3.
12 RESUMEN ● Conclusiones y conceptos importantes
1. Los dispositivos semiconductores tienen las siguientes ventajas sobre los tubos de vacío o bulbos. Son (1) más
pequeños, (2) más livianos, (3) más robustos, y (4) más eficientes. Además, no requieren (1) calentamiento, (2) ni
calentador, y conducen (3) voltajes de operación más bajos.
2. Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres capas semiconductoras que tienen una base o capa
central mucho más delgada que las otras dos. Las dos capas externas son de materiales tipo n o p, con la capa
emparedada de tipo opuesto.
3. Una unión p-n de un transistor se polariza en directa, en tanto que la otra se polariza en inversa.
4. La corriente directa en el emisor siempre es la corriente más grande de un transistor, en tanto que la corriente de
la base es la más pequeña. La corriente en el emisor siempre es la suma de las otras dos.
5. La corriente del colector consta de dos componentes: el componente mayoritario y la corriente minoritaria
(también llamada corriente de fuga).
6. La flecha en el símbolo del transistor define la dirección del flujo de corriente convencional en el emisor y por lo
cual define la dirección de las otras corrientes del dispositivo.
7. Un dispositivo de tres terminales requiere dos conjuntos de características para definir por completo sus
características.
8. En la región activa de un transistor, la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unión colector-
base se polariza en inversa.
Un transistor NPN está alimentado cuando se suministra una corriente suficiente a la base del transistor. Por
lo tanto, la base de un transistor NPN debe estar conectada a una tensión positiva para corriente a flujo en la base.
Un transistor PNP es lo opuesto. En un transistor PNP, la corriente fluye fuera de la base (corriente negativa a la
base) dando a la terminal de base una más negativa (una inferior) tensión que lo que es suministrado al terminal
emisor. Mientras el voltaje en el terminal base es menor que en el terminal emisor en un transistor PNP, la
polarización correcta y la corriente negativa efecto se logrará.
9. En la región de corte las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en inversa.
Se denominará punto de trabajo o punto Q del transistor, a aquel par de valores IC, VCE de la recta de carga, que el
transistor tiene en unas condiciones de trabajo determinadas por el circuito en el que se encuentra.
Para determinar el punto Q, de manera gráfica, dibujamos la recta de carga en la gráfica IC, VCE de las curvas de
salida que da el fabricante, y en el punto de intersección de esta recta con la curva característica cuya IB coincida con
la IBQ calculada anteriormente, será el punto de trabajo.
La recta de carga se dibuja igualmente mediante dos puntos, que son los de corte con los ejes, es decir cuando IC=0 y
cuando VCE=0.
Según la posición del punto Q en la recta de carga, se establecen las tres zonas de funcionamiento del transistor, con
unas características diferenciadas.
Estas zonas o regiones de acuerdo a lo anterior son:
P=V.I
Zona activa: máxima P. con unos valores intermedios tanto de IC como de VCE.
Zona de corte: IC prácticamente nula y un voltaje VCE elevado. Interruptor abierto entre colector y emisor.
Zona de Saturación: Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy pequeño
no menor a un valor denominado de saturación VCEsat. Cuando el transistor esta saturado, se puede comparar a un
interruptor cerrado entre colector y emisor.
10. En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en directa.
11. En promedio, como una primera aproximación, se puede suponer que el voltaje base a emisor de un transistor
en operación es de 0.7 V.
12. La cantidad alfa (a) relaciona las corrientes en el colector y emisor y siempre está cercana a uno.
13. La impedancia entre las terminales de una unión polarizada en directa siempre es relativamente pequeña, en
tanto que la impedancia entre las terminales de una unión polarizada inversa en general es bastante grande.
14. La flecha en el símbolo de un transistor npn apunta hacia fuera del dispositivo (not pointing in, no apunta hacia
dentro); en tanto que en el caso de un transistor pnp la flecha apunta hacia el centro del símbolo (pointing in, apunta
hacia dentro).
15. Para propósitos de amplificación lineal, IC ICEO define el corte para la configuración en emisor común.
16. La cantidad beta (b) proporciona una excelente relación entre las corrientes en la base y el colector que por lo
general oscila entre 50 y 400.
17. La beta de cd definida por una simple relación de corrientes directas (cd) en un punto de operación, en tanto que
la beta de CA es sensible a las características en la región de interés. Sin embargo, en la mayoría de las aplicaciones
las dos se consideran equivalentes a una primera aproximación.
18. Para garantizar que un transistor opere dentro de su capacidad de nivel de potencia máximo, determine el
producto del voltaje de colector a emisor por la corriente en el colector y compárelo con su valor nominal.