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Simulación de Tiristores en Proteus

Este documento presenta instrucciones para simular circuitos electrónicos de disparo en Proteus Professional 8.0, incluyendo circuitos con un tiristor UJT, un PUT 2N6027 y un SCR 2N3669. Proporciona detalles sobre el diseño de los circuitos, cálculos de parámetros eléctricos y datos técnicos de los componentes. El objetivo es que los estudiantes simulen y analicen el comportamiento de estos circuitos de disparo al variar componentes como condensadores y resistencias potenciometras.

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Simulación de Tiristores en Proteus

Este documento presenta instrucciones para simular circuitos electrónicos de disparo en Proteus Professional 8.0, incluyendo circuitos con un tiristor UJT, un PUT 2N6027 y un SCR 2N3669. Proporciona detalles sobre el diseño de los circuitos, cálculos de parámetros eléctricos y datos técnicos de los componentes. El objetivo es que los estudiantes simulen y analicen el comportamiento de estos circuitos de disparo al variar componentes como condensadores y resistencias potenciometras.

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA


LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA ML-839

SIMULACION DE LOS CIRCUITOS EN


PROTEUS PROFESSIONAL 8.0

Primera Parte: UJT


1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura para VZ=24V

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FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA ML-839

2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar


potencias de 2W o más.

3. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre el
interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote.

4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3.

5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del


condensador y grafique la forma de onda.

DATOS DEL CIRCUITO 1:

 𝑅𝐵1 = 5000 𝛺

 𝑅𝐵2 = 500 𝛺

 𝑉𝐵𝐵 = 30 𝑉

CALCULANDO LA RESISTENCIA DE INTERBASE:

 𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 = 𝑅𝐵𝐵  𝑅𝐵𝐵 = 5500 𝛺

TENCION DEL CATODO (𝑉𝐾 ):

𝑅𝐵1 5000
 𝑉𝐾 = 𝑅 × 𝑉𝐵𝐵  𝑉𝐾 = 5000+500 × 30  𝑉𝐾 = 27.273 𝑉
𝐵1 +𝑅𝐵2

𝑉 30
 𝐼𝐵2 = 𝑅𝐵𝐵  𝐼𝐵2 = 5500 = 5.4545 𝑚𝐴
𝐵𝐵

RELACION INTRINSECA (n):

𝑅𝐵1 5000
 𝑛=𝑅  𝑛 = 5000+500  𝑛 = 0.9091
𝐵1 +𝑅𝐵2

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Segunda Parte: PUT 2N6027


1. Diseñar e implementar el circuito de la figura para VZ=30V

2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar


potencias de 2W o más.

3. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre el
interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote.

4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3.

5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del


condensador y grafique la forma de onda.

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DATOS DEL CIRCUITO 2:


 𝑅1 = 15𝑘 𝛺

 𝑅2 = 33𝑘 𝛺

 𝐶 = 0.22 µ𝐹

 𝑉𝑆 =30 V

RESISTENCIA EQUIVALENTE EN LA COMPUERTA (𝑅𝐺 ):


𝑅1 𝑋𝑅2 15𝑋33
 𝑅𝐺 =  𝑅𝐺 =  𝑅𝐺 = 10.3125𝑘 𝛺
𝑅1 +𝑅2 15+33

LA TENSION DE PICO (𝑉𝑃 ):


𝑅2 𝑋𝑉𝑆 33𝑋30
 𝑉𝑃 =  𝑉𝑃 =  𝑉𝑃 = 20.625 𝑉
𝑅1 +𝑅2 15+33

RELACION INTRINSECA (n):

𝑉𝑃 20.625
 𝑛=  𝑛=  𝑛 = 0.6875
𝑉𝑆 30

LA CORRIENTE DE PUERTA (𝐼𝐺 ):

𝑉 30
 𝐼𝐺 = (1 − 𝑛)𝑥 𝑅 𝑆  𝐼𝐺 = (1 − 0.6875)𝑥 10.3125𝑥103  𝐼𝐺 = 0.91 𝑚𝐴
𝐺

 𝜏𝑔 = 𝐶𝑥𝑅𝐺  𝜏𝑔 = 0.22𝑥10−6 𝑥 10.3125𝑥103  𝜏𝑔 = 2.26875𝑚𝑠

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DATOS TECNICOS

 TIRISTOR 2N3669
Parte: 2N3669

Categoría Discreto: => Tiristores => SCR (Rectificadores Controlados de Silicio)

Partes similares: 2SF248, ECG31

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 PUT 2N6027

Equivalente: NTE6402, 6402, 2N6027G


Misma categoria: 2N6028

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