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Informe sobre el Diac en Electrónica

Este informe de laboratorio describe una práctica realizada para verificar las características de funcionamiento de un diodo DIAC. Los estudiantes midieron el voltaje y la corriente para diferentes valores de voltaje de entrada en configuraciones directa e inversa, y compararon sus resultados experimentales con simulaciones. Concluyeron que no pudieron alcanzar el voltaje de ruptura del DIAC debido a limitaciones del equipo, pero la simulación confirmó la teoría.
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Informe sobre el Diac en Electrónica

Este informe de laboratorio describe una práctica realizada para verificar las características de funcionamiento de un diodo DIAC. Los estudiantes midieron el voltaje y la corriente para diferentes valores de voltaje de entrada en configuraciones directa e inversa, y compararon sus resultados experimentales con simulaciones. Concluyeron que no pudieron alcanzar el voltaje de ruptura del DIAC debido a limitaciones del equipo, pero la simulación confirmó la teoría.
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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Universidad del Perú, Decana de América

INFORME DE LABORATORIO

Tema: Diac

Curso: Dispositivos Electrónicos

Docente: Cortez Galindo Hernan

Alumnos: Pariona Moya, Douglas (18190095)

Cárdenas Zegarra Alex (18190127)

Falcon Lizano Yamil (18190303)

Tarazona Silva Cristian (18190319)

Facultad: Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica

2019-II
I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un Diac


 Comprobar las características de funcionamiento del Diac

II. MATERIALES Y EQUIPOS

Figura 1. Diodo DIAC Figura 2. Multímetro a pilas

Figura 3. Miliamperímetro Figura 4. Voltímetro


Figura 5. Resistencia de 4.7k

III. MARCO TEORICO

EL DIAC

Un diac es un dispositivo semiconductor de cuatro capas y dos terminales (tiristor)

que conduce corriente en una u otra dirección cuando se activa. La construcción

básica y símbolo esquemático de un diac se muestran en la figura 1. Observe las

dos terminales, designadas A1 y A2. Las capas superior e inferior contienen tanto

materiales n como p. El lado derecho de la pila se considera como una estructura

pnpn con las mismas características de un diodo de cuatro capas, mientras que el

lado izquierdo es un diodo de cuatro capas invertido que tiene una estructura npnp.

La conducción ocurre en un diac cuando se alcanza el voltaje de ruptura con una

u otra polaridad a través de las dos terminales. La curva en la figura 2 ilustra esta

característica. Una vez que se presenta la ruptura, la corriente fluye en una

dirección según la polaridad del voltaje a través de las terminales. El dispositivo

se apaga cuando la corriente se reduce por debajo del valor de retención.


(a) Construcción básica (b) Símbolo

FIGURA 1. DIAC FIGURA 2. Curva de característica de diac.

El circuito equivalente de un diac consta de cuatro transistores dispuestos como

muestra la figura 3(a). Cuando el diac se polariza como en la figura 3(b), la

estructura pnpn de A1 a A2 funciona como el diodo de 4 capas. En el circuito

equivalente, Q1 y Q2 están polarizados en directa y Q3 y Q4 en inversa. El

dispositivo opera en la parte superior derecha de la curva de la figura 2 en esta

condición de polarización. Cuando el diac se polariza como muestra la

FIGURA 3. Circuito equivalente de diac y condiciones de polarización.

Figura 3(c), se utiliza la estructura pnpn de A2 y A1. En el circuito equivalente, Q3 y Q4 están

polarizados en directa y Q1 y Q2 en inversa. En esta condición de polarización, el dispositivo

opera en la parte inferior izquierda de la curva, como muestra la figura 2.


IV. PROCEDIMIENTO

1. Primero armamos el circuito que se nos presentó en la hoja que se nos dio

2. Luego de armar nuestro circuito procedimos a determinar los valores de V2 e I


respecto al valor de V1
3. Luego de hallar nuestros valores procedimos a notar todos los cálculos obtenidos
en nuestra tabla de resultados
4. Después de haber hecho los cálculos anteriores , procedimos a invertir las
conexiones del DIAC y comenzamos a hallar las mediciones correspondientes
para luego anotarlos en nuestra tabla
V. DATOS Y RESULTADOS

TABLA 1. Datos experimentales

V1 V2(v) I(mA)

(V) Directa Inversa

0V 0V 0V 0A

5V 4.8V 0V 47.69uA

10V 9.2V 0V 94.3uA

15V 14.1V 0V 141.8uA

20V 19V 0V 189.7uA

32V 23.8V 0V 237.1uA

Tabla2. Valores tomados de simulación

V1 V2(v) I(mA)

(V)
Directa Inversa Directa

0V 0V 0V 0A

5V 5V -5V 0.20uA

10V 10V -10V 0.40uA

15V 15V -15V 0.60uA

20V 20V -20V 0.80uA

32V 32V -32V 1.28uA


Figura 6. Simulación y medición en directa Figura 7. Simulación en inversa

Figura 8. Simulación a 100v


VI. CONCLUSIONES

 El Diac es un conductor con un comportamiento resistivo muy elevado con valor


de resistencia hasta un determinado valor de tensión.
 En la experimentación no se logró llegar al voltaje de ruptura del Diac, debido a
las limitaciones de los materiales, la fuente de alimentación, que en nuestro caso,
solo llega a entregar 32V que no son suficientes para la ruptura. Sin embargo, en
la simulación se pudo corroborar los fundamentos teóricos explicados, ilustrado
en la figura 8.

VII. REFERENCIAS:

Floyd, T., (2008), Dispositivos electrónicos. Naucalpan de Juárez, Estado de México,

Pearson

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