JFET
(Junction Field Effect Transistor)
JFET
• Es un dispositivo de tres terminales con una unión polarizada en forma
inversa para controlar la corriente de un canal.
• Son de dos tipos canal n y canal p.
• Sobre una oblea tipo n o tipo p se difunden regiones del tipo opuesto al
de la oblea, que conforman la gate o compuerta.
JFET
• VDD genera una diferencia de potencia
entre drenado y fuente.
• La unión compuerta – fuente opera
polarizada en forma inversa.
• La polarización inversa produce una zona
de empobrecimiento que enangosta el
canal y por lo tanto aumenta su
resistencia con la consecuente
disminución de la corriente.
• Por lo que la corriente entre drenador y
surtidor puede controlarse variando la
polarización negativa de la compuerta
en relación a la fuente o surtidor.
JFET – Características y Parámetros
• Opera como dispositivo de corriente constante
controlado por tensión.
• Si VGS = 0 (gate a masa) si VDD aumenta y por lo tanto VDS , ID
aumenta en forma proporcional.
• La resistencia del canal se mantiene constante (región
óhmica).
• A medida que VGS aumenta negativamente se produce una
zona de empobrecimiento que mantiene la corriente
prácticamente constante a pesar del aumento de VDS .
JFET – Voltaje de Estrangulamiento y Ruptura
JFET - Curvas
Tensión de corte
JFET – Voltaje de Corte
JFET - Ejemplo
𝑉 ( ) = −4 𝑉; 𝐼 = 12 𝑚𝐴, determinar el valor mínimo de
𝑉 requerido para situar el dispositivo en la región de operación de
corriente constante para 𝑉 = 0
Si 𝑉 ( ) = −4 𝑉 => 𝑉 = 4𝑉
como 𝑉 = 0
𝐼 =𝐼 = 12 𝑚𝐴
𝑉 = 𝐼 𝑅 = 12 𝑚𝐴 560 Ω = 6,72 𝑉
𝑉 = 𝑉 + 𝑉 = 4 𝑉 + 6,72 𝑉 = 10,7 𝑉
Valor de 𝑉 que hace a 𝑉 = 𝑉
JFET – Curva de Transferencia o Transconductancia
JFET – Curva de Transferencia o Transconductancia
También puede desarrollarse a partir de las curvas características de 𝐼 = 𝑓(𝑉 ), expresándose
aproximadamente por:
𝟐
𝑽𝑮𝑺
𝑰𝑫 ≅ 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 −
𝑽𝑮𝑺(𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
JFET - Ejemplo
La hoja de datos del 2N5459 indica que 𝐼 = 9 𝑚𝐴 y 𝑉 =
− 8 𝑉. Determinar la corriente de drenador para 𝑉 = 0 V, -1 V y – 4
V.
Para 𝑉 = 0 V:
𝐼 = 𝐼 = 9 𝑚𝐴
Para 𝑉 = -1 V:
𝑉 −1 𝑉
𝐼 ≅𝐼 1− = 9 𝑚𝐴 1 − = 6,98 𝑚𝐴
𝑉 −8𝑉
Para 𝑉 = -4 V:
−4 𝑉
𝐼 = 9 𝑚𝐴 1 − = 2,25 𝑚𝐴
−8 𝑉
JFET – Polarización - Autopolarización
• Es la de uso más generalizado.
• La unión Gate – Surtidor se debe polarizar en
forma inversa.
• Como 𝐼 = 0, 𝑅 sólo cumple la misión de poner la
Gate a masa y por lo tanto 𝑉 = 0 V.
• 𝑅 cumple la función de aislar la señal de entrada
de masa.
𝑉 =𝑉 −𝑉 =0 −𝐼 𝑅
𝑽𝑮𝑺 = −𝑰𝑫 𝑹𝑺
𝑉 = 𝑉 −𝐼 𝑅
𝑽𝑫𝑺 = 𝑽𝑫 − 𝑽𝑺 = 𝑽𝑫𝑫 − 𝑰𝑫 𝑹𝑫 + 𝑹𝑺
JFET – Autopolarización – Punto Q
Determinar 𝐼 para un valor de 𝑉 determinado o viceversa,
calculándose a partir de allí el valor de 𝑅 .
𝑉
𝑅 =
𝐼
A partir de allí, el punto Q se puede situar sobre la curva de
transconductancia, o a través de
𝟐
𝑽𝑮𝑺
𝑰𝑫 ≅ 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 −
𝑽𝑮𝑺(𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)
JFET – Autopolarización – Punto Q
De acuerdo a la ecuación de la curva de transconductancia el
valor de 𝐼 = (punto medio entre saturación y corte) se
obtiene para 𝑉 = ( )
,
𝑉 ( )
𝑉 3,4
𝐼 =𝐼 1− =𝐼 1−
𝑉 ( ) 𝑉 ( )
JFET - Ejemplo
Para el JFET de la figura, obtener los valores de 𝑅 y 𝑅 , 𝑉 deberá
ser aproximadamente la mitad de la tensión de alimentación 𝑉 .
Realice los cálculos para que opere en punto medio para máxima
excursión
𝐼
𝐼 ≅ = 0,5 𝑚𝐴
2
𝑉 ( )
𝑉 = = −147 𝑚𝑉
3,4
𝑉
𝑅 = = 294 Ω
𝐼
𝑉 =𝑉 −𝐼 𝑅
𝑉 −𝑉
𝑅 = = 12 𝑘Ω
𝐼
JFET – Análisis gráfico
Se realiza sobre la curva de transconductancia sobre la que se
determina Q (𝐼 y 𝑉 ). De no contarse con la curva del Datasheet,
se puede dibujar utilizando su ecuación
En el origen 𝐼 = 0 =≫ 𝑉 = −𝐼 𝑅
:
Para 𝐼 =≫ 𝑉 = −𝐼 𝑅 = −4,7 𝑉
JFET – Polarización por Divisor Resistivo
Debe mantenerse la condición de polarización puerta – surtidor negativa.
𝑉 = 𝐼 𝑅
La tensión de compuerta queda establecida por el divisor resistivo.
𝑅
𝑉 = 𝑉
𝑅 +𝑅
𝑉 =𝑉 −𝑉
𝑉 =𝑉 −𝑉 e 𝐼 =
𝑉 −𝑉
𝐼 =
𝑅
JFET - Ejemplo
Calcular 𝐼 y 𝑉 considerando 𝑉 = 7 𝑉
𝑉 −𝑉
𝐼 = = 1,52 𝑚𝐴
𝑅
𝑉 = 𝐼 𝑅 = 3,34 𝑉
𝑅
𝑉 = 𝑉 = 1,54 𝑉
𝑅 +𝑅
𝑉 = 𝑉 − 𝑉 = −1,8𝑉
JFET – Divisor Resistivo, Análisis gráfico
En este caso cuando 𝐼 = 0; 𝑉 ≠ 0.
Con 𝐼 = 0, 𝑉 = 𝑉 :
𝑉 = 𝐼 𝑅 = 0𝑅
𝑉 =𝑉 −𝑉 =𝑉 −0=𝑉
Con 𝑉 =𝑂
𝑉 −𝑉 𝑉
𝐼 = =
𝑅 𝑅
MOSFET
MOSFET
• No tiene estructura de unión p – n
• La gate está aislada mediante una capa de Bióxido de Silicio.
• También se los suele llamar IGFET (FET de compuerta aislada).
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO (E-MOSFET)
Opera en modo de enriquecimiento, generando un canal de cargas
inducidas cuando la tensión Gate – Surtidor está por encima de la
tensión umbral.
E-MOSFET - Símbolos
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (D-MOSFET)
• Fuente y surtidor se difunden sobre un sustrato del tipo opuesto.
• Puede ser operado en modo empobrecimiento o enriquecimiento.
• El D-MOSFET de canal n opera en modo de empobrecimiento
cuando VGS es positiva
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (D-MOSFET)
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO (D-MOSFET)
MOSFET DE DOBLE COMPUERTA
• Tiene menor capacidad de entrada que el FET.
• Puede ser utilizado en RF.
• Es útil para implementar CAG.
E-MOSFET Característica de transferencia
• Requiere tensión positiva de fuente en caso de ser de canal n.
• No existe IDSS.
• ID es nula hasta que VGS alcanza un valor umbral.
𝟐
• Las curvas responden a: 𝑰𝑫 = 𝑲 𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑮𝑺(𝒖𝒎𝒃𝒓𝒂𝒍)
• K depende del tipo de FET y se determina con la hoja de datos.
D-MOSFET Característica de transferencia
• Puede operar con tensiones de compuerta positivas o negativas.
• Para VGS = 0 existe IDSS.
• ID = 0 corresponde al punto de apagado VGS(apagado) = - Vp.
• Responde a la expresión
POLARIZACIÓN
• Polarización por divisor de tensión.
• Polarización por realimentación de drenador.
• Para el E-MOSFET VGS debe ser mayor que VGS(umbral).
• El D-MOSFET puede ser polarizado por el mismo método.
POLARIZACIÓN
𝑅
𝑉 = 𝑉
𝑅
𝑉 =𝑉 −𝐼 𝑅
𝐼 =𝐾 𝑉 −𝑉 ∗
POLARIZACIÓN - Ejemplo
Determinar VGS y VDS , ID(encendido) = 200 mA; VGS = 4 V y VGS (umbral) = 2 V
𝑉 = 𝑉 = 3,13 V
( )
𝐾= = 50 𝑚𝐴/𝑉
(
Se calcula ID con VGS = 3,13 V
𝐼 =𝐾 𝑉 −𝑉 ∗ = 63,8 𝑚𝐴
𝑉 =𝑉 − 𝐼 𝑅 = 11,2 V