CASTILLO MEZA VICTOR HUGO
5IV3
FET
Los transistores FET se denominan asi porque durante su funcionamiento la seal
de entrada crea un campo elctrico que controla el paso de la corriente a travs
del transistor. Tambien se denominan unipolares para que no sean confundidos
con los bipolares de unin.
Estos presentan una impedancia de entrada muy alta, y consumen poca potencia
por lo que su uso es mas aplicado en los circuitos integrados.
JFET
Esta formada por un semiconductor tipo n con dos contactos ohmicos en sus
extremos, uno de ellos es la fuente y el otro es el drenador, hay un tercero que es
la compuerta o puerta la cual esta constituida por dos regiones tipo P.
Si el semiconductor es de tipo N, la flecha debe apuntar hacie adentro para
indicar el carcter n del semiconductor
En el caso del tipo P, la flecha de la puerta tiene la direccin opuesta a la figura
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La
terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente
(Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg) asi
que a mayor voltaje (Vgg) ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente
pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. El JFET es
controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta a fuente
modifican la regin de rarefaccin (deplexin) y causan que vare el ancho del
canal.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL P
Se trata de una estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase OxidoSemiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado.
En la mayora de las aplicaciones el sustrato B es conectado direstamente a la
fuente o al punto de voltaje ms negativo (para canal n), para asegurar que las
uniones renador-sustrato y fuente-sustrato se mantengan polarizadas en inversa.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO CANAL N
La fuente S y el drenador D son regiones fuertemente dopadas difundidas en un
sustrato B (Body) de tipo p. Una compuerta conductora G (Gate) se aisla del silicio
mediante una fina capa de SiO2 Durante el funcionamientonormal activo una
tensin positiva es aplicada entre la fuente y el sustrato, lo cual produce una
atraccin de los conductores de la fuente y el drenador creando un canal de
conduccin entre ellos. Este enriquecimiento de carga negativa (en este caso) le
da su nombre al dispositivo.
CASTILLO MEZA VICTOR HUGO
5IV3
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL N
Se compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P
a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una vlvula
electrnica, en donde los electrones libres circulan desde el ctodo a la placa, en
un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje, es decir desde
abajo hacia arriba en el dibujo. En la vlvula lo hacen por el vaco y en el MOSFET
por el silicio tipo N. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo)
y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulacin
electrnica. Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta
y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona
del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad
haciendo que esa zona sea aisladora.
MOSFEN DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL P
Se construye igual al de canal N, salvo que ahora se invierten los materiales N y
P al igual que las polaridades de las tensiones y corrientes.; su funcionamiento es
anlogo teniendo en cuenta las salvedades mencionadas.
MESFET
MESFET significa de metal-semiconductor transistor de efecto campo. Es muy
similar a un JFET en la construccin y terminologa. La diferencia es que en lugar
de utilizar una unin pn para una puerta, una Schoctty ( de metal - semiconductor )
se utiliza de unin. MESFETs generalmente se construyen en las tecnologas de
semiconductores compuestos que carecen de pasivacin de alta calidad de la
superficie, tales como GaAs , InP, o SiC, y son ms rpidos pero ms caros que
los basados en silicio JFET o MOSFET .