SEMICONDUCTOR
Los semiconductores son solidos cuya resistividad esta entre la de los conductores eléctricos
y la de los aislantes eléctricos. Los transistores, los diodos de unión, los diodos de túnel, los
circuitos integrados y los rectificadores metálicos son ejemplos de semiconductores. Estos
se emplean en computadores, receptores de radio, aparatos de televisión, videograbadoras y
otros aparatos electrónicos.
Mediante dispositivos semiconductores se levan a cabo diversas funciones de control. Pueden
utilizarse como rectificadores, amplificadores, detectores, osciladores y elementos de
conmutación. Algunas características propias de los semiconductores que los convierten en
uso de los miembros favoritos de la familia electrónica son de la familia electrónica son las
siguientes:
1. Los semiconductores son sólidos, por ello, es muy poco probable que vibren
2. Los semiconductores consumen poca energía e irradian poco calor. No requieren
tiempo de calentamiento y empiezan a funcionar en cuanto se les suministra energía.
3. Los semiconductores son fuertes y se pueden configurar para que permanezcan
herméticos antes las condiciones del medio externo. Junto con su tamaño reducido,
estas características permiten que grandes circuitos ocupen un espacio mínimo
La conducción eléctrica podemos describirla desde dos puntos de vista:
Según el modelo de enlace
Los primeros materiales semiconductores que fueron estudiados eran de naturaleza
cerámica, estos fueron ignorados, considerados poco útiles, pues los valores de sus
propiedades eléctricas parecían ser demasiados erráticos y poco reproducibles, este
hecho comenzó a solucionarse cuando se desarrollaron las técnicas de refinado, las
cuales son necesarias para lograr niveles excepcionales de pureza.
El nivel de pureza logrado y exigido no tiene comparación, un ejemplo de ello es el
silicio, el material más puro creado por el hombre. El estudio comenzó con el
germanio y el silicio que cuando se obtenía un alto grado de pureza, presentaba
conductividades intermedias, entre las propias de conductores y aislantes
Estos materiales semiconductores podían ser intrínsecos o extrínsecos, el primero es
aquel que sus propiedades no dependen de las impurezas a diferencia de las
extrínsecas, el cual es el preferido para dispositivos electrónicos, ya que sus
propiedades son estables en función de la temperatura y pueden ser controlados
utilizando implantaciones de iones o difusión de impurezas conocidas como dopantes
o adulterantes.
El enlace en estos materiales es covalente (mayormente covalente) pero relativamente
débil, lo que significa que los electrones de valencia no están fuertemente ligados a
los átomos, en consecuencia, estos electrones pueden desligarse fácilmente por una
simple excitación térmica. Si a 0K todos los enlaces están satisfechos, a una
temperatura superior, muchos de ellos se romperían, incompletos por falta de un
electrón. Cuando un electrón se rompe, un electrón se hace libre y se convierte en un
potencial “portador de corriente”. Además, el átomo que pertenecía al electrón queda
con un déficit de carga negativa localizado en la zona de enlace, con una especie de
hueco que podrá ser ocupado por otro electro de un átomo vecino, o un nuevo electrón
libre que se mueva por la zona y haya perdido velocidad al descender temperatura.
La posibilidad de movimiento que un hueco introduce lo convierte en otro potencial
portador de corriente. En conclusión, por cada electrón que se hace libre, se origina
un hueco.
Las propiedades eléctricas de los semiconductores son extremadamente sensibles a la
presencia de impurezas, incluso en cantidades mínimas. En el silicio, por ejemplo, la
presencia de un átomo de impureza por cada millón de átomos de silicio altera
drásticamente la conductividad del material. Cado las características eléctricas están
determinadas por los átomos de impurezas presentes, entonces, se dice que el
semiconductor es extrínseco, de tipo n si las impurezas aportan electrones extras
(impurezas donadoras o donantes) o de tipo p si las impurezas aportan huecos extras,
esto es, defecto de electrones (impurezas aceptoras). Para los semiconductores
intrínsecos, esta ley es una obviedad puesto que en ellos n=p. Para los
semiconductores extrínsecos, esta ley ha de entenderse como la ecuación que rige el
equilibrio entre las poblaciones electrones y huecos en el semiconductor; Si n o p
aumenta, el otro disminuye.
Según el modelo de bandas
Para los semiconductores (también para los aislantes) la banda de valencia (BV) esta
completamente llena y existen niveles permitidos vacíos en su borde superior. Para
hacerse libres, los electrones deben superar el intervalo prohibido de energía y
acceder a los primeros niveles de energía de la banda de conducción (BC), esto es
posible únicamente si se suministra al electrón la energía equivalente a la diferencia
entre dos niveles. En los semiconductores típicos el intervalo prohibido tiene
amplitud de [Link] mayor sea el intervalo prohibido de energía, menor será la
conductividad eléctrica a una determinada temperatura, porque menos electrones
logran dar el “salto”. Al aumentar la temperatura se produce un aumento en la energía
térmica disponible para la excitación de los electrones, en consecuencia, más
electrones serán promovidos a la banda de conducción, lo cual llevara a su vez un
aumento de conductividad. Además, al aumentar la temperatura, aumentara también
la concentración de portadores, pues mas electrones de la BV tendrán energía
suficiente para promoviese a la BC.
Concentración de portadores
La temperatura tiene un doble comportamiento en tanto a la concentración de portadores de
los semiconductores. Por un lado, por el aumento de temperatura, aumenta la energía de
electrones, por lo que, cada vez ms, un mayor número de electrones podrán dar el salto, por
el otro lado, en el caso de los semiconductores extrínsecos, el número de impurezas ionizadas
aumentara con la temperatura.
Dependencia térmica de la conductividad
La dependencia térmica de los semiconductores es claramente diferente tanto para los
semiconductores extrínsecos e intrínsecos.
Semiconductores Intrínsecos
La concentración de portadores en un semiconductor intrínseco aumenta
drásticamente que, al aumentar la temperatura, debido a que los electrones son mas
energéticos y son mas de los que pueden saltar el intervalo prohibido. Por otro lado,
los valores de las movilidades de los portares también dependen de la temperatura,
como consecuencia de la mayor dispersión provocada por el aumento de las
vibraciones térmicas de los átomos.
Esta fuerte dependencia de la conductividad con la temperatura hace de los
semiconductores intrínsecos unos excelentes candidatos para sensores térmicos
(termisores) pues pequeñas variaciones de temperatura se traducen en grandes
cambios de conductividad.
Semiconductores Extrínsecos
La situación es mas compleja en los semiconductores extrínseco por dos razones:
1) Porque la concentración y movilidad de los portadores varia con la temperatura
de modo diferente según el rango de esta
2) Porque la movilidad de los portadores no solo varia con la temperatura, sino
también con la cantidad de átomos de impurezas, fundamentalmente ionizadas.
En este caso se hablara de la variación que sufre según la temperatura, a temperaturas
bajas (entre el cero absoluto y la temperatura ambiente), a temperaturas moderadas
(en torno a la temperatura ambiente y algo superiores) al estar as impurezas todas
ionizadas, por lo que la concentración de portadores no podrá seguir creciendo, se
agotara y se mantendrá estabilizada, cuando la temperaturas son muy elevadas, los
electrones tendrán la energía suficiente para saltar de banda a banda, por lo cual el
comportamiento será idéntico al de un semiconductor intrínseco.
Por otro lado, las movilidades también varían con la temperatura, a temperaturas
bajas, la dispersión de los portadores esta dominada por las impurezas ionizadas
(cargadas), en cambio, a temperaturas altas, la dispersión debido a las vibraciones
térmicas de los átomos se convierte en dominante y el comportamiento se torna al
igual que los semiconductores intrínsecos
Otros factores que afectan a la conductividad
La conductividad eléctrica se ve mermada por la presencia de otros defectos: Limites de
grano, dislocaciones, etc., tal como sucedía en los conductores, su presencia puede provocar
que sea inviable la fabricación de ciertos dispositivos electrónicos, a continuación, se verá
algunos de los factores que pueden afectar la conductividad:
Límites de grano
Los limites de grano normalmente hacen disminuir las concentraciones de portadores
de su entorno, a cada lado del límite de grano, existirá una zona empobrecida de
portadores que ejercerá atracción o repulsión sobre sobre el resto de los portadores
del material.
Dislocaciones
Las dislocaciones y en particular los enlaces rotos que provocan, también pueden
actuar como trampas de portadores, pueden alterar la población local de portadoras.
Vacantes
Los enlaces rotos provocados por las vacantes también atrapan portadores, que
necesitan una energía superior a la de sus vecinos para liberarse y moverse
libremente. De este modo, las vacantes que ha atrapado un portador adquieren un
exceso de carga, por lo cual actúan de modo similar a las impurezas introducida de
forma intencionada, alterando la concentración de portadores de forma descontrolada.
Impurezas no intencionadas
Estos intervienen en el movimiento de los portadores.
CONCLUSION
Hay factores que pueden afectar de forma significativa la conducción, tanto en los
conductores y semiconductores, como lo pueden ser las impurezas, pese a que estas
sean mínimas afectan de forma sustancial, otros factores que intervienen son los
límites de grano, dislocaciones, vacantes e impurezas no intencionadas que alteran de
alguna forma a los portadores de conducción.
[1]P. Zbar, A. Malvino and M. Miller, Prácticas de electró nica. Barcelona: Marcombo, 2001,
p. 1.