Halbleitermaterialien
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Gabriela Lara
Belén Subía
8vo Ambiental
HALBLEITER
Die Halbleiter Bei niedrigen Temperaturen Der Halbleiter mehr
sind Elemente (fest) son Isolatoren. Aber a verwendet wird Silizium,
kristallklar) die haben Maß, das sich erhöht Was ist das Element am meisten
eine Leitfähigkeit Temperatur oder anderweitig reichlich in der
elektrisch niedriger als die von die Sucht von Natur, nach dem
ein metallischer Leiter bestimmte Sauerstoff. Andere
aber überlegen gegenüber der eines Unreinheiten Ergebnis Halbleiter sind der
guter Isolator. mögliche seine Führung. Germanium und Selenium.
ARTEN VON HALBLEITERN
Intrinsische Halbleiter kennzeichnen ein Material
extrem reinem Halbleiter
die eine vernachlässigbare Anzahl von Atomen enthält
de
Verunreinigungen
Es wurden extrinsische Halbleiter hinzugefügt
kontrollierte Mengen von unreinen Atomen
(Dopado), um die Erzeugung von Elektronen zu fördern
Kristallstruktur
Halbleiter Si und Ge, und die von
Die häufigste Struktur ist die
Zinkblende, die ist die von
vom Diamanten.
Galliumarsenid
Kristalline Gitter, jedes Atom wird
findet sich vereint mit anderen vier
Monokristallin, polykristallin und amorph.
mittels kovalenter Bindungen mit
tetraedrische Symmetrie.
EIGENSCHAFTEN
Leitfähigkeit
elektrisch, wenn eine angewendet wird
Potentialdifferenz ist eines der
wichtigste physikalische Eigenschaften
Leitfähigkeit Ein Halbleiter ist ein Element, das
verhält sich wie ein Fahrer oder
elektrisch als Isolator abhängig von
verschiedene Faktoren.
Das elektrische oder magnetische Feld, die
Druck, die Strahlung, die auf ihn trifft, oder die
Umgebungstemperatur, in der sich
finden.
Widerstand
elektrisch Es ist der elektrische Widerstand
spezifisch für jedes Material zu
sich dem Schritt einer
corriente eléctrica.
Die Halbleiter ermöglichen die
Modifikation seiner Resistivität von
kontrollierte Weise zwischen
sehr große Margen.
Reside in seiner atomaren Struktur
(kovalente Bindungen).
ERHÖHUNGDERLEITFÄHIGKEITINEINEMELEMENT
HALBLEITER
Die größere oder kleinere Methoden:
elektrische Leitfähigkeit • Erhebung von ihm
die präsentieren können Temperatur
Mayor temperatura =
los materiales Bürgermeister mit • Einführung von
Halbleiter Verunreinigungen (Doping)
abhängt größtenteils Leitfähigkeit innerhalb von seiner
Maß von ihm kristalline Struktur
innere Temperatur. • Steigerung der
Beleuchtung.
Ich
KONTAMINATION ODER DOPING
Se los contamina para darles
eine besondere Eigenschaft.
Wie man die Wahrscheinlichkeit von ...
Besetzung der Bands von
Energie, Zentren schaffen
Rekombination und andere.
Dopado mit Elementen
pentavalent oder mit Elementen
trivalente.
P-undN-Halbleiter
Verunreinigungen Dreivertige Verunreinigungen.
pentavalent • Sie sind Elemente, deren
• Sie sind Elemente, deren Atome haben drei
In der Praxis, um die Atome haben fünf Valenzelektronen
elektrische Leitfähigkeit der Valenzelektronen in ihrem äußeren Orbital.
Halbleiter, werden verwendet in ihrer äußeren Orbital. Unter ihnen befindet sich
hinzugefügte Verunreinigungen Unter ihnen gibt es Sie finden das Bor, das
finden den Phosphor, Galio und der Indianer.
freiwillig. der Antimon und der
Arsen
Halbleiter Typ N
Die Valenzelektronen 5
sie haben ein Elektron mehr,
bei Raumtemperatur
zum Beispiel das 5. Elektron
Es wird freies Elektron.
Das ist, wie nur man
können 8 Elektronen haben
im Orbit von Valencia, der
lösen fünffach atom
ein Elektron, das frei sein wird.
Halbleiter vom Typ P
Unreinheiten von Valenz 3
(Aluminium, Bor, Gallium).
Wir haben einen Kristall von
Mit Dotiertem Silizium
Valenzatome 3.
Die Valenzelemente 3 haben
ein Elektron weniger, dann
Da uns ein Elektron fehlt
wir haben ein Loch. Das heißt, das
Ein trivalentes Atom hat 7
Elektronen in der Umlaufbahn von
Valencia.
Anwendungen
1950 - Geräte
Sie ersetzten die
Halbleiter oder
Elektronenröhren von
auch bekannt als
die Industrie
wie Geräte von
traditionell.
festkörper
Beneficios - Änderung
Größenreduzierung revolutionär in den
und Konsum von Telekommunikation
energía, bajo costo, Die Computertechnik, das
höhere Haltbarkeit und {"almacenamiento de":"Speicherung von"}
Zuverlässigkeit. Informationen usw.
Anwendungen
Transistoren elektronische Geräte von
täglicher Gebrauch von Talen
wie Radios, Fernseher, Wiedergabegeräte
es von Audio und Video,
Eine Diode ist ein Bauteil
elektronisch mit zwei Anschlüssen, die
ermöglicht den Stromfluss
elektrisch durch ihn in einem einzigen
Sinn
UMWELTWIRKUNG
Der Produktionsprozess von Halbleitergeräten erfordert ein
hoher Energieverbrauch.
Sei Teil von Materialien mit hoher Entropie, um zu produzieren
hochorganisierte Strukturen von extrem niedrig
Entropie. Es ist eine äußerst hohe Energiezufuhr erforderlich.
Hohe Nachfrage auf dem Technologiemarkt.
Die Nutzer geben ihm eine kurze Nutzungsdauer.
Umweltauswirkungen
Schnelle Obsoleszenz.
Sie sind kompakte Strukturen, die aus verschiedenen kleinen bestehen
Komponenten, die häufig schädliche Substanzen enthalten.
Es lässt sich nicht leicht recyceln, da es ein schwieriger Prozess ist.
kostspielig, umweltschädlich und unrentabel.
UMWELTANWENDUNGEN
MitderEntdeckungderNanopartikelentstanddieNotwendigkeiteinerbesserenFormvon
mussdiePhänomeneinterpretieren.
HalbleiternützlichbeiderDetektionvonpolyzyklischenaromatischenKohlenwasserstofen(PAH).
VerbindungenwieBenzolundToluolstelengroßeProblemedar.
Mexiko-Stadt:DieWerteüberschreitendieempfohlenenStandards
international
DieDetektionvonPAH-MolekülenerfolgtmitMethodenwiederGaschromatographie,die
trotzihrergroßenTiefeundderhohenAuflösungderSchadstofmoleküle,
SietunesnichtinEchtzeit.
Eswirdangestrebt,einEchtzeitverfahrenzuhaben.
SequieredesarrollardispositivosconmaterialessemiconductoresdelgrupoIII-V,yaque
SiebietenvieleVorteile,insbesondereaufgrundderReaktionsgeschwindigkeitdesDetektors,was
eshatmitdenEigenschaftenvonHalbleiternzutun.
NEUETECHNOLOGIEN
ETH Zürich und seine Forschungsgruppe sind
spezialisiert auf die Entwicklung von Transistoren von
Hochleistungsprodukte, die zum Übertragen bestimmt sind
Information mit solcher Effizienz und Schnelligkeit wie möglich
möglich.
Hochbeweglichkeits-Transistoren (HEMT)
basierend auf gallium-aluminium-nitrid-Materialien
(AlGaN/GaN) Indium-Aluminium-Nitrid
(AlInN/GaN).
die Energiekosten dank seiner höheren reduzieren
energieeffizienz
ANWENDUNGENINDERNANOTECHNOLOGIE:
MENSCHLICHEHALBLEITER
ForscherderUniversitätvon
Georgia(UGA)hatdie
NanotechnologiezurZüchtungvonFasern
organischeHalbleiter,mit
ähnlicheMerkmalewiedie
Silizium-Halbleiter.
DasExperimentkönntezueinerführen
neueKlassevonKomponenten
Enicrihutngsgegensätndeu,ndsogau,rnszurVerüfgungzuseteln
eineFamilievonBrennstofzellen
biologischeIdeale,umin..zuhalten
Funktoi nsweisevonHerzschrtimachern,Implantaten
CochleareundProthesenallerArt.
NANOTECHNOLOGIE:MENSCHLICHEHALBLEITER
KleineFasernwachsenlassen
vonorganischenPolymeren
bestehendausKettenvon
tiofeno(hidrocarburo)ybenceno
verankertaufderOberflächevon
dünneMetallfolien.
DiesebeidenSubstanzensind
aromatischeMoleküle,diezu
manchmalwerdensieverwendetals
Lösungsmittel.
VIDEO
DIEHERSTELLUNGEINER
HALBLEITER
YOUTUBE
Bibliografía
Aranzabal, A. (2011). GRUNDLAGEN DER ELEKTRONIK. Erhalten von
Halbleiter.
NEOTEO. (2009). Organische Halbleiter
(Nanotechnologie). Erhalten von
[Link]
Nanotechnologie
HALBLEITER. (o.J.). Entnommen von
[Link]
TODO ES QUIMICA. (2012). Abgerufen von HALBLEITER:
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