UNIVERSIDAD TECNICA DE AMBATO
FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS, ELECTRONICA E INDUSTRIAL
CARRERA DE INGENIERIA INDUSTRIAL EN PROCESOS DE AUTOMATIZACION
Nombre: Marcelo Andrs Espinosa Alvarado
Nivel: Cuarto Paralelo: A Tema: Diodos Semiconductores Fecha: 23 04 2013 Periodo: Marzo Agosto 2013
OBJETIVOS: Objetivo general: Conocer cmo aplicar diodos semiconductores en circuitos elctricos
Objetivos especficos: Determinar el funcionamiento de los diodos semiconductores. Calcular circuitos haciendo uso de diodos semiconductores.
DESARROLLO 1. Utilizando las caractersticas de la figura 2.149b, determine ID VD y VR para el circuito de la figura 2.149a. Repite el inciso (a) empleado en el modelo aproximado del diodo y compare resultados. Repite el inciso (a) empleado en el modelo ideal del diodo y compare resultados
a) Curva comercial E=8V R=0,33k I=E/R=8V/0,33k=24.24mA VD=0,9v ID=21.5mA VR= ID.R=21.5mA x 0.33k=7.1V b) Modelo lineal por segmento
E=8V R=0,33k I=E/R=8V/0,33k=24.24mA VD=0,7v ID=22mA VR= ID.R=22mA x 0.33k=7.26V c) Modelo ideal E=8V R=0,33k I=E/R=8V/0,33k=24.24mA VD=0V ID=24.24mA VR= ID.R=24.24mA x 0.33k=7.99V
2. Empleando las caractersticas de la figura 2.149b, determine ID y VD para el circuito de la figura 2.150 Repite el inciso (a) con R=0.47k Repite el inciso (a) con R=0.18k El nivel de VD es relativamente cercano a 0.7 V en cada caso? Cmo se comparan los niveles relativos de ID? Comente. a) E=5V R=2,2k I=E/R=5V/2,2k=2,27mA VD=0,7v ID=2mA VR= ID.R=2mA x 2,2k=4,4V b) E=5V R=0,47k I=E/R=5V/0,47k=10,64mA VD=0,7v ID=8,8mA VR= ID.R=8,8mA x 0,47k=4,14V c) E=5V R=0,18k I=E/R=5V/0,18k=27,8mA VD=0,9v ID=24,5mA VR= ID.R=24,5mA x 0,18k=4,41V A menor Resistencia mayor intensidad de corriente
3. Determine el valor de R para la figura 2.150 que ocasionara una corriente en el diodo de 10mA si E=7V. Utilice las caractersticas de la figura 2.149b para el diodo. E=7V I=10mA R=E/I=7V/11,2mA=0.625k VD=0,7v ID=11,2mA
4. Empleando las caractersticas aproximadas del diodo de Si, determine el nivel de VD ID y VR para el circuito de la figura 2.151. Desarrolle el mismo anlisis del inciso (a) utilizando el modelo ideal del diodo Los resultados obtenidos en los incisos (a) y (b) sugieren que el modelo ideal puede proporcionar una buena aproximacin para la respuesta real bajo ciertas condiciones? a)
b)
c) Los valores calculados son muy similares 5. Determine la corriente I para cada una de las configuraciones de la figura 2.152 empleando el modelo equilibrado del diodo.
a)
El diodo esta con la polarizacin inversa, no circula I
b) c)
6. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.153 -5V+0,7V-ID(2,2k)=0 a) ( b)
( )
7. Determinar el nivel de VO para cada red de la figura 2.154
a) I=19V/4k=4,75mA Vo=20V-0,7V-0,3V-(4,75mA . 2k)=9,5V b)
( ) ( )
((
8. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.155.
22-ID(2,2k)-0,7V- ID(1,2k) ( ) ( )
9. Determine VO1 y VO2 para las redes de la figura 2.156.
a)
b) ( ( ) )
10. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.157.
a)
b)
11. Determine Vo e I para las redes de la figura 2.158.
a) b)
12. Determine Vo1, Vo2, e I para la red de la figura 2.159.
( (
) )
13. Determine Vo e ID para la red de la figura 2.160
( ( ( ) )
CONCLUSIONES Se ha determinado como aplicar diodos semiconductores en circuitos electricos. Se ha determinado el funcionamiento de los diodos semiconductores Se ha calculado diferentes circuitos electricos con diodos semiconductores.
BIBLIOGRAFIA Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10E (R.L. Boylestad, L. Nashelsky)
