Pre-Informe No.
2: DIODOS: CARACTERÍSTICAS Y
APLICACIONES
Carlos Hernando Bautista, David Rafael Castellar, Javier Eduardo Gutiérrez
{chbautistaa, drcastellarm, jaegutierrezser}@[Link]
Electrónica Análoga I - Grupo 6
4 de septiembre de 2018
1. Marco Teórico
1.1. Diodo en polarización directa
Cuando se conecta una el polo positivo de una fuente al ánodo y el negativo al cátodo del diodo,
se dice que este se encuentra en polarización directa. En este estado permite el paso de la corriente
eléctrica. Dicha corriente eléctrica se puede hallar mediante la ecuación de Shockley:
VD
ID = Is e nVT
Donde:
Is es la corriente inverssa de saturacı́on inversa.
VD es le voltaje aplicado al diodo.
n es un parámetro constante que varı́a tipicamente entre 1 y 2.
VT es el voltaje térmico y está determinado por:
kTK
VT =
q
Donde:
k es la constante de Boltzmann = 1, 38 × 10−23 J/K
TK es la temperatura absoluta en kelvins = 273 + temperatura en C
q es la magnitud de la carga eléctrica = 1,6 × 10−19 C
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Figura 1:
1.2. Tiempo de recuperación inversa
Cuando de invierte el voltaje en un diodo con el fin de producir un estado de polarización
inversa, no se produce un cambio instantáneo de conducción a no conducción. En efecto, el diodo
permanecerá en cortocircuito con un corriente Iinversa determinada por los parámetros del circuito,
durante un tiempo ts , llamado tiempo de almacenamiento. Una vez ha pasado esta fase de alma-
cenamiento, la corriente se reducirá a la corriente esperada en un estado de polarización inversa.
Esta segunda fase se le llama intérvalo de transición. El tiempo de recuperación inversa es la suma
de estos dos intérvalos:
trr = ts + tt
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Figura 2:
Los diodos disponibles comercialmente tienen un trr de aproximadament unos pocos nanose-
gundos a 1 microsegundo.
2. Circuitos Esquemáticos
2.1. Circuito para la caracterización del Diodo
Figura 3:
3
2.2. Circuito para visualización del tiempo de recuperación inversa
Figura 4:
3. Cálculos
Para el circuito de la figura 3, calcular R1 para que la corriente ID = Imax = 50 mA
Teniendo en cuenta que la diferencia de potencial máxima que va a generar la fuente V1 es de
25 V y útilizando la ley de ohm.
V = I ·R
en donde:
V max
R =
Imax
Tenemos que la resistencia necesaria para el circuito va a ser de:
25 V
R1 =
50 mA
R1 = 500 Ω
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4. Gráficas Esperadas y Simulaciones
4.1. Simulación del Circuito de la Figura 3
De la simulación del circuito con el Diodo 1N4004, se obtuvo la siguiente grafica:
Figura 5:
De la simulación del circuito con el Diodo 1N4148, se obtuvo la siguiente grafica:
Figura 6:
4.2. Simulación del Circuito de la Figura 4
De la simulación del circuito con el Diodo 1N4004, se obtuvo la siguiente grafica:
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Figura 7:
En donde el tiempo el tiempo de recuperación inversa del diodo es aproximadamente 66.098 nS
De la simulación del circuito con el Diodo 1N4148, se obtuvo la siguiente grafica:
Figura 8:
En donde el tiempo el tiempo de recuperación inversa del diodo es aproximadamente 38.542 nS
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Bibliografı́a
[1] Sedra Adel S., Smith Kenneth C..Circuitos microelectrónicos. 5a ed. Mc Graw Hill. México,
2006.
[2] Roldan Aranda A..Tema 1 B Valores Medios - Eficaces. Universidad de Granada.
[3] D. Neamen..Microelectronics: Circuit Analysis and Design. 4ta ed, McGraw-Hill Higher Educa-
tion, 2009.