Práctica 1.

MOSFET: Curvas Características y Extracción de Parámetros

Andrés Esteban Betancur Aranda, andres2234624@[Link]

Juan Esteban Bedoya Quintana, juan2234008@[Link]

RESUMEN—La presente práctica tuvo como objetivo caracterizar donde µn es la movilidad de portadores, Cox la capacitancia de
experimentalmente el transistor MOSFET de canal N [2N7000] me- óxido por unidad de área, W/L la relación de aspecto del canal y Vth
diante dos montajes diferentes. En el primer experimento se obtu- la tensión umbral.
vieron curvas características de corriente de drenador (ID ) en fun-
ción del voltaje drenador-surtidor (VDS ) para tres valores fijos de 2.2. Modulación de longitud de canal
VGS , extrayendo el parámetro de modulación de longitud de ca- En la práctica, la corriente en saturación no es perfectamente cons-
nal λ ≈ 0,01 V−1 mediante regresión lineal en la región de sa- tante: a medida que VDS aumenta, la región de pinch-off se extiende
turación. En el segundo experimento se utilizó un potenciómetro hacia la fuente, reduciendo efectivamente la longitud del canal. Este
como carga variable para obtener múltiples puntos de operación, efecto se modela con el parámetro λ (V−1 ), como se aprecia en la
determinando la tensión umbral Vth = 1,4379 V y el parámetro ecuación (2).
µn Cox = 0,074567 A/V2 mediante ajuste cuadrático de la carac- Reescribiendo linealmente la corriente en saturación:
terística de transferencia.
ID ≈ ID0 (1 + λVDS ) (3)
donde ID0 = µn C 2
ox W
L
(VGS − Vth )2 .
1. INTRODUCCIÓN La extrapolación de la recta de regresión hasta ID = 0 intersecta
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor el eje VDS en el punto −1/λ:
(MOSFET) es uno de los dispositivos activos más utilizados en la m 1 b
electrónica moderna, siendo la base de la gran mayoría de circuitos λ= , − =− (4)
b λ m
integrados digitales y analógicos. Su principio de operación se funda-
siendo m la pendiente e b el intercepto de la regresión lineal ID =
menta en el control de la corriente entre el drenador (D) y el surtidor
m VDS + b.
(S) mediante un campo eléctrico aplicado a través de la compuerta
(G), sin necesidad de corriente de entrada apreciable, lo que le con- 2.3. Extracción de µn Cox y Vth
fiere una impedancia de entrada extremadamente alta. En la región de saturación, despreciando la modulación de canal
La caracterización experimental del MOSFET requiere la obten- (λ ≈ 0), la corriente se puede expresar como:
ción de dos tipos de curvas fundamentales: las curvas de salida (ID
vs VDS ) que describen el comportamiento del transistor en las dife- 1 W
ID = µn Cox (VGS − Vth )2 (5)
rentes regiones de operación, y la curva de transferencia (ID vs VGS ) 2 L
que relaciona la corriente de salida con el voltaje de control. A partir Tomando la raíz cuadrada:
de estas curvas es posible extraer parámetros esenciales del dispositi- √
r
µn Cox W
vo como la tensión umbral Vth , el parámetro de modulación de canal ID = (VGS − Vth ) (6)
2 L
λ y el producto µn Cox que caracteriza el proceso de fabricación. √
En esta práctica se implementaron dos circuitos de polarización Esta expresión es lineal en VGS . La pendiente de la recta ID vs
diferentes con el transistor 2N7000 para obtener ambos tipos de cur- VGS permite obtener µn Cox :
vas características y extraer los parámetros mencionados mediante r
µn Cox W 2m2 L
técnicas de regresión y análisis diferencial. m= ⇒ µn Cox = (7)
2 L W
2. MARCO TEÓRICO El intercepto con el eje VGS (cuando ID = 0) proporciona direc-
2.1. Transistor MOSFET de canal N tamente la tensión umbral Vth .

El MOSFET de enriquecimiento de canal N conduce cuando la 3. DESARROLLO EXPERIMENTAL

tensión VGS supera la tensión umbral Vth . Dependiendo de la re-
lación entre VDS y VGS − Vth , el transistor opera en dos regiones 3.1. Materiales
principales: Para la realización de la práctica se utilizaron los siguientes instru-
Región de triodo (VDS < VGS − Vth ): mentos y componentes:

W

VDS2
 Transistor MOSFET 2N7000 (canal N, enriquecimiento)
ID = µn Cox (VGS − Vth )VDS − (1) Resistencia de drenador R1 = 1 kΩ
L 2
Resistencia de surtidor RS = 100 Ω (solo Exp. 1)
Región de saturación (VDS ≥ VGS − Vth ): Dos fuentes de voltaje DC regulables (BK Precision 1672)
µn Cox W Multímetro digital
ID = (VGS − Vth )2 (1 + λVDS ) (2) Protoboard y cables de conexión
2 L
3.2. Experimento 1: Curvas ID vs VDS Cuadro 2: Datos medidos — VGS = 2,5 V
3.2.1. Circuito de polarización VDS (V) ID (mA)
Se implementó el circuito mostrado en la Figura 1, donde se apli- 1,07 6,42
có una fuente de voltaje fija VGS1 a la compuerta del transistor y 2,09 6,88
una resistencia R1 = 1 kΩ en serie con el drenador. Una resistencia 3,48 7,02
RS = 100 Ω en el surtidor permite estabilizar el punto de operación. 4,92 7,10
6,37 7,18
7,79 7,29
9,16 7,38
10,66 7,48
12,02 7,52

Cuadro 3: Datos medidos — VGS = 2,7 V

VDS (V) ID (mA)

1,06 7,80
2,36 8,07
3,71 8,18
5,10 8,27
6,56 8,39
7,98 8,48
Figura 1: Circuito 1: Configuración para obtener curvas ID vs VDS 9,46 8,56
con VGS fijo. 10,83 8,76

3.2.2. Procedimiento 3.3. Experimento 2: Extracción de Vth y µn Cox

Se fijaron tres valores de VGS1 : 2,3 V, 2,5 V y 2,7 V. Para cada 3.3.1. Circuito de polarización
valor se varió VDD1 desde aproximadamente 1 V hasta 20 V, regis-
Se implementó el circuito mostrado en la Figura 2, caracterizado
trando en cada paso:
por la presencia de un potenciómetro de resistencia variable (máximo
VDS medido directamente con el multímetro 982 Ω) conectado entre la fuente de alimentación V1 = 14 V y tierra,
ID calculada a partir de la caída de tensión en R1 permitiendo controlar de forma continua el voltaje VGS aplicado a la
Se tomaron 10 mediciones por curva, obteniendo un total de 30 compuerta. El circuito incluye dos resistencias de 1 kΩ (R1 y R2 ) en
pares (VDS , ID ). la rama del drenador.

3.2.3. Datos medidos

Las Tablas 1, 2 y 3 presentan los valores registrados para cada
valor de VGS .

Cuadro 1: Datos medidos — VGS = 2,3 V

VDS (V) ID (mA)

1,09 5,03
2,51 5,15
3,83 5,24
5,32 5,33
6,46 5,36
8,25 5,42 Figura 2: Circuito 2: Configuración con potenciómetro para control
9,76 5,47 continuo de VGS y extracción de Vth y µn Cox mediante ajuste
10,82 5,54 cuadrático.
12,67 5,57
14,09 5,64 3.3.2. Procedimiento
Se ajustó continuamente la posición del potenciómetro para obte-
ner diferentes valores de VGS y VDS . Para cada posición se registra-
ron:

2
 VGS medido con el multímetro Aplicando la ecuación (4) a cada recta de regresión se obtuvieron
VDS medido con el multímetro los valores de λ indicados directamente en la figura:
ID calculada a partir de los valores de VGS y VDS λ2,3 = 0,0086 V−1
Se obtuvieron 17 puntos experimentales con VGS en el rango de λ2,5 = 0,0127 V−1
1,58 V a 1,86 V. λ2,7 = 0,0110 V−1
El valor promedio resultante es:
3.3.3. Datos medidos
λ̄ ≈ 0,01 V−1 (8)
La Tabla 4 presenta los valores obtenidos en este experimento.
Este resultado es coherente con los valores reportados en la hoja
de datos del 2N7000 [5], que no especifica λ explícitamente pero cu-
Cuadro 4: Datos medidos — Experimento con potenciómetro
yos parámetros de salida implican efectos de modulación de canal del
VGS (V) ID (mA) orden de 10−2 V−1 . Los coeficientes de determinación R2 > 0,99
para las tres regresiones confirman la alta linealidad del modelo en
1,580 1,619 la región de saturación y la confiabilidad de los valores extraídos. La
1,640 2,882 ligera dispersión entre los tres valores de λ obtenidos se atribuye a
1,644 3,106 efectos de segundo orden, principalmente la realimentación introdu-
1,680 4,358 cida por RS y las resistencias parásitas del circuito.
1,711 5,662
1,716 5,916 4.2. Experimento 2: Extracción de Vth y µn Cox
1,720 6,161 Con los datos del Experimento 2 (Tabla 4) se ajustó un modelo
1,742 7,169 cuadrático de la forma:
1,755 7,821
µn Cox W
1,758 7,963 ID = (VGS − Vth )2 (1 + λVDS ) (9)
2 L
1,773 8,921
1,783 9,403 La Figura 4 muestra los datos experimentales junto con la curva
1,791 9,796 de ajuste obtenida en MATLAB.
1,799 10,23
1,823 11,59
1,842 12,55
1,861 13,37

4. ANÁLISIS DE RESULTADOS
4.1. Experimento 1: Extracción de λ
A partir de los datos de las Tablas 1, 2 y 3, se graficaron las curvas
ID vs VDS para los tres valores de VGS y se realizó regresión lineal
sobre los puntos en la región de saturación. La Figura 3 muestra las
curvas obtenidas junto con las rectas de ajuste y la extrapolación al
eje VDS .

Figura 4: Característica de transferencia ID vs VGS con ajuste

cuadrático. La ecuación del ajuste
y = 0,074567 (x − 1,4379)2 (1 + 0,02x) con R2 = 0,99707
permite extraer directamente Vth y µn Cox .

Los parámetros extraídos directamente del ajuste son:

Tensión umbral: Vth = 1,4379 V
Parámetro de transconductancia: µn Cox = 0,074567 A/V2
El valor obtenido de Vth = 1,4379 V se encuentra dentro del ran-
go especificado por el fabricante para el 2N7000 (0,8 V ≤ Vth ≤
3 V, típico 2 V) [5]. La diferencia respecto al valor típico se debe a la
dispersión inherente a la fabricación discreta del dispositivo.
El coeficiente de determinación R2 = 0,99707 confirma que el
modelo cuadrático de primer orden describe con gran precisión el
Figura 3: Característica ID vs VDS del 2N7000 para tres valores de comportamiento experimental del transistor en la región de satura-
VGS . Las rectas discontinuas corresponden a la regresión lineal en ción, validando las hipótesis del modelo de largo canal empleado en
saturación, con extrapolación hasta ID = 0 para determinar −1/λ. la teoría.

3
 5. CONCLUSIONES
Se caracterizó experimentalmente el transistor MOSFET 2N7000
de canal N mediante dos montajes diferentes, obteniendo resultados
coherentes con el comportamiento teórico del dispositivo y validando
múltiples metodologías de extracción de parámetros.
En el primer experimento se obtuvieron las curvas características
ID vs VDS para tres valores de VGS , identificando claramente las
regiones de triodo y saturación. La regresión lineal en saturación per-
mitió extraer el parámetro de modulación de longitud de canal λ,
obteniéndose un valor promedio de λ̄ ≈ 0,01 V−1 con coeficientes
de determinación R2 > 0,99.
En el segundo experimento, el uso de un potenciómetro como car-
ga variable permitió obtener una determinación precisa de los pará-
metros Vth = 1,4379 V y µn Cox = 0,074567 A/V2 mediante ajuste
cuadrático directo a la característica de transferencia, con un coefi-
ciente de determinación R2 = 0,99707 que confirma la validez del
modelo empleado.
Las discrepancias observadas respecto a los valores ideales se ex-
plican por efectos de segundo orden (resistencias parásitas, realimen-
tación por RS , dispersión de fabricación) que son inherentes a medi-
ciones experimentales en dispositivos reales.

REFERENCIAS
[1] A. S. Sedra y K. C. Smith, Microelectronic Circuits, 7.ª ed. New
York: Oxford University Press, 2015.
[2] B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, 2.ª ed.
New York: McGraw-Hill, 2017.
[3] D. A. Neamen, Microelectronics: Circuit Analysis and Design,
4.ª ed. New York: McGraw-Hill, 2010.
[4] A. D. Helfrick y W. D. Cooper, Mediciones electrónicas y de
instrumentación. México: Prentice Hall, 1996.
[5] ON Semiconductor, 2N7000 Small Signal MOSFET Da-
tasheet, Rev. 7, 2014. [En línea]. Disponible: [Link]
[Link]/pub/Collateral/[Link]