Grupo 8278, Sem.

2026-2 2026

Universidad Nacional Autónoma de

México
FACULTAD DE CIENCIAS
Laboratorio de Física Contemporánea 2

Depósito de películas delgadas por erosión

catódica,con oxidación variable en atmósfera
reactiva

Profesor de Laboratorio:
Autores: Esparza García Alejandro
Magaña López José Manuel
Morales Aguilar Fabián Saúl
Ayudantes de Laboratorio:

Ciudad de México, México

Abril, 2026

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1. Resumen

En esta práctica se depositaron películas delgadas sobre sustratos de vidrio mediante la técnica de
sputtering reactivo, variando el flujo de oxígeno de 0 a 6.0 cm3 /min para controlar sus propiedades
eléctricas. Las películas obtenidas presentaron espesores ultra-delgados entre 6,6 y 11,8 Å (0.66-1.18
nm), medidos por perfilometría de contacto. La caracterización eléctrica mediante el método de las
cuatro puntas reveló una transición exponencial en la resistividad: desde 3.83 x10−6 Ω · cm (compor-
tamiento metálico, sin oxígeno) hasta 2.38 x103 Ω · cm (comportamiento aislante, con 6.0 cm3 /min
de O2 ), representando un aumento de aproximadamente nueve órdenes de magnitud. El voltaje de
auto-polarización registrado durante los depósitos (-500 V a -587 V) funcionó como indicador en
tiempo real del grado de oxidación del blanco. Estos resultados confirman que el sputtering reactivo
permite "diseñar"las propiedades eléctricas de películas delgadas mediante el control preciso de la
atmósfera de proceso, con aplicaciones potenciales en semiconductores, sensores y recubrimientos
funcinales.

2. Introducción

La fabricación de películas delgadas se encuentra en un gran auge en la industria moderna, que

va desde la electrónica y la óptica hasta los recubrimientos protectores. Existen varias técnicas para
la fabricación de películas delgadas, una de las técnicas utilizadas para este fin es la de Deposición
Física de Vapor (PVD), en particular la pulverización caótica o sputtering. En el siguiente documento
se enfocara en la modalidad de sputterin reactivo, en donde se mezclan de oxígeno con argón para
modificar las condiciones físicas como la masa o volumen de una película depositada, relacionando
los parámetros del proceso con los resultados finales del material.

3. Marco teórico.

Este método se basa en la erosión catódica

con la ayuda de un magnetrón y con una fuente
de radio frecuencia (RF) dentro de una cáma-
ra de vació. Donde los iones de argón son ace-
lerados hacia un blanco (target), que hace que
se desprendan átomos del material por transfe-
rencia de momento. La presencia del magnetrón
confina los electrones cerca del blanco , esto hace
un aumento en la densidad del plasma, permi-
tiendo trabajar a presiones bajas. La fuente de
RF nos permite la deposición de materiales no
conductores sin acumulación de carga en el blan-
co. En el sputterin reactivo, al inyectar oxígeno
provoca que los átomos erosionados reaccionen
formando óxidos. Las variaciones en la cantidad Figura 1: Diagrama del método de erosión catódica (Sputte-
de oxígeno alteran directamente la tasa de depo- ring)
sito en el sustrato y la resistividad de la película.

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4. Objetivos.

Depositar películas delgadas de Oxido de Argón (ArO2 ) sobre sustratos de vidrio mediante la
técnica de sputterin variando el flujo de oxígeno durante el proceso.

Caracterizar el espesor de las películas delgadas depositadas bajo diferentes condiciones de

oxidación. Por ultimo evaluar las propiedades eléctricas de las capas mediante un multímetro de
mano y determinar la resistividad con el método de las cuatro puntos, analizando la influencia
del oxigeno en la conductividad del material.

5. Hipótesis

Se espera que al incrementar el flujo del oxígeno durante el proceso de sputtering, la película
que se deposite sobre el sustrato, presente un mayor grado de oxidación, lo que nos representa un
aumento de la resistividad eléctrica y un cambio en la tasa de deposito. Esperando que también el
voltaje de auto - polarización aumente conforme el blanco de oxide.

6. Procedimiento experimental

6.1. Preparación de sustratos

Para la obtención de sustratos se utilizaron unos portaobjetos los cuales fueron cortados con
un instrumento con punta de diamante quitando la parte opaca e intentando dividir en 3 partes
iguales al realizar los cortes. Como era la primera vez que se utilizaba una herramienta así, los cortes
resultaron un poco desalineados, sin embargo no significó un problema.

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Figura 2: Sustratos cortados

Acto seguido, los sustratos se colocaron sobre una caja petri para administrarles una solución de
agua destilada con jabón para baño ultrasónico y a su vez, se colocaron durante 5 minutos ± 0.05 s,
despúes, se enjuagaron con más agua destilada, y se volvieron a meter al baño ultrasónico 5 minutos
más.

Posteriormente, se sujetaron con unas pinzas pequeñas para evitar ensuciar de nuevo los sustratos,
y fueron secados con aire comprimido para así, eliminar cualquier rastro de agua.

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Figura 3: Secando los sustratos

6.2. Montaje de sustratos en la cámara de vacío

Para realizar el depósito de las películas es necesario colocar el sustrato dentro de la cámara de
vacío, sujeto con algunas pinzas que se aprietan con tornillos y colocando un pedazo pequeño de
placa de sílice para sujetarlo de mejor manera, se colocaron 2 sustratos por depósito.

Se utilizaron guantes de látex para evitar ensuciar y/o contaminar los sustratos.

Figura 4: Primer sustrato colocado

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Posteriormente, se selló la cámara para comenzar el proceso de vacío. Ya con el sustrato en su

lugar, se tuvo que esperar aproximadamente unas 2 horas para que se lograse el vacío dentro de la
cámara, así unas cuantas horas antes, era necesario encender las bombas de vacío para que en el
momento que se realizara el depósito ya estuviera todo listo para ello.

Una vez que el medidor de presión llegase a 200 mbar era el momento para comenzar con el
proceso.

Cabe mencionar que esa presión de 200 mbar que marcaba el medidor, no era la presión exacta
dentro de la cámara, si no que al llegar al vacío, el medidor se "saturaba no marcaba más alla de
2

esos 200 mbar, pero podía seguir marcando una presión , pero no se cuenta con la instrumentación
necesaria para medir la presión con más precisión.

6.3. Realizando los depósitos

Ya con la presión adecuada dentro de la cámara era el momento de comenzar con el primer depó-
sito, y verificando que la presión se encontrase en el valor adecuado y revisando que el magnetrón se
encuentre en la posición adecuada también, se prosiguió a introducir el Argón ajustando la cantidad
con ayuda de un medidor. La cantidad introducida fue de 0.000150 mbar para que se cree el plasma
dentro de la cámara.

Figura 5: Módulo de Argón ajustado a la presión deseada

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A su vez, se encendió el generador de radio frecuencias, ajustando la potencia en 150W ± 1W ,

con esto se comienza a generar un voltaje que va desde −500V hasta los −587V (este rango va desde
el primer depósito, hasta el último).

Figura 6: Módulo de radio frecuencias en funcionamiento

Algo importante es que para el primer depósito no habrá presencia de oxígeno, pues el objetivo
ver como será el cambio al irlo aumentando.

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Así pues ya con todos los preparativos listos, se comenzarán con los depósitos, dejando 20 minutos
(±0.5s), cada sustrato, midiendo este tiempo con ayuda de un cronómetro digital que se ajustaba
al inicio del proceso.

Figura 7: Depósito de la primer película

Acto seguido, con ayuda de un imán de neodimio, se cambiaba la posición del sustrato y asi
colocar el siguiente frente al blanco , no obstante, para el segundo depósito, sí se administrará
oxígeno, ajustando con un controlador de masa.

Figura 8: Controlador de masa, para el oxígeno

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Al administrar el oxígeno, se mantuvo la configuración de argón administrado y del generador

de RF para el segundo depósito, y se dejó nuevamente 20 minutos para que se cumpliera el proceso.

Figura 9: Depósito de la segunda película

Al dejar pasar el tiempo establecido, se dejaba otros 5 minutos, para que se terminase de
"[Link] blanco, y finalmente se dejaban 15 minutos sin argón, y sin el generador de RF en-
cendido, para que se enfriasen y así poder sacarlos de la cámara de vacío abriendo la válvula para
dejar que entrase el aire de nuevo y la presión del medidor llegara a 1000 mbar (recordando lo que
se mencionó anteriormente).

Ambas películas se colocaron sobre una caja de petri, para posteriormente medir su espesor con
ayuda de un perfilometro.

Figura 10: Primeras dos películas obtenidas.

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Se configuró el perfilometro para realizar un recorrido de la aguja de 7mm (±0.1mm) y en

velocidad media.

Figura 11: Midiendo el espesor con el perfilometro

Para los siguientes depósitos, se realizó exactamente el mismo procedimiento, sólo que se fue
aumentando la cantidad de oxígeno:

Para el tercer y cuarto depósito con 3 cm3 /min de Oxígeno.

Figura 12: Depósito 3 y 4 respectivamente

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Para el quinto depósito se le administró 5.2 cm3 /mn de Oxígeno y para el sexto depósito se
administró la cantidad máxima de oxígeno que se consideró para éste experimento que es de 6
cm3 /mn de Oxígeno.

Figura 13: Depósito 5

Y las películas resultantes fueron:

Figura 14: Películas 5 y 6

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7. Resultados

Al terminarse los depósitos y al proceder a tomar el espesor de las películas con el perfilómetro.
Los valores registrados fueron del orden de los 6,624 a los 11,798 Angtroms, es decir, de apenas 0.6624
a 1.1798 nanómetros. Se puedo comprobar que como se fue variando el flujo de oxígeno el espesor
aumento. En las primeras tres muestras, con un flujo de 0 a 3.0 cm3 /min el espesor disminuyó, esto
tiene sentido ya que conforme el oxigeno reacciona con el blanco, se forma una capa de oxido en
su superficie que es mas difícil de erosionar, por lo que se libera menos material hacia el sustrato.
Mientras que en las muestras 4 y 5 con un flujo de 4.5 y 5.3 cm3 /min, el espesor de la pelicula
aumento hasta alcanzar unos 1.1798 nanómetros. esto nos sugiere que, a mas flujo de oxigeno, la
capa puede crecer con una estructura porosa, o que exista un exceso de oxigeno en la red. y en el
ultimo sustrato a 6.0 cm3 /min el espesor disminuyo a 0.8761 nanómetros, donde se llego a un punto
estable. Esto se puede ver mejor en la Tabla 1.

Tabla 1: Parámetros de depósito y espesores medidos por perfilometría para las películas delgadas
depositadas por sputtering reactivo.

Muestra Flujo de O2 Voltaje RF Espesor Observaciones

(cm3 /min) (V) (Å) (nm)
1 0.0 −500 8, 684 ± 0.07 0.868 ± 0.007 Comportamiento metálico
2 1.5 −516 → −521 7, 132 ± 0.03 0.713 ± 0.003 Inicio de oxidación
3 3.0 −563 → −567 6, 624 ± 0.05 0.662 ± 0.005 Transición semiconductor
4 4.5 −577 → −582 10, 515 ± 0.04 1.052 ± 0.004 Aumento inusual de espesor
5 5.3 −508 → −587 11, 798 ± 0.03 1.180 ± 0.003 Mayor espesor.
6 6.0 −583 8, 761 ± 0.04 0.876 ± 0.004 El material se consume por completo.

Nota: Los espesores de las muestras corresponden al promedio de mediciones en un recorrido de 7 mm por el
perfilómetro, con incertidumbre representada por la desviación estándar.

Medimos posteriormente la resistencia de las películas de dos formas distintas: la primera se

realizo con la ayuda de un multímetro común, que nos dio unas mediciones rápidas , para temer
una idea de las características conductoras de las películas. La segunda para tener mediciones mas
precisas se utilizo el método de las cuatro puntas, con la que obtendrían valores mas confiables.
Estos resultados se pueden ver en la Tabla 2.

Tabla 2: Resultados de caracterización eléctrica: resistencia medida con multímetro, resistencia ob-
tenida por ajuste lineal (método de 4 puntas) y resistividad calculada.

Muestra Flujo de O2 R (Multímetro) R (Excel) R2 Resistividad

(cm3 /min) (Ω) (Ω) (Ω·cm)
1 0.0 54 9.74 1.0000 3.83 × 10−6
2 1.5 112 20.61 1.0000 6.64 × 10−6
3 3.0 4.155 × 103 103.24 1.0000 3.08 × 10−5
4 4.5 4.0 × 104 1.5499 × 104 1.0000 7.38 × 10−3
5 5.3 1.15 × 104 – – –
6 6.0 > 4.0 × 107 6.0 × 109 0.9469 2.38 × 103
Nota: La resistividad se calculó mediante ρ = 4.53 · R · t, con t en cm y R la pendiente del ajuste V = R · I + b. La
muestra 6 excedió el rango del multímetro (> 40 MΩ). El valor de R2 = 0.9469 en la muestra 6 refleja mayor
dispersión debido a mediciones en el rango de corrientes ultra-bajas (10−11 A).

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La Figura 4 nos muestra esta tendencia en una gráfica con escala logarítmica donde la resistividad
va en aumento como una en una escala exponencial, confirmando que entre más oxigeno se suministre,
la película se vuelve menos conductora, verificando así sus propiedades óhmicas.

Figura 15: Resistividad eléctrica en función del flujo de oxígeno. La escala logarítmica en Y muestra
la transición exponencial metal-aislante.

103
102
Resistividad ρ (Ω·cm)

101
100
10−1
10−2
10−3
10−4
10−5
10−6
0 1.5 3 4.5 5.3 6
Flujo de O2 (cm3 /min)

8. Discusión y conclusión

Con esta práctica nos enseño que es posible "diseñar"las propiedades eléctricas de una película
delgada simplemente ajustando el flujo de oxígeno durante el depósito. Partiendo de un material
conductor, logramos obtener películas semiconductoras y aislantes con un aumento de resistividad.

Además, confirmamos que técnicas como el perfilómetro y el método de las cuatro puntas son
esenciales para caracterizar con precisión películas tan delgadas como las que trabajamos. Esta
practica nos hace comprender cómo con el control de la atmósfera nos permite crear materiales a la
medida para aplicaciones tecnológicas reales.

9. Bibliografía

Alejandro Esparza Garcia . Depósito de Películas Delgadas por Erosión Catódica, con Oxida-
ción Variante en Atmósfera Reactiva. Notas de laboratorio. UNAM.

[Link] Capítulo 2, TÉCNICAS DE DE-

PÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS; Universidad de Sonora.

Dr Jeethendra Kumar P K, ; Resistivity of a Semiconductor by the Four-Probe Method, vol.

11, No. 1, March.

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10. Apéndice

En esta sección presentamos las gráficas obtenidas con el método de las cuatro puntas, obteniendo
sus resistencia con la ecuación de:

π
ρ= ·R·t (1)
ln2

Donde ρ es la resistividad; R es la resistencia encontrada al utilizar el método de los mínimos

cuadrados la pendiente de con los datos obtenidos con el método de las cuatro puntas; t es el espesor
de cada una delas películas.

(a) Muestra 1 (b) Muestra 2

(c) Muestra 3 (d) Muestra 4

(e) Muestra 5

Figura 16: Vista comparativa resistividad de las 5 muestras depositadas por sputtering reactivo.

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