Sensores CMOS: Anlisis de ruido a
Angel Aragn, Iago Gonzlez y Jacobo Len Rodr o a o guez Curso 2011-2012
Indice general
1. Introduccin a sensores CMOS o 2. Estructuras de sensores CMOS 2.1. PPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2. 3T-APS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3. 4T-APS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. Fuentes de ruido 3.1. Corriente oscura . . . . . 3.2. Flicker noise . . . . . . . 3.3. Reset noise o KTC noise 3.4. Thermal noise . . . . . . 3.5. Photon-shot noise . . . . 3.6. Read noise . . . . . . . . 3.7. Shot noise . . . . . . . . 2 4 4 5 5 7 7 8 8 8 9 9 9 10 10 10 10 10 11
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4. Parmetros a estudiar a 4.1. Rango dinmico . . . . . . . a 4.2. Full-Well Capacity . . . . . 4.3. Relacin seal ruido (SNR) o n 4.4. Responsividad . . . . . . . . 4.5. Eciencia Cuntica . . . . . a
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5. Simulaciones 12 5.1. PPS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 5.2. 3T-APS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 6. Conclusiones 24
Cap tulo 1 Introduccin a sensores CMOS o
Un sensor CMOS es un dispositivo que detecta luz basado en la tecnolog a CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor) que, al igual que los sensores CCD, est basado en el efecto fotoelctrico. a e Estos sensores estn constituidos por un array de pixeles, circuiter de a a acceso tanto vertical como horizontal y circuiter de lectura. A su vez, cada a uno de los p xeles que forman un sensor contiene un fotodetector y uno o varios transistores. Entre los fotodetectores utilizados encontramos fotodiodos, (photodiodes) fotopuertas (photogates) o fototransitores (phototransistors). El fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de o la radiacin electromagntica. Cada uno de estos fotodiodos generan una o e corriente elctrica que var en funcin de la intensidad luminosa recibida. e a o La estructura de la fotopuerta es similar a la de un capacitor MOS. Los portadores fotogenerados se acumulan en la zona de vaciamiento cuando la puerta est polarizada. Si bien estos fotodetectores tienen ventajas debido a a que la zona de fotogeneracin est separada de la supercie, tambin tienen o a e inconvenientes por el hecho de que la puerta sea de polisilicio y tenga baja transmitancia para longitudes de onda cortas. Mientras que en la tecnolog CCD la corriente elctrica se amplica fuera a e del pixel, en la tecnolog CMOS, concretamente en los sensores de estructura a Active Pixel Sensor (APS), la corriente elctrica generada por el fotodiodo e es amplicada en el propio pixel mediante los transistores que forman su circuito. La ventaja de que se realice as es que se puede leer directamente la intensidad de cada pixel, y con ello se soluciona el problema del smear. Se conoce como smear al fenmeno que ocurre cuando un sensor es iluminado o directamente por una luz muy fuerte, y que se presenta como l neas verticales blancas. En la gura 1.1 podemos ver un ejemplo Los sensores CMOS se han impuesto a los sensores CCD porque ofrecen 2
Figura 1.1: Ejemplo de Smear una serie de ventajas con respecto a estos. - El precio de fabricacin es muy bajo. o - Gran velocidad de lectura en estructuras APS. - Lectura simultnea de varios p a xeles. - Consumo de potencia hasta 100 veces menor que en sensores CCD. - Gran capacidad de integracin, permitiendo incorporar en un sensor o todas las funcionalidades requeridas por una cmara. a Como es lgico, estos sensores tambin tienen inconvenientes, como por o e ejemplo el ruido de patrn jo, debido a la no uniformidad de los p o xeles, o la menor supercie receptora de luz en cada p [Link] bien, ste ultimo e inconveniente se puede solucionar adaptando microlentes a cada pixel, para as concentrar la luz en el fotodiodo, tal y como se muestra en la gura 1.2.
Figura 1.2: Pixel con microlente acoplada
Cap tulo 2 Estructuras de sensores CMOS
Las estructuras de los sensores CMOS se puede agrupar en dos clases. Los PPS (Passive Pixel Sensors), que fueron propuestos en 1967 y los APS (Active Pixel Sensors) que supusieron un avance en la mejora de calidad de imagen.
2.1.
PPS
Los PPS fueron los primeros sensores MOS en el mercado, pero debido a problemas de SNR su desarrollo fue parado. Su estructura es muy sencilla, tal y como se muestra en la gura 2.1. Consiste unicamente de un fotodiodo y un transistor pasivo controlado por la puerta de transferencia.
Figura 2.1: Diagrama de la estructura de un sensor PPS. Debido a su sencillez, el Fill Factor (relacin entre el area fotosensible o y el area del p xel) es bastante grande. Adems, dado que la seal de salida a n est conectada directamente al bus sin un bugger, el ruido readout es aproa ximadamente un orden de magnitud mayor que en otras estructuras. Otro 4
problema de esta estructura es su alto ruido de patrn jo (FPN) o
2.2.
3T-APS
Este sensor est formado por 3 transistores: el transistor de reset, un a source follower y un transistor de seleccin de l o nea. En la gura 2.2 podemos ver un esquemtico de su estructura. a
Figura 2.2: Diagrama de la estructura de un sensor 3T-APS. Inicialmente el transitor de reset est saturado, de modo que el potencial a del fotodiodo es reseteado al valor de referencia VDD VT H . A continuacin la o luz incide en el fotodiodo generando una corriente elctrica que es almacenada e en la capacitancia intr nseca de la unin PN. Esta carga cambia el potencial o del fotodiodo, que decrece en funcin de la intensidad luminosa recibida. Tras o un tiempo de acumulacin, el transistor de seleccin se pone en saturacin o o o y la seal de salida del p n xel es transferida a la l nea vertical y horizontal. Cundo haya nalizado este proceso de lectura, el transistor de seleccin a o pasa a estar en corte y vuelve a activarse el transistor de reset para repetir la operacin. o El principal inconveniente de este sensor es la dicultad de eliminar el ruido kB T C, problema que es resuelto por la estructura 4T-APS.
2.3.
4T-APS
Esta estructura se desarroll para solucionar los problemas surgidos con o el 3T-APS. Est formado por un pinned-photodiode y cuatro transistores: el a
Figura 2.3: Diagrama de la estructura de un sensor 4T-APS. de reset, una puerta de transferencia, un source-follower y un transistor de seleccin. En la gura 2.3 podemos ver un esquema de su esctructura. o Inicialmente la carga se acumula en el fotodiodo. Antes de transferir la carga acumulada se resetea FD poniendo el transistor de reset en on. Ese valor de reset se lee para hacer la tcnica CDS (Correlated Double Sampling). Una e vez hecho se transere la carga acumulada en el fotodiodo a FD, activando FD con la puerta de transferencia TX, y a continuacin se procede a la o lectura poniendo en saturacin el transistor de seleccin. Mediante la tcnica o o e de CDS, el sensor 4T-APS ve reducido en gran medida su ruido. Sin embargo este sensor presenta tambin problemas, y es que al haber e un transistor ms, su Fill Factor se ve reducido. Adems, puede haber el a a denominado Image lag si la carga acumulada es completamente transferida a FD.
Cap tulo 3 Fuentes de ruido
A la hora de modelar un p no podemos partir sin ms del caso ideal, xel a sino que debemos crear un modelo ms acorde con la realidad, por lo que a debemos incluir los efectos en el dispositivo producidos por las fuentes de ruido. El ruido engloba todas aquellas seales e interferencias no deseadas que n inuyen en la seal principal pero no pueden ser eliminadas. El ruido total n es debido a multitud de fenmenos, cada uno de los cuales inuye en mayor o o menor medida. En este apartado explicaremos el origen de las principales fuentes de ruido que hay que tener en consideracin, si bien este trabajo no o tendremos en cuenta todas las mencionadas.
3.1.
Corriente oscura
La corriente oscura es una seal elctrica, de pequea magnitud, que se n e n origina en un semiconductor debido a la produccin aleatoria (intr o nseca al propio material) de pares electrn-hueco que son arrastrados por el campo o elctrico interno del material. e A la hora de calcular la magnitud de la corriente oscura vemos que est formada por tres factores: a - Generacin en supercie: Debida a que por culpa de las discontio nuidades en la supercie se generan una cantidad muy alta de centros de recombinacin. Se expresa como: o Jsurf = qSni 2
Donde q es la carga del electrn, ni la concentracin de portadores o o intr nseca y S la velocidad de generacin supercial. o 7
- Corriente de difusin: Debida al movimiento de los portadores libres o en la regin de vaciamiento. Se expresa como: o Jgen = q Dn n2 i n NA
Donde Dn es el coeciente de difusin, n el tiempo de vida media de o los portadores y NA la concentracin de aceptores. o - Corriente de generacin: Debida a los procesos de genracin de la o o zona de vaciamiento. Se expresa como: Jgen = qW ni g
Donde W depende de las dimensiones del dispositivo y g es el tiempo de vida media de generacin. o
3.2.
Flicker noise
Tambin llamado ruido 1/f este ruido es inversamente proporcional a la e frecuencia de la seal. A frecuencias bajas este ruido domina sobre el ruido n trmico, pero se minimiza para frecuencias altas. e A pesar de que esta es una fuente t pica de ruido no la representaremos en este estudio ya que ser necesario un estudio en frecuencias que no contribuye a a las conclusiones que queremos obtener.
3.3.
Reset noise o KTC noise
Este ruido es consecuencia del ruido trmico del transistor MOS cuando e pasa de estar en alta a estar en baja. Lo modelaremos aproximndolo de la a siguiente forma: 2 KT Vn = Cpd Donde Cpd es la capacitancia del fotodiodo.
3.4.
Thermal noise
Como su propio nombre indica este ruido es generado aleatriamente debido a las propias vibraciones trmicas del material cuyo peso aumenta con e 8
la temperatura del material. Lo modelaremos de la siguiente manera: 2 2 8 Vn = kT gm ro 3 Donde gm es la transconductancia del fotodiodo.
3.5.
Photon-shot noise
Este ruido tiene su origen en el carcter aleatorio de los fotones y, en a concreto, al nmero de fotones por segundo que llegan al fotodiodo de un u p xel. El nmero de fotones por segundo que llega al p no es estrictamente u xel constante sino que sigue una distribucin Poissoniana. La relacin seal-ruido o o n (SNR) de este fenmeno tiene la siguiente forma: o n SN R = = n Es decir, que cuanto mayor sea el nmero de fotones incidente (dicho ordiu nariamente, cuanto mayor sea la iluminacin) menor ser el efecto de este o a ruido.
3.6.
Read noise
Este ruido de lectura est asociado a la salida (output) de los aparatos a electrnicos del dispositivo. En los casos que estudiamos, este ruido est asoo a ciado a la salida de los amplicadores. No tendremos en cuenta este ruido en nuestro estudio, nos restringiremos a las fuentes de ruido propias del p xel.
3.7.
Shot noise
El shot noise es debido a las uctuaciones aleatorias de los electrones originadas por los movimientos errticos de los electrones a travs del cona e ductor. Estimaremos su valor con la siguiente ecuacin: o 2 qIph tint Vn = Cpd Donde tint es el tiempo de integracin, Para calcular Iph utilizamos la siguieno te ecuacin: o 1 Iph = Kn (Vgs Vt )2 2 donde Kn y Vt son valores que tenemos del modelo del transistor. 9
Cap tulo 4 Parmetros a estudiar a
Una vez que modelemos los diferentes p xeles estudiaremos las siguientes caracter sticas de los mismos para compararlos entre ellos y ver cual destaca ms en relacin a cada parmetro. a o a
4.1.
Rango dinmico a
Esta magnitud se dene como la diferencia entre las intensidades mxima a y m nima que puede detectar el p xel
4.2.
Full-Well Capacity
Se reere a la mxima capacidad que puede almacenar el dispositivo. a
4.3.
Relacin se al ruido (SNR) o n
Este parmetro se calcula como el cociente entre la intensidad de la seal a n y la intensidad del ruido total asociado a ella. Hablamos previamente de ella rendonos al ruido fotnico exclusivamente, aunque ahora nos reramos a e o todo el ruido.
4.4.
Responsividad
La responsividad relaciona la intensidad elctrica generada por el p e xel en relacin a la potencia luminosa recibida. Es una forma de referirse a la eo ciencia del dispositivo de aprovechar de la mejor manera la potencia incidente para generar una seal elctrica. n e 10
Se calcula como: R = QE()
q hc
4.5.
Eciencia Cuntica a
La eciencia cuntica se dene como el nmero de p a u xeles detectados por el dispositivo entre los fotones totales que llegan. En otras palabras, se trata de la probabilidad que tiene un fotn de ser aprovechado por el fotodiodo o para contribuir a la seal elctrica. n e QE() = Nsenal () Ntotales ()
Como es evidente, se cumple la relacin 0 QE 1. o
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Cap tulo 5 Simulaciones
5.1. PPS
Comenzaremos viendo cmo se comporta el PPS en el caso donde no teno gamos en cuenta ninguna fuente de ruido para poder comparar los distintos tipos de ruido con el caso ideal. El circuito que representa este caso es el mostrado en la gura 5.1.
Figura 5.1: Esquemtico de la estructura PPS sin fuentes de ruido. a La seal de salida obtenida es la mostrada en la gura 5.2 n A partir de aqu comparamos esta seal con los distintos tipos de ruido. n
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Figura 5.2: Tensin de salida de un p PPS sin fuentes de ruido. o xel
Shot noise
Para simular el shot noise hemos modicado el circuito original de la manera que se muestra en la gura 5.3, y la seal de salida que obtenemos n es la mostrada en la gura 5.4.
Figura 5.3: Esquemtico de la estructura PPS con el shot noise. a Segn nuestras ecuaciones el valor medio de este ruido debe tener un valor u de: Vn = con qIph tint Cpd
1 Iph = Kn (Vgs Vt )2 2 4 2 siendo Kn = 2, 05510 A/V , Vt = 0, 544V y jando un valor de Vgs = 0, 6V . Con estos datos obtenemos que la corriente del fotodiodo es Iph = 322nA. 13
Figura 5.4: Tensin de salida de un p PPS con shot noise. o xel El tiempo de integracin adems es de 200ns y Cpd = 100f F , por lo que o a n = 1, 016V . el valor medio del ruido es V
Thermal noise
A la hora de simular el thermal noise nos hemos encontrado con una serie de problemas. Nuestra intencin era eliminar la fuente ideal de corriente, o pues nos hab dado problemas en otras simulaciones con anterioridad, sin a embargo, al estar simulando una fuente de un valor tan pequeo, no nos fue n posible utilizar un transistor con una fuente de tensin. Tambin era nuestra o e intencin utilizar un switch de modo que esa fuente estuviese por momentos o aportando la corriente al circuito y en otras ocasiones se fuese a tierra, pero a la hora de simularlo no conseguimos hacerlo satisfactoriamente. Por esa razn decidimos implementar el thermal noise tal y como se muestra en la o gura 5.17, obteniendo como salida la mostrada en la gura 5.18. Ahora estimaremos el valor medio del ruido segn nuestros clculos teriu a o cos. Recordemos que la expresin era: o Vn = 8 2 kT gm ro 3
Usando gm = 3, 0825 104 1 y ro = 3244, 12, obtenemos que el ruido trmico es prcticamente insignicante, con un valor Vn = 5, 986nV e a
KTC noise
Por ultimo modicamos el circuito tal y como se ve en la gura 5.7 para representar el KTC noise, obteniendo la salida mostrada en la gura ??.
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Figura 5.5: Esquemtico de la estructura PPS con el thermal noise. a
Figura 5.6: Tensin de salida de un p PPS con el thermal noise. o xel Si ahora calculamos el valor medio terico del ruido tenemos que o Vn = KT Cpd
Teniendo en cuenta que Cp d = 5f F el valor nal es Vn = 0, 9mV
Observaciones
La primera impresin que tenemos al comparar las tres seales con la o n original es que la diferencia es inapreciable ya a simple vista, y los efectos de 15
Figura 5.7: Esquemtico de la estructura PPS con el ktc noise. a
Figura 5.8: Tensin de salida de un p PPS con el ktc noise. o xel cada uno de los tipos de ruido son muy dbiles en relacin a la intensidad de e o la seal original. Esto es muy buena noticia ya que cunto menos inuencia n a tenga el ruido en la seal recibida mejor ser la delidad con la que la cmara n a a captura una imagen. Ahora vamos a simularlo de nuevo esta vez teniendo en cuenta los efectos de los tres tipos de ruido simultneamente. En este caso el circuito nal a resultante es el mostrado en la gura 5.9 y la tensin de salida se muestra en o la gura 5.10. El resultado es satisfactorio: las tres fuentes de ruido no modicaban visiblemente la seal original cuando se trataban por separado, y una vez juntas n tampoco presentan una inuencia notable. Por ello mismo representaremos la diferencia entre la seal con ruido y la seal original para obtener unican n 16
Figura 5.9: Esquemtico de la estructura PPS con el todos los ruidos. a
Figura 5.10: Tensin de salida de un p PPS con todos los ruidos. o xel mente la forma de la seal de ruido. De esta forma obtenemos lo mostrado n en la gura 5.11.
Figura 5.11: Diferencia entre la salida de un pixel PPS con ruido y sin ruido. Vemos que el ruido total alcanza un valor mximo de unos 80mV, desa preciable frente a los 3V de la seal original. n Por ultimo, mostramos como se comporta el p en diferentes condicio xel 17
nes de luz. Para ellos utilizamos una fuente pwl, y la salida obtenida es la que se muestra en la gura 5.12.
Figura 5.12: Comportamiento de un p xel pps en diferentes condiciones de luz A continuacin calcularemos los parmetros que denirn el dispositio a a vo, los cuales han sido explicados en apartados previos. Se trata del rango dinmico (DR), la relacin seal-ruido (SNR) y la full-well capacity. Como a o n es evidente, todos estos parmetros se calcularn a partir de la simulacin a a o donde se incluyen los tres tipos de ruido acompaando a la seal original. n n Debido a que en nuestra simulacin la seal de entrada es un pulso de o n tensin procedente del fotodiodo, no obtenemos la relacin entre el ujo o o fotnico incidente (dato completamente fuera de la simulacin) y la corriente o o generada, por lo que tanto la eciencia cuntica como la responsividad son a imposibles de calcular.
Full well-capacity
Este parmetro se obtiene directamente del valor mximo de la seal de a a n salida. En este caso se trata de un valor de: V = 2, 6926V
Rango dinmico a
Para el rango dinmico necesitamos, adems de la full-well capacity, el vaa a lor m nimo del ruido, que se relaciona con la m nima intensidad de fotodiodo. Este valor est jado en: a Vmin = 12, 20mV
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Con estos datos calculamos el rango dinmico como a DR = 20log Vsat Vmin = 48, 877dB
SNR
Finalmente calculamos la SNR a partir de la seal del ruido, que corresn ponde a 81,59mV, y el valor de la seal original sin ruido, que corresponde a n 2,61V. Por lo tanto SN R = 20log Vsig Vruido = 30, 104dB
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5.2.
3T-APS
Comenzaremos viendo cmo se comporta el 3T-APS en el caso donde o no tengamos en cuenta ninguna fuente de ruido para poder comparar los distintos tipos de ruido con el caso ideal. El circuito que representa este caso es el mostrado en la gura 5.13.
Figura 5.13: Esquemtico de la estructura 3T-APS sin fuentes de ruido. a La seal de salida obtenida es la mostrada en la gura 5.14 n
Figura 5.14: Tensin de salida de un p 3T-APS sin fuentes de ruido. o xel A partir de aqu comparamos esta seal con los distintos tipos de ruido. n
Shot noise
Para simular el shot noise hemos modicado el circuito original de la manera que se muestra en la gura ??, y la seal de salida que obtenemos es n la mostrada en la gura ??. Segn nuestras ecuaciones el valor medio de este ruido debe tener un valor u de: Vn = qIph tint Cpd
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Figura 5.15: Esquemtico de la estructura 3T-APS con el shot noise. a
Figura 5.16: Tensin de salida de un p 3T-APS con shot noise. o xel con
1 Iph = Kn (Vgs Vt )2 2 4 2 siendo Kn = 2, 05510 A/V , Vt = 0, 544V y jando un valor de Vgs = 0, 6V . Con estos datos obtenemos que la corriente del fotodiodo es Iph = 201nA. El tiempo de integracin adems es de 200ns y Cpd = 100f F , por lo que o a el valor medio del ruido es Vn = 7, 2V .
thermalnoise
Al igual que en el caso del PPS, no hemos sido capaces de implementar el thermal noise como nos hubiese gustado. A pesar de eso lo hemos simulado tal y como se muestra en la gura ??, obteniendo la salida que podemos ver en ??
KTC noise
Por ultimo calculamos el valor medio terico del ruido KTC: o Vn = 21 KT Cpd
Figura 5.17: Esquemtico de la estructura 3T-APS con el thermal noise. a
Figura 5.18: Tensin de salida de un p 3T-APS con el thermal noise. o xel Teniendo en cuenta que Cp d = 5f F el valor nal es Vn = 0, 2mV
Observaciones
Al igual que en el PPS vemos como los efectos de cada uno de los ruidos son muy dbiles en relacin a la seal sin ninguna fuente de ruido. En la gura e o n 5.19 mostramos la salida del circuito teniendo en cuenta todas las fuentes de ruido. Podemos ver como la salida no se ve seriamente afectada por el ruido. Mostramos ahora la diferencia entre la seal con todos los ruidos y la seal n n sin ruido para obtener unicamente la seal del ruido, que se muestra en la n gura ??. Podemos ver como el shot noise es notable durante la integracin o mientras que el thermal noise lo es en la lectura del p xel.
Full well-capacity
Este parmetro se obtiene dirctamente del valor mximo de la seal de a e a n salida. En este caso V = 1, 6809V 22
Figura 5.19: Tensin de salida de un p 3T-APS con todos los ruidos. o xel
Rango dinmico a
Para el rango dinmico necesitamos, adems de la full-well capacity, el a a valor m nimo del ruido, que se relaciona con la m nima intensidad de fotodiodo. Con estos datos calculamos el rango dinmico como a DR = 20log Vsat Vmin = 64, 5dB
SNR
Finalmente calculamos la SNR a partir de la seal del ruido, que corresn ponde a 49,51mV, y el valor de la seal original sin ruido, que corresponde a n 1,68V. Por lo tanto SN R = 20log Vsig Vruido = 30, 614dB
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Cap tulo 6 Conclusiones
En este trabajo hemos analizado dos estructuras de sensores CMOS estudiando la inuencia de las diferentes fuentes de ruido en cada uno de los circuitos. Tanto en el PPS como en el 3T-APS hemos visto que la inuencia del ruido no es muy grande, lo cual es bueno para la calidad de la imagen que se quiere conseguir. En el caso del 3T-APS hemos podido comprobar como cuando el pixel est en integracin el ruido dominante viene dado por a o el shot noise mientras que si estamos en el lectura, la mayor fuente de ruido viene dada por el thermal noise, siendo el dominante dentro de estos el ruido trmico del source follower. e Tambin hemos estudiado diferentes parmetros, viendo como el rango e a dinmico del PPS es de aproximadamente 48dB, siendo menor que el del 3Ta APS, que vale 64dB. Este valor se corresponde con los valores consultados en diferentes fuentes bibliogrcas, por lo que estamos satisfechos con los a resultados. Nuestra intencin en el trabajo era simular tambin un pixel 4T-APS, o e y as poder observar la tcnica de CDS para eliminar el ruido KTC, sin e embargo por desconocimiento a la hora de implementar el CDS no hemos podido llegar hasta donde quer amos.
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Bibliograf a
[1] El Gamal A. Eltounky H, CMOS Image Sensors, IEEE Circuits & Devices Magazine, May/June 2005. [2] Nakamura Junichi, Image Sensors and Signal processing for Digital Still Cameras, Taylor & Francis, 2006. [3] Hui T, Noise Analysis in CMOS Image Sensors , 2000. [4] Xiangli L, MOSFET Modulated Dual Conversion Gain CMOS Image Sensors, 2008. [5] Razavi B, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill, 2001.
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