REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA

EDUCACIÓN
UNIVERSIDAD JOSÉ ANTONIO PÁEZ
FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y
TELECOMUNICACIONES

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

NRO. 2

Autores: Garcia Valeria

Valera David
Tutor: Ing. Adilen Ramones
Caldera Montemar
Muñoz Valeria

San Diego, mayo 2024

 ÍNDICE

INTRODUCCIÓN .................................................................................................................. 1
MARCO TEÓRICO ............................................................................................................... 2
COMPONENTES ............................................................................................................... 8
PROCEDIMIENTO ......................................................................................................... 10
RESULTADOS ................................................................................................................. 11
ANÁLISIS DE LOS RESULTADOS .............................................................................. 14
CONCLUSIÓN ..................................................................................................................... 15
REFERENCIAS .................................................................................................................... 16
ANEXOS ................................................................................................................................ 17

ii
 ÍNDICE DE FIGURAS

FIGURA 1: DIFERENCIAS EN LOS TERMINALES DE LOS TRANSISTORES .................. 4

FIGURA 2: DIFERENCIAS ENTRE TRANSISTORES ..................................................... 4
FIGURA 3: ESTADOS DEL TRANSISTOR .................................................................... 5
FIGURA 4: TRANSISTOR 2N2222 ............................................................................. 6
FIGURA 5: TRANSISTOR BJT 2N3904 ..................................................................... 6
FIGURA 6: TRANSISTOR BJT 2N3906 ..................................................................... 7
FIGURA 7: BUZZER................................................................................................... 8
FIGURA 8: TRANSISTOR NPN BC547...................................................................... 8
FIGURA 9: LED ROJO .............................................................................................. 9
FIGURA 10: RESISTENCIA DE 330 OHMIOS .............................................................. 9
FIGURA 11: EJEMPLO DE PUENTE DARLINGTON .................................................. 11

iii
 INTRODUCCIÓN

La aparición de los transistores de unión bipolar (BJT) fue un avance transformador

que revolucionó la electrónica y la tecnología. Su impacto se extiende desde la mejora
de la eficiencia y confiabilidad de los dispositivos electrónicos hasta la facilitación de
avances significativos en computación, telecomunicaciones y ciencia y es una piedra
angular de la misma. En este estudio, se examinará detalladamente el transistor de
unión bipolar (BJT),un dispositivo semiconductor de estado sólido que se emplea para
amplificar o conmutar señales eléctricas que es crucial en la electrónica moderna. Se
hablará de sus características, como su capacidad para controlar grandes, su ganancia
de corriente y su baja impedancia de entrada.

Los BJTs se dividen en dos tipos principales: NPN y PNP, en este informe se
definirá la diferencia entre ellos que radica en la disposición de sus capas
semiconductoras y la polaridad de las tensiones de funcionamiento. También se
profundizará sobre el funcionamiento de un BJT que se basa en la inyección y control
de corriente a través de sus tres terminales: el emisor, la base y el colector

Como parte de esta investigación informativa, se llevará a cabo un proyecto práctico

en un protoboard utilizando un BJT. Este proyecto demostrará el funcionamiento del
BJT en un circuito real, proporcionando una comprensión práctica de cómo este
dispositivo controla y amplifica las señales eléctricas y se analizará los resultados de
cálculos relacionados con el circuito.

1
 OBJETIVO GENERAL

Analizar y comprender en profundidad los BJT, enfocándose en sus caracteristicas,

funcionamiento, tipos y aplicaciones

MARCO TEÓRICO

¿Qué es un BJT?

El transistor de unión bipolar (BJT, por sus siglas en inglés: bipolar junction
transistor) es un componente electrónico de estado sólido que se caracteriza por tener
dos uniones PN muy próximas entre sí. Este tipo de transistor es fundamental en la
amplificación de señales eléctricas y en la conmutación de corrientes, debido a su
capacidad para aumentar la corriente y reducir el voltaje en el circuito en el que se
encuentra. Los BJT permiten controlar el flujo de corriente entre sus terminales gracias
al movimiento de portadores de carga, que en este caso son tanto huecos (portadores
positivos) como electrones (portadores negativos), de ahí la denominación de "bipolar".

Los BJT son ampliamente utilizados en una diversidad de aplicaciones debido a su

capacidad para manejar grandes corrientes y su velocidad de respuesta. Sin embargo,
uno de sus principales inconvenientes es su baja impedancia de entrada, lo que puede
limitar su uso en algunos circuitos. En términos de aplicaciones prácticas, los
transistores bipolares son extremadamente comunes y conocidos, especialmente en el
ámbito de la electrónica analógica, donde se utilizan en amplificadores, osciladores y
reguladores de voltaje. Además, aunque su uso es más prevalente en la electrónica
analógica, también juegan un papel importante en ciertas aplicaciones de electrónica

2
digital, tales como la tecnología TTL (Transistor-Transistor Logic) y BiCMOS
(Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), donde combinan las ventajas
de los transistores bipolares con las de los MOSFET.

La versatilidad y utilidad de los BJT los han convertido en un componente esencial

en el diseño de circuitos electrónicos, tienen una amplia gama de aplicaciones debido
a su capacidad para amplificar y conmutar señales eléctricas. En la electrónica
analógica, se utilizan ampliamente en amplificadores de audio y radiofrecuencia, donde
su capacidad para aumentar la señal es esencial. En la electrónica digital, los BJTs son
fundamentales en la tecnología TTL (Transistor-Transistor Logic) y en algunos
circuitos integrados, proporcionando la capacidad de conmutación rápida necesaria
para procesadores y microcontroladores. Además, los BJTs se emplean en reguladores
de voltaje y fuentes de alimentación para mantener un voltaje constante y en circuitos
de control de motores donde se requiere una alta capacidad de corriente.

Características de un transistor BJT

1. Un transistor es un dispositivo semiconductor compuesto por tres

zonas o capas. Estas capas pueden ser de tipo P o N, lo que determina si el
transistor es PNP (con una capa N entre dos capas P) o NPN (con una capa P
rodeada de dos capas N) además los transistores se fabrican en diversos
materiales comunes utilizados para fabricar transistores incluyen silicio,
germanio y arseniuro de galio.

2. Estos transistores cuentan con tres terminales (imagen 1): emisor, base
y colector, representados por las iniciales E, B y C respectivamente. La zona
central se conoce como base, mientras que las laterales son el emisor y el
colector. El emisor es la zona más fuertemente dopada y es el encargo de

3
 inyectar portadores mayoritarios hacia la base, ya sean electrones en un
transistor NPN o huecos en un transistor PNP.

Figura 1: Diferencias en los terminales de los transistores

3. Para diferenciar un transistor NPN y uno PNP, es importante

identificar la terminal del emisor, ya que suele tener una flecha que indica su
dirección específica en el diagrama del transistor. Observando detenidamente
el transistor tipo NPN y PNP, como se muestra en (imagen 2), se puede notar
que la única diferencia radica en la orientación de la flecha en la terminal del
emisor.

Figura 2: Diferencias entre transistores

4. Estos transistores BJT son de un amplio uso en la electrónica,

usualmente se les conoce por su funcionamiento de amplificador e interruptor,
debido a esto es que se pueden encontrar desde computadoras, carros, radios y
en una gran variedad de equipos electrónicos.

4
 Funcionamiento de un transistor BJT

El transistor BJT es un dispositivo semiconductor que permite controlar grandes

flujos de corriente eléctrica mediante señales eléctricas de baja potencia. el transistor
cuenta con dos uniones: la unión entre las zonas de emisor y base, y la unión entre las
zonas de base y colector. Cada una de estas uniones puede ser polarizada en directa o
inversa. En consecuencia, desde este punto de vista, se definen las "zonas de
trabajo"(imagen 3) del transistor. Si las dos uniones se polarizan en directa, el
transistor opera en la zona de saturación. Si la unión de emisor se polariza en directa
y la unión de colector en inversa, el transistor se encuentra en la zona activa. Por otro
lado, si las dos uniones se polarizan en inversa, el transistor se encuentra en la zona
de corte. De esta manera se puede controlar el flujo de corriente eléctrica que se
requiera.

Figura 3: Estados del transistor

Tipos De Transistores BJT

2N2222 - Transistor BJT NPN de 30V

El transistor 2N2222 (imagen 4) es un dispositivo electrónico de tipo NPN,

diseñado para aplicaciones de baja potencia. Tiene una capacidad de disipación
máxima de 625 mW y puede controlar dispositivos que consumen hasta 600 mA o

5
requieren tensiones de hasta 40 VDC, siempre y cuando no se exceda su límite de
potencia de disipación.

Figura 4: Transistor 2N2222

2N3904 - Transistor BJT NPN de 40V

El transistor BJT 2N3904(imagen 5) es un dispositivo electrónico de tipo NPN,

destinado para propósitos generales en amplificación y conmutación. Tiene una
capacidad de disipación máxima de 625 mW y puede controlar dispositivos que
consuman hasta 200 mA o requieran tensiones de hasta 40 VDC.

Figura 5: Transistor BJT 2N3904

2N3906 - Transistor BJT PNP de 40V

El transistor BJT 2N3906 (imagen 6) es un dispositivo electrónico de tipo PNP,

diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación de media potencia. Tiene
una capacidad de disipación máxima de 625 mW y puede controlar dispositivos que

6
consuman hasta 200 mA o requieran tensiones de hasta 40 VDC, con una ganancia
hasta de 300 MHz."

Figura 6: Transistor BJT 2N3906

7
 COMPONENTES

Figura 7: Buzzer

Figura 8: Transistor NPN BC547

8
Figura 9: LED rojo

Figura 10: Resistencia de 330 ohmios

9
 PROCEDIMIENTO

Antes de realizar cualquier conexión en la protoboard, se procedió a realizar una

simulación en Proteus, reemplazando para efectos de la misma a la antena por un
generador de corriente. Una vez comprobado el funcionamiento correcto del circuito
en la simulación, se procedió a la construcción del circuito en la vida real. Esta primera
iteración del circuito en físico no funcionaba correctamente, pues al medir la corriente
en la rama del buzzer y el LED, no había suficiente como para que éstos se activasen.

Haciendo uso de la hoja de datos del transistor BC547, se realizaron

comprobaciones básicas de las conexiones de estos componentes y se descubrió que
éstos no estaban conectados en la orientación correcta. Después, se incrementó la
longitud y el número de vueltas de la antena, aumentando así la corriente inducida que
circulará a través de ella.

En ésta segunda iteración, la corriente en la rama de salida del puente Darlington

seguía sin ser suficiente. Haciendo una revisión más exhaustiva de las conexiones, se
observó que la conexión de los 3 colectores de los transistores no era la correcta, pues
éstos deben de estar conectados de forma común a una misma línea y ésta a su vez
conectada a la rama del buzzer y el LED.

Una vez realizadas las correciones de esta tercera iteración, el circuito funcionó
correctamente, reaccionando a corrientes inducidas en la antena por el campo
producido por la corriente alterna de los tomacorrientes. También, debido a la alta
sensibilidad de la antena gracias a las modificaciones realizadas en la segunda
iteración, el circuito reaccionaba al campo producido por el propio cuerpo humano.

10
 RESULTADOS

Se procederá a encontrar la fórmula de la ganancia de corriente 𝛽 para una configuración

Darlington de tres transistores y la corriente de base 𝐼 .

Figura 11: Ejemplo de puente Darlington

Bases Teóricas:

𝐼 =𝛽 𝐼 𝐼 =𝐼 +𝐼
=𝛽 𝐼 =𝛽 𝐼 𝐼 =𝐼 +𝐼
𝐼 =𝛽 𝐼 𝐼 =𝐼 +𝐼 +𝐼

Donde:
𝐼 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑠𝑒 𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛
𝐼 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛
𝛽 = 𝐵𝑒𝑡𝑎 𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛
𝐼 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒𝑙 1 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
𝐼 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑑𝑒𝑙 1 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
𝛽 = 𝐵𝑒𝑡𝑎 𝑑𝑒𝑙 1 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
𝐼 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒𝑙 2 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟

11
 𝐼 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑑𝑒𝑙 2 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
𝛽 = 𝐵𝑒𝑡𝑎 𝑑𝑒𝑙 2 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
𝐼 = 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒𝑙 3 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
𝛽 = 𝐵𝑒𝑡𝑎 𝑑𝑒𝑙 3 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟

Cálculos:

𝐼 = 𝐼 +𝐼 +𝐼
𝐼 =𝛽 𝐼 +𝛽 𝐼 +𝛽 𝐼
𝐼 =𝛽 𝐼 +𝛽 (𝐼 +𝐼 )+𝛽 (𝐼 +𝐼 +𝐼 )
𝐼 =𝛽 𝐼 +𝛽 (𝛽 𝐼 +𝐼 )+𝛽 (𝛽 𝐼 +𝛽 𝐼 +𝐼 )
𝐼 =𝛽 𝐼 +𝛽 (𝛽 𝐼 +𝐼 )+𝛽 (𝛽 (𝛽 𝐼 +𝐼 )+𝛽 𝐼 +𝐼 )
𝐼 = 𝐼 ( 𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 ) + 𝛽 [ 𝐼 (𝛽 𝛽 + 𝛽 ) + 𝛽 𝐼 +𝐼 ]
𝐼 = 𝐼 ( 𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 ) + 𝐼 (𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 𝛽 𝛽 )
𝐼 = 𝐼 {( 𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 ) + [ 𝛽 + 𝛽 ( 𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 )]}
𝐼
= {( 𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 ) + [ 𝛽 + 𝛽 ( 𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 )]} = 𝛽
𝐼

𝛽 = {(𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 ) + [𝛽 + 𝛽 (𝛽 + 𝛽 𝛽 + 𝛽 )]}

Con los valores de 𝛽 prácticos (tomados en el laboratorio) de los 3 transistores podemos

calcular el valor de 𝛽

𝛽 = 475
𝛽 = 442
𝛽 = 445

𝛽 = {(475 + (442 ∗ 475) + 442) + [445 + 445 ∗ (475 + (442 ∗ 475) + 442)]}

𝛽 = 94047127

Ahora se procederá a calcular la Corriente de Base Darlington (𝐼 )

12
 𝐼
𝐼 =
𝛽

Para un Voltaje de entrada de 9V, la Corriente de Colector (𝐼 ) tomada en el Laboratorio

fue 𝐼 = 220𝜇𝐴 esta corriente la llamaremos 𝐼 por que es la corriente que se midió cuando
el circuito estaba activo (detectando corriente AC) y llamaremos 𝐼 en el caso contrario.

𝐼
𝐼 =
𝛽
220𝜇𝐴
𝐼 = = 2,34𝜌𝐴
94047127
Para 𝐼 = 0,1𝜇𝐴

0,1𝜇𝐴
𝐼 = = 1,06 ∗ 10 𝐴
94047127

Realizando el mismo proceso para los valores de 0,7 V; 1,5 V; 3,5 V. Tenemos el siguiente
cuadro.

Volt 𝐼 𝐼 𝐼 𝐼

0,7 V 0,3𝜇𝐴 0,3𝜇𝐴 ~ ~

1,5 V 7𝜇𝐴 0,2𝜇𝐴 7,44 ∗ 10 𝐴 2,13 ∗ 10 𝐴

3,5 V 90𝜇𝐴 0,3𝜇𝐴 9,57 ∗ 10 𝐴 3,19 ∗ 10 𝐴

9V 220𝜇𝐴 0,1𝜇𝐴 2,34 ∗ 10 𝐴 1,06 ∗ 10 𝐴

13
 ANÁLISIS DE LOS RESULTADOS

Podemos Observar que las Corrientes de Base 𝐼 se ven amplificadas por la ganancia de
Corriente 𝛽 de la configuración Darlington de los tres Transistores utilizados para tener en la
salida una Corriente 𝐼 mucho mayor. Este proceso de amplificación de corriente es el
principal responsable del funcionamiento de nuestro detector de Corriente AC sin contacto sin
él la detección no se podría realizar.

14
 CONCLUSIÓN

En conclusión, después de un proceso de montaje en el simulador Proteus y con

algunas complicaciones que se resolvieron en el laboratorio, del montaje en la
protoboard, se realizó con éxito el detector de corriente alterna. A través de este
laboratorio, se obtuvieron resultados y dichos resultados también fueron analizados,
como además se realizó una explicación teórica acerca del transistor BJT. Este
laboratorio permite una comprensión más detallada de la estructura y comportamiento
de estos transistores tan fundamentales y presentes en una amplia gama de aparatos
electrónicos

15
 REFERENCIAS

Referencias de fuentes electrónicas en línea

Fabiana, A. (2019). Unit Electronics. Transistores BJT. Extraído el 8 de junio desde

[Link]

Mario, G. (2024) . Wikipedia la enciclopedia libre. Transistor de unión bipolar.

Extraído el 8 de junio desde
[Link]

Areatecnologia. Transistor. Extraído el 8 de junio desde

[Link]

16
 ANEXOS

A continuación, se encuentra la hoja de datos del transistor BC547.

17
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC546/D

 

NPN Silicon
  
  
COLLECTOR
1

2
BASE

3
EMITTER
1
MAXIMUM RATINGS 2
3
BC BC BC
Rating Symbol 546 547 548 Unit CASE 29–04, STYLE 17
Collector – Emitter Voltage VCEO 65 45 30 Vdc TO–92 (TO–226AA)

Collector – Base Voltage VCBO 80 50 30 Vdc

Emitter – Base Voltage VEBO 6.0 Vdc
Collector Current — Continuous IC 100 mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C PD 625 mW
Derate above 25°C 5.0 mW/°C
Total Device Dissipation @ TC = 25°C PD 1.5 Watt
Derate above 25°C 12 mW/°C
Operating and Storage Junction TJ, Tstg – 55 to +150 °C
Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient RqJA 200 °C/W
Thermal Resistance, Junction to Case RqJC 83.3 °C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage BC546 V(BR)CEO 65 — — V
(IC = 1.0 mA, IB = 0) BC547 45 — —
BC548 30 — —
Collector – Base Breakdown Voltage BC546 V(BR)CBO 80 — — V
(IC = 100 µAdc) BC547 50 — —
BC548 30 — —
Emitter – Base Breakdown Voltage BC546 V(BR)EBO 6.0 — — V
(IE = 10 mA, IC = 0) BC547 6.0 — —
BC548 6.0 — —
Collector Cutoff Current ICES
(VCE = 70 V, VBE = 0) BC546 — 0.2 15 nA
(VCE = 50 V, VBE = 0) BC547 — 0.2 15
(VCE = 35 V, VBE = 0) BC548 — 0.2 15
(VCE = 30 V, TA = 125°C) BC546/547/548 — — 4.0 µA

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data 1

 Motorola, Inc. 1996
       

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)

Characteristic Symbol Min Typ Max Unit

ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE —
(IC = 10 µA, VCE = 5.0 V) BC547A/548A — 90 —
BC546B/547B/548B — 150 —
BC548C — 270 —

(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) BC546 110 — 450

BC547 110 — 800
BC548 110 — 800
BC547A/548A 110 180 220
BC546B/547B/548B 200 290 450
BC547C/BC548C 420 520 800

(IC = 100 mA, VCE = 5.0 V) BC547A/548A — 120 —

BC546B/547B/548B — 180 —
BC548C — 300 —

Collector – Emitter Saturation Voltage VCE(sat) V

(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA) — 0.09 0.25
(IC = 100 mA, IB = 5.0 mA) — 0.2 0.6
(IC = 10 mA, IB = See Note 1) — 0.3 0.6
Base – Emitter Saturation Voltage VBE(sat) — 0.7 — V
(IC = 10 mA, IB = 0.5 mA)
Base–Emitter On Voltage VBE(on) V
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V) 0.55 — 0.7
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V) — — 0.77

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product fT MHz
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz) BC546 150 300 —
BC547 150 300 —
BC548 150 300 —
Output Capacitance Cobo — 1.7 4.5 pF
(VCB = 10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Input Capacitance Cibo — 10 — pF
(VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Small–Signal Current Gain hfe —
(IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V, f = 1.0 kHz) BC546 125 — 500
BC547/548 125 — 900
BC547A/548A 125 220 260
BC546B/547B/548B 240 330 500
BC547C/548C 450 600 900
Noise Figure NF dB
(IC = 0.2 mA, VCE = 5.0 V, RS = 2 kW, BC546 — 2.0 10
f = 1.0 kHz, ∆f = 200 Hz) BC547 — 2.0 10
BC548 — 2.0 10
Note 1: IB is value for which IC = 11 mA at VCE = 1.0 V.

2 Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

       

2.0 1.0
VCE = 10 V TA = 25°C
hFE , NORMALIZED DC CURRENT GAIN 1.5 0.9
TA = 25°C
0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10

V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 0.7
0.8 0.6 VBE(on) @ VCE = 10 V

0.6 0.5
0.4
0.4 0.3

0.3 0.2
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0.1
0.2 0
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50 70 100
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc) IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)

Figure 1. Normalized DC Current Gain Figure 2. “Saturation” and “On” Voltages

2.0 1.0
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (V)

θVB, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ °C)

TA = 25°C –55°C to +125°C
1.2
1.6
IC = 200 mA
1.6
1.2
IC = IC = IC = 50 mA IC = 100 mA
2.0
10 mA 20 mA
0.8
2.4

0.4
2.8

0
0.02 0.1 1.0 10 20 0.2 1.0 10 100
IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 3. Collector Saturation Region Figure 4. Base–Emitter Temperature Coefficient

BC547/BC548
f T, CURRENT–GAIN – BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

10 400
300
7.0 TA = 25°C
200
C, CAPACITANCE (pF)

5.0 Cib

VCE = 10 V
100
3.0 TA = 25°C
80
Cob
60
2.0
40
30

1.0 20
0.4 0.6 0.8 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10 20 40 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30 50
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)

Figure 5. Capacitances Figure 6. Current–Gain – Bandwidth Product

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data 3

       

BC547/BC548

1.0
hFE , DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)

TA = 25°C
VCE = 5 V
TA = 25°C 0.8
VBE(sat) @ IC/IB = 10

V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0
0.6
VBE @ VCE = 5.0 V
1.0
0.4
0.5

0.2
0.2
VCE(sat) @ IC/IB = 10
0
0.1 0.2 1.0 10 100 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IC, COLLECTOR CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 7. DC Current Gain Figure 8. “On” Voltage

VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

2.0 –1.0

θVB, TEMPERATURE COEFFICIENT (mV/ °C)

TA = 25°C
1.6 –1.4
20 mA 50 mA 100 mA 200 mA
1.2 –1.8
θVB for VBE
IC = –55°C to 125°C
0.8 –2.2
10 mA

0.4 –2.6

0 –3.0
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 9. Collector Saturation Region Figure 10. Base–Emitter Temperature Coefficient

BC546

40
f T, CURRENT–GAIN – BANDWIDTH PRODUCT

TA = 25°C VCE = 5 V
500 TA = 25°C
20
C, CAPACITANCE (pF)

Cib
200

10
100

6.0 50

4.0 Cob
20

2.0
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 1.0 5.0 10 50 100
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 11. Capacitance Figure 12. Current–Gain – Bandwidth Product

4 Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

       

PACKAGE DIMENSIONS

NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
A B
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
IS UNCONTROLLED.
R 4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.
DIMENSION D AND J APPLY BETWEEN L AND K
P MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED
IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
L
SEATING F
PLANE K INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.175 0.205 4.45 5.20
D B 0.170 0.210 4.32 5.33
C 0.125 0.165 3.18 4.19
J D 0.016 0.022 0.41 0.55
X X F 0.016 0.019 0.41 0.48
G G 0.045 0.055 1.15 1.39
H H 0.095 0.105 2.42 2.66
SECTION X–X J 0.015 0.020 0.39 0.50
V C K 0.500 ––– 12.70 –––
L 0.250 ––– 6.35 –––
N 0.080 0.105 2.04 2.66
1 N P ––– 0.100 ––– 2.54
R 0.115 ––– 2.93 –––
N V 0.135 ––– 3.43 –––

STYLE 17:
CASE 029–04 PIN 1. COLLECTOR
2. BASE
(TO–226AA) 3. EMITTER
ISSUE AD

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data 5

       

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◊ BC546/D