TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES
Sección-Capítulo TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES
C.4 AMPLIFICADORES DE MICROONDAS
1- AMPLIFICADORES ESPECIALES
Una primera clasificación de los amplificadores los divide en aquellos que manejan 1):
-Grandes señales (de potencia para transmisores) (Klystron, Tubo de Onda Progresiva TWT y
transistorizados) y
-Pequeñas señales (amplificadores de bajo ruido) (amplificadores paramétricos y los
transistorizados).
1.1- AMPLIFICADOR CON KLYSTRON
El Klystron se utiliza como amplificador de potencia en algunas estaciones terrestres de
comunicaciones satelitales. En la Fig C4-01 se muestra un diagrama simplificado de los
componentes de un Klystron típico de múltiples cavidades. Generalmente se utilizan 5 cavidades
en un Klystron de 3 Kw de potencia. Se dispone de un cañón electrónico que emite un haz de
electrones que pasa a través del espacio intermedio entre las cavidades de cada uno de los
resonadores.
La primer cavidad sirve para ingresar la señal de microondas a ser amplificada, mientras que la
segunda se usa para extraer la señal ya amplificada. La señal de entrada excita la primer cavidad
creando un campo eléctrico el cual modula a su vez el haz de electrones. La velocidad de los
electrones es proporcional al campo resultante en la cavidad. En la última cavidad se genera un
campo eléctrico como función de la velocidad de los electrones que se transforma en una
corriente de microondas de salida.
Para obtener una elevada ganancia el haz de electrones se enfoca mediante cavidades
intermedias y mediante un tubo que actúa como focalizador magnético constituido por un imán
1
) El generador en un horno a microondas es la válvula Magnetrón. Trabaja a 2,45 GHz y hace
girar las moléculas de agua que contienen los alimentos, las cuales se alinean al campo
electromagnético. La energía cinética de las moléculas se transforma en calor y hace cocer a los
alimentos. Las moléculas de agua y sal poseen una unión debil entre si lo cual permite que se
separen y se acoplen al campo; en cambio, las moléculas de grasa poseen uniones fuertes y no se
calientan.
AMPLIFICADORES DE MICROONDAS C4 (1)
TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES
permanente corto o un solenoide largo. La frecuencia de resonancia del amplificador se ajusta
mediante unos tornillos de sintonía disponibles en las cavidades. Dado que la densidad del haz de
electrones determina la potencia de salida y que los electrones interceptados en el colector
producirán calor que es preciso disipar, la capacidad de transferencia de calor del tubo
determinará la potencia manejable por el Klystron. En la práctica el colector es una estructura
grande y hueca enfriada por aire.
Los Klystron, en las denominadas bandas C y Ku, tienen las siguientes características generales:
-en la banda de 5925 a 6425 kHz tienen una potencia de salida de 150 a 3400 watts con
ganancias de 50 a 40 dB y anchos de banda de 23 a 45 MHz respectivamente;
-en la banda de 14 a 14,5 GHz la potencia es de orden de 1500 a 200 watts con una ganancia de
40 dB y ancho de banda de 100 MHz.
Como se observa, al Klystron se debe ingresar con una alta potencia de entrada; ya que para
obtener 2 Kw de salida (equivalente 63 dBm) con una ganancia de 40 dB se requieren 23 dBm de
ingreso. En la misma Fig C4-01 se muestra un diagrama a bloques del amplificador con Klystron
donde se disponen de etapas previas con amplificador a transistores para obtener los 23 dBm a
partir de la señal proveniente del up-converter.
1.2- AMPLIFICADOR CON TWT
El tubo de onda progresiva TWT (Traveling Wave Tube) es la otra variante de amplificador que se
utiliza en las estaciones para comunicaciones satelitales. En la Fig C4-01 se muestra el diagrama
del TWT. El TWT es un amplificador de gran ancho de banda (hasta una octava) y una ganancia de
potencia de 25 a 50 dB. La eficiencia, entre el 20 y 40%, es función del ancho de banda.
Consiste en un generador de haz electrónico y una estructura de enfoque magnético. Una
estructura en forma de hélice facilita la interacción entre el campo de microondas y el haz
electrónico. La velocidad de los electrones se ajusta para que sea igual a la velocidad de fase de
las microondas.
El cañón electrónico consiste en:
-Calefactor y cátodo, cuya superficie de emisión de electrones es mucho mayor que el área del
haz lo cual permite trabajar con menor densidad de electrones en un orden de 15 a 50 veces.
-Electrodo de enfoque que rodea al cátodo y regula el campo eléctrico y
-Ánodo para acelerar y concentrar el haz de electrones lo cual actúa sobre la ganancia del
amplificador.
-Colector de electrones, es una estructura que desacelera el haz en varias etapas de tensión
positiva para restar energía cinética y disminuir la disipación de calor.
Los TWT típicos en general funcionan con una tensión de colector inferior al ánodo y cátodo. La
amplificación propiamente dicha se produce en la estructura de enfoque e interacción. En la
medida que la onda a amplificar viaja en la estructura de hélice el campo electromagnético
modula la velocidad de los electrones en ondas periódicas aproximadamente en fase con el
campo. La mayoría de los electrones desaceleran y entregan energía al campo produciendo la
amplificación. Se caracteriza a este proceso
por una ganancia proporcional a la longitud de
la zona de interacción. La estructura de onda
lenta es una hélice de alambre de tungsteno o
molibdeno sujeta a una varilla de cerámica
(óxido de aluminio o berilio) que la aíslan de la
estructura metálica envolvente. La selección
de materiales influye en la capacidad de
potencia de salida y la eficiencia del TWT.
En las estaciones de comunicaciones por
satélite se recurre al Klystron o al TWT debido
a las exigencias de potencia de emisión. En
cambio, en los enlaces terrestres se recurre
exclusivamente a amplificadores de potencia
de estado sólido con transistores. En muy
pocos casos se utilizó en el pasado TWT para
obtener ganancias adicionales cercanas a 5
AMPLIFICADORES DE MICROONDAS C4 (2)
TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES
dB. El TWT tiene prestaciones inferiores al Klystron en cuanto hace a la linealidad de fase. El nivel
de ruido es menor en el TWT, -64 dBm/kHz con respecto a -58 dBm/kHz en el Klystron. En los TWT
se trabaja con un back-off de 7 dB para reducir los productos de intermodulación y muchas veces
con linealizadores o predistorsionadores.
1.3- AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO PARAMÉTRICO
Mientras en el transmisor se recurre a amplificadores con Klystron, TWT o transistores, en el lado
recepción se recurre a amplificadores con transistores o paramétricos. El principal requerimiento
para el amplificador del receptor es el bajo ruido interno.
Existen amplificadores paramétricos 2) sin enfriar con temperatura de ruido de 50 °K. Con
amplificadores a transistores FET se han obtenido temperaturas de ruido de 80 a 300 °K sin
enfriamiento Peltier y de 55 °K con celdas Peltier. El amplificador paramétrico utiliza una
reactancia no lineal (reactancia que varía en función de una señal apropiada). El diodo varactor
actúa como una resistencia negativa ante la presencia de la señal lo cual produce la amplificación.
La señal que varía la resistencia se llama señal de bombeo.
En la Fig C4-02 se muestra el circuito equivalente a un diodo varactor. La resistencia de
pérdida de los elementos en serie Rs es proporcional al ruido térmico del amplificador y de
reducirse Rs mejora el factor de ruido. El valor de Rs disminuye cuando se enfría el conjunto con
una celda Peltier o con las mejoras introducidas en el diseño del diodo y los materiales.
En la misma figura se muestra el diagrama del amplificador paramétrico. El amplificador consiste
en 3 señales: la señal de bombeo proveniente de un oscilador con diodo Gunn de frecuencia
superior a la señal a amplificar; la señal a amplificar y la señal complementaria que se produce al
mezclarse ambas señales precedentes. En condiciones ideales toda la potencia de la señal de
bombeo se transfiere a la señal a amplificar; esto ocurre cuando la frecuencia de la señal de
bombeo es el doble de la otra señal y cuando ambas están en fase.
En el diodo varactor se dispone entonces de 2 señales: una senoidal que corresponde a la RF a
amplificar y otra rectangular que es la señal de bombeo. Cuando la tensión del capacitor es
máxima la carga también lo es y equivale a Q=C.V. Si en este momento se produce un salto en el
valor de la capacidad C (mediante la tensión de bombeo) el valor de V se incrementa para
mantener constante la carga. Cuando el valor de Q es cero se vuelve al valor original de C
(mediante la tensión de bombeo). A cada paso de bombeo se obtiene una pequeña amplificación
de la tensión proporcional a la variación de la capacidad.
El amplificador paramétrico donde la frecuencia de bombeo es el doble de la frecuencia de
resonancia del circuito se denomina degenerado. En la práctica, como el valor de corriente que
circula por la juntura del diodo varactor es muy pequeña, el circuito se encuentra libre de ruido y
su figura o número de ruido NF (Noise Figure) es muy baja. Para lograr dicha condición es
necesario que la polarización del diodo varactor sea inversa.
2
) En los años '60 se usaban máseres de 4 GHz enfriados por helio como amplificadores de bajo
ruido en comunicaciones satelitales. En los años '70 se perfeccionó el amplificador paramétrico, al
principio enfriados criogénicamente con una temperatura de ruido equivalente a 20 °K hasta que
aparecieron los diodos Gunn y varactores con las celdas Peltier para el enfriamiento
termoeléctrico.
AMPLIFICADORES DE MICROONDAS C4 (3)
TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES
2- AMPLIFICADOR A TRANSISTORES
Los amplificadores más interesantes por la relación entre el costo, consumo, tamaño,
reproductividad y distorsiones son los realizados mediante transistores SSPA (Solid State Power
Amplifier). El semiconductor silicio es útil en transistores bipolares hasta los 3000 MHz, mientras
que el Arseniuro de Galio (As Ga) se utiliza por encima de dicha frecuencia en la configuración de
transistor de efecto de campo (FET).
En los amplificadores de potencia de estado sólido el nivel máximo de potencia de salida es
de 10 watts en las bandas de 4/6 GHz y de 2,5 w en 11/14 GHz. Tienen por ello una potencia de
salida limitada frente a los amplificadores tradicionales usados en estaciones terrenas. En los
amplificadores de bajo ruido se selecciona la configuración FET con barrera Schottky que permite
una figura de ruido muy reducida. Por ejemplo, en estaciones terrenas con 4 etapas donde la
primera se enfría termoeléctricamente mediante celdas Peltier a -40 °C se logran valores de 0,6
dB a 4 GHz con ganancia de 14 dB.
En estaciones para comunicaciones terrestres no se recurre al enfriamiento termoeléctrico y la
figura de ruido se encuentra cerca de 4 dB. La tecnología es Circuitos Integrados de Microondas
Híbridos HMIC con 2 a 4 etapas en cascada. En la Fig C4-03 se observa un amplificador de
potencia de 3 etapas para trabajar en la banda de 2 GHz. Se dispone, tanto del diagrama en
bloques de las etapas como del esquema circuital en película delgada.
2.1- LINEALIDAD E INTERMODULACIÓN
En los radioenlaces para señales digitales se requiere un máximo de linealidad de las etapas
activas debido a que la modulación QAM y TCM tienen una modulación de amplitud superpuesta a
la de fase. Para obtener buena linealidad, reproductividad con bajo costo, volumen y disipación, se
requiere un máximo de integración circuital. Como la modulación digital es muy sensible a la
deriva de fase de la portadora los resonadores, filtros y circuladores deben tener tolerancias muy
reducidas para prevenir las fluctuaciones por temperatura. En la modulación QAM de 16 ó 64
estados y en la TCM se presenta una alta sensibilidad a la linealidad de amplitud producida por la
conversión AM-PM de los amplificadores de salida.
La transferencia de un amplificador del tipo HMIC con FET-AsGa es de la forma:
y(t) = B1. X(t) + B3 . X(t) 3 + B5 . X(t)5 + ...
produciendo una componente de intermodulación principalmente de tercer orden como distorsión
fundamental.
La intermodulación se produce en circuitos alineales. Suponiendo la entrada de las frecuencias
f1 y f2. Como tienen distinta frecuencia giran con distinta velocidad angular y la amplitud fluctúa
desde un máximo a un mínimo. Por lo tanto se exige al amplificador en todo el rango dinámico.
Los productos de intermodulación son:
f1 ± f2 intermodulación de 2º orden
m.f1-f2 y m.f2-f1 intermodulación de 3º orden
AMPLIFICADORES DE MICROONDAS C4 (4)
TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES
El amplificador por cada incremento de potencia de 1 dB de f1 y de f2 produce un incremento de 3
dB de 2.f1-f2 y de 2.f2-f1; es decir que empeora la relación señal a intermodulación.
Para reducir la intermodulación se recurre
a 2 métodos. El primero consiste en
trabajar los amplificadores en la zona de
transferencia lineal reduciendo la
potencia de salida en un valor denominado
Back-off. El segundo consiste en colocar
un linealizador en el cual se genera una
distorsión igual y opuesta al resto de los
circuitos. El Back-off se define como la
diferencia entre la potencia de saturación
del amplificador y la potencia realmente
obtenida. En la modulación 4PSK este valor
es de 1 dB, en la 16QAM es cercano a los 6
dB y en 64QAM (128TCM) de 8 dB. En la
medida que se incrementa el número de
fases también debe aumentarse la
linealidad reduciéndose la potencia de
salida.
Al no trabajar en saturación el amplificador tiene una disipación mayor que obliga a ocupar un
volumen físico también mayor, consumiendo más potencia que los enlaces radioeléctricos para
señales analógicas de capacidad equivalente. El volumen físico ocupado también está
determinado por el límite de consumo de potencia eléctrica, que en las instalaciones normales es
de 400 w/m2 tanto para el consumo desde la red de distribución como para el cálculo de calorías
del aire acondicionado.
AMPLIFICADORES DE MICROONDAS C4 (5)
TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES
3- LINEALIZADOR PARA AMPLIFICADOR DE POTENCIA
Un método para reducir la intermodulación es hacer trabajar al amplificador con potencia no-
saturada (Back-off). Un segundo método para reducir las intermodulaciones es el uso de
distorsionadores previos a la etapa de amplificación. El linealizador es un predistorsionador,
circuito que trabaja a nivel de IF antes del conversor o en RF luego del mismo y que compensa la
intermodulación del conjunto transmisor desde IF en el transmisor hasta la RF. En la Fig C4-04 se
muestra el diagrama en bloques.
En el ejemplo de la Fig C4-04 se ha tomado la distorsión de intermodulación del tipo 2.f1-f2 y
2.f2-f1, siendo que la señal de entrada está compuesta de dos frecuencias f1 y f2. En realidad un
circuito alineal genera todo tipo de componentes (±m.f1, ±n.f2) pero de ellas las más importantes
son las mencionadas como ejemplo.
En el amplificador de salida la relación señal a ruido de intermodulación de tercer orden es
inversamente proporcional a la potencia de ingreso y pueden indicarse valores de S/N de 40, 50 y
60 dB para señales de ingreso +5; 0 y -5 dBm. En los amplificadores a FET de AsGa existen 3
causas de alinealidad: la alinealidad de la capacidad de la juntura gate-source; la alinealidad de la
trasconductancia y de la impedancia de salida. Con señales fuertes la alinealidad está
determinada por el límite de la característica corriente-voltaje producto de la avalancha en la
juntura drain-gate.
3.1- LINEALIZADOR EN FRECUENCIA INTERMEDIA
La idea consiste en generar una distorsión controlada y ajustable que se suma a la IF original. La
señal de IF de entrada se separa en 2 caminos luego de un control automático de ganancia AGC.
La tensión de control de AGC, si excede un umbral, da lugar a una alarma de bajo nivel de IF
Un camino de la señal de IF es retardado una decena de nseg para simular el retardo del otro
camino. Para compensar el retardo de grupo de este circuito se usa un filtro pasa altos. El otro
camino de la IF es separado a su vez en 2 señales con 180° de fase; una de ellas se distorsiona en
un elemento alineal y luego se suman. Debido al desfasaje de 180° entre caminos se obtiene que
AMPLIFICADORES DE MICROONDAS C4 (6)
TECNOLOGÍAS, CIRCUITOS Y COMPONENTES
la IF se cancela y perdura sola la distorsión. Esta distorsión se ajusta en nivel mediante un
atenuador variable, disponible para el operador de mantenimiento.
El ajuste de la fase se realiza separando esta distorsión en 4 fases (0°, 90°, 180° y 270°) y
seleccionando dos de ellas para obtener un cuadrante. Mediante atenuadores variables se puede
ajustar el nivel de cada componente para obtener el ángulo de fase deseado dentro del cuadrante.
La suma de un camino (señal de IF) y el otro (distorsión controlada) se realiza a la salida del
predistorsionador. A través de un filtro pasa bajos se eliminan las distorsiones fuera de banda más
allá de la IF. Para compensar el retardo de grupo del filtro se dispone de un ecualizador de retardo
entre 3 y 4 nseg.
En la Fig C3-10 se muestra la mejora introducida por el método Back-off sobre la característica
de C/N. El back-off mejora la característica hasta un valor razonable cercano a 1; 6 y 8 dB de Back-
off para modulación 4PSK, 16QAM/32TCM y 64QAM/128TCM, respectivamente.
El linealizador usa sólo en sistemas de alta capacidad. En la Fig C3-10 se muestra el efecto que
produce el linealizador en el extremo de la banda en un sistema de alta capacidad. El espectro de
frecuencia intermedia del extremo transmisor sufre una substancia modificación debido a la
acción de la distorsión controlada. El ajuste puede realizarse mediante un generador de varios
tonos (3 ó 4 frecuencias en el entorno de la IF) minimizando las distorsiones fuera de banda del
espectro digital normal. Un instrumento de medida en particular de H&P utiliza las frecuencias 67;
70 y 75 MHz como tonos para el ajuste.
Como linealizador se ha propuesto también el uso de un filtro adaptativo similar al ecualizador de
Notch en IF. En este caso la ventaja reside en que es automático en lugar de fijo; se coloca a nivel
de IF y el control se efectúa tomando muestras del espectro antes del linealizador y después del
amplificador de salida. De esta manera se pueden controlar pequeñas variaciones en la distorsión
de amplitud y fase del amplificador de salida a lo largo del tiempo.
3.2- LINEALIZADOR EN RADIOFRECUENCIA
Los sistemas sincrónicos SDH requieren nuevos desarrollos ligados con los amplificadores de
potencia de estado sólido ellos son:
- Linealizador para reducir los productos de intermodulación que trabaja en RF sobre el
amplificador de potencia SSPA. Se aprovecha la alinealidad del FET-AsGa en la región cercana al
pinch-off. Permitiendo mejor adaptación que el linealizador en IF y no requiere ajuste de campo.
- Control automático de la potencia de transmisión ATPC para mantener reducida la potencia
de salida durante los períodos de buena propagación. Con una potencia nominal de transmisión de
+29 dBm el ATPC trabaja a +19 dBm (saturación en +38 dBm).
En la Fig C4-04 se muestran dos tipos de circuitos linealizadores. Uno efectúa un circuito en
película delgada con un diagrama a bloques similar al propuesto en la Fig C4-04. El segundo en
cambio recurre a la alinealidad del transistor FET en la región de pinch-off donde la corriente de
Drain y la ganancia de corriente se incrementa (compensación AM/AM). Este circuito permite
mejorar la adaptación de impedancias y no requiere ajustes en campo. Compensa la distorsión
AM/AM y AM/PM simultáneamente.
Mediante el mismo proceso se puede actuar sobre la ganancia del amplificador de salida. Se
denomina proceso ATPC (control automático de potencia transmitida). El proceso de
funcionamiento del ATPC es el siguiente: Cuando se detecta una reducción en la potencia de
recepción (mediante el Control Automático de Ganancia AGC) se informa al otro extremo del
enlace a través de un Byte de la SOH de la trama STM-1. Del otro lado cuando en la banda-base
del SOH se encuentra esta información se procede a incrementar la potencia del SSPA. Se puede
obtener un incremento de 10 dB desde la potencia nominal a la máxima de funcionamiento (+20 a
+30 dBm).
AMPLIFICADORES DE MICROONDAS C4 (7)