños y
pérdida de datos.
 Giroscopios SMEM modernos utilizados en automóviles y otras aplicaciones de orientación para
detectar, por ejemplo, un rolido y desplegar una cortina air-bag más o activar el control dinámico
de estabilidad.
 Sensores de presión de Silicio, por ejemplo, en sensores de presión de neumáticos de
automóviles, y en sensores de presión arterial desechables.
 Pantallas, por ejemplo, el chip DMD en un proyector basado en la tecnología DLP posee en su
superficie varios cientos de miles de microespejos.
 Tecnología de conmutación de fibra óptica que se utiliza para tecnología de conmutación y
alineación para comunicaciones de datos.
 Proyector de cine digital : Philippe Binant4 realizó, 2000, la primera proyección de cine numérico
público de Europa, fundada sobre la aplicación de un SMEM desarrollado por Texas Instruments.
 Aplicaciones Bio-SMEM aplicaciones en medicina y tecnologías relacionadas con la salud desde
Lab-On-Chip (laboratorios en un chip) a Análisis Micro Total (biosensores, sensores químicos)
para MicroTotalAnalysis (biosensor, chemosensor).
 Aplicaciones IMOD en la electrónica de consumo (sobre todo pantallas en los dispositivos
móviles). Se utiliza para crear tecnología pantalla de modulación interferométrica - reflexiva.
 El Adams Golf DiXX Digital Instrucción Putter usa SMEM, concretamente un microsistema de
navegación inercial para analizar los factores del movimiento del swing, incluyendo el camino,
el tiempo, la velocidad y los niveles de vibración de la mano.
 Microscopia de fuerza atómica o AFM: Los sensores de fuerza (micropalancas) usados en AFM
son en sí sistemas microelectromecánicos producidos con técnicas de microfabricación. Con
estos pueden obtenerse medidas de fuerzas en el rango de pN (piconewton) a nN (nanonewton),
así como levantar topografías de superficies a escala atómica.
 Aceleración drámatica del tiempo de mezclado en micro fluidos.

A continuación se muestran algunos productos comerciales desarrollados, los cuales cuentan con
tecnología MEMS para su desempeño:

Automotriz
 Airbags
 BMW X5
 Stability Control
Biotecnologia
 Teltronic ikcal
 Fluxxion filtration systems
 Nanomi emulsificators

Electronica de Consumo

 Blackberry Playbook
 Apple iPad
 Motorola Xoom
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 Apple iPods with hard disc drives

 Select Toshiba, IBM and Apple laptops
 Nintendo Wii
 Sony Playstation 3
 Panasonic Digital Still Cameras, e.g. Lumix
 HDTVs and Projectors featuring DLP

Energy

 Dimatix Materials Printer

 Energy Harvesters
 Smart Home Control Systems

Industrial

 FuelSenseTM Density Meter

 Nikon High-speed Optical Device for Maskless Exposure Systems
 Polychromix Phazir
 Sensata 8PP3 Silicon MEMS Strain Gauge pressure sensor

Medical

 Shunt Valve Regulation

 Debiotech Insulin Nanopump
 Blood Pressure Monitor (invasive & non-invasive)
 OMRON HEM-637 Blood Pressure Monitor
 CardioMEMS' EndoSure® Wireless AAA Pressure Sensor
 Inhalers
 Medspray inhalators
 Digestible Camera (“Pill-Cam”)
 Timed Drug Delivery
 Hearing Aid
 OKO micromirror

Mobile Phones & Devices

 Nokia 3230
 Samsung SGH E760
 Vodafone
 Sony Eriscson W760 shake device to change songs
 Sony Ericsson W910i
 Nokia N95 smartphone
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Un interruptor RF MEMS

Este modelo analiza un conmutador RF MEMS que consiste en un delgado puente

micromecánica suspendido sobre una capa dieléctrica. Se aplica un voltaje de CC mayor que
el voltaje de extracción a través del interruptor, haciendo que el puente se colapse sobre la
capa dieléctrica con un resultado de aumento en la capacitancia del dispositivo. Se
implementa una fuerza de contacto basada en penalización para modelar las fuerzas de
contacto y asi el puente entre en contacto con el dieléctrico. La capacidad de la interfaz
multifásica electromecánica sirve para manejar tanto conductores como También se
demuestran en materiales dieléctricos.

4. MARCO METODOLÓGICO:

Criterios de los diseños. A nivel de bloques funcionales A nivel de circuitos. A nivel de

diseño geométrico, espacial (Layout 2D, 3D)

La figura 1 muestra la geometría del dispositivo.

El interruptor consiste en una placa cuadrada de polisilicio. suspendido 0.9 μm por encima
de una delgada película de nitruro de silicio de 0.1 μm de espesor (constante dieléctrica 7.5)
Debajo del sustrato hay un contraelectrodo de silicio conectado a tierra. La placa suspendida
está anclada estructuralmente al sustrato por cuatro flexiones rectangulares en sus esquinas,
pero está aislado eléctricamente del sustrato. Inicialmente, se aplica un pequeño potencial de
1 mV al polisilicio utilizando el Terminal de dominio característico. Este voltaje es suficiente
para medir la capacitancia de CC del dispositivo. Después de 25 μs El voltaje aplicado se
incrementa en 5 V con una función de paso que tiene un tiempo de subida de 10 μs. El voltaje
aplicado es mayor que el voltaje de entrada de la estructura y el interruptor tira hacia abajo
en el nitruro. Este proceso resulta en un cambio abrupto y significativo en la capacitancia del
dispositivo. Debido a la simetría del dispositivo,
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Electrostatics

Campo eléctrico

𝑫 = 𝝐𝟎 𝝐𝒓 𝑬
D: Constutive relation
𝝐𝟎 : Permitividad en el vacio
𝝐𝒓 : Permitividad en el relativa
𝑬: Campo electrico

Figura 2: Parte superior: geometría del dispositivo que muestra puntos de anclaje y planos de
simetría. Abajo: modelo geometría. Debido a la simetría, solo se debe modelar un cuadrante
del dispositivo.
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donde
𝑭𝑪 : es la Fuerza de contacto

𝒕𝒏 : es la estimación de entrada de la fuerza de contacto

𝒆𝒏 : es la rigidez de penalización
g : es la brecha, es decir, la distancia entre el polisilicio y el nitruro.
Tenga en cuenta que cuando se emplea este método, es importante ajustar la rigidez
elástica y La fuerza de contacto. La fórmula para la fuerza de contacto es aproximada y el
modelo no reproduce correctamente los detalles de la dinámica del contacto. Sin embargo
el modelo se ocupa principalmente de estimar el tiempo que tarda el interruptor en hacer
contacto y con calcular la capacitancia inicial y final del interruptor.
Por esta misma razón, se agrega una pequeña amortiguación mecánica al dominio de Si
para suprimir el sonido de la estructura una vez que se hace contacto, evitando así el tiempo
dependiente solucionador de tomar pasos muy pequeños para resolver el timbre, que no es
el enfoque de este modelo. (Por supuesto, se debe tener cuidado para garantizar que la
magnitud de la amortiguación adicional no debe cambiar la constante de tiempo de
conmutación significativamente.)
RF MEMS MODELO DE CONMUTADOR

Figura3. Izquierda, esquema que muestra la operación del interruptor; derecha,

desplazamiento del interruptor cuando se tira (color) así como la posición original del
interruptor en el estado apagado (estructura metálica).

El interruptor se coloca entre el dispositivo y una fuente de CA. Cuando el interruptor está
apagado (arriba a la izquierda en la figura anterior), su pequeña capacitancia aparece como
un circuito abierto a la señal de CA. Cuando se aplica un voltaje de CC además del voltaje
de CA, el silicio se tira hacia abajo sobre la película de nitruro de aislamiento y el interruptor
se enciende (abajo a la izquierda en la figura anterior). En esta configuración, la
capacitancia es mucho mayor y el interruptor aparece como un circuito cerrado a la señal
de CA.
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El objetivo principal de esta simulación

es aproximar el tiempo que le toma al puente hacer contacto con la película, y calcular la
capacitancia del interruptor cuando el puente está completamente colocado. La geometría COMSOL
contiene la placa, incluidas las flexiones (fija pestañas en las esquinas que lo anclan), y la película de
nitruro se modela utilizando una función que varía la constante dieléctrica a través del espacio entre
el puente y la película. A medida que el puente presiona la película, la malla, que se usa para modelar
el espacio, se comprime en la capa de nitruro.

Como el interruptor es simétrico, solo es necesario modelar un cuadrante de la geometría:

Fig. 4 Geometría del conmutador RF MEMS modelado en COMSOL Multiphysics juntos con el
módulo MEMS.

En un interruptor como este, el puente responde a un potencial eléctrico y voltaje aplicados tirando
hacia abajo de la película. A medida que aumenta el voltaje, el puente se dobla más y más cerca de
la película, lo que hace que la capacidad del dispositivo aumente drásticamente. Simulamos el
contacto entre el puente y la película usando una técnica llamada método de penalización, un
algoritmo de resolución que ayuda a describir las fuerzas que ocurren en el sistema.
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5. PRINCIPALES PASOS DE LA SIMULACIÓN

Instrucciones y comandos usados, presentación de datos, presentación de gráficas

Introducción y verificación de las ecuaciones para la simulación.

Modeling Instructions:
Component 1:
 Definitions
variable

Step 1
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Step 2

Bridge
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Gap

Bridge surface
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Base

Box 3
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Bridge lower side

Symmetry x
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Symmetry y

Symmetry
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All domains

Non-solid
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Boundary System 1

Deforming Domain 1
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Symmetry/Roller 1

 Geometry 1
Work Plane 1
 Rectangle 1
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 Rectangle 2

 Rectangle 3
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 Rectangle 4

Plane Geometry
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Extrude 1
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Work Plane 1
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 Material
Air

Grafica
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Si - Polycrystalline Silicon
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Material 3

Grafica
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 Solid Mechanics
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 Electrostatics

Terminal 1
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Terminal 2

Terminal 3
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 Multiphisics
Electromechanical Forces 1

 Mesh 1
Size
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Grafica

Mapped 1
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Grafica

Swept 1
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Result :
 Displacement (solid)

Grafica
Desplazamiento del polisilicio cuando se tira. La mayor parte de la estructura del polisilicio
está en contacto con el nitruro de silicio con un desplazamiento de 0.9 μm.
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 Electric Potential (es)

grafica
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 Contact force

grafica
Fuerzas de contacto que actúan sobre el polisilicio cuando se tira de la estructura.
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 Displacement

Grafica
Desplazamiento del centro del dispositivo en función del tiempo.
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 Capacitance

Grafica
Capacitancia del dispositivo en función del tiempo. Los transitorios en esta trama que ocurren
después del punto de contacto no son físicos. La capacitancia de la estructura cambia de 0.1
pF a 8.0 pF como resultado del pull-in.
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6. AMPLIACIONES Y MEJORAS DEL TUTORIAL