UNIVERSIDAD TÉCNICA DE MACHALA
UNIDAD ACADÉMICA DE INGENIERÍA CIVIL
CARRERA DE TECNOLOGÍAS DE LA INFORMACIÓN
SEMICONDUCTOR: DIODO GUNN
CURSO
3ER SEMESTRE PARALELO B
ESTUDIANTES RESPONSABLES
ANDRIV BISMARK TENESACA CEDILLO
JOSTIN FABIAN VANEGAS LOYOLA
ASIGNATURA
ELECTRÓNICA ANALÓGICA
DOCENTE RESPONSABLE
ING. DIXYS LEONARDO HERNANDEZ ROJAS
PERIODO LECTIVO 2026-E1
MACHALA – EL ORO – ECUADOR
ÍNDICE
Estructura física del dispositivo (nivel semiconductor) ............................................................... 3
Principio de funcionamiento (física + electrónica)...................................................................... 6
Curvas características ................................................................................................................ 7
Aplicación real (circuito) ............................................................................................................ 8
Ventajas vs otros dispositivos .................................................................................................... 9
Datasheet ............................................................................................................................... 10
Bibliografía.............................................................................................................................. 12
Estructura física del dispositivo (nivel semiconductor)
El diodo Gunn es un componente semiconductor el cual hace que el paso de la corriente
sea en ambas direcciones. Este diodo tiene la particularidad de contar con dos terminales
de resistencia negativa, es decir, que, a mayor voltaje, menor corriente, algo que en un
diodo semiconductor común no pasaría.
Esta característica permita generar señales de alta frecuencia, por ende, son muy
utilizados en los microondas al tener un cambio tan alto y rápido de corriente. Además,
como mencioné que cuenta con dos terminales negativos, no tiene el detalle de la unión
PN tradicional y común que un diodo debería tener, sino que es un semiconductor que
está compuesto por una unión de tipo N. Por tal razón, recibe el nombre de Dispositivo
de Transferencia de Electrones (TED).
Otra característica que cuenta es su capacidad para conducir en ambas direcciones la
corriente, eso quiere decir que manera los dos tipos de polarización (directa e inversa),
por lo que el voltaje conduce la corriente tanto en un sentido como en el otro. Esto se
explica porque en la unión PN se crea una barrera que justamente bloquea el paso de la
corriente en una dirección, pero permite el paso en el otro, y al no existir dicha barrera, la
corriente tiene total libertad de flujo.
Pese a tener dos terminales de resistencia negativa, cuentan con un ánodo y un cátodo,
pero se los nombra así por convención, por tal razón no tiene nada que ver el no contar
con la unión PN en la variación de estos dos elementos del diodo.
Dentro de su estructura interna, está fabricado con un semiconductor material de tipo N,
generalmente utilizando arseniuro de galio (GaAs), nitruro de galio (Gan), fosfuro de
indio (InP), arseniuro de indio (InAs), antimoniuro de indio (InSb), telururo de cadmio
(CdTe), sulfuro de cadmio (CdS) y seleniuro de zinc (ZnSe). Todos estos materiales tienen
electrones como portadores mayoritarios y permiten el fenómeno del efecto Gunn.
Además, internamente se conforma de tres capas, las cuales todas son de material tipo N
(cualquiera de los mencionados previamente) debido a que este tipo de diodos pueden
funcionar por las propiedades que cuenta dicho material. Las dos capas que conforman
los extremos del diodo están fuertemente dopadas, es decir, que se le han agregado
demasiadas impurezas al material semiconductor de tipo N, lo que provoque que se
agreguen más electrones y el semiconductor tenga mayor conductividad.
La capa intermedia se la conoce como capa amortiguadora, la cual es muy delgada y poco
dopada. Esta capa crece sobre un sustrato N+, y al ser la menos dopada la capa intermedia,
es la región más activa del diodo y la responsable de formar el efecto Gunn. El resultado
obtenido es una capa activa y dos capas dopadas, lo que da como resultado la siguiente
estructura:
N⁺–N–N⁺
Dependiendo del ancho de la capa intermedia se consigue la frecuencia del
funcionamiento del dispositivo medida en Hertz (Hz), lo que permite generar oscilaciones
eléctricas, es decir, que la corriente o el voltaje baja y sube de manera repentina similar
al gráfico de una onda. Si la capa es delgada, la frecuencia es alta, y si es ancha, la
frecuencia es baja.
Partes del diodo Gunn
- Contacto superior chapado en oro
Este contacto metálico forma uno de los terminales del diodo Gunn y proporciona una
conexión eléctrica de baja resistencia. El baño de oro garantiza una buena
conductividad y resistencia a la corrosión. Además, contribuye a mantener un
rendimiento estable en frecuencias de microondas.
- Brida de anillo de molibdeno chapada en oro
La brida anular facilita el montaje mecánico y la disipación del calor. Se eligió el
molibdeno porque su dilatación térmica coincide con la del material semiconductor.
El baño de oro mejora el contacto eléctrico y la fiabilidad a largo plazo.
- Alambre de oro
El hilo de oro conecta la región semiconductora con el contacto externo. Proporciona
una vía eléctrica fiable al manejar señales de alta frecuencia. Se prefiere el oro debido
a su excelente conductividad y resistencia a la oxidación.
- Contacto óhmico
Los contactos óhmicos permiten que la corriente fluya fácilmente entre el metal y el
semiconductor sin rectificación. Estos contactos garantizan una distribución uniforme
de la corriente en toda la región activa y son esenciales para el funcionamiento estable
del diodo.
- Capas activas N⁺–N–N⁺
El diodo Gunn consta de capas de tipo n fuertemente dopadas y ligeramente dopadas.
La región central de tipo n es donde se produce la mayor parte de la actividad eléctrica.
Las capas externas de tipo n⁺ reducen la resistencia de contacto y mejoran el flujo de
corriente.
- Cubierta de cerámica
La carcasa cerámica proporciona aislamiento eléctrico y protección mecánica.
Además, ayuda a aislar el dispositivo de los efectos ambientales. Se utilizan
materiales cerámicos por su buen rendimiento a altas frecuencias.
- Soporte de cabezal de molibdeno chapado en oro
Esta base soporta toda la estructura y ayuda a disipar el calor durante el
funcionamiento. También funciona como segundo terminal eléctrico. Una correcta
gestión del calor es fundamental para un rendimiento fiable del microondas.
Principio de funcionamiento (física + electrónica)
Una función que este diodo no realiza en comparación a los demás es el proceso de
rectificación, es decir, el convertir corriente alterna (AC) a corriente continua (DC). Esto
porque en la corriente alterna la corriente se mueve en ambos sentidos, mientras que en
la continua fluye en un solo sentido. Esto significa que no bloquea en un lado del diodo
la corriente para que no pase todo el flujo, por lo que no puede rectificar. Un ejemplo
básico es cuando queremos cargar un celular, el cargador extrae corriente alternar del
tomacorriente, pero con el diodo dentro del cargador permite convertir a corriente
continua y que la corriente fluya en una sola dirección, bloqueando una parte de la
corriente para que el resto fluya hacia el celular.
Para que este diodo realice dicha función, requiere del efecto Gunn. Este efecto recibe su
nombre por el físico británico John Battiscombe Gunn (JB Gunn), el cual lo descubrió en
el año 1963. Dentro de sus descubrimientos concluyó que cuando se le aplica un voltaje
demasiado alto a la capa intermedia del semiconductor de tipo N, se producen
oscilaciones de alta frecuencia, es decir, variaciones muy drásticas de corriente y voltaje.
El efecto Gunn se explica porque parte desde la banda de conducción de los electrones,
el cual cuenta con dos valles, un valle inferior y uno superior, y entre ambos valles el
camino que hay cuenta con una brecha de energía que se mantiene concentrado en ese
lugar. Los electrones parten del valle inferior hacia el superior, y durante ese traspaso,
adquieren la energía suficiente para atravesar dicha brecha en la banda de conducción y
llegar al valle superior, proceso que se conoce como efecto de transferencia de electrones
o mayormente conocido como efecto Gunn
Ahora bien, una interrogante sería conocer la razón por la cual los electrones cambian su
comportamiento dentro del material. Esto se debe al semiconductor y su propiedad
óhmica, la cual permite que la corriente aumente al aumentar el voltaje, y que cuando
lleguen al destino, el voltaje aplicado se aumente, pero la corriente que atraviesa el
semiconductor disminuya. Con esto, se deduce que existe una región del diodo donde el
voltaje aumente y la corriente disminuya, lo que hace que los electrones se muevan menos
y salga el concepto de resistencia diferencial negativa.
Por tal razón, se generan las oscilaciones, porque esta región se comporta de tal manera
que cambie el comportamiento presentado en los electrones y se generen las señales y se
tenga una frecuencia tan alta.
El diodo Gunn inicialmente se comporta de forma normal, pero al superar un voltaje
umbral entra en una región de resistencia negativa, donde la corriente disminuye al
aumentar el voltaje. En esta zona se forman dominios de carga que se desplazan a través
del material, generando oscilaciones eléctricas cuya frecuencia depende del tamaño de la
capa activa.
Curvas características
La gráfica del diodo Gunn consta de tres regiones a analizar:
Región 1: Comportamiento Normal
El diodo se comporta de manera normal como cualquier otro, donde la corriente aumenta
según el voltaje, similar a un resistor, pero este comportamiento se da hasta cuando el
diodo alcanza un voltaje pico, que es cuando el diodo logra la corriente máxima. El valor
del voltaje pico depende de varios factores como: nivel de dopaje, material, grosor de la
banda de conducción, temperatura y del fabricante.
Región 2: Resistencia Negativa
Esta región se la denomina como resistencia negativa, porque es donde el diodo realiza
el efecto Gunn, y le permite generar las oscilaciones de frecuencia alta. En esta región,
ocurre la principal característica del efecto, que es cuando el voltaje aumenta, pero la
corriente que ya alcanzó su valor máximo, disminuye considerablemente por el
movimiento de los electrones.
Región 3: Saturación
La corriente alcanzó su valor mínimo el cual se conoce como voltaje de valle, y al igual
que el voltaje pico, depende de muchos factores para conocer su valor exacto. Luego de
ello, el comportamiento del diodo vuelve a ser similar al de la región 1, donde el valor de
la corriente aumenta en función del voltaje.
Aplicación real (circuito)
El diodo Gunn es un dispositivo electrónico utilizado para producir señales de muy alta
frecuencia, especialmente microondas. Estas señales están en el rango de GHz, lo que
significa que son mucho más rápidas que las señales electrónicas normales. A diferencia
de los diodos normales, un diodo Gunn no se utiliza para convertir CA en CC y no
funciona como un interruptor de diodo normal.
Los diodos Gunn se utilizan en sistemas de radar, pistolas de velocidad, detectores de
movimiento, transmisores de microondas y más. Los diodos Gunn son pequeños, simples
y confiables para aplicaciones de alta frecuencia.
Símbolo del Diodo Gunn
Se dibuja con dos triángulos uno frente al otro con dos terminales. Esta forma muestra el
diodo Gunn no es un diodo normal y no tiene unión PN.
➢ Sistemas de radar
➢ Dispositivos de medición de velocidad
➢ Sensores de movimiento
➢ Osciladores de movimiento
➢ Sistemas de comunicación inalámbrica
➢ Transmisores de microondas
➢ Sistemas de detección industriales
➢ Sistemas para evitar colisiones
➢ Equipo medico
➢ Comunicación por Satélite
➢ Equipo electrónico de contramedidas
➢ Abridores de puertas y sistemas de control de acceso.}
Ventajas vs otros dispositivos
➢ Puede generar señales de muy alta frecuencia en el rango de microondas (GHz).
➢ Tiene una construcción sencilla utilizando únicamente material de tipo “N” sin
unión “PN”.
➢ Pequeño y liviano, adecuado para diseños electrónico compactos.
➢ Tiempo de respuesta rápido, ideal para la oscilación de microondas.
➢ Produce un ruido relativamente bajo en comparación con otros dispositivos
microondas.
➢ Amplio rango de sintonización de frecuencia, perfecto en aplicaciones de Radio
Frecuencia.
➢ Buena estabilidad de frecuencia cuando se utilizan polarización y enfriamiento
adecuado.
➢ Fácil de integrar en circuitos osciladores de microondas.
➢ Menor voltaje de operación en comparación con dispositivos como los diodos
IMPATT.
Datasheet
Bibliografía
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