1.
Leer, analizar, y asimilar la información proporcionada en el marco
teórico de la presente hoja guía. Se evaluarán mediante coloquio los
tópicos tratados en el marco teórico.
2. Consultar la data sheet, presentar y describir de manera resumida las
características relevantes del diodo 1N4004, el optotransistor 4N25, el
controlador TL494 y el timer 555.
Diodo 1N4004
Pico máximo de voltaje inverso 400 V
(VRRM).
Voltaje RMS máximo. 280 V
Voltaje DC máximo inverso. 400 V
Corriente máxima de conducción 1 A
promedio i(AV).
Pico de corriente máxima por 8.3 ms 30 A
(IFSM).
Corriente inversa (IR). 5 Ua
Temperatura de trabajo. -65 a +150 °C
Tabla 1. Características del diodo 1N4004 [1].
Optotransistor 4N25
Voltaje inverso de entrada (VR) 6 V
máximo.
100 mA
Corriente del colector máxima Ic.
Voltaje C-E máx. 30 V
Corriente máxima de conducción 80 mA
promedio IF.
Voltaje E-C máx. 7 V
Corriente de colector oscura. 50 nA
Temperatura de trabajo. -55 a +150 °C
1.2 V
Voltaje de conducción estándar.
Tabla 2. Características del optoransistor 4N25 [2].
Controlador TL494
Voltaje de alimentación máximo 42 V
DC Vcc
Voltaje de salida en colector 42 V
máximo Vc
Corriente de colector máxima 500 mA
Voltaje de alimentación mínimo 7 V
Voltaje referencial 5 V
Temperatura de trabajo -40 a +125 °C
Tabla 3. Características del controlador TL494 [3].
Timer 555
18 V
Voltaje de alimentación máximo DC Vcc
Voltaje de alimentación mínimo 4.5 V
Corriente de alimentación máxima (vcc=5V 5 mA
y RL infinita)
Error monoestable máximo 3 %
Error aestable máximo 13 %
Voltaje de disparo Vtrig a 5 Vcc 5 V
Tabla 4. Características Timer 555 [4]
3. Diseñar el circuito de la Figura 2 “Disparo del transistor bipolar
utilizando optoaislador”. (El instructor verificará el cálculo de las
resistencias R1 y R2). La señal de control es una fuente de pulsos de
frecuencia 1KHz con una relación de trabajo del 50%. Presentar el
análisis del funcionamiento y dibujar la forma de onda esperada en el
emisor del fototransistor (4N25) y en la carga. Asumir una carga
resistiva de 10 ohmios.
En el diagrama original se utiliza un transistor Darlington TIP 120, sin embargo, para
facilitar la simulación se hará uso de un TIP122. Ambos transistores son similares y
completamente funcionales para el propósito requerido.
Para el diseño del circuito es necesario separar las dos partes del mismo, en este caso
la parte A sería el circuito de control (5 [v]), mientras que la parte B sería el circuito de
Potencia (24 [v]).
Diseño circuito A:
Teniendo en cuenta que para la parte de control el circuito integrado la fuente de
alimentación es un pulso cuadrado de 5 [v], además de que el circuito integrado 4N25
trabaja con un voltaje entre 1.2 a 1.5 [v] y una corriente de 24 [mA], fue necesario
implementar una resistencia que cumpla con las siguientes características:
𝑉𝑅1 = 5 − 1.4 = 3.6[𝑉]
𝐼𝑅1 = 24 [𝑚𝐴]
𝑉𝑅
∴ 𝑅1 = 1 = 150 [Ω]
𝐼𝑅1
Para el circuito B:
Teniendo en cuenta que según las especificaciones del TIP122, su voltaje Base-Emisor
es de aproximadamente 2.5 voltios, sobre R3 caería un voltaje de casi 22 voltios.
Además, conociendo que la corriente de base máxima del TIP122 es de 150 [mA], un
valor apropiado para R3 sería de 1k [Ω]. Con R3 de dicho valor, la corriente de base en
el TIP122 sería aproximadamente de 22 [mA], lo cual permite trabajar lejos de los
valores máximos de corriente que el transistor soporta. La configuración del circuito se
puede observar en la ilustración 1, la salida esperada se encuentra en la ilustación 2 y
la simulación del circuito se encuentra en la ilustración 3 Finalmente, es importante
aclarar que de ser necesario disminuir la amplitud de la señal PWM en la carga, bastaría
con aumentar la resistencia R3.
Ilustración 1. Circuito disparador con optoailsador.
30V
20V
10V
0V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(V1:+,V1:-)
Time
Ilustración 2. Salida esperada del circuito disparador.
30V
20V
10V
0V
-10V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms
V(R4:2,R4:1)
Time
Ilustración 3. Simulación del circuito disparador.
4. Utilizando el controlador TL494, simular el circuito generador PWM
en lazo abierto como se indica en la figura. La señal de entrada del
comparador PWM (pin 3) es un voltaje que relaciona la relación de
trabajo D (duty cycle) con el voltaje pico de la señal triangular que se
obtiene del oscilador (pin 5 INPUT _VTH). En este caso, para lazo
abierto el circuito del controlador está diseñado para ingresar como
dato. Este valor de acuerdo a la hoja de datos del fabricante tiene un
valor típico de 2.5 V hasta un máximo de 4.5 V. Por ejemplo, para una
relación de trabajo 0.9 y INPUT_VTH=4 el voltaje del comparador
PWM es 3.6. En los amplificadores de error no utilizados, los
terminales deben estar conectados a tierra. Puesto que la frecuencia
de conmutación se ajusta en el esquema del Modelo Pspice dado
(ejemplo 20 KHz), los pines 5 y 6 se pueden conectar a tierra utilizando
resistencias de alto valor. El circuito integrado físico TL494 utiliza la
combinación de resistencia y condensador para determinar la
frecuencia de conmutación frecuencia usando la siguiente relación:
𝑓𝑜𝑠𝑐 ≈ 1.1 𝑅𝑇𝐶𝑇 (1) NOTA: Revisar la hoja de datos del controlador
TL494.
Como se mencionó, el circuito mostrado en la ilustración 4, el circuito simulado permite
obtener una señal PWM en la salida de manera más estable y precisa que si se trabajara
con elementos analógicos.
Ilustración 4. Circuito disparador con integrado TL494.
15V
10V
5V
0V
-5V
0s 50us 100us 150us 200us 250us 300us
V(R4:2,R4:1) V(R5:2,R5:1)
Time
Ilustración 5. Salida del TL494.
5. Diseñar un circuito generador PWM de frecuencia 10KHz, utilizando
el circuito integrado 555 como AESTABLE. Para el diseño consultar
la data sheet del 555 de la Texas Instrument. NOTA: Calcular todos
los elementos electrónicos. (NOTA: No se evaluarán circuitos que no
cumplan con los requerimientos ni TAMPOCO CIRCUITOS
BAJADOS DE INTERNET)
En la hoja de datos del integrado LM555 se puede observar el modelo y las ecuaciones
que pueden usarse para obtener una señal PWM, para el caso de un F = 10 [kHz] se
puede realizar el siguiente análisis para encontrar los valores de RA, RB y C.
𝑇 = 𝑡1 + 𝑡2
𝑡1 = 0.693 ∗ 𝐶 ∗ (𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 )
𝑡2 = 0.693 ∗ 𝐶 ∗ 𝑅𝐵
Si asumimos un valor de C = 0.01 uF, y un tiempo de trabajo en bajo de 40% de T:
𝑡2 = 0.693 ∗ 0.01 ∗ 10−9 ∗ 𝑅𝐵 = 40 ∗ 10−6
𝑅𝐵 = 5.7[𝑘𝛺]
Dado que por la ecuación de t1, la resistencia RB tiene gran influencia, es posible
asumir un valor de R1 inicial en 1 [kΩ] e ir disminuyendo dicho valor hasta tener una
relación de trabajo del 50% y la frecuencia deseada.
Después de realizar ajustes en el software de simulación PSpice, fue posible obtener el
siguiente circuito y su señal PWM
Ilustración 6. Circuito oscilador aestable con LM555.
4.0V
2.0V
0V
-2.0V
0s 50us 100us 150us 200us
V(X1:OUTPUT,0)
Time
Ilustración 7. Señal PWM del circuito en la ilustración 6.
6. Bibliografía
[1] T. SEMICONDUCTOR, 1N4004 Datasheet, Taiwan Semiconductor Company, Ltd..
[2] A. T. LIMITED, «[Link],» [En línea]. Available:
[Link] [Último
acceso: 26 04 2025].
[3] O. Semiconductor, «TL494 Datasheet,» [En línea]. Available:
[Link] [Último
acceso: 26 04 2025].
[4] N. Semiconductors, «NE555 Datasheet,» [En línea]. Available:
[Link] [Último
acceso: 26 04 2025].