Semiconductores intrnsecos Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre
sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1,1 y 0,72 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo n la concentracin de electrones (cargas negativas) y p la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: :ni = n = p siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, le aadimos un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al corespondiente tomo de silicio. Semiconductor extrnseco tipo n. Es el que se ha dopado con elementos pentavalentes (As, P o Sb). Al tener stos elementos 5 electrones en la ltima capa, resultar que al formarse, como antes, la estructura cristalina, el quinto electrn no estar ligado en ningn enlace covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico superior a los cuatro restantes. Si como antes, consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que ahora, adems de la formacin de pares e-h, se liberarn tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV). As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la energa elctrica y puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras. An siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo se aumente el nmero de electrones libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinacin, lo que resulta en un disminucin del nmero de huecos p, es decir: :n > ni = pi > p, tal que: np = ni2 Por lo que respecta a la conductividad del material, sta aumenta enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la
conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro. Semiconductor extrnseco tipo p. Es el que se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In). En este caso, las impurezas aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende). Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el formado antes con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia (del orden de 0,01 eV). En este caso, los electrones saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. Al igual que en el caso anterior, el incremento del nmero de huecos se ve compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinacin, de modo que la ley de masas tambin se cumple en este caso: :p > pi = ni > n, tal que: np = ni2