INSTITUTO TECNOLOGICO SUPERIOR DE
COATZACOALCOS
INGENIERÍA MECATRONICA
SCR
Docente:
Ing. José Leonel Sotelo Raygoza
Materia:
Electrónica de potencia aplicada
Alumna:
Diana Soto
d Cruz
Grado y Grupo
6BK
Coatzacoalcos, Ver. 2026
Índice
Contenido
1.1Fundamentos de los SCR ......................................................................................................... 4
1.1.1 Conceptos de semiconductores.......................................................................... 4
1.1.2 Principales semiconductores en la fabricación de un SCR. .................................... 4
1.1.3 Tipos de tiristores. .......................................................................................................... 5
1.2 Conceptos del SCR ........................................................................................................... 5
1.3 Parámetros ......................................................................................................................... 6
1.4 Simbología y partes principales ....................................................................................... 6
1.5 Tipos de encapsulado del SCR ....................................................................................... 7
1.6 El SCR comparado con dos transistores ....................................................................... 8
1.7 Operación del rectificador controlado de silicio (SCR) ................................................ 8
1.8 Funciones del SCR ............................................................................................................ 8
1.9 Ventajas del uso del SCR ................................................................................................. 8
2 Aplicaciones del SCR ........................................................................................................... 9
2.1 Tiristor SCR en corriente alterna y control de fase....................................................... 9
Anexos ......................................................................................................................................... 10
Referencias ................................................................................................................................. 12
Introducción
Actualmente la electrónica de potencia controla el funcionamiento de las máquinas eléctricas
siendo uno de los grupos de dispositivos y componentes electrónicos denominados tiristores;
dentro de este grupo se encuentra principalmente el rectificador de silicio controlado SCR (cuya
denominación proviene del inglés: Silicón Controlled Rectifier) del cual esta en la presente
investigación.
El estudio del SCR no solo permite comprender su estructura y funcionamiento, sino también
analizar su comportamiento en diferentes condiciones de operación y su relevancia en la electrónica
de potencia contemporánea. Esta investigación tiene como propósito profundizar en los principios
de operación del SCR, sus características eléctricas, modos de disparo, aplicaciones prácticas y
ventajas frente a otros dispositivos semiconductores. Con ello, se busca ofrecer una visión integral
que facilite su comprensión y su correcta implementación en sistemas electrónicos.
1.1Fundamentos de los SCR
1.1.1 Conceptos de semiconductores.
Los semiconductores están comprendidos entre los conductores y los aislantes, comportándose
como una llave electrónica. “Por su uso comúnmente tenemos a los diodos semiconductores, a los
transistores unijuntura, BJT, FET, MOSFET, dispositivos activos fotoeléctricos, detectores de
partículas y a los circuitos integrados” (Trueba, 2007, p. 226).
Los semiconductores construidos en base al germanio y silicio permiten que su conductividad sea
mucho menor que los metálicos, y que debido al aumento de la temperatura se eleva su
conductividad en el trabajo que realizan, los mismos que los construidos de material de silicio
comúnmente se utilizan en aplicaciones de baja, media y alta potencia. Cardona (2010) afirma que:
materiales semiconductores son los que ocupan una posición intermedia en la escala de
conductividad entre los conductores y los aisladores. La resistividad de los buenos conductores,
como el cobre, es del orden de 0,0172, y la de los buenos aislantes.
1.1.2 Principales semiconductores en la fabricación de un SCR.
Los principales semiconductores para poder construir un SCR son el silicio y germanio, pero en la
actualidad el silicio es el más utilizado. Podemos observar que los dos átomos (Ver figura 1) tienen
4 electrones en su última capa, pero el silicio tiene pocos electrones y es más fácil que se puedan
mover o retirar de su órbita.
En los semiconductores de tipo P conocida como donador o aceptador de electrones predominan
los huecos conocidos como lagunas tal como se observa en la figura , están dispuestos por su
ubicación por tres electrones de valencia como dopantes, tal como se da con el Boro (B), debido a
que este átomo no aportan cuatro electrones para establecer los cuatro enlaces covalentes en la
red cristalina, originando así los huecos o lagunas para aceptar el paso de la de los electrones que
no pertenecen a la red cristalina.
1.1.3 Tipos de tiristores.
Los tiristores de acuerdo con su tipología tomando en cuenta su construcción, activación y
desactivación, se clasifican en nueve categorías:
• Tiristores de control de fase (SCR).
• Tiristores de conmutación rápida (SCR).
• Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
• Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC).
• Tiristores de conducción inversa (RTC).
• Tiristores de inducción estática (SITH).
• Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
• Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
• Tiristores controlados por MOS (MCT).
1.2 Conceptos del SCR
El SCR es un tiristor, que se encuentra ubicado en diferentes proyectos de las aplicaciones eléctricas
y electrónica de potencia. “Realizando la función de una llave interruptora gobernado por tensión o
voltaje, que trabaja en los sistemas de controles de lámparas y relés, conmutándose a una alta
frecuencia en los motores y máquinas industriales” (Bertolt, 1987, p.10).
“El SCR es un componente fabricado para trabajar conmutada mente, como componente idóneo en
electrónica de potencia, en circuitos de rectificación, y de amplificación, debido a su velocidad y
frecuencia” (Usategui, 1993, p.80).
Los SCR son dispositivos activos de alta potencia, diseñados para trabajar en alta conmutación de
corrientes, con la finalidad de desarrollar el proceso del control a través del circuito de entrada, en
la variación y regulación de la circulación de la 16 corriente eléctrica desde una fracción hasta
millares de amperes (Malvino, 2015, p. 761).
El SCR conocido también como diodo controlado de silicio es un componente tiristor activo,
gobernado por tensión a partir de la puerta de control (G), a fin de que realice el disparo del
dispositivo y entre en funcionamiento; para ser aplicado de manera conmutada múltiple en los
sistemas de control de iluminación, relés, motores y máquinas industriales entre otras.
1.3 Parámetros
• VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
• VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
• IF: Máxima corriente directa permitida.
• PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
• VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
• IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
• dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
• di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
1.4 Simbología y partes principales
El rectificador controlado de silicio SCR como simbología cuya estructura interna está constituida
por cuatro capas semiconductoras PNPN o NPNP: el ánodo, el cátodo, y el Gate, que es la compuerta
por donde se controla el circuito de disparo, y el paso de la 17 corriente eléctrica desde el ánodo y
el cátodo, se representa en la parte izquierda de la Asimismo, podemos apreciar en la figura, la
similitud de las capas semiconductoras equivalentes a un transistor NPN y PNP.
El SCR tiene identificado sus pines o terminales y lo podemos observar en la figura en las diversas
formas de construcción.
1.5 Tipos de encapsulado del SCR
Los fabricantes construyen los SCR en diferentes tipos de encapsulados según la potencia requerida
y establecen características o parámetros para cada tipo y código, los que en la práctica se
identifican a partir de códigos alfanuméricos; cuyos parámetros se establecen 18 en las hojas de
datos o Datasheets.
Todo SCR posee terminales denominados ánodo, cátodo y gate o compuerta, los cuales son el
terminal o electrodo ánodo (A), el terminal o electrodo cátodo (K), y el terminal o electrodo gate
(G). Este tercer terminal G es la compuerta por donde se realiza el disparo del tiristor para que entre
en funcionamiento, y se controle el paso de la corriente eléctrica entre el ánodo y el cátodo. La
potencia de los SCR está determinada por el material fabricado, tipo de encapsulado y tamaño
(p.509).
1.6 El SCR comparado con dos transistores
El SCR se entiende mejor si su estructura interna PNPN, la comparamos con una configuración de
dos transistores PNP y NPN. Esta estructura es como la del diodo de 4 capas excepto por la conexión
de compuerta.
Las capas PNP superiores actúan como el transistor Q1, las capas NPN inferiores lo hacen como el
transistor Q2, observándose que las dos capas semiconductoras intermedias se encuentran
compartidas.
Cuando se aplica un pulso de disparo positivo de corriente a la compuerta, ambos transistores Q1 y
Q2 se encienden. IB2 enciende a Q2 y crea una trayectoria para IB1 hacia el colector Q2, por lo que
Q1 se enciende. La corriente en el colector de Q1 proporciona una corriente adicional en la base
para Q2, de tal forma que Q2 permanece en conducción una vez que el pulso de disparo se retira
de la compuerta.
1.7 Operación del rectificador controlado de silicio (SCR)
El SCR como equivalente conmutador biestable electrónico, deja pasar plenamente o bloquea por
completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno. Del estado de corte pasa a
encendido al recibir un pulso momentáneo de tensión positiva en el terminal G de control, y cuando
hay una tensión positiva entre ánodo y cátodo. Solo se podrá apagar con la interrupción de la fuente
de tensión, abriendo el circuito, dejando pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo,
o polarizar inversamente el tiristor hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima.
En una medición con el ohmímetro en forma inversa del SCR su resistencia será alta,
aproximadamente 100 kilo ohmios o más, actuando como como un interruptor cerrado. Cuando el
SCR está apagado no existe fluido de corriente eléctrica entre el ánodo y el cátodo, comportándose
el tiristor como un circuito abierto.
Cuando observamos en la medición realizada en polarización directa entre el ánodo y el cátodo del
SCR, su resistencia es prácticamente casi cero y típicamente de 0.001 a 0.1 ohmio.
1.8 Funciones del SCR
El SCR trabaja como un diodo convencional de silicio, en tanto se encienda, se monitoree y controle
por la compuerta de control G. Cumple la función de interruptor al actuar como una llave o switch
electrónico. Cumple con la función de regulación. La función de regulación: según se atrase o
adelante el pulso de disparo, controla la fase, altas corrientes y potencia de trabajo en la industria.
1.9 Ventajas del uso del SCR
No poseen partes móviles; es decir al ser de estado sólido la función interruptora se produce por el
funcionamiento de semiconductores, no existiendo contactos eléctricos que puedan desgastarse.
No producen arcos de contacto. El funcionamiento es completamente silencioso durante los estados
de saturación y corte por lo tanto no hay lugar de chispas o arcos eléctricos que pueden producir
consecuencias desagradables como en los interruptores electromecánicos.
2 Aplicaciones del SCR
Encuentra innumerables aplicaciones en electrónica de potencia, en uso doméstico e industrial. “El
suministro y alimentación de corriente eléctrica suficiente y necesaria, es trascendente para
desarrollar diferentes procesos industriales, como en los sistemas de iluminación, sistemas de
controles de velocidad de motores eléctricos, y el sistema de aire acondicionado y calefacción. Para
lo cual podemos utilizar un SCR para resolver diversas operaciones industriales mencionados”
(Maloney. 2006. p. 289)
2.1 Tiristor SCR en corriente alterna y control de fase
El SCR dispuesto en corriente alterna y controlado por fase, se aplica en los circuitos de control de
potencia, tal como se observa en el circuito a una lámpara incandescente.
El circuito de la fuente de alimentación de voltaje es accesible entre 120 VAC y 240 VAC, donde la
potencia suministrada para la carga a utilizarse se logra y gobierna con un circuito variador del
ángulo de conducción. El circuito resistivo capacitivo RC es la sección que genera el corrimiento de
la fase ajustable entre el voltaje de entrada y el voltaje en el condensador, el cual permite
suministrar la corriente a la compuerta G del SCR.
El potenciómetro R su valor resistivo es variado, el cual por tanto produce el corrimiento de la fase
ajustable, por lo que su potencia será también variable. Motivo por el cual la intensidad de luz será
variable en la lámpara.
El semiconductor conectado a la entrada del terminal de la compuerta G, está dispuesto para que
cuando se produzca tensión negativa, este lo bloquee comportándose como un circuito abierto en
alta resistencia.
Anexos
Datasheets
Simbología
Tabla de comparación
Referencias
Rashid, M. H. (2014). Power electronics: Devices, circuits, and applications (4.ª ed.).
Pearson.
General Electric. (1960). Silicon controlled rectifier manual (2.ª ed.). General Electric
Company.
Texas Instruments. (2016). Thyristor theory and design considerations (Application Report
No. SLUA618). Texas Instruments.