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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

CARACTERIZACIN DE TRANSISTORES
MOS
Autores Jairo A. Castelar Mora, Maria A. Camargo Vila
Grupo O6
Practica # 1
Ing. Javier Mier. Junio 20 de 2013.
I. INTRODUCCIN
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor
(MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un
campo elctrico para crear un canal de conduccin.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o
NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos
transistores pueden ser de acumulacin o deflexin; en la
actualidad las segundos estn prcticamente en desuso y aqu
nicamente sern descritos los MOS de acumulacin tambin
conocidos como de enriquecimiento.

Entonces
=

Ecuacin [2]

Lo cual nos permite asemejar la ecuacin de la regresin

realizada con los datos tomados, asumiendo que y=Ax + B, en
donde A=

, y B=

de donde podemos

obtener valores de Kn y VTH.

El circuito que utilizamos es el siguiente:

En el siguiente informe caracterizaremos un transistor NMOS

proponiendo configuraciones circuitales que permitan realizar
la estimacin de parmetros como Va, lambda, Vt, ro, gm y K
entre otros.
II. OBJETIVOS
Comparar el comportamiento fsico del transistor MOS a
travs de mtodos experimentales y los ofrecidos por
modelos matemticos.
Obtener las curvas caractersticas de los transistores MOS
incluidos en el circuito integrado CD4007.
Estimar los parmetros ms representativos de los
transistores N-MOS y P-MOS, tales como Va, lamda, Vt,
gm, W, L y K.
Estimar Idss=Id cuando Vgs=Vt.
Estimar la resistencia dreno-fuente rds del transistor.

Esquema1. Circuito a utilizar para obtener los diferentes

parmetros tanto NMOS (izquierda) como PMOS (derecha).

Para estimar lambda el factor de modulacin de canal

utilizamos la grafica ID Vs VDS esto utilizando como gua a
la figura 1, manteniendo constante a VGS y variando VDS, de
esta manera obtenemos varios valores de VA (Voltaje de
Early) los cuales se encuentran el eje x negativo.
La ecuacin que utilizamos para estimar lamda es:
Ecuacin [3]

III. PROCEDIMIENTO:
Para estimar los parmetros VTH, Kn y W/L del transistor
tomamos como referencia la curva caracterstica de la
corriente ID del transistor y el Voltaje VGS cuando el
transistor esta en saturacin, es decir, para un valor fijo de
VDS igual a 8 [V] (esto para la toma de datos), para usar esta
grafica hay que tener en cuenta que la formula en regin de
saturacin es:
Ecuacin [1]

Todos los valores hallados de VA se intersecan y se halla un

valor de VA para hallar lambda.
Al obtener Lambda, se procedi a realizar un re-clculo del
valor KnW/L utilizando la siguiente ecuacin:
Ecuacin [4]
Para los cuales se utilizaron los valores obtenidos de las tablas
3,4 y 5 para el NMOS y 7, 8 y 9 para el PMOS. As mismo

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con cada valor obtenido de KnW/L se calcul los valores de

gm para cada uno (utilizando la ecuacin 5) y sacando un
promedio de los valores obtenidos se obtuvo el parmetro
deseado.

VTH= 1,22965897 [V]

Ecuacin [5]
Se realizaron las respectivas regresiones lineales las cuales
generaron los datos que fueron comparados con las ecuaciones
mencionadas anteriormente y se obtuvieron los datos que se
queran estimar
A continuacin se muestran los resultados de dichos
parmetros.
IV. RESULTADOS
Parmetros VTH, Kn*W/L del transistor NMOS
Se trabaj con un VDS constante de 8V.

Vgs [V]
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
3,1
3,2

Ids [mA]
0,002
0,005
0,011
0,027
0,063
0,096
0,137
0,256
0,296
0,382
0,517
0,603
0,691
0,887
1,001
1,117
1,229
1,370
1,689
1,858
1,964

Raiz (Ids)
0,001
0,002
0,003
0,005
0,008
0,010
0,012
0,016
0,017
0,020
0,023
0,025
0,026
0,030
0,032
0,033
0,035
0,037
0,041
0,043
0,044

Tabla 1. Vgs Vs Ids para el NMOS

Con la regresin lineal (Ax+B) se obtiene:

A=

= 0,022725
= 0,00103285

B=

* VTH

Grfica 1. Grfica obtenida Ids vs Vgs en NMOS

Grfica 2. Grfica obtenida Ids vs Vgs en NMOS

Parmetros VTH, Kn*W/L del transistor PMOS

Se trabaj con un VDS constante de 8V.

Vgs [V]
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6

Ids [mA]
0,006
0,013
0,043
0,111
0,141
0,213
0,283
0,409
0,496
0,574
0,666
0,813
0,931
1,077

Raiz (Ids)
0,002
0,004
0,007
0,011
0,012
0,015
0,017
0,020
0,022
0,024
0,026
0,029
0,031
0,033

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2,7
2,8
2,9
3
3,1
3,2

1,205
1,319
1,501
1,626
1,841
1,951

0,035
0,036
0,039
0,040
0,043
0,044

Tabla 2. Vgs Vs Ids para el PMOS

0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,5

0,688
0,710
0,726
0,735
0,738
0,742
0,747

2,8
3,1
3,3
3,5
3,9
4,0

0,760
0,762
0,764
0,765
0,767
0,767

Tabla 3. Vds Vs Ids para el NMOS con Vgs=2,5 [V]

Vgs=3 [V]

Grfica 3. Grfica obtenida Ids vs Vgs en PMOS

Vds [V]
0,0
0,1
0,2
0,4
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,2
1,4
1,5

Ids [mA]
0,055
0,097
0,359
0,665
0,978
1,081
1,206
1,259
1,328
1,422
1,447
1,454

Vds [V]
1,7
2,0
2,3
2,5
2,8
3,0
3,3
3,5
3,9
4,0
4,5

Ids [mA]
1,471
1,481
1,487
1,491
1,495
1,499
1,503
1,505
1,510
1,511
1,515

Tabla 4. Vds Vs Ids para el NMOS con Vgs=3 [V]

Vgs=3,5 [V]
Grfica 4. Grfica obtenida Ids vs Vgs en PMOS

A=

= 0,022315
= 0,000996

B=

* VTH

VTH= 1,15724 [V]

Parmetros y VA del transistor NMOS
Vgs=2,5 [V]

Vds [V]
0,0
0,1
0,2
0,4
0,6

Ids [mA]
0,041
0,090
0,265
0,491
0,652

Vds [V]
1,6
1,7
2,0
2,2
2,5

Ids [mA]
0,750
0,751
0,754
0,756
0,758

Vds [V]
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,2

Ids [mA]
0,069
0,194
0,434
0,733
0,824
1,107
1,223
1,369
1,607
1,761
1,844
2,240

Vds [V]
1,3
1,5
1,8
2,0
2,3
2,4
2,7
3,0
3,3
3,5
4,0

Ids [mA]
2,300
2,370
2,410
2,440
2,460
2,460
2,470
2,480
2,480
2,490
2,500

Tabla 5. Vds Vs Ids para el NMOS con Vgs=3,5 [V]

Realizando las grficas para las anteriores tablas se tiene:

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Parmetros y VA del transistor PMOS

Vgs=2 [V]

Grfica 5. Grfica obtenida Ids vs Vds en NMOS

Para obtener lambda, se toma la regin de saturacin de cada

Vgs y se realiza la regresin para encontrar el valor del
Voltaje de Early, y sabiendo que
se encuentra el valor
de lambda tanto para el NMOS como para el PMOS.

Vds [V]
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
1,2
1,4

Ids [mA]
0,033
0,129
0,163
0,176
0,199
0,211
0,222
0,228
0,232
0,235
0,239
0,241
0,247

Vds [V]
1,5
1,7
1,9
2
2,1
2,3
2,5
2,6
2,7
2,9
3
3,1

Ids [mA]
0,249
0,253
0,257
0,260
0,261
0,266
0,269
0,270
0,272
0,276
0,277
0,280

Tabla 7. Vds Vs Ids para el PMOS con Vgs=2 [V]

Vgs=2,5 [V]

Grfica 6. Grfica obtenida Ids vs Vds en zona de saturacin con

su respectiva regresin para el NMOS

Vgs=2,5 [V]
A=7e-6
B=0,00072
|VA|=B/A = 102,7082
Vgs=3 [V]
A=1e-5
|VA|= 104,7554

B=0,0015

Vgs=3,5 [V]
A=2e-5
B=0,0024
|VA|= 100,1875
En resumen se tiene:

Vgs [V]
|VA|
2,5
102,70833
3
104,75540
3,5
100,18750
Prom |VA| 102,55041

0,009751302
Tabla 6. Obtencin y VA para el NMOS

Vds [V]
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
1,4

Ids [mA]
0,099
0,196
0,301
0,357
0,400
0,477
0,528
0,555
0,585
0,621
0,649
0,661
0,671
0,684

Vds [V]
1,5
1,7
1,9
2,0
2,1
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,9
3,0
3,1

Ids [mA]
0,693
0,711
0,719
0,725
0,731
0,743
0,746
0,752
0,759
0,766
0,771
0,774
0,780

Tabla 8. Vds Vs Ids para el PMOS con Vgs=2,5 [V]

Vgs=3 [V]

Vds [V]
0,1
0,2
0,3
0,4

Ids [mA]
0,115
0,243
0,394
0,431

Vds [V]
1,9
2,0
2,1
2,3

Ids [mA]
1,296
1,311
1,321
1,350

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Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

0,5
0,6
0,7
0,9
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8

0,565
0,707
0,745
0,892
0,972
1,091
1,172
1,234
1,288

2,5
2,6
2,7
2,9
3,0
3,1
3,3
3,4

1,370
1,377
1,386
1,403
1,413
1,422
1,436
1,442

A=9,3e-5
|VA|= 12,4816

B=0,00113

En resumen se tiene

Vgs [V]
2
2,5
3
Prom |VA|

|VA|
12,6011236
12,6868687
12,1568206
12,4816043
0,08011791

Tabla 9. Vds Vs Ids para el PMOS con Vgs=3 [V]

Tabla 10. Obtencin y VA para el PMOS

Realizando las graficas para las tablas anteriores se tiene:

Parmetro KnW/L (otro mtodo) del transistor NMOS

Como se mencion anteriormente, se procedi a realizar un reclculo del valor KnW/L utilizando la siguiente ecuacin:
Ecuacin [4]
Utilizando las tablas 3,4 y 5 para el NMOS.

Grfica 7. Grfica obtenida Ids vs Vds en PMOS

Grfica 8. Grfica obtenida Ids vs Vds en zona de saturacin con

su respectiva regresin para el PMOS

Vgs=2 [V]
A=2,2e-5
|VA|=12,6011

B=0,00017

Vgs=2,5 [V]
A=4,9e-5
|VA|= 12,6868

B=0,00062

Vgs=3 [V]

Vgs=2,5 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,041 5,08E-05
0,090 1,11E-04
0,265 3,28E-04
0,652 8,03E-04
0,688 8,47E-04
0,710 8,73E-04
0,726 8,92E-04
0,742 9,09E-04
0,747 9,12E-04
0,750 9,15E-04
0,751 9,16E-04
0,754 9,17E-04
0,756 9,17E-04
0,758 9,17E-04
0,760 9,17E-04
0,762 9,17E-04
0,764 9,17E-04
0,765 9,17E-04
0,767 9,16E-04
0,767 9,15E-04
Prom 7,92E-04

Vgs=3 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,055 3,51E-05
0,097 6,18E-05
0,359 2,29E-04
0,978 6,20E-04
1,081 6,85E-04
1,206 7,64E-04
1,259 7,96E-04
1,447 9,11E-04
1,454 9,14E-04
1,471 9,23E-04
1,481 9,27E-04
1,487 9,28E-04
1,491 9,29E-04
1,495 9,29E-04
1,499 9,29E-04
1,503 9,29E-04
1,505 9,29E-04
1,510 9,28E-04
1,511 9,28E-04
1,515 9,26E-04
Prom 7,56E-04

Vgs=3,5 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,069 2,68E-05
0,194 7,52E-05
0,434 1,68E-04
0,824 3,18E-04
1,107 4,27E-04
1,223 4,72E-04
1,369 5,28E-04
1,844 7,09E-04
2,240 8,59E-04
2,300 8,81E-04
2,370 9,06E-04
2,410 9,19E-04
2,440 9,29E-04
2,460 9,34E-04
2,460 9,33E-04
2,470 9,34E-04
2,480 9,35E-04
2,480 9,32E-04
2,490 9,34E-04
2,500 9,34E-04
Prom 6,67E-04

Tabla 10. Re-Clculo KnW/L para NMOS con cada Id y Vds.

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Con lo que se determina:

Vgs [V]
2,5
3
3,5
Prom

Knw/L
7,92E-04
7,56E-04
6,67E-04
7,38E-04

Tabla 11. Re-Clculo KnW/L para NMOS

Parmetro KnW/L (otro mtodo) del transistor PMOS

Se utiliz las tablas 7,8 y 9 para el PMOS.

Vgs=2 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,033 9,22E-05
0,129 3,58E-04
0,163 4,48E-04
0,176 4,80E-04
0,199 5,39E-04
0,211 5,67E-04
0,222 5,92E-04
0,228 6,03E-04
0,232 6,09E-04
0,235 6,13E-04
0,239 6,19E-04
0,241 6,19E-04
0,247 6,25E-04
0,249 6,26E-04
0,253 6,27E-04
0,257 6,28E-04
0,260 6,31E-04
0,261 6,29E-04
0,266 6,33E-04
0,269 6,31E-04
0,270 6,29E-04
0,272 6,30E-04
0,276 6,31E-04
0,277 6,29E-04
0,280 6,32E-04
Prom 5,73E-04

Vgs=2,5 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,099 1,09E-04
0,196 2,14E-04
0,301 3,26E-04
0,357 3,84E-04
0,400 4,27E-04
0,477 5,05E-04
0,528 5,55E-04
0,555 5,79E-04
0,585 6,05E-04
0,621 6,38E-04
0,649 6,62E-04
0,661 6,69E-04
0,671 6,74E-04
0,684 6,82E-04
0,693 6,86E-04
0,711 6,94E-04
0,719 6,92E-04
0,725 6,93E-04
0,731 6,94E-04
0,743 6,96E-04
0,746 6,94E-04
0,752 6,95E-04
0,759 6,97E-04
0,766 6,99E-04
0,771 6,94E-04
Prom 5,94E-04

Vgs=3 [V]
Ids
Knw/L
[mA]
0,115 6,72E-05
0,243 1,41E-04
0,394 2,27E-04
0,431 2,46E-04
0,565 3,20E-04
0,707 3,97E-04
0,745 4,15E-04
0,822 4,55E-04
0,892 4,90E-04
0,972 5,30E-04
1,091 5,86E-04
1,125 6,00E-04
1,172 6,21E-04
1,234 6,44E-04
1,288 6,63E-04
1,296 6,62E-04
1,311 6,66E-04
1,321 6,66E-04
1,350 6,71E-04
1,370 6,72E-04
1,377 6,71E-04
1,386 6,71E-04
1,398 6,73E-04
1,403 6,71E-04
1,413 6,71E-04
Prom 5,44E-04

Tabla 12. Re-Clculo KnW/L para PMOS con cada Id y Vds.

En conclusin

Vgs [V]
2

Knw/L
5,73E-04

2,5
3
Prom

5,94E-04
5,44E-04
5,70E-04

Tabla 13. Re-Clculo KnW/L para PMOS

Parmetro gm del transistor NMOS

Para el clculo de este parmetro, se utiliz cada valor
obtenido de KnW/L y se obtuvieron los valores de gm para
cada valor (utilizando la ecuacin 5). Se encontr los
siguientes valores:

Vgs [V]
2,5
3
3,5
Prom

Knw/L
7,92E-04
7,56E-04
6,67E-04
7,38E-04

gm [s]
1,01E-03
1,34E-03
1,51E-03
1,29E-03

Tabla 14. Clculo gm NMOS

Parmetro gm del transistor PMOS

Vgs [V]
2
2,5
3
Prom

Knw/L
5,73E-04
5,94E-04
5,44E-04
5,70E-04

gm [s]
4,83E-04
7,98E-04
1,00E-03
7,61E-04

Tabla 15. Clculo gm PMOS

V. DATOS DEL TRANSISTOR

A continuacin se muestra um resumen con los datos
obtenidos del transistor NMOS y PMOS.

Parmetro
Vtho [V]
KnW/L 1
KnW/L 2
gm [s]

NMOS
PMOS
1,22965897
1,15724
1,033E-03
9,96E-04
7,38E-04
5,70E-04
0,009751302 0,08011791
1,29E-03
7,61E-04

Tabla 16. Parmetros obtenidos en la prctica para NMOS Y

PMOS

VI. SIMULACIONES
Se realiz la simulacin mostrada a continuacin en pspice
haciendo un modelado del transistor Mbreakn y MbreakP
acorde a los parmetros obtenidos en la prctica. Se simul
teniendo un VDS constante (8) y variando VGS entre 2,5 y 3,5
[V] para el NMOS y entre 2 y 3 [V] Para el PMOS obteniendo
los resultados encontrados en Anexos grficas. Las
configuraciones utilizadas en Orcad fueron:

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Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

Esquema2. Circuito utilizado para simular el transistor NMOS.

Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3

Vgs=3,5 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
1,107
1,04
1,844
1,846
2,37
2,39
2,440
2,67
2,465
2,72
2,480
2,74

%dif
6%
0%
1%
9%
10%
10%

Tabla 19. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con Vgs= 3,5
[V] en NMOS

Para el transistor PMOS

Esquema3. Circuito utilizado para simular el transistor NMOS.

VII. ANALISIS DE DATOS

Al determinar los parmetros para cada transistor y simularlos
en Pspice (creando el model con los transistores MbreakN y
MbreakP) se obtuvieron las siguientes diferencias entre la
corriente simulada con la corriente obtenida por laboratorio.
Para el transistor NMOS

Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3

Vgs=2,5 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,572
0,529
0,735
0,803
0,747
0,845
0,754
0,849
0,758
0,853
0,761
0,857

%dif
8%
9%
13%
13%
13%
13%

Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3

Vgs=2 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,199
0,176
0,235
0,218
0,249
0,226
0,260
0,234
0,269
0,242
0,277
0,251

%dif
12%
7%
9%
10%
10%
9%

Tabla 20. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con Vgs= 2

[V] en PMOS

Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3

Vgs=2,5 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,4
0,323
0,621
0,521
0,639
0,575
0,725
0,596
0,752
0,617
0,774
0,637

%dif
19%
16%
10%
18%
18%
18%

Tabla 17. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con vgs= 2,5
[V] en NMOS

Tabla 21. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con Vgs= 2,5
[V] en PMOS

Vgs=3 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,822
0,789
1,328
1,325
1,454
1,61
1,481
1,65
1,491
1,66
1,499
1,661

Vgs=3 [V]
Ids lab [mA]
Ids sim [mA]
0,565
0,477
0,972
0,826
1,203
1,04
1,311
1,123
1,370
1,116
1,413
1,2025

Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3

%dif
4%
0%
11%
11%
11%
11%

Tabla 18. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con vgs= 3

[V] en NMOS

Vds [V]
0,5
1
1,5
2
2,5
3

%dif
16%
15%
14%
14%
19%
15%

Tabla 22. Comparacin entre las corrientes obtenidas, con Vgs= 3

[V] en PMOS

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VIII. CONCLUSIONES
Al polarizar un transistor es de suma importancia tener
conocimiento de la hoja de datos, pues si se excede el voltaje o
la corriente mximos especificados en la hoja de datos, el
transistor puede sufrir daos y afectar el circuito que se est
trabajando.
Todos los transistores tienen parmetros que difieren en
algunos aspectos, por lo que se debe escoger aquel que cumpla
con las especificaciones y exigencias del proyecto a realizar,
teniendo claro as los parmetros del dispositivo.
La corriente de drenador de cada uno de los MOSFET se
controla mediante la tensin Vgs. As mismo A partir de cierto
voltaje Vgs, llamado voltaje de umbral o Vt, es posible que se
forme el canal y por ende que circule corriente por el
drenador.
Los datos calculados tericamente con las ecuaciones, nos
brindan un acercamiento y una idea de los valores de
resistencia y voltaje reales que se deben aplicar, son muy
prximos pero para algunos casos se tena que replantear los
valores de resistencia y ganancia para lograr el objetivo de la
amplitud de la seal de entrada que se exiga.

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IX. ANEXO GRFICAS ORCAD

2.8mA

2.4mA

2.0mA

1.6mA

1.2mA

0.8mA

0.4mA

0A
0V

0.2V
ID(M1)

0.4V

0.6V

0.8V

1.0V

1.2V

1.4V

1.6V

1.8V

2.0V

2.2V

2.4V

2.6V

2.8V

3.0V

3.2V

3.4V

V_Vdsn

Grfica 9. Ids vs Vds Para diferentes Vgs (2.5, 3 y 3.5 [V]) en NMOS

2.4mA

2.0mA

1.6mA

1.2mA

0.8mA

0.4mA

0A
1.0V

1.2V

1.4V

1.6V

1.8V

2.0V

2.2V

2.4V

2.6V

ID(M1)
V_Vgsn

Grfica 10. Ids vs Vgs Para diferentes Vds constante de 8 [V] en NMOS

2.8V

3.0V

3.2V

3.6V

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1.4mA

1.2mA

1.0mA

0.8mA

0.6mA

0.4mA

0.2mA

0A
0V

0.2V

0.4V

0.6V

0.8V

1.0V

1.2V

1.4V

1.6V

1.8V

2.0V

2.2V

2.4V

2.6V

2.8V

3.0V

3.2V

IS(M2)
V_Vdsp

Grfica 11. Ids vs Vds Para diferentes Vgs (2.5, 3 y 3.5 [V]) en PMOS
2.0mA

1.6mA

1.2mA

0.8mA

0.4mA

0A
1.0V

1.2V

1.4V

1.6V

1.8V

2.0V

2.2V

2.4V

2.6V

IS(M2)
V_Vgsp

Grfica 12. Ids vs Vgs Para diferentes Vds constante de 8 [V]en PMOS

2.8V

3.0V

3.2V