Grado en Ingenierı́a de Organización Industrial - Fundamentos de Electrónica (30121)
Tema 2
El Transistor
Javier Martı́nez Lahoz
EUPLA - UNIZAR
2024/2025
J. Martı́nez El Transistor 1 / 32
Grado en Ingenierı́a de Organización Industrial - Fundamentos de Electrónica (30121)
1 Funcionamiento y Polarización
2 Circuitos de polarización
3 Amplificadores con transistores
4 Transistores reales
J. Martı́nez El Transistor 2 / 32
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El Transistor: Funcionamiento y Polarización
Un transistor bipolar esta formado por dos uniones PN consecutivas.
Estas uniones se denominan unión emisora (entre base y emisor) y unión
colectora (entre base y colector).
Existen dos tipos de transistores bipolares:
NPN: Emisor y colector son regiones N y la base es región P.
PNP: Emisor y colector son regiones P y la base es región N.
Colector Colector
C N C P
B NPN Base P B PNP Base N
E N E P
Emisor Emisor
J. Martı́nez El Transistor Funcionamiento y Polarización 3 / 32
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El Transistor: Funcionamiento y Polarización
Colector
Funcionamiento de un transistor NPN:
Polarización de las uniones: BE
directamente y BC inversamente. VC > VB
N
Desaparece la barrera de potencial en BE
(si VBE > 0,7V ).
Electrones del emisor viajan hasta la base.
Base P
Como VC > VB la mayorı́a de electrones
viajan al colector.
e−
Consideraciones:
El sentido de las corrientes es contrario a
N
VB > VE
los electrones.
La relación IBE y ICE es proporcional.
Emisor
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El Transistor: Funcionamiento y Polarización
Caracterı́sticas de un transistor NPN
IC
Ley de nodos: IE = IB + IC
Barrera de potencial: VB − VE = 0,7V C
IB B
Proporcionalidad de corrientes: IIBE = β VCE
VBE
β es una constante del componente. E
Puede variar hasta un 20 % entre unidades del
mismo dispositivo. IE
También depende de la temperatura.
Normalmente emplearemos la β nominal a 25C .
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El Transistor: Funcionamiento y Polarización
El transistor bipolar PNP tiene el mismo funcionamiento, pero invirtiendo
los sentidos de las tensiones y corrientes:
IC IE
Caracterı́sticas C VBE E
IE = IB + IC IB B IB
VCE VCE
VB − VE = −0,7V B
VBE
IE
=β E C
IB
IE IC
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El Transistor: Ejemplo de Polarización
Cálculo de corriente de base:
RC
VBB − VBE 5V − 0,7V
IB = = = 430µA
+ VCC RB 10kΩ
RB −
Cálculo de corriente de colector:
VBB +
− IC = IB · β = 430µA · 150 = 64,5mA
Caı́da de tensión en RC :
VRC = IC · RC = 64,5mA · 100Ω = 6,45V
VBB = 5V VCC = 10V Caı́da de tensión en el transistor:
RB = 10kΩ RC = 100Ω
β = 150 VCE = VCC − VRC = 10V − 6,45V = 3,55V
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El Transistor: Curvas caracterı́sticas
Modificando la tensión VCC con VBB constante se obtiene una curva
caracterı́stica del transistor NPN.
Se pueden observar tres regiones:
IC
Región de Saturación:
La tensión VCC no es capaz de
generar una corriente mayor a β · IB ,
IC está limitada por VCC y RC .
Región de Corriente constante:
IC está limitada por β · IB . Para
βIB mantener la corriente constante VCE
va aumentando.
Región de Avalancha:
El fenómeno de avalancha aumenta
VCE rápidamente la corriente IC pudiendo
VRotura
destruir el transistor.
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El Transistor: Región de corte y saturación
Al dibujar múltiples curvas de diferentes IB superpuestas podemos
identificar los dos modos de trabajo como conmutador: el modo de
saturación y el modo de corte.
Modo de Saturación (IB elevada):
IC Saturación IC es elevada y VCE es muy pequeña,
IB6 > IB5
haciendo que casi toda la caı́da de
IB5 > IB4 tensión (y potencia) caiga en la
IB4 > IB3 resistencia RC .
Aumentar más IB no aumenta IC .
IB3 > IB2 El transistor se comporta como un
IB2 > IB1 contacto cerrado.
IB1 Modo de Corte (IB nula):
VCE iguala VCC , dejando a RC sin
Corte
IB = 0 caı́da de tensión. IC prácticamente
VCC VCE nula.
El transistor se comporta como un
contacto abierto.
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El Transistor: Región de corte y saturación
Ejemplo: Comprobar si el transistor del siguiente circuito esta saturado.
Cálculo de corriente de base:
RC
VBB − VBE 3V − 0,7V
IB = = = 230µA
+ VCC RB 10kΩ
RB −
Cálculo de corriente de colector (según IB ):
VBB + IC = IB · β = 230µA · 50 = 11,5mA
−
Cálculo de corriente de colector (en saturación):
VCC − VCE (sat) 10V − 0,2V
IC = = = 9,8mA
RC 1kΩ
VBB = 3V VCC = 10V El transistor está saturado con IC a 9,8mA.
RB = 10kΩ RC = 1kΩ
β = 50
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El Transistor: Aplicación como conmutador
Un transistor como interruptor se emplea únicamente en las regiones de
corte y saturación. Actúa como un contacto abierto o cerrado.
VCC Saturación / Circuito cerrado:
Calculamos la corriente de
saturación según la carga y VCC .
VCC − VCE (sat)
RC IC (sat) =
RC
VBB Calculamos IB(min) .
RB
IC (sat)
IB(min) =
β
Calculamos RB según IB(min) y
VBB .
Corte / Circuito abierto:
VBB − VBE
La única condición es VBB = 0. RB =
RB
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El Transistor: Aplicación como amplificador
Como una pequeña variación de IB genera una gran variación en IC ,
podemos emplear un transistor para amplificar una señal.
Un aumento de VB provoca un
aumento de IB .
Un pequeño aumento de IB
IC RC VRC provoca un gran aumento de IC
que provoca un gran aumento de
+ VCC VRC .
IB −
Un aumento de VRC provoca una
disminución de VCE .
RB
Vin
VCE v (t)
VB VCE
VBB +
− VCC Vout > Vin
VB
VBB Vin
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El Transistor: Aplicación como amplificador
En el circuito anterior, para cada valor de IB podemos obtener los valores
de IC y VCE . (β = 100, VCC = 10V , RC = 220Ω)
IB = 200µA → IC = 20mA IC [mA]
VCE = VCC − RC · IC = 5,6V
60
IB = 300µA → IC = 30mA
50
VCE = 3,4V Q3
40 IB = 400µA
IB = 400µA → IC = 40mA Q2
IB = 300µA
30
VCE = 1,2V Q1
20 IB = 200µA
Con estos puntos (Q1 , Q2 y Q3 )
10
podemos representar gráficamente la
recta de carga del transistor. VCE [V ]
0 2 4 6 8 10
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Polarización en corriente continua
Selección del punto de polarización:
Empleando el caso anterior con RB = 10kΩ y VCE (sat) = 0,2V :
VCC − VCE (sat) 10V − 0,2V
IC (sat) = = = 45,45mA
RC 220Ω
IC (sat) 45,45mA
IB(sat) = = = 454,5µA
β 100
VB(sat) = IB(sat) · RB + VBE = 454µA · 10kΩ + 0,7V = 5,24V
VB(corte) = 0,7V
IB = 200µA IB = 300µA IB = 400µA
VBB = IB ·RB +0,7V = 2,7V VBB = IB ·RB +0,7V = 3,7V VBB = IB ·RB +0,7V = 4,7V
Rango: +2.54V -2V Rango: +1.54V -3V Rango: +0.54V -4V
Entre estas tres opciones, la mejor es la primera. Pero la ideal es:
VB(sat) + VB(corte)
VBB = = 2,97V → IB = 227µA
2
Permitiendo un rango de entrada de ±2,27V
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Polarización con divisor de tensión
Es más adecuado usar una única fuente de tensión en vez de dos.
Una solución es polarizar el transistor con un divisor de tensión.
Si asumimos que I2 es mucho mayor a IB (20 veces):
VCC
I2 >> IB → I2 + IB ≃ I2
Entonces podemos calcular VA como:
I2 + IB R1 RC IC
R2
VA = VCC
R1 + R2
IB
Similarmente, podemos asumir que IC >> IB → IE ≃ IC
VA
Por lo tanto:
VA = RE · IC + VBE
I2 R2 RE IE
VCC = RC · IC + VCE + RE · IC
VCE = VCC − IC · RC − VE
VCE = VCC − IC (RC + RE )
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Polarización por base
Emplea una única resistencia para fijar IB con VCC .
Es más sensible a la temperatura y a IC que el divisor de tensión.
VCC
Corriente de base:
VCC − VBE
IB =
RB
IB RB RC IC
Corriente de colector:
VCC − VBE
IC = β
RB
Caı́da de tensión en el transistor:
VCE = VCC − IC · RC
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Polarización por emisor
Emplea dos fuentes de alimentación: VCC positiva y VEE negativa.
VCC
VEE + RE · IE + VBE + RB · IB = 0
Como IB = IβB y IE >> IB → IE ≃ IC
Podemos calcular IC :
RC IC
−VEE − VBE
IC =
RE + RβB
RB
Calculamos también VCE :
IB
VCE = VC − VE = VCC − RC · IC − VEE − RE · IC
RE IE VCE = VCC − VEE − IC (RE + RC )
Tanto β como VCE son sensibles a la temperatura, por
lo que el circuito es muy sensible a los cambios de
VEE temperatura.
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Polarización por realimentación de colector
La tensión de base se obtiene de la tensión colector-emisor.
Por la malla de RB :
VCC VCC − RC · (IC + IB ) − RB · IB − VBE = 0
IC
Como IB = β
:
RC IC + IB IC
IB VCC − RC · IC − (RB + RC ) − VBE = 0
β
Despejando IC :
RB
VCC − VBE VCC − VBE
IC = ≃
RC + RC +R
β
B
RC + RβB
Calculamos la caı́da de tensión:
VCE = VC ≃ VCC − RC · IC
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Amplificadores con transistores: El amplificador lineal
VCC
R1 RC
La polarización del transistor
C2 fija el punto de trabajo.
A traves de C1 se introduce una
Rs
tensión alterna, que se extrae
por C2 .
C1 RL
C1 y C2 evitan que las tensiones
Vs continuas se deriven a Rs y RL .
R2 RE
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Circuito equivalente en corriente alterna
Modelo simplificado:
Existen cinco Modelo del transistor:
C αac Ie ≃ βac Ib
parámetros rc′ ≃ ∞
fundamentales:
rb′ ≃ 0
αac C
βac αac Ie rc′
re′
βac Ib
rb′
rb′
rc′ B
B
Asumiendo trabajo a
20ºC: re′
re′
KT 0,025
re′ = ≃
QIe Ie E
E
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Amplificador de emisor común
Análisis del amplificador de emisor común:
VCC
1º - Análisis corriente continua
▶ Punto de trabajo.
R1 RC
▶ Rango de trabajo.
C3 ▶ IE .
Rs 2º - Análisis corriente alterna
▶ re′ .
C1 RL ▶ Rin .
Vs ▶ Rout .
RE 1
▶ Ganancia A
R2 3º - Análisis en frecuencia
RE 2 C2 ▶ fmin .
Para el análisis en corriente continua, los
condensadores actúan como contactos
abiertos.
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Amplificadores con transistores: Análisis en corriente
alterna
Para el análisis en corriente alterna los condensadores actúan como
contactos cerrados, y las fuentes de tensión actúan como masa (debido a
los condensadores de desacoplo).
Vout
Rs
Vin
re′
Vs R1 R2 RC RL
RE 1
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Amplificadores con transistores: Análisis en corriente
alterna
Resistencia de salida:
Resistencia de entrada:
Rout = RC //RL
Rin = R1 //R2 //Rb
Tensión de salida:
Rb = βac (re′ + RE 1 )
Vout = Ie Rout
Tensión de entrada:
Rs + Rin Rs + Rin Ganancia de corriente:
Vs = Vin = Ie (re′ +RE 1 )
Rin Rin Ic
Ai = = βac
Ib
Ganancia del circuito:
Vout Ie RC //RL Rin
Av = = S′ ·
Vin ISe re + RE 1 Rs + Rin
Rin
Rs +Rin
son las perdidas en la entrada del circuito.
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Amplificadores con transistores: Frecuencia mı́nima
Se considera que el sistema funciona adecuadamente si la impedancia
(XC ) del condensador C2 es menor al 10 % de RE 2 .
RE 2
XC 2 <
10
1
XC =
2πfC
La frecuencia mı́nima de trabajo será:
1
f =
2π R10E 2 C
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Amplificador en colector común
Análisis del amplificador en colector común:
VCC
R1
Caracterı́sticas:
Rs Ganancia de tensión aprox. 1.
Vin
C2
Elevada impedancia de entrada.
Vout
C1
Elevada ganancia de corriente.
Vs
R2 RE RL
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Amplificador en colector común
Circuito equivalente en corriente alterna:
Rs
Vin
Vout
re′
Vs R1 R2
RE RL
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Amplificador en colector común
Análisis del amplificador en colector común:
Resistencia de entrada:
Ganancia de tensión: Rin = R1 //R2 //Rb
Ganancia de tensión
Vout Rb = βac re′ + (RE //RL )
Av = incluyendo pérdidas:
Vin
(RE //RL ) Rin Resistencia de salida:
Vout = Ie (RE //RL ) Av = ·
re′ + (RE //RL ) Rs + Rin Rout = (Rbe + re′ )//RE //RL
Vin = Ie re′ + (RE //RL )
Ganancia de corriente:
Ie (RE //RL )
Av = S Ie βac Ib
Ie [re′ + (RE //RL )] Ai = ≃ R1 //R2 //Rs
S Ib Ib Rbe =
Si (RE //RL ) >> re′ : βac
Ai = βac
Av ≃ 1
Rs
Rout ≃ //RE //RL
βac
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Amplificadores con transistores: Amplificador en base
común
Análisis del amplificador en base común:
VCC
R1 RC
C3 Caracterı́sticas:
Vout
Ganancia de corriente aprox. 1.
C1
Rs Baja impedancia de entrada.
Vin
C2
RL Elevada ganancia de tensión.
R2 RE Vs
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Amplificador en base común
Circuito equivalente en corriente alterna:
Vout
Rs
Vin
re′
RC RL
RE Vs
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Amplificador en base común
Análisis del amplificador en base común:
Anulando Ic con Ie e incluyendo
Resistencia de entrada: pérdidas:
Rin = re′ //RE Av =
RC //RL
·
Rin
re′ Rs + Rin
Resistencia de salida:
Si RE >> re′ → Rin ≃ re′ :
Rout = RC //RL RC //RL
Av =
Ganancia de tensión: Rs + re′
Ganancia de corriente
Vout Ic (RC //RL )
Av = =
Vin Ie · re′ Ie
Ai = ≃1
Ic
J. Martı́nez El Transistor Amplificadores con transistores 30 / 32
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Amplificadores con transistores: Par Darlington
El par darlington es una configuración de transistores en cascada, donde
la corriente de emisor del primero, IE 1 actúa como corriente de base del
segundo, IB2 .
El valor efectivo de β del conjunto es el producto de los β individuales.
VCC
Vin
T1
IB1
T2
β1 IB1
RE β1 β2 IB1
J. Martı́nez El Transistor Amplificadores con transistores 31 / 32
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El Transistor: Transistores reales
IC
Caracterı́sticas máximas de ∆IC
funcionamiento:
Tensión colector-emisor ICQ
Corriente de colector
IB
Potencia total
∆IB
IBQ
IC ∆IC
βDC = IB , βac = ∆IB
J. Martı́nez El Transistor Transistores reales 32 / 32