162 POLARIZACIÓN Varios factores controlan el nivel de operación de cd de un transistor, entre ellos el intervalo
DE CD DE LOS BJT de los posibles puntos de operación en las características del dispositivo. En la sección 4.2 espe-
cificamos el intervalo para el amplificador de transistor de unión bipolar (BJT). Una vez que se
han definido los niveles de corriente cd y voltaje deseados, se debe construir una red que establez-
ca el punto de operación deseado. En este capítulo se analizan varias de estas redes. Cada diseño
también determinará la estabilidad del sistema, es decir, cuán sensible es a las variaciones de la
temperatura, otro tema que se investigará en una sección de la parte final de este capítulo.
Aunque aquí analizaremos varias redes, hay una similitud subyacente en el análisis de cada
configuración, debido al uso recurrente de las siguientes relaciones básicas importantes de un
transistor:
VBE = 0.7 V (4.1)
IE = 1b + 12IB IC (4.2)
IC = bIB (4.3)
De hecho, una vez bien entendido el análisis de las primeras redes, la ruta a seguir para la
solución de las redes será cada vez más clara. En la mayoría de los casos, la primera cantidad a
determinar es la corriente en la base IB . Una vez conocida la IB, se pueden aplicar las relaciones de
las ecuaciones (4.1) a (4.3) para determinar las cantidades de interés restantes. Las semejanzas
en el análisis serán obvias de inmediato conforme avancemos a través del capítulo. Las ecuacio-
nes para IB son similares para varias configuraciones, de modo que se puede derivar una ecuación
de otra con sólo suprimir o agregar un término o dos. La función primordial de este capítulo es
desarrollar el nivel de conocimiento del transistor BJT que permita un análisis de cd de cualquier
sistema que pudiera emplear el amplificador de BJT.
4.2 PUNTO DE OPERACIÓN
●
El término polarización que aparece en el título de este capítulo es un término totalmente inclu-
sivo de la aplicación de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para
amplificadores con transistores, la corriente y voltaje de cd resultantes establecen un punto de
operación en las características que definen la región que se empleará para amplificar la señal
aplicada. Como el punto de operación es un punto fijo en las características, también se llama
punto quiescente (abreviado punto Q). Por definición, quiescente significa quieto, inmóvil,
inactivo. La figura 4.1 muestra una característica del dispositivo de la salida general para estable-
cer la operación del dispositivo en cualquiera de estos u otros puntos dentro de la región activa.
Las capacidades máximas se indican en las características de la figura 4.1 por medio de una línea
horizontal para la corriente máxima del colector ICmáx y una línea vertical para el voltaje máximo
de colector a emisor VCEmáx. La curva PCmáx define la restricción de potencia nominal máxi-
ma en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se encuentran la región de corte,
definida por IB … 0 mA, y la región de saturación, definida por VCE … VCEsat.
El dispositivo BJT podría ser polarizado para que opere afuera de estos límites máximos,
pero el resultado de tal operación acortaría considerablemente la duración del dispositivo o lo
destruiría. Si nos limitamos a la región activa, podemos seleccionar muchas áreas o puntos de
operación diferentes. A menudo, el punto Q seleccionado depende del uso pretendido del circui-
to. No obstante, podemos considerar algunas diferencias entre los varios puntos mostrados en la
figura 4.1 para presentar algunas ideas básicas sobre el punto de operación y, por ende, sobre el
circuito de polarización.
Si no se utilizara polarización, al principio el dispositivo estaría totalmente apagado o inac-
tivo, y el punto Q estaría en A, es decir, corriente cero a través del dispositivo (y voltaje cero a
través de él). Como es necesario polarizar un dispositivo de modo que sea capaz de responder
a todo el intervalo de una señal de salida, el punto A no sería adecuado. Para el punto B, si se
aplica una señal al circuito, el dispositivo variará la corriente y el voltaje a partir del punto de
operación, lo que permite que el dispositivo reaccione (y que posiblemente amplifique) tanto las
excursiones positivas como las negativas de la señal de entrada. Si selecciona apropiadamente
la señal de entrada, el voltaje y la corriente del dispositivo variarán, pero no lo suficiente para
llevar al dispositivo a corte o saturación. El punto C permitiría alguna variación positiva y
negativa de la señal de entrada, pero el valor pico a pico se vería limitado por la proximidad de
VCE 0 V e IC 0 mA. La operación en el punto C también hace que surjan dudas con respecto
a las no linealidades introducidas por el hecho de que la separación entre las curvas IB cambia
IC (mA) PUNTO DE OPERACIÓN 163
80 μA
70 μA
IC máx 25
60 μA
20 50 μA
PC máx 40 μA
15
30 μA
Saturación B
10
20 μA
D
10 μA
5 C
I B = 0 μA
A
0 5 10 15 20 VCE (V)
VCE sat Corte
VCE máx
FIG. 4.1
Varios puntos de operación dentro de los límites de operación de un transistor.
con rapidez en esta región. En general, es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es
bastante constante (o lineal) para garantizar que la amplificación a lo largo de toda la excursión
de la señal de entrada sea la misma. El punto B es una región de más separación lineal, y por
consiguiente de más operación lineal, como se muestra en la figura 4.1. El punto D sitúa el pun-
to de operación cerca del nivel máximo de voltaje y potencia. El voltaje de salida excursiona en
la dirección positiva, y por lo tanto se limita si no se excede el voltaje máximo. Por consiguien-
te, parece que el punto B es el mejor punto de operación en función de ganancia lineal y máxi-
ma excursión posible de voltaje y de corriente. En realidad, ésta es la condición deseada para
amplificadores de señal pequeña (capítulo 5) aunque no necesariamente para amplificadores de
potencia, los cuales se considerarán en el capítulo 12. En este análisis nos concentraremos prin-
cipalmente en polarizar el transistor para operación de amplificación de señal pequeña.
Hay que considerar otro factor de polarización muy importante. Habiendo seleccionado y pola-
rizado el BJT en un punto de operación deseado, también debemos tomar en cuenta el efecto de
la temperatura. La temperatura cambia los parámetros del dispositivo al igual que la ganancia
de corriente del transistor 1b ca2 y su corriente de fuga (ICEO). Las altas temperaturas incremen-
tan las corrientes de fuga en el dispositivo, y cambian por lo tanto las condiciones de operación
establecidas por la red de polarización. El resultado es que el diseño de la red también debe pro-
porcionar un grado de estabilidad de temperatura, de modo que los cambios ambientales produz-
can cambios mínimos en el punto de operación. Este mantenimiento del punto de operación puede
ser especificado por un factor de estabilidad S, el cual indica el grado de cambio del punto
de operación provocado por una variación de la temperatura. Es deseable un circuito altamente
estable, y se comparará la estabilidad de algunos circuitos de polarización básicos.
Para que el BJT se polarice en su región de operación lineal o activa lo siguiente debe ser cierto:
1. La unión base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje más positivo en la región p),
con el voltaje de polarización en directa resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V.
2. La unión base-colector debe polarizarse en inversa (más positivo en la región n), con el
voltaje de polarización en inversa de cualquier valor dentro de los límites del dispositivo.
[Observe que para la polarización en directa el voltaje a través de la unión p-n es p positivo, en
tanto que para la polarización en inversa es opuesto (inverso) con n positiva. Este énfasis en la
letra inicial deberá servir para memorizar la polaridad necesaria del voltaje.]
La operación en las regiones de corte, saturación y lineal de la característica BJT se da como
sigue:
164 POLARIZACIÓN 1. Operación en la región lineal:
DE CD DE LOS BJT Unión base-emisor polarizada en directa.
Unión base-colector polarizada en inversa.
2. Operación en la región de corte:
Unión base-emisor polarizada en inversa.
Unión base-colector polarizada en inversa.
3. Operación en la región de saturación:.
Unión base-emisor polarizada en directa.
Unión base-colector polarizada en directa.
4.3 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
●
El circuito de polarización fija de la figura 4.2 es la configuración de polarización de cd más sim-
ple. Aun cuando la red emplea un transistor npn, las ecuaciones y cálculos aplican igualmente
bien para una configuración del transistor pnp tan sólo con cambiar todas las direcciones de
la corriente y las polaridades del voltaje. Las direcciones de la corriente de la figura 4.2 son las
direcciones reales y la notación de doble subíndice estándar define los voltajes. Para el análisis
de cd se puede aislar la red de los niveles de ca indicados reemplazando los capacitores con un
equivalente de circuito abierto, ya que la reactancia de un capacitor con cd es XC = 1>2pfC =
1>2p102C = q Æ. Además, la fuente de cd VCC se puede dividir en dos fuentes (sólo para pro-
pósitos de análisis) como se muestra en la figura 4.3 para separar los circuitos de entrada y
salida. También reduce el vínculo entre las dos con la corriente de base IB. La separación es cier-
tamente válida, como observamos en la figura 4.3, de modo que VCC está conectada directamente
a RB y RC igual que en la figura 4.2.
IC
señal de
salida
de ca
señal de
IB +
entrada VCE
de ca
–
FIG. 4.2 FIG. 4.3
Circuito de polarización fija. Circuito de CD equivalente de la figura 4.2.
Polarización en directa de la unión base-emisor
Considere primero la malla del circuito base-emisor de la figura 4.4. Al escribir la ley de volta-
jes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj para la malla, obtenemos
+ VCC - IBRB - VBE = 0
Observe la polaridad de la caída de voltaje a través de RB como la estableció la dirección indi-
cada de IB. Resolviendo la ecuación para la corriente IB obtenemos:
VCC - VBE
IB = (4.4)
RB
En realidad la ecuación (4.4) no es difícil de recordar si se tiene en cuenta que la corriente de
FIG. 4.4 base es la corriente a través de RB, y según la ley de Ohm dicha corriente es el voltaje través
Malla base-emisor. de de RB dividido entre la resistencia RB. El voltaje a través de RB es el voltaje aplicado a VCC en
un extremo menos la caída a través de la unión base a emisor 1VBE2. Además como el voltaje de
alimentación VCC y el voltaje de base a emisor VBE son constantes, la selección de un resistor
de base RB establece el límite de la corriente de base para el punto de operación.
Malla colector-emisor CONFIGURACIÓN 165
DE POLARIZACIÓN FIJA
La sección colector-emisor de la red aparece en la figura 4.5 con la dirección indicada de la co-
rriente IC y la polaridad resultante a través de RC. La magnitud de la corriente de colector está
relacionada directamente con IB mediante
IC = bIB (4.5)
Es interesante hacer notar que como a la corriente de base la controla el nivel de RB e IC está
relacionada con IB por una constante b, la magnitud de IC no es una función de la resistencia RC.
El cambio de RC a cualquier nivel no afectará el nivel de IB o IC mientras permanezcamos en la
región activa del dispositivo. Sin embargo, como veremos, el nivel de RC determinará la magni-
tud de VCE, la cual es un parámetro importante.
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj alrededor
de la malla de la figura 4.5 obtenemos:
FIG. 4.5
VCE + ICRC - VCC = 0 Malla colector-emisor.
y VCE = VCC - ICRC (4.6)
la cual establece que el voltaje a través de la región colector-emisor de un transistor en la configu-
ración de polarización fija es el voltaje de alimentación menos la caída de voltaje a través de RC.
Como un breve repaso de la notación de subíndice sencillo y doble recordemos que
VCE = VC - VE (4.7)
donde VCE es el voltaje del colector al emisor y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra.
En este caso, como VE 0 V, tenemos
VCE = VC (4.8)
Además, como
VBE = VB - VE (4.9)
y VE 0 V, entonces
VBE = VB (4.10)
Tenga en cuenta que los niveles de voltaje como VCE se determinan colocando el cable rojo
(positivo) del voltmetro en la terminal del colector con el negro (negativo) en la terminal del emi-
sor, como se muestra en la figura 4.6. VC es el voltaje del colector a tierra y se mide como se
muestra en la misma figura. En este caso, las dos lecturas son idénticas, pero en las redes que
siguen las dos pueden ser muy diferentes. Es muy importante entender bien la diferencia entre FIG. 4.6
las dos lecturas para la solución de fallas de redes de transistores. Medición de VCE y VC.
EJEMPLO 4.1 Determine lo siguiente para la configuración de polarización fija de la figura 4.7.
a. IBQ y ICQ.
b. VCEQ.
c. VB y VC.
d. VBC.
Solución:
VCC - VBE 12 V - 0.7 V
a. Ec. (4.4): IBQ = = = 47.08 MA
RB 240 kÆ
Ec. (4.5): ICQ = bIBQ = 1502147.08 mA2 = 2.35 mA
166 POLARIZACIÓN
DE CD DE LOS BJT
IC salida
+ de ca
IB
entrada
de ca VCE
FIG. 4.7
Circuito de polarización fija de cd para el ejemplo 4.1.
b. Ec. (4.6): VCEQ = VCC - ICRC
= 12 V - 12.35 mA212.2 kÆ2
= 6.83 V
c. VB = VBE = 0.7 V
VC = VCE = 6.83 V
d. Utilizando la notación de doble subíndice resulta
VBC = VB - VC = 0.7 V - 6.83 V
= 6.13 V
el signo negativo revela que la unión está polarizada en inversa, como debe ser para la am-
plificación lineal.
Saturación del transistor
El término saturación se aplica a cualquier sistema donde los niveles han alcanzado su valor
máximo. Una esponja saturada es aquella que no puede contener otra gota de líquido. Para un
transistor que opera en la región de saturación la corriente es un valor máximo para el diseño
particular. Cambie el diseño y el nivel de saturación correspondiente puede elevarse o reducir-
se. Por supuesto, la corriente de colector máxima define el nivel de saturación máximo tal como
aparece en la hoja de especificaciones.
Normalmente se evitan las condiciones de saturación porque la unión base-colector ya no es-
tá polarizada en inversa y la señal amplificada de salida se distorsionará. La figura 4.8a ilustra
un punto de operación en la región de saturación. Observe que en esta región es donde se unen
las curvas de las características y el voltaje del colector al emisor está en o por debajo de VCEsat.
Además, la corriente del colector es relativamente alta en la curva de las características.
IC IC
I C sat – Punto Q
I C sat – Punto Q
0 VCE sat VCE 0 VCE
(a) (b)
FIG. 4.8
Regiones de saturación: (a) real); (b) aproximada.
Si aproximamos las curvas de la figura 4.8a con las que aparecen en la figura 4.8b, aparece CONFIGURACIÓN 167
un método rápido y directo de determinar el nivel de saturación. En la figura 4.8b la corrien- DE POLARIZACIÓN FIJA
te es relativamente alta y se supone que el voltaje VCE es de 0 V. Al aplicar la ley de Ohm pode-
mos determinar la resistencia entre el colector y el emisor como sigue:
VCE 0V
RCE = = = 0Æ
IC ICsat
Aplicando los resultados al esquema de la red obtenemos la configuración de la figura 4.9.
Por consiguiente, si en el futuro hubiera la necesidad inmediata de conocer la corriente máxi-
ma aproximada del colector (nivel de saturación) para un diseño particular, basta insertar un equi-
valente de cortocircuito entre el colector y el emisor del transistor y calcular la corriente del colec-
tor resultante. En suma, establezca VCE 0 V. Para la configuración de polarización fija de la figura
4.10 se aplicó un cortocircuito, lo que provocó que el voltaje a través de RC fuera el voltaje aplica-
do VCC. La corriente de saturación resultante para la configuración de polarización fija es
VCC FIG. 4.9
ICsat = (4.11) Determinación de ICsat.
RC
FIG. 4.10
Determinación de ICsat para la
configuración de polarización fija.
Una vez que se conoce ICsat tenemos una idea de la posible corriente máxima del colector para
el diseño seleccionado y del nivel que debe permanecer bajo si esperamos que la amplificación
sea lineal.
EJEMPLO 4.2 Determine el nivel de saturación para la red de la figura 4.7.
Solución:
VCC 12 V
ICsat = = = 5.45 mA
RC 2.2 kÆ
El diseño del ejemplo 4.1 dio por resultado ICQ = 2.35 mA, lo cual está muy lejos del nivel
de saturación y aproximadamente a la mitad del valor para el diseño.
Análisis por medio de la recta de carga
Recuerde que la solución de recta de carga de una red de diodo se encontró superponiendo
las características reales del diodo sobre una gráfica de la ecuación de la red que implica las mis-
mas variables de la red. La intersección de las dos gráficas definió las condiciones de operación
reales para la red. Se conoce como análisis por medio de la recta de carga porque la carga
(resistores de la red) de la red definía la pendiente de la línea recta que conecta los puntos defi-
nidos por los parámetros de la red.
Se puede aplicar el mismo procedimiento a redes de BJT. Las características del BJT se
sobreponen en una gráfica de la ecuación de la red definida por los mismos parámetros. El re-
sistor de carga RC para la configuración de polarización fija definirá la pendiente de la ecuación
de la red y la intersección resultante entre las dos gráficas. Cuanta más pequeña sea la resistencia,
168 POLARIZACIÓN IC (mA)
DE CD DE LOS BJT 50 µA
8
7 40 µA
6
30 µA
5
V CC 4
IC 20 µA
+
RC 3
RB – 10 µA
2
+
VCE 1 I B = 0 µA
IB
– 0 5 10 15 VCE (V)
ICEO
(a) (b)
FIG. 4.11
Análisis de la recta de carga: (a) la red; (b) las características del dispositivo.
más pronunciada será la pendiente de la recta de carga de la red. La red de la figura 4.11a esta-
blece una ecuación de salida que relaciona las variables IC y VCE de la siguiente manera:
VCE = VCC - ICRC (4.12)
Las características de salida del transistor también relacionan las mismas dos variables IC y VCE
como se muestra en la figura 4.11b.
Las características del dispositivo de IC contra VCE se dan en la figura 4.11b. Ahora tenemos que
superponer la línea recta definida por la ecuación (4.12) en las características. El método más di-
recto de graficar la ecuación 4.12 sobre las características de salida es utilizar el hecho de que dos
puntos definen una línea recta. Si seleccionamos IC como 0 mA, especificamos el eje horizontal
como la línea donde se localiza un punto. Al sustituir IC 0 mA en la ecuación (4.12) vemos que
VCE = VCC - 102RC
y VCE = VCC ƒ IC = 0 mA (4.13)
que define un punto para la línea recta como se muestra en la figura 4.12.
IC
VCC
RC
Punto Q IB
Q
VCE = 0 V
Recta de
carga
0 VCC VCE
IC = 0 mA
FIG. 4.12
Recta de carga de polarización fija.
Si ahora seleccionamos VCE como 0 V, el cual establece el eje vertical como la línea donde se CONFIGURACIÓN 169
localiza el segundo punto, vemos que a IC la determina la ecuación: DE POLARIZACIÓN FIJA
0 = VCC - ICRC
`
VCC
y IC = (4.14)
RC VCE = 0 V
como aparece en la figura 4.12.
Uniendo los dos puntos definidos por las ecuaciones (4.13) y (4.14), podemos trazar la línea
recta establecida por la ecuación (4.12). La línea resultante en la gráfica (4.12) es la llamada
recta de carga porque el resistor de carga RC la define. Resolviendo para el nivel resultante de
IB podemos establecer el punto real Q como se muestra en la figura 4.12.
Si se cambia el nivel de IB variando el valor de RB, el punto Q se mueve hacia arriba o ha-
cia abajo de la recta de carga como se muestra en la figura 4.13 para incrementar los valores
de IB. Si VCC se mantiene fija y RC se incrementa, la recta de carga variará como se muestra en
la figura 4.14. Si IB se mantiene fija, el punto Q se moverá como se muestra en la misma figu-
ra. Si RC se mantiene fija y VCC se reduce, la línea de carga se desplaza como se muestra en la
figura 4.15.
Punto Q
Punto Q
Punto Q
FIG. 4.13
Movimiento del punto Q con el nivel creciente de IB.
Punto Q Punto Q Punto Q
FIG. 4.14
Efecto de un nivel creciente de RC en la recta
de carga y el punto Q.
170 POLARIZACIÓN
DE CD DE LOS BJT
Punto Q Punto Q
Punto Q
FIG. 4.15
Efecto de los valores bajos de VCC en la recta de carga y el punto Q.
EJEMPLO 4.3 Con la recta de carga de la figura 4.16 y el punto Q definido, determine los
valores requeridos de VCC, RC y RB para una configuración de polarización fija.
I C (mA)
60 µA
12
50 µA
10
40 µA
8
30 µA
6 Punto Q
20 µA
4
10 µA
2 I B = 0 µA
0 5 10 15 20 VCE
FIG. 4.16
Ejemplo 4.3.
Solución: De acuerdo con la figura 4.16,
VCE = VCC = 20 V con IC = 0 mA
VCC
IC = con VCE = 0 V
RC
VCC 20 V
y RC = = = 2 kæ
IC 10 mA
VCC - VBE
IB =
RB
VCC - VBE 20 V - 0.7 V
y RB = = = 772 kæ
IB 25 mA