Electrnica y Electricidad 1. TRANSISTOR 1.1. INTRODUCCION Con la invencin de las vlvulas de vaco supuso el inicio de la ciencia electrnica.
Tambin se sealaron los inconvenientes de las vlvulas. Con el descubrimiento de los dispositivos semiconductores permiti el desarrollo de nuevos ingenios. Pero la sustitucin de las vlvulas de vaco no fue posible hasta que se pudo disponer de dispositivos semiconductores capaces de sustituir a un tipo de vlvulas llamadas Triodos. Estas vlvulas eran utilizadas en todo tipo de circuitos en los que era necesario amplificar una seal elctrica. Adems eran parte fundamental de los primeros ordenadores que se construyeron. Los dispositivos semiconductores capaces de hacer esta sustitucin fueron los transistores. Aunque el primer transistor fue construido en 1947 por un equipo de fsicos de los Laboratorios Bell, no fue hasta 1954 cuando la Texas Instrument inici la fabricacin de transistores de uniones de silicio con los que se inici la progresiva sustitucin de las vlvulas electrnicas. 1.2. EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJT) El transistor es el dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos que se denominan: Colector C, Base B y emisor E. La palabra bipolar se debe al hecho que internamente existen una doble circulacin de portadores de corriente: electrones y huecos. 1.3. CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES Los transistores Bipolares se clasifican en:
1.3.1. POR LA DISPOSICION DE SUS CAPAS A. Transistor PNP B. Transistor NPN
Estructura de un transistor, a) PNP y b) NPN La representacin de un transistor de unin se representa en las figuras siguientes. En ellas, el extremo que contiene la flecha siempre representa al emisor. La flecha sigue el criterio de representacin de los diodos: parte del lado P y termina en el N. De este modo se distingue segn el dibujo si el transistor es PNP NPN. Ing. Jess Ocaa Velsquez 1
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Smbolo de un transistor PNP y NPN 1.3.2. POR EL MATERIAL SEMICONDUCTOR EMPLEADO A. Transistores de Silicio B. Transistores de Germanio 1.3.3. POR LA DISIPACION DE POTENCIA A. Transistores de Baja Potencia B. Transistores de Mediana Potencia C. Transistores de Alta Potencia El encapsulado de los transistores es muy diverso, aunque siempre podemos distinguir en ellos los tres terminales. El encapsulado es diferente para los transistores de pequea, de media y de alta potencia.
Transistor por disipacin de potencia 1.4. IDENTIFICACIN DE TERMINALES Con un multmetro digital en la escala diodo siguiente: a) enumere las patitas al azar haga lo
Terminales de un transistor b) mida con el multmetro, 1-2, 1-3, 2-1, 2-3, hasta obtener dos lecturas de baja resistencia con un punto comn. c) El punto comn viene a ser la BASE del transistor. Ing. Jess Ocaa Velsquez 2
Electrnica y Electricidad d) Para ubicar el contacto de COLECTOR. De las dos lecturas de baja resistencia, seleccione la menor. La diferencia es de solamente algunos ohmios. e) El contacto restante ser la conexin de EMISOR. 1.5. IDENTIFICACIN DEL TIPO DE TRANSISTOR Con las mediciones anteriores observamos la polaridad del terminal que le correspondi a la BASE. Si a la BASE le correspondi el polo positivo del multmetro, entonces es un transistor NPN. Si a la base le correspondi el polo negativo del multmetro, entonces es un transistor PNP. 1.6. CORRIENTES DE UN TRANSISTOR
IE =IB + IC
Figura 74. Corrientes de un transistor Beta (): la beta de un transistor se define como la relacin entre la corriente del colector y la corriente continua de la base. La beta se conoce tambin como la ganancia de corriente porque una pequea corriente de base produce una corriente mucho mayor de colector.
IC IB
IE IC
I E I B I B
IC
Teniendo en cuenta que la corriente de base es mucho menor que la corriente de colector, es habitual hacer la siguiente aproximacin: la corriente de colector es igual a la corriente de emisor.
I E IC
1.6.1. VOLTAJE BASE EMISOR DEL TRANSISTOR Si el transistor es de silicio la VBE= 0.7 V Si el transistor es de germanio la VBE= 0.3 V Ing. Jess Ocaa Velsquez 3
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1.7.
FUNCIONES DE UN TRANSISTOR Curva caracterstica del transistor.
Curva caracterstica de un transistor. Zona de Corte: el transistor no conduce Conmutador Zona de saturacin: el transistor conduce Zona Activa: el transistor se comporta como amplificador
TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR: El transistor se comporta como amplificador : entra 10 y sale 1000, tienen una amplificacin de =100
Transistor como amplificador
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Electrnica y Electricidad TRANSISTOR COMO CONMUTADOR
Transistor como conmutador. a) Saturacin, b) corte.
1.8.
EJERCICIOS CON TRANSISTORES
1. Determinar la IB, IC, VCE, VB y VC del siguiente circuito, si el transistor es de silicio y tiene una ganancia de 50.
Ic
VCE IB
Solucin Calculo de IB
VCC VRB VBE VCC I B RB VBE
Reemplazando 12V 0.7V IB 240k
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Electrnica y Electricidad Calculo de Ic
I C I B
I C 50 (0.047 mA )
Calculo de VCE
VCC VRC VCE
VCC I C RC VCE
Reemplazando VCE 12 (2.35 mA)( 2.2 K) Calculo de VB
VB VBE 0.7V
Calculo de VC
VC VCE 6.83V
2. Determinar la IB, IC, IE y VCE del siguiente circuito, si el transistor es de silicio y tiene una ganancia de 80.
Respuesta: I B 0.0233 mA I C 1.864 mA I E 1.887 mA VCE 17 .85V
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Electrnica y Electricidad 3. En el circuito calcular IB, IC, VCE, VB y VC, si el transistor es de silicio y =100
Solucin Calculo de IB
VCC VRB VBE VRE VCC I B RB VBE I E RE VCC I B RB VBE I B ( 1) RE
Reemplazando 18V 0.7V IB 820 k (101 )820 Calculo de Ic I C I B I C 100 (0.0192 mA) Calculo de VCE VCC VRC VCE VRE VCC I C RC VCE I E RE Sustituyendo IE IC Reemplazando VCE 18V (1.92 mA )(1.82 K) Calculo de VB VB VBE VE VB VBE I E RE VB 0.7V (1.92 mA)820 VB 0.7V 1.57V Calculo de VC Ing. Jess Ocaa Velsquez 7
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VC VCE VE
VC 14 .5V 1.57V
4. Para la red del circuito calcule: IB, IC, VCE, VB, VE y VC.
=50
Respuesta: I B 40 .1A I C 2.01mA
VCE 13 .97V
VB 2.71V VC 15 .98V VE 2.01V 5. Calcular IB, IC, IE VRC y VRE, en el siguiente circuito si = 80
Respuesta
I C 8.9mA
I B 0.112 mA
I E 9.1mA VRC 8.9V VRE 4.55V
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POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE 6. Calcular IC y VCE para la siguiente configuracin de divisin de voltaje del circuito, si = 140
Calculo de Rth:
Rth = R1 || R2
Rth
(39k)(3.9k) 39k 3.9k
Calculo de Vth
Vth
(39k)(22V ) 39k 3.9k
Calculo de IB
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IB
2V 0.7V 3.55 K (141 )1.5 K
Calculo de Ic
I C I B
I C 140 (6.05 A)
Calculo de VCE
VCE VCC I C ( RC RE ) VCE 22V (0.85 mA )(11 .5K)
7. Determine los niveles de Ic y de VCE para la configuracin de divisor de voltaje del circuito.
Respuestas Rth 17.35k Vth 3.81 V I B 39 .6A I C 1.98 mA VCE 4.54V
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Electrnica y Electricidad PRACTICA DOMICILIARIA 1. En el siguiente circuito calcular: IC, Rc, RB y VCE, si IB = 40 A y la ganancia es de 80
2. Con los datos que muestra el circuito, determine: , Vcc y RB
3. Para la red del circuito, determinar: IC, VCE, VB, VC, VE y VBC
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4. En el circuito, Rc=2.2k, IB=20uA, IE=4mA y VCE=7.2V. Calcular Ic, VCC, y RB?
5. Determine Ic y de VCE para la configuracin de divisor de voltaje del circuito
6. Calcular Ib, Ic, Ie, Vce, Vc si B=160
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Electrnica y Electricidad 7. Calcular IB, IC, IE VRC y VRE, en el siguiente circuito si = 80
8. Calcular la Ib1, Ib2, Ic2 y la Vce2 del siguiente circuito si 1=30 y 2=120
9. Calcular IB, IC, IE VRC y VRE, en el siguiente circuito si = 100
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