Las computadoras y
otros
tipos
de sistemas requieren
el almacenamiento permanente o semipermanente de un gran nmero
de datos binarios. Los sistemas basados en microprocesadores necesitan de
la memoria para almacenar los programas y datos generados durante el
procesamiento y disponer de ellos cuando sea necesario
EEPROM (Memoria de solo lectura elctricamente programable y
borrable).
EPROM son
las
siglas
de Erasable
Programmable
Read-Only
Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no
voltil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Est formada por celdas
de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o
"transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fbrica sin carga,
por lo que son ledos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en
todas sus celdas).
Como su nombre sugiere, una EEPROM puede ser borrada y programada con
impulsos elctricos. Al ser una pieza que se puede gestionar por estos impulsos
elctricos, podemos realizar todas estas operaciones de reprogramacin sin tener
que desconectarla de la placa a la cual va conectada.
CLASIFICACION.
Existen dos tipos de memoria EEPROM seriales:
1. La serie 24LCXX, que corresponde a los
dispositivos de comunicacin serial de dos
hilos.
2.- La serie 93LCXX que se comunica a travs de tres hilos.
Cada una de las memorias utiliza protocolo de comunicacin serial que depende
de la accin a ejecutar, es decir, si se va a leer un dato, a escribir o se va a enviar
una direccin. El programa que ejecuta el computador deber seguir paso a paso
la secuencia del protocolo dependiendo del tipo de memoria que se desea
programar o leer.
FABRICACION.
La estructura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) proviene de la
FAMOS, aadindole una segunda puerta. Esta segunda puerta, adems de
permitir el borrado elctrico, facilita la escritura. Esta estructura es la base de las
memorias EEPROM.
PROGRAMACION
Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y
aplicando en un pin especial de la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios
durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo tiempo se
direcciona la posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de
datos. Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de
memoria.
APLICACIONES
Los dispositivos EEPROM suelen tener un bus de direcciones lo suficientemente
amplio para cubrir el total de la memoria y un bus de datos de 8-bit.
La mayora de los dispositivos tienen una terminal de chip select (CS) y terminales
de proteccin contra escritura (WR). Algunos micro-controladores tienen integrada
una EEPROM tipo paralelo.
EEPROMs tipo paralelo se utilizan en aplicaciones tales como controladores
industriales, adaptadores LAN, conmutadores de telecomunicaciones, telfonos
celulares y mdems.
EEPROM tipo serie se utilizan en muchas aplicaciones para almacenar datos del
usuario reconfigurable. Las aplicaciones ms comunes son las unidades de disco,
mdems, telfonos celulares, reproductores de video, reproductores de CD,
audfonos, tarjetas PCMCIA, telfonos inalmbricos, impresoras lser,
computadoras y buscapersonas.
UVPROM (PROM borrables por rayos ultravioleta)
UVPROM Se programan elctricamente
Se borran exponindolas a una radiacin UV de la longitud adecuada.
Encapsulado con ventana de cuarzo para dejar pasar la luz.
Celdas de memoria MOSFET con puerta flotante.
Es atinente aclarar que una UVROM no puede ser borrada parcial o
selectivamente; de ah que por ms pequea que fuese la eventual modificacin a
realizar en su contenido, inevitablemente se deber borrar y reprogramar en su
totalidad.
Los tiempos medios de borrado de una UVPROM, por exposicin a la luz
ultravioleta, oscilan entre 10 y 30 minutos.
FABRICACION.
Estos dispositivos semiconductores integrados estn generalmente construidos en
tecnologa MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Semiconductor de Oxido Metlico) o
-ms recientemente- CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconducto o
Semiconductor de Oxido Metlico Complementario). Lamentablemente, estos
dispositivos RAM adolecen de un ligero inconveniente, que es, como ya se ha
comentado, su volatibilidad.
PROGRAMACION.
Una vez grabada una UVPROM con la informacin pertinente, por medio de un
dispositivo especial que se explicar luego, la misma es instalada en el sistema
correspondiente donde efectivamente ser utilizada como dispositivo de lectura
solamente. Eventualmente, ante la necesidad de realizar alguna modificacin en la
informacin contenida o bien para ser utilizada en otra aplicacin, la EPROM es
retirada del sistema, borrada mediante la exposicin a luz ultravioleta con una
longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de longitud por la cual 1 A = 10-10
m), programada con los nuevos datos, y vuelta a instalar para volver a
comportarse como una memoria de lectura solamente.
APLICACIONES.
Entre las aplicaciones generales que involucran a las UVROM debemos destacar
las de manejo de sistemas micro-controlados. Todo sistema micro-controlado y/o
micro-procesado (se trate de una computadora personal o de una mquina
expendedora de boletos para el autotransporte...) nos encontraremos con cierta
cantidad de memoria programable por el usuario (la RAM), usualmente en la forma
de dispositivos semiconductores contenidos en un circuito integrado (no olvidemos
que un relay bi-estable o un flip-flop tambin son medios de almacenamiento de
informacin).
FLASH
Chip de memoria que mantiene su contenido sin energa, pero que debe borrarse
en bloques fijos, en lugar de bytes solos. Los tamaos de los bloques por lo
general van de 512 bytes hasta 256KB. El trmino fue acuado por Toshiba, por
su capacidad para borrarse "en un flash" (instante). Derivados de EEPROM, los
chips flash son menos costosos y proporcionan mayores densidades de bits.
Adems, el flash se est convirtiendo en una alternativa para los EPROM porque
pueden actualizarse fcilmente. La memoria flash consiste en una pequea tarjeta
destinada a almacenar grandes cantidades de informacin en un espacio muy
reducido. Usualmente es posible encontrarlas guardando las fotos de una cmara
digital, los programas de calles y rutas de un GPS, la agenda de contactos de un
telfono celular. Este tipo de tarjetas son denominadas no voltiles, ya que
conservan los datos an cuando no se encuentran conectadas a la corriente
elctrica.
CLASIFICACION.
Hay dos tipos de clasificacin:
1.- Por su funcionamiento interno.
Compact-Flash (CF Card)
Smart-Media
XD Picture Card
Sony Memory Stick (MS)
Multi-Media Card
Tarjetas Secure Digital (llamadas tarjetas SD)
2.- Por su formato.
Memoria flash de tipo NOR
Memoria Flash NAND
FABRICACION.
Fabricada con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s y 1s
correspondientes.
Las tarjetas de memoria flash estn hechas de muchsimas celdas microscpicas
que acumulan electrones con diferentes voltajes a medida que la electricidad pasa
a travs de ellas, creando as un mapa de diferentes cargas elctricas. De este
modo la tarjeta logra guardar la informacin que el usuario requiere. Mientras ms
compacta est distribuida su estructura, mayor informacin almacena, y asimismo
tambin aumentan los costos en la fabricacin de estos dispositivos.
PROGRAMACION.
Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite
el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se
coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo
elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar
(poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar
estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso
de tunelado mecnico cuntico.
Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma
ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el
borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de
la evidente base en otro tipo de puertas, un costo bastante inferior, unas diez
veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial
(ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias
flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio.
APLICACIONES.
Actualmente el desarrollo de la memoria flash se ha producido por el boom de la
fotografa digital y las tan famosas tarjetas de memoria flash que se han extendido
a otros campos de las nuevas tecnologas como telefona mvil, PDAs ,
Reproductores MP3, y muchas ms aplicaciones...
Hemos de destacar que dentro de unos meses todos los nuevos equipos
informticos incluirn un lector de tarjetas de memoria flash, que sustituir, a la ya
conocida por todos, disquetera y las tarjetas de memorias a los disquetes y quien
sabe si a los CDs y DVDs, aunque no creo que pase con estos ltimos.