I.
OBJETIVO:
Que el alumno conozca y comprenda el funcionamiento, operación y aplicación de los
diodos en la realización de los circuitos y ejercicios propuestos en la práctica para su
futura integración en circuitos propuestos por los alumnos.
II. INTRODUCCIÓN
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar,
prácticamente en cualquier circuito electrónico. Los diodos se fabrican en versiones de
silicio (la más utilizada) y de germanio. Los diodos constan de dos partes, una llamada N y
la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión
es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de
silicio.
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor
tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando una tensión positiva se
aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado
P y los electrones fluyen a través del material P más allá de los límites del semiconductor.
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al
lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P,
los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados
al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia
no hay corriente. El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:
Polarización directa que es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la
flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente
atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente
como un cortocircuito.
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha
del diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se
comporta idóneamente como un circuito abierto. En un análisis del flujo de corriente en
un diodo real, se encuentra una corriente relativamente pequeña al polarizarse de manera
inversa; esta corriente es la suma de dos corrientes: la corriente de saturación inversa y la
corriente de fuga inversa.
La corriente de saturación inversa es causada por la generación térmica de pares electrón-
hueco; por lo que ésta corriente de saturación es directamente proporcional a la
temperatura a la que se encuentra el material.
La otra corriente presente en la polarización inversa del diodo, es la corriente de fuga
inversa, causada por las impurezas e imperfecciones dentro del material; por lo que ésta
corriente es inversamente proporcional a la pureza del material y
directamente proporcional a la diferencia de potencial entre los electrodos del diodo.
Desde el inicio del empleo de las antiguas válvulas termoiónicas de tipo diodo en los
circuitos electrónicos analógicos hasta los diodos de estado sólido utilizados en la
actualidad, su principal función ha sido “rectificar” corrientes alternas para convertirlas en
directa (C.D.) y “detectar” corrientes de alta frecuencia (A.F.) o radiofrecuencia (R.F.) para
convertirlas en audibles.
Entre los materiales semiconductores más comunes con los que se fabrican los electrodos
de los diodos están el germanio y el silicio. El silicio es el más usado actualmente debido a
que resulta más barato fabricar electrodos con silicio, ya que a pesar de ser costoso el
proceso de purificación del silicio, la materia prima es más fácil y más barata de obtener; y
a que tiene una mayor estabilidad térmica que el germanio, el silicio puede operar a una
temperatura límite en el rango de 475K mientras que el germanio se limita a los 255K, por
lo que el silicio tiene una mayor variedad de aplicaciones.
Dentro de las propiedades eléctricas del silicio; soporta un mayor voltaje inverso máximo
(en el rango de 1000V) a comparación del germanio (en el rango de 400V), la corriente de
fuga inversa normalmente es más baja en el silicio debido a los altos porcentajes de pureza
que puede alcanzar (en el silicio de alta pureza la corriente de fuga está en un rango de
nanoAmperes mientras que en el germanio está en un rango de microAmperes).
Las ventajas que tiene el germanio con respecto al silicio es el menor voltaje de umbral
que tiene (0.3V contra 0.6V), por lo que se puede utilizar de manera más efectiva en
aplicaciones donde se requiera detectar señales bajas; y que requiere una menor corriente
para operar en polarización directa (la corriente mínima del germanio está en el rango de
microamperes mientras que la del silicio se encuentra en el rango de amperes), por lo que
el germanio es más apto para operar en circuitos donde se busca operar, medir y detectar
altas radiofrecuencias.
III. MATERIAL Y EQUIPO
1 Multímetro
1 Fuente de alimentación de CD
1 Generador de señales
1 Osciloscopio de 2 canales
2 Diodo rectificador 1N4001 o equivalente
1 Diodo de Germanio NTE109
1 Diodo Led color rojo
1 Diodo Led color verde
1 Puente de diodos a 1 Amp.
1 Transformador con derivación central y salida de 12V a 500 mA
1 Capacitor electrolítico de 1 µF a 25 V
1 Capacitor electrolítico de 4.7 µF a 25 V
1 Capacitor electrolítico de 220 µF a 25 V
1 Capacitor electrolítico de 1000 µF a 25 V
5 Resistores de 10 kΩ a ½ W
1 Resistor de 220Ω a ½ W
1 Resistor de 18Ω a ½ W
1 Potenciómetro de 5kΩ
1 Regulador de voltaje fijo LM7805
1 Regulador de voltaje variable LM317
IV. DESARROLLO
1. (Identificación de las terminales del diodo) Con la ayuda de un multímetro en la
opción de probador de diodos, se conectó al diodo las puntas de prueba como se
muestra en la práctica y se identificó las terminales de ánodo y cátodo.
2. (Medición de voltaje umbral de distintos diodos) Se realizó el mismo
procedimiento del punto anterior, se llenó una tabla mostrada en el apartado de
tablas y gráficas con los voltajes umbrales medidos para diferentes tipos de diodos.
3. (Curva caracteristica del diodo) Se armó el circuito mencionado en la práctica para
visualizar la curva característica de un diodo semiconductor. Se alimentó el circuito
con una señal senoidal con amplitud pico de 10 volts y frecuencia de 1 kHz.
(a) Se utilizó el osciloscopio en modo X-Y para visualizar los resultados y se dibujó las
formas de onda resultante. Utilice un diodo de silicio. Se invirtió el canal 2.
(b). Se repitió el mismo experimento para un diodo de germanio
4. (Circuitos Recortadores) Se armó cada uno de los circuitos y se dibujó los
oscilogramas correspondientes. Se utilizó como entrada una señal cuadrada de 10
Vpp a 1 kHz del generador de señales.
5. (Circuitos Rectificadores)
A. (Rectificadores de media onda) Se armó los circuitos rectificadores de media onda
y se graficó sus resultados. Se utilizó una señal senoidal con amplitud de 6 volts y
frecuencia de 1 kHz.
B. (Rectificadores de onda completa) Se armó los circuitos rectificadores de onda
completa y se graficó las señales resultantes. Se utilizó el transformador de 12 Vrms
a 500 mA conectado a la línea de alimentación.
C. (Rectificadores con filtro capacitivo) Al circuito rectificador de onda completa se
conectó un capacitor en paralelo al resistor de carga. Se dibujó las señales de
salida. Se utilizó 3 valores de capacitores diferentes, 4.7 F, 220 F y 1000 F. El resistor
fue de10 k∧.
6. (Reguladores integrados de voltaje)
A. (Reguladores de voltaje fijo de +5 volts) Se armó el circuito y se dibujó las señales
de salida del regulador, voltaje de CD y voltaje de rizo.
B. (Regulador de voltaje variables) Se armó el circuito y se dibujó las señales de
salida del regulador, voltaje de CD y voltaje de rizo.
V. TABLAS Y GRÁFICAS
II. MEDICIÓN DE VOLTAJE UMBRAL EN DISTINTOS DIODOS
a. Tabla con valores de voltajes de umbral
TIPO DE DIODO VOLTAJE UMBRAL
Diodo de Silicio 1N4001 0.596 V
Diodo de Germanio 0.393 V
NTE109
Diodo de LED Rojo 1.834 V
Diodo de LED Verde 1.907 V
III. CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO
a. Circuito de silicio y gráfica
b) Circuito de germanio y gráfica
IV. CIRCUITOS RECTIFICADORES
a. Gráfica de circuito
b) Gráfica de circuito
c) Gráfica de circuito
d) Gráfica de circuito
V. CIRCUITOS RECTIFICADORES
5.1 Rectificadores de media onda
a. Gráfica del circuito
b) Gráfica del circuito
5.2 Rectificadores de onda completa
a. Gráfica del circuito
b) Gráfica del circuito
c) Gráfica del circuito
5.3 Rectificador con filtro capacitivo
VI. REGULADORES INTEGRADOS DE VOLTAJE
6.1 Reguladores de voltaje fijo de +5 volts
6.2 Regulador de voltaje variable
VI. CONCLUSIONES
BENITEZ VARGAS OSVALDO
Con la elaboración de la práctica pude observar a detalle los distintos usos que puede a
llegar a tener un diodo dependiendo ampliamente de las configuraciones que este pueda a
tener con los dispositivos en conjunto.
Entendí que la dirección de conección del diodo modifica sus características operativas,
dependiendo si se conecta positivo-positivo o positivo negativo.
Cabe resaltar que al realizar estas prácticas podemos poner en práctica la teoría que fue
aprendida durante la clase y así tener conocimientos más sólidos sobre el diodo en este
caso.
SÁNCHEZ OLIVERA FRANCISCO JAVIER
Mediante esta práctica pudimos comprender el funcionamiento de los diodos en conexión
directa e indirecta. Pudimos ver las diferencias entre cada conexión y vimos como se
diferencia entre el catodo y anodo en el diodo (en uno se conecta de positivo-positivo
conexión indirecta y se encuentra el voltaje de umbral). Además de que pudimos observar
los diferentes comportamientos de un diodo en circuitos de aplicación. Para finalizar
logramos observar las diferentes aplicaciones del diodo en la práctica, lo más importante
rectificar corriente alterna a directa.
SALAZAR LEYVA NICOLÁS ANTONIO
En esta práctica, en la que el tema principal son los diodos, pudimos comprobar varios
conocimientos teóricos obtenidos previamente sobre estos dispositivos. Como lo es el tipo
de conexión que tiene este ya sea directa o indirecta, el funcionamiento del ánodo y el
cátodo en dichas conexiones así como las diferentes señales que se mostraban en el
osciloscopio debidas a las diferentes conexiones en los diodos. Lo que más me llamó la
atención de esta práctica fue el que no solo utilizamos como material a los diodos sino
también otros dispositivos como capacitores, resistores y transformadores los cuales nos
ayudaron a formar circuitos más completos y así poder observar con mayor detenimiento
el funcionamiento de los diodos en aplicaciones más comunes.
GARCÍA BRIONES ISAAC ALEJANDRO
Al realizar ésta práctica, pudimos observar el funcionamiento de los diodos, respaldando
nuestro conocimiento teórico sobre el dispositivo; así mismo, al ver el funcionamiento y
las propiedades de los diodos, pudimos comprender su papel dentro de los circuitos en los
que se aplica y al mismo tiempo ver los beneficios de utilizar un tipo en específico de
diodo cuando varios tipos pueden realizar la misma función pero con pequeñas diferencias
(que lo hacen ideal para la aplicación). Un ejemplo de esto es el uso de un diodo schottky
en un circuito TTL-S (tecnología de lógica de transistor a transistor) debido a la rápida
conmutación entre los estados de conducción directa e inversa.
ESPINOSA RAMIREZ CARLOS DAVID
Al hacer la práctica, se comprobó lo visto en la teoría sobre el funcionamiento de los
diodos, y como se puede trabajar de una manera ideal para los cálculos, pero sin embargo,
en la parte empírica hay algunas corrientes debido a las imperfecciones de los materiales,
o falta de pureza, asimismo logramos observar su funcionamiento dentro en los circuitos,
así como los diferentes tipos de diodos como lo son el diodo LED. Al igual que al observar
circuitos sencillos, como los realizados en el laboratorio, pudimos darnos una idea del
comportamiento de circuitos más complejos, como lo son utilizados para las pantallas LED
y la importancia de la nanotecnología para permitir la implementación de circuitos mucho
más complejos en lugares más pequeños, ya que siempre se busca reducir espacio y peso.
De esta manera nos damos cuenta de la utilidad de los diodos dentro de un circuito, que
suelen ser elementos altamente importantes, que puede ir desde un display hasta un paso
de corriente o dirección de la misma.
VII. ANEXO
Pruebas de la realización de la prác
tica en el laboratorio.
VIII. REFERENCIAS
[Link]
[Link]
Floyd, Thomas L. (2008). Dispositivos Electrónicos (8va ed.). México: Pearson,
Prentice Hall
[Link]
Tooley, Mike (2012). Electronic Circuits: Fundamentals and Applications (3rd Ed).